CN114951120A - 一种减薄机毛刷清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种减薄机毛刷清洗方法,S1、调配药剂,取一个容器,将界/表面活性剂与水按照一定比例倒入容器混合,得到清洗药液;S2、将毛刷清洗池清洗干净,然后将待清洗的毛刷放入毛刷清洗池中,倒入步骤S1中的清洗药液,使得毛刷完全浸泡在清洗药液中,浸泡一段时间;S3、将浸泡完成后的毛刷取出,用纯水冲洗一段时间,然后自然干燥即可。清洗后的毛刷能够更有效的防止减薄后硅片表面产生Dimple,并且持续时间久,大大提高了毛刷的工作时间,减少了清洗维护概率,进而提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体为一种减薄机毛刷清洗方法。
背景技术
由于半导体晶圆制造对于成本的诉求日益增高,而大面积硅片在单位产出芯片的数量和单位成本具有优势,因此半导体硅衬底片的尺寸也趋于大直径化,从最早的2英寸、3英寸发展到当今的8英寸、12英寸及研发中的18英寸,硅片面积日益增加,随之带来的12寸晶圆片的表面微观形貌有了新的要求。减薄机在作业过程中在台面上会残留一些硅粉以及一些颗粒,毛刷在清洁台面时这些颗粒会附着在毛刷上,导致毛刷清洁效果和效率变低,造成减薄片产生小坑(Dimple),因此需要对毛刷做定期清洁。
发明内容
本发明提供了一种减薄机毛刷清洗方法。
一种减薄机毛刷清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、调配药剂,取一个容器,将界/表面活性剂与水按照一定比例倒入容器混合,得到清洗药液;
S2、将毛刷清洗池清洗干净,然后将待清洗的毛刷放入毛刷清洗池中,倒入步骤S1中的清洗药液,使得毛刷完全浸泡在清洗药液中,浸泡一段时间;
S3、将浸泡完成后的毛刷取出,用纯水冲洗一段时间,然后自然干燥即可。
优选的,清洗药液配比为界/表面活性剂:水=1:10~1.5:10;界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面C。
优选的,容器为5000ml量杯。
优选的,浸泡时间最佳为12小时。
优选的,冲洗时间最佳为3分钟。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:清洗后的毛刷能够更有效的防止减薄后硅片表面产生Dimple,并且持续时间久,大大提高了毛刷的工作时间,减少了清洗维护概率,进而提高了生产效率。
附图说明
图1为使用本发明清洗的毛刷连续工作1个月,每天产品出现Dimple的概率示意图。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
一种减薄机毛刷清洗方法,包括以下步骤:
S1、调配药剂,取一个容器,将界/表面活性剂与水按照一定比例倒入容器混合,得到清洗药液;清洗药液配比为界/表面活性剂:水=1:10~1.5:10;界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面C。容器为5000ml量杯。
S2、将毛刷清洗池清洗干净,然后将待清洗的毛刷放入毛刷清洗池中,倒入步骤S1中的清洗药液,使得毛刷完全浸泡在清洗药液中,浸泡一段时间;浸泡时间最佳为12小时。
S3、将浸泡完成后的毛刷取出,用纯水冲洗一段时间,然后自然干燥即可。冲洗时间最佳为3分钟。
实施例1
S1、调配药剂,取一个5000ml量杯,将200ml界/表面活性剂与2000ml水倒入量杯混合,得到清洗药液;
S2、将毛刷清洗池清洗干净,然后将待清洗的毛刷放入毛刷清洗池中,倒入步骤S1中的清洗药液,使得毛刷完全浸泡在清洗药液中,浸泡12小时;
S3、将浸泡完成后的毛刷取出,用纯水冲洗3分钟,然后自然干燥即可。
实施例2
S1、调配药剂,取一个5000ml量杯,将250ml界/表面活性剂与2000ml水倒入量杯混合,得到清洗药液;
S2、将毛刷清洗池清洗干净,然后将待清洗的毛刷放入毛刷清洗池中,倒入步骤S1中的清洗药液,使得毛刷完全浸泡在清洗药液中,浸泡12小时;
S3、将浸泡完成后的毛刷取出,用纯水冲洗3分钟,然后自然干燥即可。
实施例3
S1、调配药剂,取一个5000ml量杯,将300ml界/表面活性剂与2000ml水倒入量杯混合,得到清洗药液;
S2、将毛刷清洗池清洗干净,然后将待清洗的毛刷放入毛刷清洗池中,倒入步骤S1中的清洗药液,使得毛刷完全浸泡在清洗药液中,浸泡12小时;
S3、将浸泡完成后的毛刷取出,用纯水冲洗3分钟,然后自然干燥即可。
通过本发明清洗后的毛刷连续工作1个月,每天产品出现Dimple的概率如图1所示。
图示证明,本发明清洗后的毛刷能够更有效的防止减薄后硅片表面产生Dimple,并且持续时间久,大大提高了毛刷的工作时间,减少了清洗维护概率,进而提高了生产效率。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种减薄机毛刷清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、调配药剂,取一个容器,将界/表面活性剂与水按照一定比例倒入容器混合,得到清洗药液;
