CN114967259A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括衬底、遮光层、触控走线和数据线。其中，遮光层设置在衬底上。触控走线设置在衬底上。数据线和触控走线异层设置且数据线和触控走线中的至少一者和遮光层同层设置。数据线于衬底上的正投影至少部分覆盖触控走线于衬底上的正投影，且数据线于衬底上的正投影和触控走线于衬底上的正投影部分错开。在本申请提供的阵列基板中，遮光层和触控走线同层设置，且数据线于衬底上的正投影至少部分覆盖触控走线与衬底上的正投影，数据线于衬底上的正投影和触控走线于衬底上的正投影部分错开，减小甚至消除了触控走线对像素开口率的影响，增大了像素开口率，进而提升了像素穿透率的提升。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。其中，内嵌式触控显示面板，其整合度较高且厚度较小，具有成本低、超薄、和窄边框的优点，已演化为未来触控技术的主要发展方向。
为了进一步优化触控显示面板的显示效果，满足消费者的需求，提高面内开口率是有效提升光效的方法之一。
因此，提供一种新的阵列基板和显示面板，以提高像素开口率，成为亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，用于提高像素开口率。
本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上；
触控走线，所述触控走线设置在所述衬底上；
数据线，所述数据线和所述触控走线异层设置且所述数据线和所述触控走线中的至少一者和所述遮光层同层设置所述数据线于所述衬底上的正投影-部分覆盖所述触控走线于所述衬底上的正投影，所述数据线于所述衬底上的正投影和所述触控走线于所述衬底上的正投影部分错开。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述触控走线位于所述遮光层的一侧，且所述遮光层和所述触控走线间隔设置。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述触控走线位于所述遮光层的一侧，且所述遮光层和所述触控走线连接设置。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，于所述数据线和所述触控走线错开处，所述数据线和所述触控走线之间的间距大于等于1微米。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述阵列基板包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔的开口的宽度小于所述第二过孔的开口的宽度。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述阵列基板还包括：
薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括薄膜晶体管和所述数据线，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述遮光层遮挡所述薄膜晶体管；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述薄膜晶体管结构层远离所述衬底的一面；
第一电极，所述第一电极设置在所述平坦化层远离所述衬底的一面；
连接电极，所述第一电极通过所述连接电极与所述触控走线连接。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述阵列基板还包括第三过孔，所述第一电极设置在所述平坦化层上，所述薄膜晶体管包括与所述数据线同层设置的源极和漏极，所述阵列基板还包括：
钝化层，所述钝化层设置所述第一电极远离所述薄膜晶体管结构层的一面，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述平坦化层，所述第二过孔贯穿所述钝化层、所述平坦化层和所述薄膜晶体管结构层的绝缘层，所述第三过孔贯穿所述钝化层；所述连接电极设置在所述钝化层上并延伸至所述第二过孔和所述第三过孔内，所述连接电极的一端连接所述触控走线，所述连接电极的另一端连接所述第一电极；
第二电极，所述第二电极设置在所述钝化层上，且所述连接电极与所述第二电极同层设置，其中，所述第二电极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述薄膜晶体管包括与所述数据线同层设置的源极和漏极，所述阵列基板还包括：
第二电极，所述第二电极设置在所述平坦化层远离所述薄膜晶体管结构层的一面，所述第二电极通过所述第一过孔与所述漏极连接；
