CN114937674A - 辐射探测器芯组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种湿气阻隔的辐射探测器芯组件，其通过首先组装光子‑电子转换层、集成电路以及其之间的连接元件并且然后封装整个组件来构建。这提供了改进的湿气阻隔性质，因为该封装也覆盖了连接元件，并且不必被打开以应用电连接，如针对已知的辐射探测器芯组件所做的。

Description

辐射探测器芯组件
本申请是申请日为2015年11月6日、发明名称为“辐射探测器芯组件”的专利申请201580063027.8的分案申请。
技术领域
本发明总体涉及用于构造辐射探测器芯组件的方法、辐射探测器芯组件、辐射探测器、辐射成像设备、以及计算机断层摄影成像系统。
背景技术
如在例如计算机断层摄影(CT)成像中所使用的直接转换辐射探测器通过将进入的辐射直接转换成电信号来探测辐射，其可以被用于光子计数等。直接转换探测器、并且特别是具有碲锌镉(CdZnTe或CZT)直接转换层的那些直接转换探测器对湿气敏感。随着时间的推移，暴露于湿气可能改变光子-电子转换层以及直接转换探测器的表面的性质。这可能导致泄漏电流的增加，其负面地影响直接转换探测器的光子计数性质。还有其他直接转化材料，例如碲化镉或(其他)单晶材料，类似地受湿气的影响。
在较短的时间帧内，湿气可能经由直接转换层表面导致阴极和阳极之间的短路，这几乎肯定将破坏探测器的集成电路(ASIC)和传感器。此外，直接转换层中的湿气与设备中所使用的高电压的组合可能引起增加的击穿机会。
并且，辐射探测器中的湿气敏感度并非对于直接转换层是独有的。同样地，诸如电极和连接件的其他部件的性质也可能受湿气的不利影响。出于同样的原因，问题也扩展到非直接转换辐射探测器。另外，具有诸如碘化铯的闪烁体材料的非直接转换辐射探测器也可能具有相似的湿气敏感性以及与此相关联的有关问题。
为了防止湿气劣化，对直接转换探测器应用封装。封装不仅减少了湿气劣化，其还可以改善探测器以及其部件的耐刮擦性和耐化学腐蚀性。可以通过向探测器提供液态封装层、例如通过应用基于环氧树脂的材料来实现封装。这样的液态封装剂材料通常利用电极被应用到探测器(CZT)瓦块，并且之后通过光刻在探测器像素上形成用于接触的开口。封装的应用是麻烦的，因为当使用基于液态的材料时难以获得对拐角和边缘的良好覆盖。
作为备选方案，其他封装材料，包括SiO2、AlN、SiN和Al2O3是已知的，其不作为液体被应用，而是使用物理气相沉积(“溅射”)或化学气相沉积(CVD)。这些处理使得基底(包括直接转化材料)被加热。利用溅射，基底可以被加热到100摄氏度至150摄氏度。对于CVD而言，基底被暴露于200摄氏度至700摄氏度。这些处理温度对于结合直接转化材料使用而言是太高的，因为这将负面地影响直接转化材料的性质(诸如CZT的单晶性质)。温度不应当超过100摄氏度，对于延长的时间段优选不超过80摄氏度。能够在较低的温度下、例如在100摄氏度下执行CVD，但是这造成不充分的湿气屏蔽，因为针孔、不充分的层构建以及其他缺陷更为普遍地存在。所述最大处理温度对于在CT探测器中所使用的探测器瓦块特别重要，因为任何(材料)缺陷都可能影响CT所需的快速传感器操作。
在美国专利US 7700923 B2中以及在其他出版物中，公开了聚对二甲苯(有机聚合物)作为封装材料，其在室温下被从气相沉积以形成具有良好湿度屏蔽性质的层。
然而，聚对二甲苯和其他封装剂材料的问题在于，在封装之后，需要光刻步骤来局部地打开封装材料以允许将探测器像素连接到ASIC。因此，封装不是完全适形的，在某种程度上限制了湿气屏蔽以及化学和机械耐受性。
发明内容
