CN103413681A - 一种对称杠杆结构的mems线性可变电容器 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,包括介质衬底、上极板、下驱动电极、电容下极板及4个对上极板起支撑和固定作用的锚点,上极板的两端部分与下驱动电极相应,中间部分与电容下极板相应,两端部分在下驱动电极的作用下加速向下运动,带动中间部分向上运动,使上极板和电容下极板之间的电容线性减小,电容下极板较厚,下驱动电极较薄,可使可调电容器的初始电容值大、电容变化范围大。
Description
技术领域
本发明属于射频微机电系统(RF MEMS)领域,具体涉及一种电容值线性可调节的MEMS电容器。
背景技术
射频微机电系统(RF MEMS)是用微加工工艺制作的,集微结构、微传感器、微执行器、信号处理和控制电路为一体的射频器件或系统,应用MEMS技术制作的可变电容具有高Q值、低损耗、低噪声、宽调节范围等优点。
常见的MEMS可调电容有两种基本形式,一种是调节上下电容极板间的间距来改变电容值,这种可调电容反应灵敏、Q值高、尺寸小,然而却有间距调节范围的限制,其上极板运动范围不能大于上下极板初始间距的三分之一,否则电容上极板会被迅速下拉,因此可调范围较小;另一种是调节电容的正对面积来改变电容值,典型的是应用插指状结构,通过改变指间正对面积来改变电容值,这种结构制作工艺复杂,电容值有限,电容的控制精度差。通常情况下,可变电容随控制电压的变化都呈现非线性,这增加了电容控制电路的复杂度。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出了一种对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,具有线性度高、变容范围大的特点。
为实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,包括:
介质衬底1;
设置在介质衬底1上的下驱动电极3、电容下极板4和锚点5;以及,
设置在锚点5上的上极板2,锚点5对上极板2起支撑和固定作用,上极板2分为中间部分和两端部分,中间部分与电容下极板4对应,做上下运动,两端部分分别与一个下驱动电极3对应,以锚点5为支点做杠杆运动。
在下驱动电极3上施加线性增加的电压,使上极板2的外端加速向下运动,同时带动上极板2的中间部分向上运动,使上极板2与电容下极板4之间的电容值近似线性减小。
所述的上极板2的两端部分被下驱动电极3驱动时向下运动,带动中间部分向上运动,中间部分和电容下极板4及两者之间的空气层构成电容值可变的电容。
所述的锚点5共有4个,设置在上极板2的两侧,每侧各两个,分别位于上极板2中间部分和两端部分的两个分界处,为对称杠杆结构的支点,锚点5电气接地,为直流零电位。
所述的下驱动电极3上覆有一层Si3N4薄膜,作为上极板2与下驱动电极3之间的电气隔离层,下驱动电极3的厚度与上极板2的运动范围相关,厚度越小,上极板2的运动范围越大,在下驱动电极3上施加正电压,可使下驱动电极3与上极板2的外端部分之间产生静电力,驱使上电极2的外端部分发生下拉动作。
所述的电容下极板4上覆有一层Si3N4薄膜,作为上极板2与电容下极板4之间的电气隔离层,电容下极板4的厚度大于下驱动电极3,在锚点5高度固定的情况下,电容下极板4越厚,与上极板2之间的距离就越小,可变电容的初始电容值就越大。
所述的可变电容的初始电容值、电容变化范围以及电容随电压变化的线性度均与下驱动电极3厚度成反比,与电容下极板4厚度成正比。即:下驱动电极3越薄、电容下极板4越厚,则初始电容值越大,电容变化范围越大,电容随电压变化的线性度越高。
本发明的优点是:电容随电压变化的线性度非常高,电容变化范围大。
附图说明
图1为本发明的三维结构图。
图2为本发明的侧视图。
图3为本发明下驱动电极上施加下拉电压后的侧视图。
图4为本发明电容器的上电极和电容下极板之间的距离、驱动电压和电容的关系曲线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作进一步详细说明。
参见图1和图2,其结构主要包括介质衬底1、上极板2、下驱动电极3、电容下极板4和锚点5,下驱动电极3、电容下极板4及锚点5都设置在介质衬底1上,上极板2设置在锚点5上,锚点5对上极板起支撑和固定作用,上级板2的厚度设为t,上极板2可分为3个部分,即中间部分和两端部分,中间部分与电容下极板4对应,主要做上下运动,用作电容的上极板2,两端部分分别与一个下驱动电极3对应,以锚点5为支点做杠杆运动,位于下驱动电极3正上方的一段在驱动电压作用下向下运动,其长度设为l1,另一段靠内侧,由于杠杆作用,在电压驱动时向上运动,其长度设为l2,在下驱动电极3上施加线性增加的电压时,上极板2的最外端加速向下运动,同时带动上极板2的中间部分向上运动。
参见图3,其结构为在下驱动电极3上施加下拉电压后的侧视图,此时上极板2的外端和下驱动电极3之间产生静电力,上极板2外端受静电力作用向下运动,通过锚点5的杠杆作用带动上电极中间部分向上运动,。
参见图4,为本发明电容器的上电极和电容下极板4之间的距离、驱动电压和电容的关系曲线,设上极板2外端与下驱动电极3的初始间距为g0,上极板2中间部分与电容下极板4之间的初始间距为g0c,实际间距为gc,外端杠杆的弹性系数为k,上极板2与下驱动电极3的正对面积为Ae,则施加在下驱动电极3上的电压V与上电极中间部分和电容下极板4之间距离gc的关系为:
当下拉电压线性增加时,上极板2外端向下运动的速率增大,因此上极板2中间部分向上运动的速率增大,即图4(a)所示。
设电容下极板4与上极板2的正对面积为A,Si3N4隔离层的厚度为tSi3N4,则电容值C与上极板2中间部分和电容下极板4之间距离gc的关系为:
当上极板2中间部分与电容下极板4之间的距离gc线性增加时,两者之间的电容值加速减小,即图4(b)所示,因此在驱动电压线性变化时,这两个增大和减小的速率可相互平衡,得到电容值随电压线性变化的关系,选取合适的结构参数,可使电容-电压曲线的线性度达到99.9%。
Claims (6)
1.一种对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,包括:
介质衬底(1);
设置在介质衬底(1)上的下驱动电极(3)、电容下极板(4)和锚点(5);以及,
设置在锚点(5)上的上极板(2),锚点(5)对上极板(2)起支撑和固定作用,上极板(2)分为中间部分和两端部分,中间部分与电容下极板(4)对应,做上下运动,两端部分分别与一个下驱动电极(3)对应,以锚点(5)为支点做杠杆运动。
2.如权利要求1所述的对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,其特征在于,所述的上极板(2)的两端部分被下驱动电极(3)驱动时向下运动,带动中间部分向上运动,中间部分和电容下极板(4)及两者之间的空气层构成电容值可变的电容。
3.如权利要求1所述的对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,其特征在于,所述的锚点(5)共有4个,设置在上极板(2)的两侧,每侧各两个,分别位于上极板(2)中间部分和两端部分的两个分界处,为对称杠杆结构的支点,锚点(5)电气接地,为直流零电位。
4.如权利要求1所述的对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,其特征在于,下驱动电极(3)上覆有一层Si3N4薄膜,作为上极板(2)与下驱动电极(3)之间的电气隔离层,下驱动电极(3)的厚度与上极板(2)的运动范围相关,厚度越小,上极板(2)的运动范围越大,在下驱动电极(3)上施加正电压,可使下驱动电极(3)与上极板(2)的外端部分之间产生静电力,驱使上电极(2)的外端部分发生下拉动作。
5.如权利要求1或4所述的对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,其特征在于,所述电容下极板(4)上覆有一层Si3N4薄膜,作为上极板(2)与电容下极板(4)之间的电气隔离层,电容下极板(4)的厚度大于下驱动电极(3),在锚点(5)高度固定的情况下,电容下极板(4)越厚,与上极板(2)之间的距离就越小,可变电容的初始电容值就越大。
6.如权利要求1所述的对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器,其特征在于,可变电容的初始电容值、电容变化范围以及电容随电压变化的线性度均与下驱动电极(3)厚度成反比,与电容下极板(4)厚度成正比。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310323750.8A CN103413681B (zh) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 一种对称杠杆结构的mems线性可变电容器 |
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---|---|---|---|
CN201310323750.8A CN103413681B (zh) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 一种对称杠杆结构的mems线性可变电容器 |
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Publication Number | Publication Date |
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CN103413681A true CN103413681A (zh) | 2013-11-27 |
CN103413681B CN103413681B (zh) | 2016-06-29 |
Family
ID=49606682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310323750.8A Active CN103413681B (zh) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 一种对称杠杆结构的mems线性可变电容器 |
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Country | Link |
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