钝化层，所述钝化层设置在所述第二电极上，所述第一电极设置在所述钝化层上，所述第一过孔贯穿所述平坦化层，所述第二过孔贯穿所述钝化层、所述平坦化层和所述薄膜晶体管结构层的绝缘层，所述连接电极设置在所述第二过孔内，所述连接电极用于连接所述第一电极和所述触控走线。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述第一电极具有狭缝。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述数据线包括相互连接的第一走线段和第二走线段，所述第一走线段对应于相邻的两个子像素之间，所述第二走线段对应于所述薄膜晶体管；所述第一走线段于所述衬底上的正投影覆盖所述触控走线于所述衬底上的部分正投影，所述第二走线段于所述衬底上正投影与至少对应于所述第二过孔处的所述触控走线于所述衬底上的正投影错开。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括有源层，所述第二走线段于所述衬底上的正投影覆盖所述有源层于所述衬底上的部分正投影。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括栅极，所述薄膜晶体管结构层还包括：
阻挡层，所述阻挡层设置在所述遮光层上，且覆盖所述遮光层和所述触控走线，所述有源层设置在所述阻挡层上，且所述有源层于所述衬底上的正投影位于所述遮光层于所述衬底上的正投影内；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底的一面，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一面；
层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述栅极绝缘层，所述层间介质层设置有第一接触孔和第二接触孔，所述源极、所述漏极和所述数据线设置在所述层间介质层上，所述源极、所述漏极分别通过所述第一接触孔、所述第二接触孔与所述有源层连接。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述第一电极为公共电极，所述第一电极复用为触控电极。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述遮光层的材料和所述触控走线的材料相同。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板，所述显示面板还包括：
彩膜基板，所述彩膜基板设置在所述阵列基板上；
液晶层，所述液晶层设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
可选的，在本申请提供的一些实施例中，所述彩膜基板包括黑矩阵和设置在所述黑矩阵之间的色阻块，其中，所述黑矩阵于所述衬底上的正投影覆盖所述触控走线和所述遮光层于所述衬底上的正投影。
本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括衬底、遮光层、触控走线和数据线。其中，遮光层设置在衬底上。触控走线设置在衬底上。数据线和触控走线异层设置且数据线和触控走线中的至少一者和遮光层同层设置。数据线于衬底上的正投影部分覆盖触控走线于衬底上的正投影，数据线于衬底上的正投影和触控走线于衬底上的正投影部分错开。在本申请提供的阵列基板中，遮光层和触控走线同层设置，且数据线于衬底上的正投影至少部分覆盖触控走线与衬底上的正投影，减小甚至消除了触控走线对像素开口率的影响，增大了像素开口率，进而提升了像素穿透率的提升。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请对比实施例提供的阵列基板的一种平面示意图；
图2为本申请实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图；
图3为本申请实施例提供的阵列基板的第一种平面结构示意图；
图4至图8为本申请实施例提供的阵列基板的部分膜层的平面结构示意图；
图9为本申请实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图；
图10为本申请实施例提供的阵列基板的第二种平面结构示意图；
图11为本申请实施例提供的阵列基板的第三种结构示意图；
图12为本申请实施例提供的阵列基板的第四种结构示意图；
图13为本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图；
图14为本申请实施例提供的显示面板的一种平面结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
本申请实施例提供一种阵列基板，阵列基板包括衬底、遮光层、触控走线和数据线。其中，遮光层设置在衬底上。触控走线设置在衬底上。数据线和触控走线异层设置且数据线和触控走线中的至少一者和遮光层同层设置。数据线于衬底上的正投影部分覆盖触控走线于衬底上的正投影，数据线于衬底上的正投影和触控走线于衬底上的正投影部分错开。在本申请提供的阵列基板中，遮光层和触控走线同层设置，因此，无需在其他的膜层结构上设置触控走线，且数据线于衬底上的正投影至少部分覆盖触控走线与衬底上的正投影，减小甚至消除了触控走线对像素开口率的影响，增大了像素开口率，进而提升了像素穿透率的提升。