根据本发明的实施例涉及一种用于构造辐射探测器芯组件的方法，包括以下步骤：从光子-电子转换元件、集成电路和至少一个连接元件组装辐射探测器芯组件，所述至少一个连接元件被定位于所述光子-电子转换元件与所述集成电路之间并且机械地连接所述光子-电子转换元件与所述集成电路；并且在低于100度的温度下在至少所述光子-电子转换元件的所有外表面以及所述至少一个电连接元件的所有外表面上将气态封装材料沉积到所组装的探测器芯组件上。这样，获得了具有改进的湿气屏蔽的辐射探测器芯组件，因为也封装了所述连接并且在相同的步骤中也封装了其他部件。不必如在已知的辐射探测器芯组件中那样在封装中创建开口。
本发明的另一实施例涉及将温度保持在低于60摄氏度，优选为室温。这防止了在辐射探测器芯组件中的热劣化和机械变形。
本发明的另一实施例涉及所述气态封装材料是聚对二甲苯前驱体材料，其在沉积步骤期间或之后在所组装的探测器芯组件上形成聚对二甲苯封装层。另外的实施例涉及聚对二甲苯前驱体材料是任选地被置换的对二甲苯基单体，其优选是从对-环芳的热分解形成的。本发明的另一实施例涉及聚对二甲苯前驱体材料，其在反应室中形成，该反应室被能控制地连接到在其中执行沉积步骤的沉积室。聚对二甲苯作为封装剂特别有用，因为其可以从气相进行处理，并提供具有良好湿气屏蔽性质的适形封装。其可以从被连接到沉积室的反应室中的前驱体产生，以允许形成新鲜的聚对二甲苯，具有其恢复为二聚体或聚合物的较低的可能性。
本发明的另一实施例涉及至少一个连接元件，所述至少一个连接元件包括：将光子-电子转换元件与集成电路电气地连接的电连接元件，诸如焊球或填充金属的环氧树脂滴；和/或将光子-电子转换元件与集成电路光学地连接的光学连接元件。所述连接元件不仅将光子-电子元件与集成电路机械地连接；其通常也是在若干层之间转移电子或光子的部分。
本发明的另一实施例涉及所述光子-电子转换元件至少实质上(substantially)包括直接转换材料，优选为碲化镉材料，并且更优选为镉锌碲材料。这些材料在光子计数探测器中是重要的，但是对湿气特别敏感，并且将特别受益于本发明的方法。
本发明还涉及能通过上述方法获得的湿气阻隔辐射探测器芯组件、包括这样的探测器芯组件的辐射探测器、以及包括这样的辐射探测器芯组件的辐射成像设备和计算机断层摄影成像系统。
本领域技术人员在阅读和理解了下文的详细说明后将意识到本发明的另外的方面和实施例。在阅读下文中对优选实施例的详细说明之后，更多额外的优点和益处对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
附图说明
本发明由附图所图示，在附图中：
图1示出了例示性计算机断层摄影辐射成像设备的示意性表示。
图2示出了例示性弯曲辐射探测器的示意性表示。
图3示出了根据现有技术(3a)和根据本发明的两个实施例(图3b和图3c)的辐射探测器的截面的例示性描绘。
图4示出根据现有技术(图4a)和根据本发明(图4b)的用于封装辐射探测器的方法的示意性表示。
图5示出了根据本发明的用于封装辐射探测器的方法的流程图。
本发明可以采取各种部件和部件布置以及各种过程操作和过程操作安排的形式。附图仅出于图示优选实施例的目的，而不应当被解读为对本发明的限制。为了更好地可视化，可以省略某些特征，或者尺寸可能不按比例。
具体实施方式
本发明特别用于(医学)辐射成像设备，并且使用计算机断层摄影进行解释，但是本发明也适用于其中使用辐射探测器的其他成像设备，特别是当使用直接转换辐射探测器时。
图1示出了计算机断层摄影(CT)设备1的高度示意性描绘。辐射探测器5和光子源4(在该实施例中为X射线源)被安装在能旋转的机架2上。诸如患者的待扫描的对象被定位在能移动的支撑体3上，所述能移动的支撑体5在扫描期间移动通过检查区域6，同时机架2围绕检查区域旋转并且X射线源4发射X射线辐射。穿过对象的X射线辐射由辐射探测器5来探测，在所述辐射探测器中，所探测到的X射线辐射被转换成电子信息，所述电子信息在另外的处理仪器(未示出)中被进一步处理为视觉信息，所述视觉信息被显示给用户，诸如医师。
