CN114974342A - Dram数据保持时间、刷新间隔确定方法、刷新方法及装置 - Google Patents

Dram数据保持时间、刷新间隔确定方法、刷新方法及装置 Download PDF

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CN114974342A CN202110202719.3A CN202110202719A CN114974342A CN 114974342 A CN114974342 A CN 114974342A CN 202110202719 A CN202110202719 A CN 202110202719A CN 114974342 A CN114974342 A CN 114974342A
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Abstract

本发明实施例提供了一种DRAM数据保持时间、刷新间隔的确定方法、DRAM的刷新方法及装置，所述DRAM数据保持时间方法包括；获取目标DRAM在参考状态时的第一温度以及在所述第一温度时的第一最小数据保持时间；获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线；根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间。本发明的技术方案可以调节对DRAM进行刷新的刷新间隔，以降低功耗。

Description

DRAM数据保持时间、刷新间隔确定方法、刷新方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种DRAM数据保持时间、刷新间隔的确定方法、DRAM的刷新方法及装置。
背景技术
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的原理是利用电容内存储的电荷来存储二进制数据。由于在现实中电容会有漏电的现象，因此，需要对电容周期性地充电才能使存储在其中的信息不丢失，这种给DRAM中的电容充电的动作叫做刷新。DRAM存储单元中的数据在无刷新情况下能保持数据不丢失的时间称作数据的保持时间(Retention Time)，数据的保持时间由其电容的漏电流大小决定。
从半导体器件的特性来说，温度越低，DRAM内部的存储单元的漏电越少，所需的刷新频率也就越低；反之，温度越高，DRAM所需的刷新频率越高。
现有内存系统CPU(central processing unit，中央处理器)对DRAM的刷新频率进行设置时，大多采用固定的刷新间隔，只在某个温度点以上采用两倍的刷新频率。
较高的刷新率将会增加DRAM的功耗。DRAM自身内部各单元差异较大，要实现既不造成DRAM误码也不增加DRAM功耗较为困难。
因此，需要一种新的DRAM的刷新方法。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种DRAM数据保持时间、刷新间隔的确定方法、DRAM的刷新方法及装置，进而降低DRAM功耗，提升带宽。
本发明的其它特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。
根据本发明实施例的第一方面，提供了一种DRAM数据保持时间的确定方法，所述方法包括；获取目标DRAM在参考状态时的第一温度以及在所述第一温度时的第一最小数据保持时间；获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线；根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间。
在一些实施例中，所述根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间，包括：按照设定的时间间隔读取所述目标DRAM内部传感器测量的实时温度；根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在所述实时温度时的当前数据保持时间。
在一些实施例中，所述获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度之前，所述方法还包括：判断所述目标DRAM是否是新器件；若是，则对所述目标DRAM进行数据保持时间测试，以得到并存储所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度，以及获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；若否，则获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度。
在一些实施例中，所述设定的时间间隔的取值范围为2s至5s。
在一些实施例中，所述根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线，包括根据以下公式创建指数曲线：
Figure BDA0002948452860000021
其中，
Figure BDA0002948452860000022
T1为第一温度，T2为第二温度，T3为当前温度，RTb为当前温度对应的当前数据保持时间，x1为所述第一最小数据保持时间，x2为所述第二最小数据保持时间。
在一些实施例中，所述根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线，包括根据以下公式创建指数曲线：
Figure BDA0002948452860000031