下面通过具体实施例对本申请提供的阵列基板进行详细的阐述。请参阅图1，图1为本申请对比实施例提供的阵列基板的一种平面示意图。如图1所示，触控走线103和数据线111错开设置，由于触控走线103和数据线111为金属走线，当触控走线103和数据线111错开设置时，触控走线103和数据线111均会占据像素的开口区域，导致像素开口率较低。
本申请实施例提供一种阵列基板，请结合图2和图3，图2为本申请实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。图3为本申请实施例提供的阵列基板的第一种平面结构示意图。阵列基板10包括衬底101、遮光层102、触控走线103和数据线111。其中，遮光层102设置在衬底101上。触控走线103设置在衬底101上且和遮光层102同层设置。数据线111和触控走线103异层设置。数据线111于衬底101上的正投影部分覆盖触控走线103于衬底101上的正投影。数据线111于衬底101上的正投影和触控走线103于衬底101上的正投影部分错开。在本申请提供的阵列基板10中，遮光层102和触控走线103同层设置，因此，无需在其他的膜层结构上设置触控走线103，且数据线111于衬底101上的正投影部分覆盖触控走线103与衬底101上的正投影，消除了触控走线103对开口率的影响，增大了像素开口率，进而实现像素穿透率的提升。
应该理解的是，在本申请实施例中，开口率(Aperture ratio)指除去每一个子像素的配线部、晶体管部(通常采用黑色矩阵隐藏)后的光线通过部分的面积和每一个子像素整体的面积之间的比例。
在一些实施例中，数据线111和触控走线103异层设置，数据线111和遮光层102同层设置。
请继续参阅图2，阵列基板10包括第一过孔h1、第二过孔h2和第三过孔h3，其中，第一过孔h1的开口的宽度d1小于第二过孔h2的开口的宽度d2。
阵列基板10还包括薄膜晶体管结构层T1、平坦化层112、第一电极113、连接电极116、钝化层114和第二电极115。
其中，薄膜晶体管结构层T1设置在遮光层102远离衬底101的一面。薄膜晶体管结构层T1包括薄膜晶体管tft和数据线111。薄膜晶体管tft包括有源层105、栅极107以及与数据线111同层设置的源极109和漏极110。
第一过孔h1贯穿钝化层114和平坦化层112。第二过孔h2贯穿钝化层114、平坦化层112和薄膜晶体管结构层T1的绝缘层。第三过孔h3贯穿钝化层114。平坦化层112设置在薄膜晶体管结构层T1远离衬底101的一面。第一电极113设置在平坦化层112远离衬底101的一面。第一电极113通过第二过孔h2和第三过孔h3与触控走线103连接，触控走线103用于为第一电极113提供触控信号。钝化层114设置第一电极113远离薄膜晶体管结构层T1的一面。第二电极115设置在钝化层114上，第二电极115通过第一过孔h1与漏极110连接。连接电极116设置在钝化层114上且连接电极116与第二电极115同层设置。连接电极116延伸至第二过孔h2和第三过孔h3内，连接电极116的一端与触控走线103连接，连接电极116的另一端与第一电极113连接。
在本申请实施例中，第二电极115和连接电极116同层设置，可以通过同一道黄光制程同时形成第一电极113和连接电极116，因此，提高了阵列基板10的生产效率。
需要说明的是，在本申请中，由于第二过孔h2贯穿钝化层114、平坦化层112和薄膜晶体管结构层T1的绝缘层，即第二过孔h2贯穿的绝缘层比第一过孔h1贯穿的绝缘层更多，因此，第一过孔h1的开口的宽度d1小于第二过孔h2的开口的宽度d2。
在一些实施例中，薄膜晶体管结构层T1还包括阻挡层104、栅极绝缘层106、层间介质层108。其中，阻挡层104设置在遮光层102上，且覆盖遮光层102和触控走线103。有源层105设置在阻挡层104上，且有源层105于衬底101上的正投影位于遮光层102于衬底101上的正投影内。栅极绝缘层106设置在有源层105远离衬底101的一面。栅极107设置在栅极绝缘层106远离有源层105的一面。层间介质层108覆盖栅极107和栅极绝缘层106。层间介质层108具有第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2。源极109、漏极110和数据线111设置在层间介质层108上。源极109、漏极110分别通过第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2与有源层105连接。
在一些实施例中，阻挡层104可以包括第一阻挡层104a和设置在第一阻挡层104a远离衬底101一面的第二阻挡层104b。其中，第一阻挡层104a可以是氮化硅阻挡层，氮化硅阻挡层用于阻挡水氧从衬底101侧入侵，从而损害薄膜晶体管结构层T1。第二阻挡层104b为氧化硅阻挡层，氧化硅阻挡层用于保温有源层105。
