CN103680959A - 具有线性c-v特性的低应力双杠杆结构mems变容器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,下极板、驱动电极和锚点设置于介质衬底上,上极板的两端部通过扭转梁支撑固定于锚点上,上极板的中间部与下极板相对,上极板的端部与驱动电极相对;驱动电极上施加线性增加电压,上极板的端部向下运动,上极板的中间部向上运动,上极板与下极板之间的电容值减小,驱动电极上停止施加线性增加电压,上极板通过扭转梁的扭转弹力回复至初始水平状态。上极板外端部向下运动带动上极板向上运动,上下极板间间距增大,使电容值C随电压值V增加而线性减小;上极板中间部台阶结构使上下极板初始间距减小,初始电容值提高,增大电容变化范围,有助于释放上极板运动时形变产生的应力。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,属于电子电路技术和微电子机械系统(MEMS)技术领域。
背景技术
利用微电子机械系统(MEMS)技术设计制作的射频(RF)可变电容器具有插入损耗低、Q值高、线性度高、调节范围宽等独特的优点。MEMS可变电容器是无线通讯等电子电路系统的基本元件之一,在无线通讯系统前端有广泛应用,以微型化、高线性、可调谐为技术发展方向,新一代信息技术正呼唤着新一代高性能元器件。与传统变容二极管相比,MEMS可变电容器具有低插损、高Q值、高线性度等优点。目前常见的MEMS可调电容有两种基本形式,一种是调节上下电容极板间的间距来改变电容值,这种可调电容反应灵敏、Q值高、尺寸小,然而却有间距调节范围的限制,其上极板运动范围不能大于上下极板初始间距的三分之一,否则电容上极板会被迅速下拉,因此可调范围较小;另一种是调节电容的正对面积来改变电容值,典型的是利用插指状结构,通过改变指间正对面积来改变电容值,这种结构制作工艺复杂,电容值有限,电容的控制精度差。通常情况下,可变电容随控制电压的变化都呈现非线性,这大大增加了电容控制电路的复杂度,且精度极易受到控制电路中噪声的影响。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种线性度高、变容范围大的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,包括扭转梁、下极板、上极板、锚点、驱动电极和介质衬底,下极板、驱动电极和锚点设置于介质衬底上,上极板的两端部通过扭转梁支撑固定于锚点上,上极板的中间部与下极板相对,上极板的端部与驱动电极相对;驱动电极上施加线性增加电压,上极板的端部向下运动,上极板的中间部向上运动,上极板与下极板之间的电容值减小,驱动电极上停止施加线性增加电压,上极板通过扭转梁的扭转弹力回复至初始水平状态。
进一步地,上述的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,所述上极板包含中间部和两端部,中间部与两端部呈下凹式台阶结构,中间部与下极板之间的空气层构成可变电容。
更进一步地,上述的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,所述锚点有四个,位于上极板的两侧,每侧各两个,每侧的锚点位于上极板中间部与端部的分界处,均通过扭转梁支撑固定上极板,锚点电气接地。
更进一步地,上述的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,所述驱动电极上覆有绝缘介质薄膜,作为驱动电极与上极板之间的电气隔离层。
再进一步地,上述的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,所述下极板上覆有绝缘介质薄膜,作为下极板与上极板之间的电气隔离层。
本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在:
本发明设计独特、结构新颖,驱动电极施加电压时,上极板外端部向下运动,带动电容上极板向上运动,上下极板间间距增大,从而使电容值C随电压值V增加而线性减小。上极板中间部台阶结构使变容器上下极板初始间距减小,初始电容值提高,增大电容变化范围,同时有助于释放上极板运动时形变所产生的应力。电容随电压变化的线性度非常高,电容变化范围大。通过扭转梁材料及尺寸优化降低控制电压。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
图1:本发明的立体结构示意图;
图2:本发明初始状态示意图;
图3:本发明工作状态示意图;
图4:驱动电压与上下极板间间距的关系曲线图;
图5:上下极板间间距与电容的关系曲线图;
图6:驱动电压与电容的关系曲线图。
具体实施方式
如图1、图2所示,具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,包括扭转梁1、下极板2、上极板3、锚点4、驱动电极5和介质衬底6,下极板2、驱动电极5和锚点4设置于介质衬底6上,上极板3的两端部通过扭转梁1支撑固定于锚点4上,上极板3的中间部与下极板2相对,上极板3的端部与驱动电极5相对。如图3所示,驱动电极5上施加线性增加电压,上极板3的端部向下运动,上极板3的外端与驱动电极5之间产生静电力,上极板外端受静电力作用向下运动,通过锚点的杠杆作用带动上极板3的中间部分向上运动,杠杆旋转与水平夹角设为a,上极板3与下极板2之间的电容值近似线性减小。驱动电极5上停止施加线性增加电压,上极板3通过扭转梁1的扭转弹力回复至初始水平状态。