图2是CT设备的辐射探测器5的高度示意性图示。所述辐射探测器是弯曲的，并且由若干行个体探测器51制成，所述子探测器具有若干行和列的像素。每个像素探测进入的辐射的一部分。所述辐射探测器包括光子-电子转换元件，在所述光子-电子转换元件中，进入的光子被转换成电子，所述电子然后被进一步分析。所述光子-电子转换元件可以包括多个子元件，诸如闪烁体和光电二极管的组合，或者其可以实质上由单个元件形成，诸如在直接转换探测器中。本发明进一步解释了，但不限于，直接转换辐射探测器。
在直接转换辐射探测器中，直接光子转换光子计数探测器的块体(bulk)由直接转换材料层形成。所述直接转换材料层可以包括单晶半导体材料，所述单晶半导体材料是本征材料或者具有(完全或部分耗尽的)p-i-n结构。CdxZn1-xTe(镉锌碲，通常被缩写为CZT)是本发明的光实施例中的合适的半导体材料。所述直接转换层被置于探测器阴极与探测器阳极之间。所述探测器阴极被保持在负偏置电势处，而所述探测器阳极被保持在较小排斥的电势(通常为接近0V)处。所述探测器阴极在直接转换材料层上形成连续层并且通常对于具有要由直接转换光子计数探测器探测的能量水平的光子是(半)透明的。所述探测器阳极在直接转换层的相对侧上并且由子探测器51的网格制成。
当光子经过探测器阴极并且穿透到直接转换材料层中时，光子与直接转换材料相互作用以生成许多电子-空穴对。带正电的空穴朝向带强烈负电的探测器阴极漂移，同时带负电的电子朝向带更多正电的探测器阳极漂移。当电子接近探测器阳极时，诱发来自每个探测器像素的信号，所述信号在收集后指示接近该具体电极像素的电子的计数。所生成的信号然后被处理单元进一步处理，并且最终在显示单元上作为书写信息或者作为被检查的主体(的一部分)的重建图像而被显示给用户。
图3a呈现了根据现有技术的子探测器51的截面的例示性描绘，其中，直接转换层52，在该实施例中为CZT层，通过电连接54被电气地和机械地连接到ASIC 53，以用于将所探测到的辐射操作和处理为可以被进一步处理的信号。在该实施例中，电连接52包括分布在直接转换层52与ASIC 54之间的个体焊球。技术人员将理解，在本发明的范围内，例如柱、滴(例如银环氧树脂胶滴)等的其他合适的电连接也是可能的。在该例示性实施例中，ASIC被安装在散热器56上，并且通过(封装的)焊线57被连接到另外的处理电子连接58(例如，柔性有线连接器)。直接转换层52和ASIC53以及散热器56、焊线57和进一步处理电子连接58被封装层55封装。在特定实施例中，ASIC 53、散热器56、焊线57和进一步处理电子连接58的封装可以被部分地或者甚至完全地省略。
尽管使用电连接作为连接元件解释了本发明，但是备选地，对于其他探测器类型而言，诸如具有闪烁体-光电二极管-ASIC组合的那些探测器或其他非直接转换探测器，所述连接元件也可以是替代电连接或者除电连接之外的光学连接(例如，闪烁体与光电二极管之间的光学连接)。同样地，可能存在超过一个(电或光学)连接元件。所有这些配置都被涵盖在本发明的范围之内。
在图4a中示意性示出了构造图3a的已知辐射探测器的方法。首先，通过将封装层55应用到直接转换层52和ASIC 53来对直接转换层52和ASIC 53进行适形地封装。接下来，在直接转换层52和ASIC 53的相对侧上的封装层55中形成开口55’，随后在开口55’的位置处在直接转换层52与ASIC 53之间应用电连接54。(任选地)可以同时地或分开地执行对散热器56、焊线57和另外的处理电子连接58的封装和附接。同样地，如先前所描述的，在一些实施例中，仅直接转换层被(完全)封装。