在一些实施例中，衬底101可以是玻璃衬底或者柔性衬底。衬底101上还可以包括依次层叠设置的第一柔性衬底层、二氧化硅层、第二柔性衬底层、缓冲层。其中，第二柔性衬底层和第一柔性衬底的材料相同，其可以包括PI(聚酰亚胺)、PET(聚二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇脂)、PC(聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PAR(含有聚芳酯的芳族氟甲苯)或PCO(多环烯烃)中的至少一种。
有源层105可以金属氧化物有源层或多晶硅有源层。栅极绝缘层106和层间介质层108的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或三氧化二铝中的一种或其任意组合。栅极107、源极109、漏极110和数据线111的材料可以选用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。平坦化层112的材料可以选自二氧化硅、二氧化氮、氮氧化硅及其叠层或者有机材料，例如丙烯酸树脂。钝化层114的材质可以为SiOx、SiOx/SiNx叠层或SiOx/SiNx/Al2O3叠层的无机非金属膜层材料。
需要说明的是，在本申请中，一条触控走线103至少对应于一个薄膜晶体管。一条触控走线103至少对应于一个薄膜晶体管，因此，触控走线103可以独自控制一个薄膜晶体管对应的一个子像素，或者，触控走线103可以控制至少两个薄膜晶体管对应的子像素。
需要说明的是，在本申请实施例中，薄膜晶体管结构可以是底栅型薄膜晶体管结构，也可以是顶栅型薄膜晶体管，或者，薄膜晶体管结构也可以是双栅型薄膜晶体管。本申请实施例以顶栅型薄膜晶体管结构为示例，但不限于此。
请参考图3、图4、图5、图6、图7和图8，图4至图8为本申请实施例提供的阵列基板的部分膜层的平面结构示意图。薄膜晶体管tft设置在衬底101上。遮光层102遮挡薄膜晶体管tft。触控走线103位于遮光层102的一侧，且遮光层102和触控走线103间隔设置。
采用绝缘的方式设置遮光层102和触控走线103，以避免触控走线103的触控信号影响阵列基板10的稳定性。
在一些实施例中，触控走线103的材料和遮光层102的材料相同，例如，触控走线103和遮光层102的材料可以是铬或钼中的至少一种。
在一些实施例中，于数据线111和触控走线103错开处，数据线111和触控走线103之间的间距D大于等于1微米。在本申请实施例中，于数据线111和触控走线103错开处，将数据线111和触控走线103之间的间距D设置为大于等于1微米，防止在刻蚀第二过孔h2中出现过刻蚀的现象而导致数据线111和触控走线103短接，出现信号串扰的风险。例如，数据线111和触控走线103之间的间距D可以是1微米、1.1微米、1.25微米、1.4微米、1.55微米、1.8微米或2.0微米中的任意一者。
数据线111包括相互连接的第一走线段111a和第二走线段111b。第一走线段111a对应于相邻的两个子像素之间。第二走线段111b对应于薄膜晶体管tft。第一走线段111a于衬底101上的正投影覆盖触控走线103于衬底101上的部分正投影。第二走线段111b于衬底101上的正投影和至少对应第二过孔h2处的触控走线103于衬底101上的正投影错开。由于第二过孔h2贯穿多个绝缘层，其孔径较大，致使需要多次刻蚀的步骤以形成第二过孔h2，而对应于第二过孔h2处的触控走线103和第二走线段111b错开设置，防止在刻蚀过程出现过刻蚀的现象而导致数据线111和触控走线103短接，出现信号串扰的风险，因此，本申请实施例对应于第二过孔h2处的触控走线103和第二走线段111b错开设置，以避让第二过孔h2，防止出现信号串扰的风险。
在一些实施例中，第二走线段111b于衬底101上的正投影覆盖有源层105于衬底101上的部分正投影。在本申请中，由于第二走线段111b和有源层105的部分重叠，数据线111遮挡一部分的有源层105，防止外界光线照射有源层105，以影响薄膜晶体管tft的稳定性。
在本申请实施例中，第一电极113为公共电极，其中，第一电极113复用为触控电极。
需要说明的是，完全内嵌式触摸显示面板(Full In-Cell，简称FIC)是将触摸屏的触摸感应元件设置在阵列基板10的内部，以使显示面板能够实现触控功能的一种触摸屏。为了实现显示面板的结构紧凑性，FIC可设计为分时复用公共电极(Common-Indium TinOxide，简称C-ITO)的结构，也就是显示面板在实现触控功能时，第一电极113可作为触摸感应元件，用于实现触摸感测；在实现显示功能时，第一电极113用于实现画面的显示。在本申请中，第一电极113与触控走线103电连接，从而在触控的时间段内，触控走线103能够向第一电极113提供触控信号，使显示面板实现触控功能，在显示的时间段内，触控走线103能够向第一电极提供公共电极信号，使显示面板实现显示功能。
请结合图9和图10，图9为本申请实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。图10为本申请实施例提供的阵列基板的第二种平面结构示意图。本申请实施例提供的阵列基板10与图1提供的阵列基板10的区别在于，遮光层102和触控走线103连接设置。在本申请实施例中，遮光层102和触控走线103连接设置，可避免开口的牺牲，进一步提高像素开口率。
