CN114967269A - 一种显示基板、显示装置及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示基板、显示装置及制作方法，该显示基板包括：衬底基板；多条栅线，位于衬底基板上且沿第一方向延伸、沿第二方向排列；多条数据线，位于衬底基板上且沿第二方向延伸、沿第一方向排列，第二方向与第一方向相交；栅线与数据线限定形成多个子像素区；多个子像素电极，位于衬底基板上的多个子像素区内；多个驱动晶体管，位于衬底基板上、且与各数据线、各栅线和各子像素电极电连接；格栅结构，位于子像素电极所在层远离衬底基板的一侧，格栅结构在各子像素区具有用于容置带电颗粒的开口区域，格栅结构在衬底基板的正投影至少部分覆盖栅线、数据线在衬底基板的正投影，子像素电极的面积与子像素区的面积的比值大于70％。

Description

一种显示基板、显示装置及制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示装置及制作方法。

背景技术

目前，市场上的电子纸(EPD)主要采用微杯/微胶囊型电子纸膜，用微杯/微胶囊中的电子墨水实现黑、白、红显示。

然而微杯/微胶囊电子纸膜具有较高的技术壁垒，形成事实上的技术垄断，使得电子纸的出货量、价格受微杯/微胶囊电子纸膜厂家的影响严重，不利于电子纸市场的整体扩展。

发明内容

本发明实施例提供一种显示基板、显示装置及制作方法，用以解决现有技术中存在的上述问题。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

多条栅线，位于所述衬底基板上且沿第一方向延伸、沿第二方向排列；

多条数据线，位于所述衬底基板上且沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向排列，所述第二方向与所述第一方向相交；所述栅线与所述数据线限定形成多个子像素区；

多个子像素电极，位于所述衬底基板上的多个所述子像素区内；

多个驱动晶体管，位于所述衬底基板上、且与各所述数据线、各所述栅线和各所述子像素电极电连接；

格栅结构，位于所述子像素电极所在层远离所述衬底基板的一侧，所述格栅结构在各所述子像素区具有用于容置带电颗粒的开口区域，所述格栅结构在所述衬底基板的正投影至少部分覆盖所述栅线、所述数据线在所述衬底基板的正投影，所述子像素电极的面积与所述子像素区的面积的比值大于70％。

一种可能的实施方式，所述格栅结构包括：沿所述第一方向延伸、沿所述第二方向排列的第一阻挡条，以及沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向排列的第二阻挡条；

所述第一阻挡条在所述衬底基板上的正投影至少部分覆盖所述栅线，所述第二阻挡条在所述衬底基板上的正投影至少部分覆盖所述数据线且与子像素电极存在交叠区域。

一种可能的实施方式，所述第一阻挡条在沿所述第二方向的横切面的图形，以及所述第二阻挡条在沿所述第一方向的横切面的图形均为梯形。

一种可能的实施方式，所述梯形的顶边与底边的比例范围为0.5～0.8。

一种可能的实施方式，所述显示基板还包括：位于所述衬底基板上的多个所述子像素区内层叠设置的第一块状电极和第二块状电极；

所述第一块状电极、所述驱动晶体管的栅极和所述栅线均位于栅极金属层，所述第二块状电极和所述驱动晶体管的源漏极均位于源漏金属层；

所述源漏金属层位于所述栅极金属层和所述子像素电极所在层之间；

所述子像素电极与所述第二块状电极之间构成第一存储电容，所述第二块状电极与所述第一块状电极之间构成第二存储电容。

一种可能的实施方式，在所述格栅结构的开口区域内，所述子像素电极通过第一过孔与所述第一块状电极电连接，所述子像素电极通过第二过孔与所述驱动晶体管的源极电连接。

一种可能的实施方式，各所述第二块状电极通过与所述数据线延伸方向一致的公共电极线电连接；

所述格栅结构在所述衬底基板上的正投影至少部分覆盖所述公共电极线或与所述公共电极线邻接。

一种可能的实施方式，所述显示基板还包括：位于所述驱动晶体管所在层与所述子像素电极所在层之间的无机绝缘层；

所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述驱动晶体管的正投影，所述无机绝缘层与所述子像素电极所在层之间具有有机绝缘层，所述有机绝缘层的厚度大于所述无机绝缘层的厚度。

一种可能的实施方式，所述驱动晶体管与所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影互不交叠，所述驱动晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述栅线交叠，且位于两条所述数据线之间；

所述栅线在与所述驱动晶体管交叠的区域的线宽大于其它区域的线宽。

一种可能的实施方式，所述显示基板还包括：所述源漏金属层与所述栅极金属层之间的半导体层；

所述半导体层与所述源漏金属层邻接，所述半导体层包括所述驱动晶体管的有源层以及与所述第二块状电极图案一致的第三块状电极。

一种可能的实施方式，所述有机绝缘层和所述格栅结构的材料均为树脂。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧表面依次形成沿第一方向延伸、沿第二方向排列的多条栅线、形成沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向排列的多条数据线；所述第二方向与所述第一方向相交，所述栅线与所述数据线限定形成多个子像素区；