由该方法得到的已知子探测器51，并且特别是其直接转换层52，可能仍在一定程度上对湿气敏感，因为湿气仍然可以沿着(非封装的)电连接54找到进入直接转换层52的路径，尤其是在所形成的开口55’的尺寸和位置足够准确或均匀的情况下或者在相对于电连接53的对齐或尺寸匹配是不完美的情况下。作为例示性范例，来自开口55’的ASIC侧的左侧的一个的第二开口55’稍微过大(如在放大的部分中的圆圈区域中更清楚地示出的)。这样，位于该开口55’左侧的电连接54不覆盖完整开口55’，留下直接转换层52的表面的未封装部分，湿气能够通过该未封装部分自由地穿透到直接转换层52中。湿气也直接进入电气元件54并且可能劣化电气元件54，这可能导致层离等。尽管在该示例中缺陷被示为相对较大(出于清楚的原因)，但是即使小得多的针孔型开口也已经是对直接转换层52的湿气敏感性非常不利的。
本发明提供一种不具有该缺点的辐射探测器。在图3b中示出了根据本发明的辐射探测器5的第一实施例的截面。在该实施例中，该配置类似于图3a的配置，但是在这种情况下，电连接55的外表面也被适形地封装。在本发明的上下文中，术语‘外表面’是指不与所述辐射探测器的另一部件的表面直接接触的所有表面(不包括封装层)。同样地，光子-电子转换元件52(在该实施例中，再次是直接转换层)被完全封装。在该实施例中，ASIC 53、散热器56、焊线57和进一步处理电子连接58也被完全或部分地封装。然而，这是任选的，例如，散热器56可能不被完全地封装以允许更好的温度传输，或者出于实际生产的原因，ASIC 53可能不被(完全)封装。
本发明的辐射探测器5具有比先前所描述的已知的辐射探测器更好的湿气阻隔性，因为通过也封装电连接54，较少或甚至没有用于湿气行进到直接转换层52的开放路径。在直接转换层52上的封装层55中的潜在开口将更可能被应用到电连接54上的封装55或者在封装55被应用到电连接54上期间被封闭(如在放大部分中的圆圈区域中更清楚地示出的那样，其可以与图3a的放大部分进行比较)。另外的优点是，本发明的辐射探测器能够在构造各个部件之后进行封装。这避免了在封装层55中创建开口55’的需要，从而减少了潜在泄漏部位的数量，并且还保护电连接元件54免于湿气劣化。
该方法如图4b中所示。在该范例中，直接转换层52和ASIC 53通过在它们之间应用电连接54而被机械地和电气地连接以形成探测器芯组件。这可以通过焊接、导电胶合、沉积、或者任何其他已知的方法来完成。电连接55可以是任何形状的，但是焊球是特别优选的，因为它们能够精确地、均匀地、并且相对快速地应用。出于相同的原因，包括液滴、特别是填充金属的环氧树脂滴(例如，填充有银或铜)的电连接元件也是优选的。在建立电连接55之后，通过将封装剂应用到探测器芯组件来同时地封装直接转换层52和电连接，并且在本范例中还有ASIC，以确保围绕探测器芯组件的适形涂覆。由于被封装的直接转换材料不再需要被打开，因此在封装之后不会引入额外的(针)-孔或其他缺陷。此外，与已知的方法相比，根据本发明的方法减少了步骤的数量并且不那么复杂，因为不需要将直接转换层52的开口55与ASIC的开口55以及与电气连接54对齐。
为了能够获得即使在电连接55之间的小空间内也能穿透的适形涂覆，高度优选的是使用在气相中能处理的封装剂，因为气体即使在最小的空间中也容易穿透。如本文档的引言中所提到的，大部分气相能处理的材料是不合适的，因为它们需要长时间的延长的处理时间，这将对诸如CZT的直接转化材料的单晶性质产生负面影响，使得它们在光子-电子转换中效率较低和较不可靠。在低于100摄氏度的温度下，直接转化材料将保持相对稳定，尤其是当不暴露于该温度太长时。优选的是保持在60摄氏度以下，以进一步降低对单晶的劣化并延长潜在曝露时间。最优选的是在室温下应用、例如沉积封装剂材料。这不仅进一步降低了劣化，其还降低了由于温度差导致的机械应力，并且所需的能量消耗是有限的。