上极板3包含中间部和两端部,中间部与两端部呈下凹式台阶结构,中间部与下极板2之间的空气层构成可变电容。两端部通过扭转梁1连接锚点4作为支撑点,其外端部被驱动电极5驱动时向下运动,带动中间部向上运动,中间部与下极板2及两者之间的空气层构成可变电容,上极板3的中间部和两端部之间的台阶结构,可使变容器上下极板初始间距减小,初始电容增大,同时可以减小上极板3运动时的形变量,释放形变所产生的部分应力,增加上极板3运动范围,从而增加变容器电容值的变化范围。
锚点4有四个,位于上极板3的两侧,每侧各两个,每侧的锚点位于上极板3中间部与端部的分界处,均通过扭转梁1支撑固定上极板3,起支撑和固定作用,为双杠杆结构的支点,锚点4电气接地,为直流零电位。
驱动电极5位于上极板3外端部的下方衬底上,其上覆有一层很薄的绝缘介质薄膜,作为上极板3与驱动电极5之间的电气隔离层,驱动电极5的厚度与上极板3的运动范围有关,厚度越小,上极板3的运动范围越大,在驱动电极5上施加正电压,可使驱动电极5与上极板3的外端部分之间产生静电力,驱动上电极3的外端部分产生下拉动作。
下极板2位于上极板3中间部分正下方的衬底上,其上覆有一层很薄的绝缘介质薄膜,作为上极板3与下极板2之间的电气隔离层。
上极板3台阶结构可释放其动作时形变产生的部分应力,使施加驱动加压后整体形变应力集中于扭转梁1上,所以,可通过调整扭转梁外形尺寸,以适应具体应用中系统控制电压的限制。同时,下极板2的尺寸、上电极3的尺寸、锚点4的高度和驱动电极5的厚度不唯一,可根据具体应用中初始电容值大小与电容调节范围大小进行设计,以获得具有高线性度C-V特性的MEMS变容器。
电容器的上下极板间间距、驱动电压与电容之间关系,设上极板外端与驱动电极的初始间距为g0,上极板中间部与下极板之间的初始间距为g0c,实际间距为gc,扭转梁的扭转弹性系数为k,上极板与驱动电极的正对面积为Ae,则施加静电力形成的力矩为:
其中旋转角度a为,
由力矩平衡等式:|M(a)|=k·a
则施加在驱动电极上的电压V与上极板中间部和下极板之间距离gc的关系为:
当下拉电压线性增加时,上极板外端向下运动的速率增大,因此上极板中间部向上运动的速率增大,即图4所示。
设下极板与上极板的正对面积为A,绝缘介质隔离层的厚度为tx,则电容值C与上极板中间部与下极板之间距离gc的关系为:
当上极板中间部与下极板之间的距离gc线性增加时,两者之间的电容值加速减小,即图5所示,因此在驱动电压线性变化时,这两个增大和减小的速率可相互平衡,得到电容值随电压线性变化的关系,图6所示,通过优化结构参数,可使C-V曲线的线性度达到99.9%。
综上所述,本发明设计独特、结构新颖,驱动电极施加电压时,上极板外端部向下运动,带动电容上极板向上运动,上下极板间间距增大,从而使电容值C随电压值V增加而线性减小。上极板中间部台阶结构使变容器上下极板初始间距减小,初始电容值提高,增大电容变化范围,同时有助于释放上极板运动时形变所产生的应力。电容随电压变化的线性度非常高,电容变化范围大。通过扭转梁材料及尺寸优化降低控制电压。
需要理解到的是:以上所述仅是本发明的优选实施方式,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,其特征在于:包括扭转梁、下极板、上极板、锚点、驱动电极和介质衬底,下极板、驱动电极和锚点设置于介质衬底上,上极板的两端部通过扭转梁支撑固定于锚点上,上极板的中间部与下极板相对,上极板的端部与驱动电极相对;驱动电极上施加线性增加电压,上极板的端部向下运动,上极板的中间部向上运动,上极板与下极板之间的电容值减小,驱动电极上停止施加线性增加电压,上极板通过扭转梁的扭转弹力回复至初始水平状态。
2.根据权利要求1所述的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,其特征在于:所述上极板包含中间部和两端部,中间部与两端部呈下凹式台阶结构,中间部与下极板之间的空气层构成可变电容。
3.根据权利要求1所述的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,其特征在于:所述锚点有四个,位于上极板的两侧,每侧各两个,每侧的锚点位于上极板中间部与端部的分界处,均通过扭转梁支撑固定上极板,锚点电气接地。
4.根据权利要求1所述的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,其特征在于:所述驱动电极上覆有绝缘介质薄膜,作为驱动电极与上极板之间的电气隔离层。
5.根据权利要求1所述的具有线性C-V特性的低应力双杠杆结构MEMS变容器,其特征在于:所述下极板上覆有绝缘介质薄膜,作为下极板与上极板之间的电气隔离层。
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