在形成所述栅线和所述数据线的同时，形成所述驱动晶体管；

在形成所述驱动晶体管后，依次无机绝缘层和子像素电极；所述子像素电极的面积与所述子像素区的面积的比值大于70％；

形成环绕各所述子像素区的格栅结构，所述格栅结构在各所述子像素区具有用于容置带电颗粒的开口区域，所述格栅结构在所述衬底基板的正投影至少部分覆盖所述栅线、所述数据线在所述衬底基板的正投影。

一种可能的实施方式，所述子像素电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述驱动晶体管在所述衬底基板的正投影时，所述制作方法还包括：

在形成所无机绝缘层之后，且在形成所述子像素电极之前，形成厚度大于所述无机绝缘层的有机绝缘层。

一种可能的实施方式，所述子像素电极在所述衬底基板的正投影与所述驱动晶体管在所述衬底基板的正投影互不交叠时，形成所述栅线包括：

在所述栅线与所述驱动晶体管交叠的区域，形成的栅线的宽度大于其它区域的宽度。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括：

如第一方面所述的显示基板，与所述显示基板相对设置的对向基板，填充在所述格栅结构的各开口区域内的电浆层，以及位于所述对向基板面向所述显示基板一侧的公共电极层；其中，所述电浆层内具有至少两种颜色的带电粒子。

第四方面，本发明实施例提供了一种显示装置的制作方法，包括：

提供如第一方面所述的显示基板；

在所述显示基板的格栅结构中填充电浆层；

在具有电浆层的格栅结构中填充至少两种颜色的带电粒子；

在填充有单色带电粒子的格栅结构上形成与显示基板相对的对向基板，所述对向基板靠近所述显示基板的一侧具有公共电极。

附图说明

图1为相关技术中电子纸产品的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种显示基板部分区域的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的图2中显示基板在AA’方向的截面图；

图4为本发明实施例提供的显示基板中部分格栅结构的俯视图；

图5为本发明实施例提供的第二阻挡条在图2中BB’方向的截面图；

图6为本发明实施例提供的采用图3中显示基板形成的显示装置的显示原理图；

图7为本发明实施例提供的一种显示基板中一个子像素区的俯视图；

图8为本发明实施例提供的图7中CC’方向的剖面图；

图9为本发明实施例提供的另一种显示基板中部分子像素区的俯视图；

图10为本发明实施例提供的图9中DD’方向的剖面图；

图11为本发明实施例提供的另一种显示基板的部分子像素区的俯视图；

图12为本发明实施例提供的图11中F₁F₁’方向的截面图；

图13为本发明实施例提供的一种第二块状电极与公共电极线连接的示意图；

图14为本发明实施例提供的另一种显示基板的部分子像素区的俯视图；

图15为本发明实施例提供的图14中F₂F₂’方向的截面图；

图16为本发明实施例提供的图14中F₃F₃’方向的截面图；

图17为本发明实施例提供的另一种第二块状电极与公共电极线连接的示意图；

图18为本发明实施例提供的一种显示基板的制作流程图；

图19为本发明实施例提供的一种显示基板的制作示意图；

图20为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图21为本发明实施例提供的一种显示装置的制作流程图；

图22为本发明实施例提供的显示装置的制作示意图。

附图标记：

第一方向X、第二方向Y、子像素区ara；

衬底基板1、栅线2、数据线3、子像素电极4、驱动晶体管5、格栅结构6、第一阻挡条61、第二阻挡条62、无机绝缘层7、有机绝缘层8、第一块状电极9、第二块状电极10、公共电极线11、第三块状电极12。

具体实施方式

本发明实施例提供一种显示基板、显示装置及制作方法，用以解决上述问题。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。

需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

请参见图1为相关技术中电子纸产品的结构示意图。该电子纸产品包括阵列基板100、与阵列基板100相对设置的对向基板200，在阵列基板100与对向基板200之间设置有微胶囊层300，微胶囊层300中包括多个微胶囊301，每个微胶囊301填充有透明电泳液a及白色带电粒子b和黑色带电粒子c，通常这两种颜色的带电粒子的电性相反，上述微胶囊层300中的每个微胶囊301对应一个像素，在阵列基板100靠近微胶囊层300的一侧表面设置有与各个像素一一对应的像素电极400，阵列基板100中的驱动晶体管(图1中未示出)与像素电极400一一电连接，在像素电极400靠近微胶囊层300的一侧还设置有贴合胶500，粘合胶500用于固定微胶囊301，在对向基板200靠近微胶囊层300的一侧表面设置有公共电极层600，在对向基板200背离微胶囊层300的一侧表面设置有保护膜700，用于保护对象基板300，对向基板300可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PolyEthyleneTerephthalate，PET)膜。

相关技术中，制作上述微胶囊301实现产品化具有较高的技术壁垒。

请参见图2和图3，图2为本发明实施例提供的一种显示基板部分区域的结构示意图，图3为本发明实施例提供的图2中显示基板在AA’方向的截面图，本发明另提供了一种显示基板，制备方法和工艺更简易，具备优异的显示效果，本案的显示基板包括：