如先前所提到的，聚对二甲苯是特别合适的封装剂。在本发明的上下文中，术语“聚对二甲苯”包括所有聚对二甲苯聚合物。聚对二甲苯可以被置换，例如利用卤素，诸如聚对二甲苯C、聚对二甲苯D、聚对二甲苯AF-4、或聚对二甲苯VT-4，或者利用胺，诸如聚对二甲苯A、或聚对二甲苯AM，或者可以是未置换的(聚对二甲苯N)。
聚对二甲苯封装层55是通过在沉积室中在直接转换材料52和电连接53(以及要被封装的任何其他探测器部件)上沉积聚对二甲苯前驱体分子来形成的。聚对二甲苯前驱体材料在与探测器芯组件相接触时自发地聚合成聚对二甲苯。
聚对二甲苯前驱体材料优选在沉积室附近的反应室中制备，并且聚对二甲苯前驱体材料在其已经形成之后被立即加到沉积室中。
公式(1)描述了用于形成聚对二甲苯前驱体材料和聚对二甲苯的示范性反应方程，其中，(I)是对环芳烷(通常被简称为“二聚体”)，任选地被一个或多个取代基R取代，诸如例如卤素或胺，(II，II')是聚对二甲苯前驱体材料(通常被称为“中间体”)，在该情况下是稳定的对二甲苯基双键，(III)是聚对二甲苯。
Figure BDA0003654285510000091
二聚体(I)通常在约175摄氏度被升华，并且然后在约700摄氏度左右的温度下被裂解成反应性中间体(II，II')。气态中间体(II，II')被引入到沉积室中，在沉积室中，存在探测器芯组件并且其被保持在室温。为了避免过早聚合或二聚化，优选的是，其中形成中间体(II，II')的室被(能控制地)连接到沉积室。中间体(II，II')物理吸附到探测器芯组件上并且与组件相接触，并且由于快速冷却，中间体(II，II')在反应芯组件上聚合成聚对二甲苯(III)，形成薄的、适形的、湿气阻隔的聚对二甲苯层55。
技术人员将理解，该封装过程的变型也将得到合适的封装材料。例如，技术人员可以改变处理参数和/或数量来影响层厚度或处理时间。技术人员还将理解，对探测器芯组件的预处理(例如，通过等离子体、臭氧、溶剂、或附着促进剂，例如硅烷基附着促进剂)可以增加中间体(II，II')的物理吸附性，但是必须注意预处理不要使直接转化材料劣化。
图5描绘了用于封装辐射探测器芯组件的方法的示意性图示。在步骤101中，通过使用被定位于光子-电子转换元件52与集成电路53之间的至少一个电连接元件54将光子-电子转换元件52与集成电路53电气地和机械地连接来组装辐射探测器芯组件。在步骤102中，制备封装剂材料(诸如聚对二甲苯前驱体材料)。在步骤103中，在低于100摄氏度的温度下将封装材料沉积到至少直接转换材料52和电连接54上以形成适形层。
对于结构或电气分离而言，电连接55可以由非导电填充材料59(也被称为“底部填充”)分开。在这种情况下，仅有这样形成的电连接元件的侧面形成外表面，并且没有气体能够(或必要)穿透直接转换层52与ASIC53之间。另一方面，底部填充物59可能引起额外的机械应力。在图3c中示意性示出了该实施例。
所述探测器芯组件可以被形成为探测器瓦块51，其继而可以被形成为用于在辐射成像设备(例如医学或安全辐射成像器、相机或天体物理设备)中使用的辐射探测器5。这样的辐射探测器作为针对计算机断层摄影成像系统1的探测器是特别有用的，其需要个体探测器瓦块51的高精度和机械稳定性以确保快速的传感器操作。
尽管已经在附图和前面的描述中详细图示和描述了本发明，但是这样的图示和描述应当被认为是例示性或示范性的，而非限制性的；本发明不限于所公开的实施例。
本领域技术人员通过研究附图、公开内容以及权利要求书，在实践请求保护的本发明时能够理解并且实现对所公开的实施例的其他变型。例如，在图3b和3c中所示出的实施例现在允许三面抵靠的探测器瓦块，但是本发明也适用于四边抵靠的探测器瓦块，其中，电子器件55、57、58放置在探测器瓦块配置的其他地方。