其中，
Figure BDA0002948452860000032
T1为第一温度，T2为第二温度，T3为当前温度，T4为温度余量，x1为第一最小数据保持时间，x2为第二最小数据保持时间。
在一些实施例中，所述温度余量的取值范围为10℃至20℃。
在一些实施例中，所述第一温度为95℃，第一最小数据保持时间为32ms。
根据本发明实施例的第二方面，提供了一种DRAM刷新间隔的确定方法，基于本发明实施例的第一方面的DRAM数据保持时间的确定方法，所述DRAM刷新间隔的确定方法还包括：根据当前数据保持时间确定目标DRAM的刷新间隔设定值，其中，所述刷新间隔设定值小于等于所述当前数据保持时间除以刷新次数得到的商。
在一些实施例中，根据刷新间隔设定值调整刷新间隔时间，所述刷新间隔时间为小于或等于刷新间隔设定值，且其精度与内存控制器相适配。
在一些实施例中，所述刷新次数为8192次。
根据本发明实施例的第三方面，提供了一种DRAM的刷新方法，基于本发明实施例的第二方面所述的DRAM刷新间隔的确定方法，所述刷新方法还包括：设置刷新间隔时间，并根据所述刷新间隔时间刷新目标DRAM，所述刷新间隔时间不大于刷新间隔设定值。
根据本发明实施例的第四方面，提供了一种DRAM数据保持时间的确定装置，所述装置包括；第一获取单元，用于获取目标DRAM在参考状态时的第一温度以及在所述第一温度时的第一最小数据保持时间；第二获取单元，用于获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；第一创建单元，用于根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线；第一确定单元，用于根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间。
根据本发明实施例的第五方面，提供了一种DRAM刷新间隔的确定装置，包括本发明实施例的第四方面所述的DRAM数据保持时间的确定装置，所述装置还包括：第二确定单元，用于根据所述当前数据保持时间确定所述目标DRAM的刷新间隔设定值，其中，所述刷新间隔设定值小于等于所述当前数据保持时间除以刷新间隔得到的商。
根据本发明实施例的第六方面，提供了一种DRAM的刷新装置，包括本发明实施例的第五方面所述的DRAM数据保持时间的确定装置，所述刷新装置还包括：刷新单元，用于设定置刷新间隔时间，并根据所述刷新间隔时间刷新目标DRAM，所述刷新间隔时间不大于刷新间隔设定值。
本发明实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
在本发明的一些实施例所提供的技术方案中，通过创建以DRAM温度与数据保持时间为参数的指数曲线，并根据当前温度计算DRAM的当前数据保持时间，从而降低刷新DRAM在常温或低温状态下的刷新频率，在保证DRAM功能的前提下降低DRAM功耗，提升带宽。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。在附图中：
图1示意性示出了根据本发明一种实施例的DRAM数据保持时间的确定方法的流程图；
图2示意性示出了根据本发明一种实施例的指数曲线的示意图；
图3示意性示出了根据本发明另一种实施例的刷新DRAM的方法的流程图；
图4示意性示出了根据本发明又一种实施例的DRAM刷新间隔的确定方法的流程图；
图5示意性示出了根据本发明又一种实施例的DRAM的刷新方法的流程图；
图6示意性示出了根据本发明一种实施例的DRAM数据保持时间的确定装置的方框图；
图7示意性示出了根据本发明另一种实施例的DRAM刷新间隔的确定装置的方框图；
图8示意性示出了根据本发明又一种实施例的DRAM的刷新装置的方框图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例性实施方式。然而，示例性实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本发明将更加全面和完整，并将示例性实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的模块翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
在相关技术中，DRAM等动态存储器装置要求每个刷新间隔对所有行进行一次刷新，以防止存储于DRAM内的数据丢失。该刷新间隔可以为64ms。如果不刷新数据，存储器单元内对数据进行编码的电荷会泄漏掉。绝大部分DRAM行在高温极限下在刷新操作之间都能够维持很多秒，且在典型温度下能够使数据保持更长时间。短的刷新间隔源自于少量漏电的存储器单元。在存储器未被使用时，以漏电的存储器单元所要求的速率对所有行进行不必要的刷新会造成较大的功耗浪费。
为解决以上问题，本发明提供一种对DRAM进行刷新的方案，通过对DRAM的刷新间隔进行设定，以在保证DRAM功能的前提下减少DRAM的功耗浪费。
本发明实施例的技术方案可以应用在DDR(Double Data Rate，双倍率)DRAM中，且并不局限于此。
图1示意性示出了本发明示例性实施方式的一种DRAM数据保持时间的确定方法。本发明实施例提供的方法可以由任意具备计算机处理能力的电子设备执行，例如中央处理器。参考图1，该DRAM数据保持时间的确定方法可以包括以下步骤：
步骤S102，获取目标DRAM在参考状态时的第一温度以及在所述第一温度时的第一最小数据保持时间；
步骤S104，获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；
步骤S106，根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线；