衬底基板1；

多条栅线2，位于衬底基板1上且沿第一方向X延伸、沿第二方向Y排列；

多条数据线3，位于衬底基板1上且沿第二方向Y延伸、沿第一方向X排列，第二方向Y与第一方向X相交；栅线2与数据线3限定形成多个子像素区ara；

由于栅线2和数据线3在显示基板中通常具有一定的宽度，因此栅线2和数据线3限定形成的子像素区ara域，可以是栅线2的中心线(沿第一方向X延伸)和数据线3的中心线(沿第二方向Y延伸)限定形成的图形(如图2中白色点划线围成的图形)。

多个子像素电极4，位于衬底基板1上的多个子像素区ara内；

多个驱动晶体管5，位于衬底基板1上、且与各数据线3、各栅线2和各子像素电极4电连接；可选的，驱动晶体管5为双栅结构的晶体管，即两个并联的晶体管构成，通过使用具有双栅结构的驱动晶体管5可以提高驱动晶体管5的驱动能力，或者可选的，驱动晶体管5也可以为单栅极结构的晶体管，在此不做限定。图2和图3中示出的驱动晶体管5为底栅型晶体管，实际应用中驱动晶体管5也可以为顶栅型晶体管。

需要说明的是，图3中与驱动晶体管5同层，且位于驱动晶体管5右侧的部分膜层(衬底基板1与子像素电极4之间的空白区域)的结构未示出，而不应理解为这部分膜层为一个膜层。

格栅结构6，位于子像素电极4所在层远离衬底基板1的一侧，格栅结构6在各子像素区ara具有用于容置带电颗粒的开口区域，格栅结构6在衬底基板1的正投影至少部分覆盖栅线2、数据线3在衬底基板1的正投影，子像素电极4的面积与子像素区ara的面积的比值大于70％。格栅结构6可以覆盖部分子像素电极4，也可以与子像素电极4无交叠。

如图2所示，格栅结构6中的一个开口区域与一个子像素电极4对应，格栅结构6的开口区域的面积小于子像素电极4的面积。上述子像素电极4的面积为对应子像素区ara中子像素电极4在衬底基板1的正投影面积，子像素电极4的面积与子像素区ara的面积的比值例如可以设置为75％、80％、85％、88％、90％等，可以根据设置的比值调整子像素电极4的大小。

在本发明提供的实施例中，通过在子像素电极4所在层远离衬底基板1的一侧设置格栅结构6，并让格栅结构6在衬底基板1的正投影至少部分覆盖栅线2、数据线3在衬底基板1的正投影，这样可以让格栅结构6中用于容置带电颗粒的开口区域与各个子像素区ara对应，从而可以使用上述格栅结构6的开口区域代替相关技术中容置带电粒子的微胶囊或微杯，也就不再受限于单一厂家的出货量、价格等因素而影响电子纸市场的整体扩张，并且由于格栅结构6至少部分覆盖栅线2、数据线3，使格栅结构6的开口区域与子像素区ara大小匹配，相较于相关技术中使用微胶囊/微杯纸膜的方案，具有更高的分辨率、对比度、且驱动电压更低等优点，可选的，格栅结构6全部覆盖栅线2、数据线3，可选的，格栅结构6全部覆盖栅线2、数据线3且超出栅线和数据线部分，在此不做限定。同时，通过将子像素电极4的面积与子像素区ara的面积的比值设置为大于70％，可以让后期在格栅结构6的开口区域中填充电浆后，能充分驱动格栅结构6的开口区域中各个区域的电浆，使填充在格栅结构6的开口区中的带电粒子能被均匀驱动。

请参见图4为本发明实施例提供的显示基板中部分格栅结构的俯视图。格栅结构6包括：

沿第一方向X延伸、沿第二方向Y排列的第一阻挡条61，以及沿第二方向Y延伸、沿第一方向X排列的第二阻挡条62；第一阻挡条61和第二阻挡条62同层设置，相邻两列或相邻两行子像素区ara共用同一第一阻挡条61或第二阻挡条62。

第一阻挡条61在衬底基板1上的正投影至少部分覆盖栅线2，第二阻挡条62在衬底基板1上的正投影至少部分覆盖数据线3且与子像素电极4存在交叠区域。第一阻挡条61在衬底基板1上的正投影也可以全覆盖栅线2、第二阻挡条62在衬底基板1上的正投影也可以全覆盖数据线3。

请参见图5为本发明实施例提供的第二阻挡条在图2中BB’方向的截面图。

第一阻挡条61在沿第二方向Y的横切面的图形，以及第二阻挡条62在沿第一方向X的横切面的图形均为梯形，可选的，本案可以是等腰梯形，在此不限定。第一阻挡条61在沿第二方向Y的横切面的图形与第二阻挡条62在沿第一方向X的横切面的图形、尺寸相同，可选的，均为等腰梯形，如图5所示。等腰梯形的顶边的长度为w₁，w₁的取值范围为6～16um，底边的长度为w₂，w₂的取值范围为11～21um，高度为h，h的取值范围为4～10um。如可以将等腰梯形的顶边的长度设置为11um，将等腰梯形的底边的长度设置为16um，将等腰梯形的高度设置为5um。