在一些实施例中，遮光层102的材料和触控走线103的材料相同，可以通过同一道黄光制程同时形成遮光层102的材料和触控走线103，因此，提高了阵列基板10的生产效率以及降低了阵列基板10的生产成本。
请参阅图11，图11为本申请实施例提供的阵列基板的第三种结构示意图。本申请实施例提供的阵列基板与图1提供的阵列基板10的区别在于，第二电极115设置在平坦化层112远离薄膜晶体管结构层T1的一面。第二电极115通过第一过孔h1与漏极110连接。钝化层114设置在第二电极115上。第一电极113设置在钝化层114上。第一过孔h1贯穿平坦化层112，第二过孔h2贯穿钝化层114、平坦化层112和薄膜晶体管结构层T1的绝缘层。连接电极116设置在第二过孔h2内，连接电极116用于连接第一电极113和触控走线103。在本申请提供的阵列基板10中，遮光层102和触控走线103同层设置，因此，无需在其他的膜层结构上设置触控走线103，且数据线111于衬底101上的正投影至少部分覆盖触控走线103与衬底101上的正投影，消除了触控走线103对开口率的影响，增大了像素开口率，进而实现像素穿透率的提升。另外，第一电极113和触控走线103通过第二过孔h2连接，提高了阵列基板10的生产效率以及降低了制作成本。
在一些实施例中，第一电极113具有狭缝S，狭缝S用于透光。
请参阅图12，图12为本申请实施例提供的阵列基板的第四种结构示意图。本申请实施例提供的阵列基板与图11提供的阵列基板10的区别在于，遮光层102和触控走线103连接设置。在本申请实施例中，遮光层102和触控走线103连接设置，可避免开口的牺牲，进一步提高像素开口率。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，请结合图13和图14，图13为本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。图14为本申请实施例提供的显示面板的一种平面结构示意图。显示面板100包括阵列基板10、彩膜基板20和液晶层30。其中，彩膜基板20设置在阵列基板10上。液晶层30设置在阵列基板10和彩膜基板20之间。
在一些实施例中，彩膜基板20包括黑矩阵201和设置在黑矩阵201之间的色阻块202。其中，黑矩阵201于衬底101上的正投影覆盖触控走线103和遮光层102于衬底101上的正投影。
在本申请实施例中，阵列基板10包括衬底101、遮光层102、触控走线103、数据线111第一过孔h1和第二过孔h2。其中，遮光层102设置在衬底101上。触控走线103和遮光层102同层设置。数据线111和触控走线103异层设置。数据线111于衬底101上的正投影至少部分覆盖触控走线103于衬底101上的正投影。在本申请提供的显示面板100中，数据线111于衬底101上的正投影至少部分覆盖触控走线103与衬底101上的正投影，黑矩阵201于衬底101上的正投影覆盖触控走线103和遮光层102于衬底101上的正投影。消除了触控走线103对开口率的影响，增大了像素开口率，进而实现像素穿透率的提升。减少数据线111方向黑矩阵201遮挡触控走线103及数据线111的线宽，实现像素穿透提升，从而实现显示面板100光效提升。
在本申请实施例中，请结合图13和图14，黑矩阵201遮挡阵列基板10上的金属走线，由于过孔对应于金属走线，因此，黑矩阵201遮挡第一过孔h1，第二过孔h2，实现像素穿透提升，从而实现显示面板100光效提升。需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板10为上述任一种阵列基板，在此不再赘述。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (16)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底；
遮光层，所述遮光层设置在所述衬底上；
触控走线，所述触控走线设置在所述衬底上；
数据线，所述数据线和所述触控走线异层设置且所述数据线和所述触控走线中的至少一者和所述遮光层同层设置所述数据线于所述衬底上的正投影部分覆盖所述触控走线于所述衬底上的正投影，所述数据线于所述衬底上的正投影和所述触控走线于所述衬底上的正投影部分错开。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控走线位于所述遮光层的一侧，且所述遮光层和所述触控走线间隔设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控走线位于所述遮光层的一侧，且所述遮光层和所述触控走线连接设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，于所述数据线和所述触控走线错开处，所述数据线和所述触控走线之间的间距大于等于1微米。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔的开口的宽度小于所述第二过孔的开口的宽度。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括薄膜晶体管和所述数据线，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述遮光层遮挡所述薄膜晶体管；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述薄膜晶体管结构层远离所述衬底的一面；