步骤S108，根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间。
这里，在参考状态时，第一温度可以为95℃，第一最小数据保持时间可以为32ms，即在95℃条件下的DRAM的最小数据保持时间为32ms，这是Jedec(Joint ElectronicDevice Engineering Council，电子器件工程联合会)DDR4协议规定的DRAM的产品标准要求中规定的DRAM器件性能要求。第一温度和第一最小保持时间预先存储在存储器中，以供在需要时获取。
第二温度以及第二最小数据保持时间是CPU的内存控制器在室温下对所连接的DRAM进行数据保持测试得到的所有DRAM的最小数据保持时间。这里，CPU的内存控制器可以连接多个DRAM，CPU的内存控制器对这些DRAM进行数据保持测试后，分别得到这些DRAM各自对应的数据保持时间，取这些数据保持时间的最小值为第二最小数据保持时间。
在本发明实施例的技术方案中，设定不同温度下DRAM的数据保持时间曲线是指数形式，通过使用第一温度、第一最小数据保持时间、第二温度、第二最小数据保持时间创建指数曲线，并根据该指数曲线确定目标DRAM的当前数据保持时间，以对DRAM进行刷新，可以在保证DRAM功能的情况下，减少DRAM的功耗。
系统在初始化阶段，用户选择让CPU对内存控制器所连接的DRAM进行数据保持时间测试，测得该内存通道下所有DRAM的最小的数据保持时间，并记录下此时DRAM内部温度传感器的温度，即得到上述第二温度和第二最小数据保持时间，并将第二温度和第二最小数据保持时间保存在存储器中。
具体地，CPU的内存控制器在室温下对所连接的DRAM进行持续时间测试，并测出当前温度下所有DRAM的最小数据保持时间。这里，室温可以为25℃，且并不局限于此。
在本发明实施例中，设定不同温度下DRAM的数据保持时间曲线为指数形式。
根据此时的温度和最小数据保持时间，以及Jedec协议中对DRAM在95℃时的最小数据保持时间32ms的要求，可以得到一条用以计算数据保持时间与温度对应关系的指数曲线。
在系统重启后，需要判断是否更换DRAM，即在步骤S104之前，判断所述目标DRAM是否是新器件，以决定是否重新对DRAM进行数据保持时间测试。
如果目标DRAM是新器件，则对所述目标DRAM进行数据保持时间测试，以得到所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度，并将所述第二最小数据保持时间和所述第二温度存储，并在步骤S104中获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度。
如果目标DRAM不是新器件，则直接获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度。
这样，根据步骤S102和步骤S104获取的参数，可以创建指数曲线。
具体地，指数曲线可以用以下公式(1)表示：
Figure BDA0002948452860000081
其中，
Figure BDA0002948452860000082
T1为第一温度，T2为第二温度，T3为当前温度，RTb为当前温度对应的当前数据保持时间，x1为所述第一最小数据保持时间，x2为所述第二最小数据保持时间。
在本发明各实施例的公式中，温度单位均为℃，数据保持时间单位均为ms。
在第一温度取值95℃，第一最小数据保持时间取值32ms时，将这两个参数带入上述指数曲线可以得到的指数曲线为：
Figure BDA0002948452860000083
其中，
Figure BDA0002948452860000084
T2为第二温度，x2为所述第二最小数据保持时间，T2和x2均为预先测量后保存的常数参数，这些常数参数可以保存在非易失性存储器以供调用，但保存位置并不局限于此。即，该指数曲线为RTb随T3变化的曲线。
在本发明另一种实施例中，指数曲线可以用以下公式(2)表示：
Figure BDA0002948452860000085
其中，
Figure BDA0002948452860000086
T1为T1为第一温度，T2为第二温度，T3为当前温度，RTb为当前温度对应的当前数据保持时间，T4为温度余量，x1为所述第一最小数据保持时间，x2为所述第二最小数据保持时间。
在第一温度取值95℃，第一最小数据保持时间取值32ms，将这两个参数带入上述指数曲线可以得到的指数曲线为：
Figure BDA0002948452860000087
其中，
Figure BDA0002948452860000088
T2为第二温度，x2为所述第二最小数据保持时间，温度余量T4为设定的常数，T2和x2均为取自非易失性存储器的常数。即，该指数曲线为RTb随T3变化的曲线。
其中，温度余量的取值范围可以为10℃至20℃。即温度余量T4可以取值10℃，也可以取值15℃，还可以取值20℃，且并不局限于此。
现有的DDR系统里，如下表1所示，CPU对DRAM的刷新率变化是以85℃为分界的。这里，TCASE为温度。DRAM的内存刷新间隔由DRAM数据保持时间除以刷新次数求得。该刷新次数由JEDEC协议确定。
表1内存刷新间隔表
Figure BDA0002948452860000091
可见，对实际的数据保持时间预留10℃余量可以提高DRAM的稳定性。
取TCASE＝95-T4。TCASE增加10℃，将会得到较大的当前数据保持时间，使得数据刷新减慢，功耗较低，TCASE减小10℃，将会得到较小的当前数据保持时间，使得设定的数据刷新加快，相对安全。
在温度余量取值为10℃时，指数曲线为：