上述等腰梯形的顶边与底边的比例范围可以设置为0.5～0.8。在确定等腰梯形的顶边的长度或底边的长度后，根据此比例范围可以快速确定另一边的长度。

请继续参见图5，相邻两个子像素电极4之间的间隙为w₃，w₃≤10um，通过将相邻两个子像素电极4之间的间隙设置为小于或等于10um可以使子像素电极4的面积尽可能的大，从而提高子像素区ara中垂直电场的覆盖范围。

需要理解的是，上述相邻两个子像素电极4之间的间隙不包含间隙中设置有驱动晶体管5的间隙。

在本发明提供的实施例中，通过将第一阻挡条61在沿第二方向Y的横切面的图形，以及第二阻挡条62在沿第一方向X的横切面的图形均设置为梯形，可以使形成的第一阻挡条61、第二阻挡条62更加稳固，并且使格栅结构6中的各个开口区域的大小、形状保持一致，与子像素区ara更好的匹配。将第一阻挡条61在沿第二方向Y的横切面的图形，以及第二阻挡条62在沿第一方向X的横切面的图形均设置为等腰梯形，且等腰梯形的顶边与底边的比例范围设置为0.5～0.8，高度设置为4～6um可以让格栅结构6的每个开口区域中能填充足够多的电浆，而又不会使相邻开口区域中填充的电浆相互串扰，从而可以有效的提高包含上述显示基板的显示装置的显示效果。

请参见图6为本发明实施例提供的采用图3中显示基板形成的显示装置的显示原理图。

图6中与显示基板相对的设置有对向基板2000，在对向基板2000靠近显示基板的一侧表面设置有公共电极4000，当在公共电极4000和子像素电极4上施加电压形成垂直电场时，如图6上方所示垂直电场的电场方向为显示基板1000朝向对向基板2000的方向，此时黑色带电粒子(假设带“+”电荷)受垂直电场作用运动至显示装置的表面(即靠近对向基板的一面)，光线经显示装置的表面反射，在有垂直电场覆盖的区域正常反射黑色(即用户观看到黑色画面)，在无垂直电场覆盖的区域(驱动晶体管5正投影在对向基板的区域)即便受垂直电场边缘电场的影响，由于边缘电场较弱在该区域黑色显示不纯，从而影响显示效果。

当垂直电场反转，垂直电场的电场方向改变为对向基板2000朝向显示基板1000的方向时，受垂直电场作用，白色带电粒子(假设带“-”电荷)运动到显示装置的表面，光线经显示装置的表面反射，在垂直电场覆盖的区域正常反射白色，用户观看到为白色画面；而在驱动晶体管5正投影于对向基板2000的区域，由于边缘电场较弱白色带电粒子尚未越过黑色带电粒子到达显示装置的表面，使得此区域残留黑色，用户在此区域观看到黑色残像，从而影响显示效果。

为了提高显示效果，本发明实施例提供了以下两种方案来提高子像素电极4的面积，使子像素电极4的面积与子像素区ara域的面积的比值大于88％，进而让各个栅格结构中的带电粒子不管位于何区域均能被充分驱动：

可选的，本发明实施例提供的显示基板中，子像素电极4覆盖驱动晶体管5，可选的至少部分覆盖驱动晶体管5，例如覆盖大于50％驱动晶体管5的部分面积，也可以全部覆盖驱动晶体管5的面积，在此不限定。

请参见图7和图8，图7为本发明实施例提供的一种显示基板中一个子像素区的俯视图，图8为本发明实施例提供的图7中CC’方向的剖面图。显示基板还包括：

位于驱动晶体管5所在层与子像素电极4所在层之间的无机绝缘层7；

子像素电极4在衬底基板1上的正投影覆盖驱动晶体管5的正投影，无机绝缘层7与子像素电极4所在层之间具有有机绝缘层8，有机绝缘层8的厚度大于无机绝缘层7的厚度。

上述无机绝缘层7可以使用氮化硅，有机绝缘层8与格栅结构6可以使用相同的材料，如都可以使用树脂。有机绝缘层8的厚度可以是无机绝缘层7的厚度的2.5倍以上，如有机绝缘层8的厚度的取值范围可以为

无机绝缘层7的厚度的取值范围可以为

在本发明提供的实施例中，通过在无机绝缘层7与子像素电极4所在层之间增设一层厚度大于无机绝缘层7厚度的有机绝缘层8，可以利于有机绝缘层8和无机绝缘层7一起隔绝覆驱动晶体管5的子像素电极4与驱动晶体管5中的源漏极和有源层，避免在未增设具有上述厚度的有机绝缘层8时，让子像素电极4覆盖驱动晶体管5而使子像素电极4、无机绝缘层7、驱动晶体管5中的源漏极和有源层构成顶栅结构而使驱动晶体管5的特性发生偏移，从而在实现提高子像素电极4的面积(即提高子像素电极4的面积与子像素区ara的面积的比值)的同时，保持驱动晶体管5的特性稳定。