S2、将毛刷清洗池清洗干净,然后将待清洗的毛刷放入毛刷清洗池中,倒入步骤S1中的清洗药液,使得毛刷完全浸泡在清洗药液中,浸泡一段时间;
S3、将浸泡完成后的毛刷取出,用纯水冲洗一段时间,然后自然干燥即可。
2.根据权利要求1所述的减薄机毛刷清洗方法,其特征在于:清洗药液配比为界/表面活性剂:水=1:10~1.5:10;界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面C。
3.根据权利要求1所述的减薄机毛刷清洗方法,其特征在于:容器为5000ml量杯。
4.根据权利要求1所述的减薄机毛刷清洗方法,其特征在于:浸泡时间最佳为12小时。
5.根据权利要求1所述的减薄机毛刷清洗方法,其特征在于:冲洗时间最佳为3分钟。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6277203B1 (en) * | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
JP2006231144A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Toray Monofilament Co Ltd | 液晶画面洗浄用ブラシ毛材および液晶画面洗浄用ブラシ |
CN101386009A (zh) * | 2008-10-09 | 2009-03-18 | 清溢精密光电(深圳)有限公司 | 一种刷子清洗方法及其清洗装置 |
US20110297560A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-12-08 | Baker & Plant LLC | Brush care system |
CN105834162A (zh) * | 2016-05-10 | 2016-08-10 | 潜山县福达橡胶刷业制品厂 | 一种刷丝自动清洗及由其生产刷辊的方法 |
US20190099787A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sonic Cleaning of Brush |
CN210703957U (zh) * | 2019-08-26 | 2020-06-09 | 湖南晶日智能设备科技有限公司 | 一种多工位减薄机自升降毛刷组件 |
US20210085069A1 (en) * | 2017-12-21 | 2021-03-25 | Peka Pinselfabrik Ag | Cleaning device for brushes |
-
2022
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6277203B1 (en) * | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
JP2006231144A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Toray Monofilament Co Ltd | 液晶画面洗浄用ブラシ毛材および液晶画面洗浄用ブラシ |
CN101386009A (zh) * | 2008-10-09 | 2009-03-18 | 清溢精密光电(深圳)有限公司 | 一种刷子清洗方法及其清洗装置 |
US20110297560A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-12-08 | Baker & Plant LLC | Brush care system |
CN105834162A (zh) * | 2016-05-10 | 2016-08-10 | 潜山县福达橡胶刷业制品厂 | 一种刷丝自动清洗及由其生产刷辊的方法 |
US20190099787A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sonic Cleaning of Brush |
US20210085069A1 (en) * | 2017-12-21 | 2021-03-25 | Peka Pinselfabrik Ag | Cleaning device for brushes |
CN210703957U (zh) * | 2019-08-26 | 2020-06-09 | 湖南晶日智能设备科技有限公司 | 一种多工位减薄机自升降毛刷组件 |
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