Figure BDA0002948452860000092
其中，
Figure BDA0002948452860000093
T2为第二温度，x2为所述第二最小数据保持时间，T2和x2均为预先测量后保存的常数参数，这些常数参数可以保存在非易失性存储器以供调用，但保存位置并不局限于此。即，该指数曲线为RTb随T3变化的曲线。
如图2所示，曲线201和曲线202分别为不考虑温度余量和考虑温度余量进行曲线创建得到的指数曲线。
在步骤S108之前，CPU中的内存控制器需要读取目标DRAM内部传感器测量的实时温度，并在步骤S108中，根据上述指数曲线获取该实时温度对应的当前数据保持时间。
在步骤S108之后，按照设定的时间间隔循环执行步骤S108，具体包括：按照设定的时间间隔读取所述目标DRAM内部传感器测量的实时温度；根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在所述实时温度时的当前数据保持时间。
这里，所述设定的时间间隔的取值范围为2s至5s。即该时间间隔可以为2s，也可以为3s、4s或者5s，且并不局限于此。
步骤S108之后，可以根据所述当前数据保持时间确定所述目标DRAM的刷新间隔设定值，其中，所述刷新间隔设定值小于等于所述当前数据保持时间除以刷新次数得到的商。这里，刷新次数可以取值8192，其可以根据JEDEC协议的规定的改变而改变。
具体地，在得到当前数据保持时间后，根据CPU内部内存控制器的结构，计算出每个温度下的刷新间隔在内存控制器中的刷新间隔设定值。该计算原则是内存控制器中设定的刷新间隔设定值不能超过当前数据保持时间除以刷新次数得到的商即当前数据保持时间对应的刷新间隔。
例如，根据上述指数曲线公式计算出的当前数据保持时间对应的刷新间隔是21.2μs时，若内存控制器中可以设定21μs和21.5μs，则应该将DRAM的刷新间隔设定为21μs。这里，刷新间隔时间的精度为0.5。具体地，可以根据刷新间隔设定值调整刷新间隔时间，所述刷新间隔时间为小于或等于刷新间隔设定值，且其精度与内存控制器相适配。
这里，刷新次数可以为8192次。
假设DRAM a在20℃室温下测得的最小数据保存时间是1.2s，DRAM b在24℃室温下测得的最小数据保存时间是1.05s，那么，根据上述考虑到温度余量的指数曲线得到的各个温度对应的当前数据保持时间如下表2所示。
表2温度与设定刷新间隔的对应表
Figure BDA0002948452860000101
如图3所示，本发明实施例提供一种刷新DRAM的方法包括以下步骤：
步骤S301，系统启动。
步骤S302，判断是否更换了新的DRAM。若是，执行步骤S303，若否，执行步骤S305。
步骤S303，测试DRAM的最小数据保持时间。
步骤S304，更新数据保持时间和温度到存储介质。
步骤S305，读取存储介质中存储的数据保持时间和温度。
步骤S306，计算每个温度下对应的刷新间隔。
步骤S307，计算每个温度下对应的内存控制器刷新间隔设定值。
步骤S308，CPU每隔一段时间读取DRAM温度，更新刷新间隔设定值，调整刷新间隔时间。
步骤S309，刷新DRAM。
如图4所示，本发明实施例提供的DRAM刷新间隔的确定方法除包括步骤S102、步骤S104、步骤S106、步骤S108，还包括以下步骤：
步骤S410，根据当前数据保持时间确定目标DRAM的刷新间隔设定值，其中，刷新间隔设定值小于等于当前数据保持时间除以刷新次数得到的商。
如图5所示，本发明实施例提供的DRAM刷新间隔的确定方法除包括步骤S102、步骤S104、步骤S106、步骤S108、步骤S410，还包括以下步骤：
步骤S512，设置刷新间隔时间，并根据刷新间隔时间刷新目标DRAM，刷新间隔时间不大于刷新间隔设定值。
在本发明实施例提供的DRAM数据保持时间的确定方法、DRAM刷新间隔的确定方法、DRAM的刷新方法中，通过创建以DRAM温度与数据保持时间为参数的指数曲线，并根据当前温度设定DRAM的当前数据保持时间，可以降低DRAM在常温/低温下的刷新频率，在保证DRAM功能的前提下降低DRAM功耗。
以下介绍本发明的装置实施例，可以用于执行本发明上述的各个实施例的方法。如图6所示，根据本发明实施例提供的一种DRAM数据保持时间的确定装置600可以包括：
第一获取单元602，用于获取目标DRAM在参考状态时的第一温度以及在所述第一温度时的第一最小数据保持时间；
第二获取单元604，用于获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；
第一创建单元606，用于根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线；
第一创建单元608，用于根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间。
如图7所示，根据本发明实施例提供的一种DRAM刷新间隔的确定装置700包括：第一获取单元602、第二获取单元604、第一创建单元606、第一创建单元608，以及
第二确定单元710，用于根据当前数据保持时间确定目标DRAM的刷新间隔设定值，其中，刷新间隔设定值小于等于当前数据保持时间除以刷新次数得到的商。
如图8所示，根据本发明实施例提供的一种DRAM的刷新装置800包括：第一获取单元602、第二获取单元604、第一创建单元606、第一创建单元608、第二确定单元710，以及
刷新单元812，用于设置刷新间隔时间，并根据所述刷新间隔时间刷新目标DRAM，所述刷新间隔时间不大于刷新间隔设定值。
由于本发明的示例实施例的装置的各个功能模块与上述方法的示例实施例的步骤对应，因此对于本发明装置实施例中未披露的细节，请参照本发明上述的DRAM数据保持时间的确定方法、DRAM刷新间隔的确定方法、DRAM的刷新方法的实施例。