此外，也可以不增设上述有机绝缘层8，而将上述无机绝缘层7的厚度增加到图8中无机绝缘层7与有机绝缘层8的总厚度，同样可以避免子像素电极4覆盖驱动晶体管5而使子像素电极4、无机绝缘层7、驱动晶体管5中的源漏极和有源层构成顶栅结构而使驱动晶体管5的特性发生偏移。

请参见表1，示出了4Mask工艺下(即无机绝缘层7和子像素电极4之间未设上述有机绝缘层8的情况下)驱动晶体管5设置在开口区域内，且被子像素电极4覆盖与不覆盖的情况下的开启/关断电流。

表1

从表1可以看出，当在相关技术的基础上直接将子像素电极4覆盖驱动晶体管5会导致驱动晶体管5的关断电流显著增大，这是由于前述接收的子像素电极4与驱动晶体管5的无机绝缘层7、源漏极、有源层形成了顶栅结构，是驱动晶体管5的特性发生偏移造成的。

如表2所示，为采用本案中设置有机绝缘层8的方案(即子像素电极4覆盖驱动晶体管5，且无机绝缘层7和子像素电极4之间增设有机绝缘层8)测得的驱动晶体管5的开启电流和关断电流。

表2

从表2可以看出，在设置了有机绝缘层8的方案中驱动晶体管5的开启电流和关断电流都较小，这种方案不会形成上述顶栅结构来影响驱动晶体管5的特性。

在设置了有机绝缘层8的方案中，格栅结构6未覆盖驱动晶体管5。

本案中提供的另一种显示基板中，子像素电极4不覆盖驱动晶体管5，驱动晶体管5的栅极复用栅线2。

请参见图9为本发明实施例提供的另一种显示基板中部分子像素区的俯视图，图10为本发明实施例提供的图9中DD’方向的剖面图。

显示基板中驱动晶体管5与子像素电极4(图9和图10中斜线区域所示)在衬底基板1上的正投影互不交叠，驱动晶体管5在衬底基板1上的正投影与栅线2交叠，且位于两条数据线3之间；

栅线2在与驱动晶体管5交叠的区域的线宽大于其它区域的线宽。

如图10所示为图9中DD’方向的剖面图，此处驱动晶体管5与栅线2交叠的区域中的一部分，在此交叠的区域栅线2的宽度大于其余区域的宽度(结合图9看)，这样栅线2中较宽的部分既作为栅线2的组成部分使用，又能作为驱动晶体管5的栅极，从而让驱动晶体管5的栅极复用栅线2，进而减小驱动晶体管5在衬底基板1的正投影面积，使子像素电极4在不覆盖驱动晶体管5时面积也能增大，从而提高了子像素电极4与子像素区ara的比例，使之能大于88％。并且，由于此方案并不会如设置了有机绝缘层8的方案那样需在无机绝缘层7层和子像素电极4之间增加一层有机绝缘层8，因此一方面能减小显示基板的厚度，另一方面在制作时也就无需增加与有机绝缘层8相关的工艺，即使用现有的4mask工艺便能完成，从而还能够有效的节约工序、时间及成本，并提高产能。

在驱动晶体管5的栅极复用栅线2的方案下，还可以将相邻两个子像素电极4之间的间隙设置为小于或等于10um，相对于相关技术中相邻子像素电极4的间隙采用14um的工艺，能够进一步增大子像素电极4的面积，使子像素电极4与子像素区ara的面积比例进一步提高。在同一显示基板中，沿第一方向X排列的子像素电极4间的间隙，与沿第二方向Y排列的子像素电极4间的间隙可以相同，也可以不同，如在驱动晶体管5的栅极复用栅线2时，沿第二方向Y排列的子像素电极4间的间隙可以大于沿第一方向X排列的子像素电极4间的间隙。

上述相邻子像素电极4之间的间隙可以根据子像素电极4与子像素区ara的面积比例，及实际使用的设备精度进行设置。当然，在满足子像素电极4与子像素区ara的面积比例的需求下，相邻子像素电极4间的间隙可以尽量大，这样可以防止相邻子像素电极4发生短路现象。

请参见图11～图12，图11为本发明实施例提供的另一种显示基板的部分子像素区的俯视图，图12为本发明实施例提供的图11中F₁F₁’方向的截面图。显示基板还包括：

位于衬底基板1上的多个子像素区ara内层叠设置的第一块状电极9和第二块状电极10；

第一块状电极9、驱动晶体管5的栅极和栅线2均位于栅极金属层，第二块状电极10和驱动晶体管5的源漏极均位于源漏金属层；

源漏金属层位于栅极金属层和子像素电极4所在层之间；

子像素电极4与第二块状电极10之间构成第一存储电容C1，第二块状电极10与第一块状电极9之间构成第二存储电容C2。

在格栅结构6的开口区域内，子像素电极4通过第一过孔H₁与第一块状电极9电连接，子像素电极4通过第二过孔H₂与驱动晶体管5的源极电连接；第一过孔H₁和第二过孔H₂邻近栅线2设置。