第一电极，所述第一电极设置在所述平坦化层远离所述衬底的一面；
连接电极，所述第一电极通过所述连接电极与所述触控走线连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第三过孔，所述第一电极设置在所述平坦化层上，所述薄膜晶体管包括与所述数据线同层设置的源极和漏极，所述阵列基板还包括：
钝化层，所述钝化层设置所述第一电极远离所述薄膜晶体管结构层的一面，所述第一过孔贯穿所述钝化层和所述平坦化层，所述第二过孔贯穿所述钝化层、所述平坦化层和所述薄膜晶体管结构层的绝缘层，所述第三过孔贯穿所述钝化层；所述连接电极设置在所述钝化层上并延伸至所述第二过孔和所述第三过孔内，所述连接电极的一端连接所述触控走线，所述连接电极的另一端连接所述第一电极；
第二电极，所述第二电极设置在所述钝化层上，且所述连接电极与所述第二电极同层设置，其中，所述第二电极通过所述第一过孔与所述漏极连接。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括与所述数据线同层设置的源极和漏极，所述阵列基板还包括：
第二电极，所述第二电极设置在所述平坦化层远离所述薄膜晶体管结构层的一面，所述第二电极通过所述第一过孔与所述漏极连接；
钝化层，所述钝化层设置在所述第二电极上，所述第一电极设置在所述钝化层上，所述第一过孔贯穿所述平坦化层，所述第二过孔贯穿所述钝化层、所述平坦化层和所述薄膜晶体管结构层的绝缘层，所述连接电极设置在所述第二过孔内，所述连接电极用于连接所述第一电极和所述触控走线。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极具有狭缝。
10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线包括相互连接的第一走线段和第二走线段，所述第一走线段对应于相邻的两个子像素之间，所述第二走线段对应于所述薄膜晶体管；所述第一走线段于所述衬底上的正投影覆盖所述触控走线于所述衬底上的部分正投影，所述第二走线段于所述衬底上正投影与至少对应于所述第二过孔处的所述触控走线于所述衬底上的正投影错开。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括有源层，所述第二走线段于所述衬底上的正投影覆盖所述有源层于所述衬底上的部分正投影。
12.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极，所述薄膜晶体管结构层还包括：
阻挡层，所述阻挡层设置在所述遮光层上，且覆盖所述遮光层和所述触控走线，所述有源层设置在所述阻挡层上，且所述有源层于所述衬底上的正投影位于所述遮光层于所述衬底上的正投影内；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底的一面，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一面；
层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极和所述栅极绝缘层，所述层间介质层设置有第一接触孔和第二接触孔，所述源极、所述漏极和所述数据线设置在所述层间介质层上，所述源极、所述漏极分别通过所述第一接触孔、所述第二接触孔与所述有源层连接。
13.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第一电极复用为触控电极。
14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层的材料和所述触控走线的材料相同。
15.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至14任一项所述的阵列基板，所述显示面板还包括：
彩膜基板，所述彩膜基板设置在所述阵列基板上；
液晶层，所述液晶层设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括黑矩阵和设置在所述黑矩阵之间的色阻块，其中，所述黑矩阵于所述衬底上的正投影覆盖所述触控走线和所述遮光层于所述衬底上的正投影。
Priority Applications (2)
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