在本发明实施例提供的DRAM数据保持时间的确定装置、DRAM刷新间隔的确定装置、DRAM的刷新装置中，通过创建以DRAM温度与数据保持时间为参数的指数曲线，并根据当前温度计算DRAM的当前数据保持时间，从而在保证DRAM功能的前提下降低DRAM功耗。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (15)

1.一种DRAM数据保持时间的确定方法，其特征在于，所述方法包括；
获取目标DRAM在参考状态时的第一温度以及在所述第一温度时的第一最小数据保持时间；
获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；
根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线；
根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间，包括：
按照设定的时间间隔读取所述目标DRAM内部传感器测量的实时温度；
根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在所述实时温度时的当前数据保持时间。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度之前，所述方法还包括：
判断所述目标DRAM是否是新器件；
若是，则对所述目标DRAM进行数据保持时间测试，以得到并存储所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度，以及获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；
若否，则获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述设定的时间间隔的取值范围为2s至5s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线，包括根据以下公式创建指数曲线：
Figure FDA0002948452850000021
其中，
Figure FDA0002948452850000022
T1为第一温度，T2为第二温度，T3为当前温度，RTb为当前温度对应的当前数据保持时间，x1为所述第一最小数据保持时间，x2为所述第二最小数据保持时间。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线，包括根据以下公式创建指数曲线：
Figure FDA0002948452850000023
其中，
Figure FDA0002948452850000024
T1为第一温度，T2为第二温度，T3为当前温度，T4为温度余量，RTb为当前温度对应的当前数据保持时间，x1为第一最小数据保持时间，x2为第二最小数据保持时间。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述温度余量的取值范围为10℃至20℃。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一温度为95℃，第一最小数据保持时间为32ms。
9.一种DRAM刷新间隔的确定方法，其特征在于，基于权利要求1至8任一所述的DRAM数据保持时间的确定方法，所述DRAM刷新间隔的确定方法还包括：
根据当前数据保持时间确定目标DRAM的刷新间隔设定值，其中，所述刷新间隔设定值小于等于所述当前数据保持时间除以刷新次数得到的商。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，根据刷新间隔设定值调整刷新间隔时间，所述刷新间隔时间为小于或等于刷新间隔设定值，且其精度与内存控制器相适配。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述刷新次数为8192次。
12.一种DRAM的刷新方法，其特征在于，基于权利要求9至11任一项所述的DRAM刷新间隔的确定方法，还包括：设置刷新间隔时间，并根据所述刷新间隔时间刷新目标DRAM，所述刷新间隔时间不大于刷新间隔设定值。
13.一种DRAM数据保持时间的确定装置，其特征在于，包括；
第一获取单元，用于获取目标DRAM在参考状态时的第一温度以及在所述第一温度时的第一最小数据保持时间；
第二获取单元，用于获取所述目标DRAM的第二最小数据保持时间及所述第二最小数据保持时间对应的第二温度；
第一创建单元，用于根据所述第一温度、所述第一最小数据保持时间、所述第二最小数据保持时间和所述第二温度创建指数曲线；
第一确定单元，用于根据所述指数曲线确定所述目标DRAM在当前温度时的当前数据保持时间。
14.一种DRAM刷新间隔的确定装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的DRAM数据保持时间的确定装置，还包括：
第二确定单元，用于根据当前数据保持时间确定目标DRAM的刷新间隔设定值，其中，所述刷新间隔设定值小于等于所述当前数据保持时间除以刷新次数得到的商。
15.一种DRAM的刷新装置，其特征在于，包括如权利要求14所述的DRAM刷新间隔的确定装置，还包括：
刷新单元，用于设定置刷新间隔时间，并根据所述刷新间隔时间刷新目标DRAM，所述刷新间隔时间不大于刷新间隔设定值。
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