图11对应设置了无机绝缘层8的方案，在栅极金属层设置第一块状电极9、在源漏金属层设置第二块状电极10，这样子像素电极4与第二块状电极10之间构成第一存储电容C1，第二块状电极10与第一块状电极9之间构成第二存储电容C2，从而可以利用第一块状电极9、第二块状电极10、子像素电极4构成双重存储电容，使子像素区ara的像素电压不会快速掉电，进而充分驱动格栅结构6的开口区域中容置的电浆及带电粒子。图12是图11中F₁F₁’方向的剖面图，图11中同列的两个过孔电连接的是相同的膜层，如图11中右侧的一列第一过孔H₁均电连接子像素电极4和第一块状电极9，左侧的一列第二过孔H₂均电连接子像素电极4和驱动晶体管5的源极。上述第一块状电极9通过第一过孔与子像素电极4电连接，以加载像素电压，第二块状电极10在显示基板的显示区周边通过导过孔与公共电压信号线电连接，加载公共电压，并通过显示装置中设置在显示基板与对向基板之间的封框胶中的导电金属球与对向基板上的公共电极电连接。

请参见图13为本发明实施例提供的一种第二块状电极与公共电极线连接的示意图。各第二块状电极10通过与数据线3延伸方向一致的公共电极线11电连接；格栅结构6在衬底基板1上的正投影至少部分覆盖公共电极线11或与公共电极线11邻接。

上述公共电极线11和第二块状电极10同层设置，且使用的材料相同。在数据线3延伸方向的第二块状电极10，通过与数据线3延伸方向一致的公共电极线11电连接，并且格栅结构6至少覆盖部分公共电极线11或与公共电极线11邻接，公共电极线11沿数据线3延伸方向延伸到非显示区接收公共信号，如图13示出了显示基板的下边界一子像素区ara与扇形区之间的非显示区依次包括边界区A、静电耗散区B、公共信号区C、扇形区D，边界区A设置的是围绕显示基板的显示区一圈的边界走线，其电场与子像素区ara中的电场不同，用于在包含上述显示基板的显示装置显示时显示形成边框，静电耗散区B中设置有静电走线，数据线3通过过孔电连接静电走线，可选的，也可以设置静电释放电路，静电释放电路一端连接数据线，另外一端连接静电走线，可选的静电走线可以连接至非显示区的公共电极线上，在此不限定，公共信号区C设置有公共信号走线，每列第二块状电极10通过对应的公共电极线11电连接公共信号走线，进而利用显示基板与对向基板之间的封框胶中的导电金属球(图13未示出)电连接公共信号走线与对向基板上的公共电极，使第二块状电极10与公共电极加载相同的公共电压。

请参见图14～图16，图14为本发明实施例提供的另一种显示基板的部分子像素区的俯视图，图15为本发明实施例提供的图14中F₂F₂’方向的截面图，图16为本发明实施例提供的图14中F₃F₃’方向的截面图。

图14对应子像素电极4未覆盖驱动晶体管5，驱动晶体管5的栅极复用栅线2的方案，在栅极金属层设置第一块状电极9、在源漏金属层设置第二块状电极10，这样子像素电极4与第二块状电极10之间构成第一存储电容C1，第二块状电极10与第一块状电极9之间构成第二存储电容C2，从而可以利用第一块状电极9、第二块状电极10、子像素电极4构成双重存储电容，使子像素区ara的像素电压不会快速掉电，进而充分驱动格栅结构6的开口区域中容置的电浆及带电粒子。图15、图16分别是图14中F₂F₂’、F₃F₃’方向的剖面图，上述第一块状电极9通过第一过孔与子像素电极4电连接，以加载像素电压，第二块状电极10在显示基板的显示区周边通过导过孔与公共电压信号线电连接，加载公共电压，并通过显示装置中设置在显示基板与对向基板之间的封框胶中的导电金属球与对向基板上的公共电极电连接。

请参见图17为本发明实施例提供的另一种第二块状电极与公共电极线连接的示意图。各第二块状电极10通过与数据线3延伸方向一致的公共电极线11电连接；格栅结构6在衬底基板1上的正投影至少部分覆盖公共电极线11或与公共电极线11邻接。

上述公共电极线11和第二块状电极10同层设置，且使用的材料相同。在数据线3延伸方向的第二块状电极10，通过与数据线3延伸方向一致的公共电极线11电连接，并且格栅结构6至少覆盖部分公共电极线11或与公共电极线11邻接，公共电极线11沿数据线3延伸方向延伸到非显示区接收公共信号，如图17示出了显示基板的下边界一子像素区ara与扇形区之间的非显示区依次包括边界区A、静电耗散区B、公共信号区C、扇形区D，边界区A设置的是围绕显示基板的显示区一圈的边界走线，其电场与子像素区ara中的电场不同，用于在包含上述显示基板的显示装置显示时显示形成边框，静电耗散区B中设置有静电走线，数据线3通过过孔电连接静电走线，可选的，也可以设置静电释放电路，静电释放电路一端连接数据线，另外一端连接静电走线，可选的静电走线可以连接至非显示区的公共电极线上，在此不做限定，公共信号区C设置有公共信号走线，每列第二块状电极10通过对应的公共电极线11电连接公共信号走线，进而利用显示基板与对向基板之间的封框胶中的导电金属球(图17未示出)电连接公共信号走线与对向基板上的公共电极，使第二块状电极10与公共电极加载相同的公共电压。

需要理解的是，由于图14和图17中第一块状电极9、第二块状电极10近乎重合，因此从中难以区分二者，可以参见图15或图16，且图11、图14、图17中为了便于看出第一块状电极9、第二块状电极10、子像素电极4是重叠的，而将第二块状电极10、子像素电极4的图层设置为半透明状态，故不应理解为上述多个图层叠加形成的是某一个图层。

请继续参见图15和图16，显示基板还包括源漏金属层与栅极金属层之间的半导体层；

半导体层与源漏金属层邻接，半导体层包括驱动晶体管5的有源层以及与第二块状电极10图案一致的第三块状电极12，这里第三块状电极12和驱动晶体管5的半导体层同层同材料设置。在制作时可以先沉积半导体层，再沉积源漏金属层，最后在进行刻蚀，这样可以让半导体层和源漏金属层共用mask，从而减少mask，达到节约工艺的目的。

基于同一发明构思，本发明实施例提供一种显示基板的制作方法，请参见图18，该制作方法包括：

步骤S11：提供一衬底基板；

步骤S12：在衬底基板的一侧表面依次形成沿第一方向延伸、沿第二方向排列的多条栅线、形成沿第二方向延伸、沿第一方向排列的多条数据线；第二方向与第一方向相交，栅线与数据线限定形成多个子像素区；

步骤S13：在形成栅线和数据线的同时，形成驱动晶体管；

步骤S14：在形成驱动晶体管后，依次无机绝缘层和子像素电极；子像素电极的面积与子像素区的面积的比值大于70％；

步骤S15：形成环绕各子像素区的格栅结构，格栅结构在各子像素区具有用于容置带电颗粒的开口区域，格栅结构在衬底基板的正投影至少部分覆盖栅线、数据线在衬底基板的正投影。

请参见图19为本发明实施例提供的一种显示基板的制作示意图，图19是以制作图14的显示基板为例，具体制作过程如下：

步骤S21：形成栅线、第一块状电极。

在衬底基板1上沉积栅极金属层，对栅极金属层进行刻蚀，形成栅线2和第一块状电极9。对于子像素电极4未覆盖驱动晶体管5，驱动晶体管5的栅极复用栅线2的方案的显示基板在形成栅线2时，对于被复用做驱动晶体管5的栅极的部分，对应的部分栅线2在图形化时需要将宽度增加，即在栅线2与所述驱动晶体管5交叠的区域，形成的栅线2的宽度大于其它区域的宽度。

步骤S22：形成驱动晶体管、数据线、第二块状电极。

在刻蚀后的栅极金属层上依次沉积栅绝缘层、半导体层及源漏金属层；之后，再对源漏金属层和半导体层进行刻蚀，形成数据线3以及驱动晶体管5的有源层和源漏极，以及第二块状电极10/和第三块状电极12，这样就形成了数据线3、驱动晶体管5，并且还形成了第二块状电极10/和第三块状电极12。

步骤S23：形成子像素电极。

在刻蚀后的源漏金属层上沉积无机绝缘层以及子像素电极层，并对子像素电极层进行刻蚀，形成各个子像素电极4。

步骤S24：形成格栅结构。

在刻蚀后的子像素电极层上沉积树脂层，并对树脂层进行刻蚀形成格栅结构6。

若制作的是设置了有机绝缘层8的方案的显示基板，在上述步骤S1形成栅线的过程中无需加宽部分栅线，且在步骤S3沉积无机绝缘层后，需要先沉积一层较厚的有机绝缘层(如树脂)再沉积子像素电极层。

基于同一发明构思，本发明实施例提供一种显示装置，请参见图20，该显示装置包括：

如上所述的显示基板1000，与显示基板1000相对设置的对向基板2000，填充在格栅结构的各开口区域内的电浆层3000，以及位于对向基板2000面向显示基板1000一侧的公共电极层4000；其中，电浆层3000内具有至少两种颜色的带电粒子M。

两种颜色的带电粒子M所带电荷的极性相反，例如，其中一种带电粒子M为白色带负电荷的粒子，另一种带电粒子M为黑色带正电荷的粒子。

基于同一发明构思，本发明实施例提供一种显示装置的做作方法，请参见图21，该制作方法包括：

步骤S31：提供如上的显示基板；

步骤S32：在显示基板的格栅结构中填充电浆层；

步骤S33：在具有电浆层的格栅结构中填充至少两种颜色的带电粒子；

步骤S34：在填充有单色带电粒子的格栅结构上形成与显示基板相对的对向基板，对向基板靠近显示基板的一侧具有公共电极。

请参见图22为本发明实施例提供的显示装置的制作示意图。

在本发明提供的具有格栅结构的显示基板中填充电浆层和至少两种颜色的带电粒子，然后在形成具有公共电极的对向基板与显示基板相对设置，这样就能形成显示装置。

该显示装置可以为电子纸产品，如电子墨水屏、电子标牌、电子价签、电子工牌等。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

多条栅线，位于所述衬底基板上且沿第一方向延伸、沿第二方向排列；

多条数据线，位于所述衬底基板上且沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向排列，所述第二方向与所述第一方向相交；所述栅线与所述数据线限定形成多个子像素区；

多个子像素电极，位于所述衬底基板上的多个所述子像素区内；

多个驱动晶体管，位于所述衬底基板上、且与各所述数据线、各所述栅线和各所述子像素电极电连接；

格栅结构，位于所述子像素电极所在层远离所述衬底基板的一侧，所述格栅结构在各所述子像素区具有用于容置带电颗粒的开口区域，所述格栅结构在所述衬底基板的正投影至少部分覆盖所述栅线、所述数据线在所述衬底基板的正投影，所述子像素电极的面积与所述子像素区的面积的比值大于70％。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述格栅结构包括：沿所述第一方向延伸、沿所述第二方向排列的第一阻挡条，以及沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向排列的第二阻挡条；

所述第一阻挡条在所述衬底基板上的正投影至少部分覆盖所述栅线，所述第二阻挡条在所述衬底基板上的正投影至少部分覆盖所述数据线且与子像素电极存在交叠区域。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡条在沿所述第二方向的横切面的图形，以及所述第二阻挡条在沿所述第一方向的横切面的图形均为梯形。

4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述梯形的顶边与底边的比例范围为0.5～0.8。

5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板上的多个所述子像素区内层叠设置的第一块状电极和第二块状电极；

所述第一块状电极、所述驱动晶体管的栅极和所述栅线均位于栅极金属层，所述第二块状电极和所述驱动晶体管的源漏极均位于源漏金属层；

所述源漏金属层位于所述栅极金属层和所述子像素电极所在层之间；

所述子像素电极与所述第二块状电极之间构成第一存储电容，所述第二块状电极与所述第一块状电极之间构成第二存储电容。

6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，在所述格栅结构的开口区域内，所述子像素电极通过第一过孔与所述第一块状电极电连接，所述子像素电极通过第二过孔与所述驱动晶体管的源极电连接。

7.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，各所述第二块状电极通过与所述数据线延伸方向一致的公共电极线电连接；

所述格栅结构在所述衬底基板上的正投影至少部分覆盖所述公共电极线或与所述公共电极线邻接。

8.如权利要求1-7任一项所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述驱动晶体管所在层与所述子像素电极所在层之间的无机绝缘层；

所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述驱动晶体管的正投影，所述无机绝缘层与所述子像素电极所在层之间具有有机绝缘层，所述有机绝缘层的厚度大于所述无机绝缘层的厚度。

9.如权利要求1-7任一项所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管与所述子像素电极在所述衬底基板上的正投影互不交叠，所述驱动晶体管在所述衬底基板上的正投影与所述栅线交叠，且位于两条所述数据线之间；

所述栅线在与所述驱动晶体管交叠的区域的线宽大于其它区域的线宽。

10.如权利要求9所述的显示基板，其特征在于，还包括：所述源漏金属层与所述栅极金属层之间的半导体层；

所述半导体层与所述源漏金属层邻接，所述半导体层包括所述驱动晶体管的有源层以及与所述第二块状电极图案一致的第三块状电极。

11.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述有机绝缘层和所述格栅结构的材料均为树脂。

12.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧表面依次形成沿第一方向延伸、沿第二方向排列的多条栅线、形成沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向排列的多条数据线；所述第二方向与所述第一方向相交，所述栅线与所述数据线限定形成多个子像素区；

在形成所述栅线和所述数据线的同时，形成所述驱动晶体管；

在形成所述驱动晶体管后，依次无机绝缘层和子像素电极；所述子像素电极的面积与所述子像素区的面积的比值大于70％；

形成环绕各所述子像素区的格栅结构，所述格栅结构在各所述子像素区具有用于容置带电颗粒的开口区域，所述格栅结构在所述衬底基板的正投影至少部分覆盖所述栅线、所述数据线在所述衬底基板的正投影。

13.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述子像素电极在所述衬底基板的正投影覆盖所述驱动晶体管在所述衬底基板的正投影时，所述制作方法还包括：

在形成所无机绝缘层之后，且在形成所述子像素电极之前，形成厚度大于所述无机绝缘层的有机绝缘层。

14.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述子像素电极在所述衬底基板的正投影与所述驱动晶体管在所述衬底基板的正投影互不交叠时，形成所述栅线包括：

在所述栅线与所述驱动晶体管交叠的区域，形成的栅线的宽度大于其它区域的宽度。

15.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-11任一项所述的显示基板，与所述显示基板相对设置的对向基板，填充在所述格栅结构的各开口区域内的电浆层，以及位于所述对向基板面向所述显示基板一侧的公共电极层；其中，所述电浆层内具有至少两种颜色的带电粒子。

16.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1-11任一项所述的显示基板；

在所述显示基板的格栅结构中填充电浆层；

在具有电浆层的格栅结构中填充至少两种颜色的带电粒子；

在填充有单色带电粒子的格栅结构上形成与显示基板相对的对向基板，所述对向基板靠近所述显示基板的一侧具有公共电极。

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