在权利要求书中，词语“包括”不排除其他元件或步骤，并且词语“一”或“一个”不排除多个。单个处理器或其他单元可以完成权利要求书中所记载的若干个项目的功能。尽管在互不相同的从属权利要求中记载了特定措施，但是这并不指示不能有利地使用这些措施的组合。计算机程序可以存储/分布在适合的介质上，例如与其他硬件一起被提供或作为其他硬件的部分被提供的光学存储介质或固态介质，但是计算机程序也可以以其他形式分布，例如经由因特网或其他的有线或无线的电信系统分布。权利要求中的任何附图标记都不应被解释为对范围的限制。

Claims (23)

1.一种用于构造辐射探测器芯组件的方法，包括以下步骤：
-从光子-电子转换元件、集成电路和至少一个连接元件来组装辐射探测器芯组件，所述至少一个连接元件被定位于所述光子-电子转换元件与所述集成电路之间并且机械地连接所述光子-电子转换元件与所述集成电路；
-在低于100度的温度下在至少所述光子-电子转换元件的所有外表面以及至少一个电连接元件的所有外表面上将气态封装材料沉积到所组装的探测器芯组件上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述温度低于60摄氏度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述温度为室温。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中，所述气态封装材料是聚对二甲苯前驱体材料，所述聚对二甲苯前驱体材料在所述沉积的步骤期间或之后在所组装的探测器芯组件上形成聚对二甲苯封装层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述聚对二甲苯前驱体材料是对二甲苯基单体。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述聚对二甲苯前驱体材料是被置换的对二甲苯基单体。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述对二甲苯基单体是从对-环芳的热分解形成的。
8.根据权利要求5、6或7所述的方法，其中，所述聚对二甲苯前驱体材料是在反应室中形成的，所述反应室被能控制地连接到在其中执行所述沉积的步骤的沉积室。
9.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中，所述至少一个连接元件包括：将所述光子-电子转换元件与所述集成电路电气地连接的电连接元件，诸如焊球或填充金属的环氧树脂滴；和/或将所述光子-电子转换元件与所述集成电路光学地连接的光学连接元件。
10.一种辐射探测器芯组件，包括：
-光子-电子转换元件；
-集成电路；以及
-至少一个电连接元件，其实质上被定位于所述光子-电子转换元件与所述集成电路之间并且电气地和机械地连接所述光子-电子转换元件与所述集成电路；其中，所述探测器芯组件包括对至少所述光子-电子转换元件的所有外表面以及所述至少一个电连接元件的所有外表面适形的封装层。
11.根据权利要求10所述的辐射探测器芯组件，其中，所述光子-电子转换元件至少实质上包括直接转换材料。
12.根据权利要求11所述的辐射探测器芯组件，其中，所述直接转换材料为碲化镉材料。
13.根据权利要求12所述的辐射探测器芯组件，其中，所述直接转换材料为碲锌镉材料。
14.根据权利要求10至13中的任一项所述的辐射探测器芯组件，其中，所述封装层包括在低于100摄氏度的温度下在气相中能处理的封装材料。
15.根据权利要求14所述的辐射探测器芯组件，其中，所述封装材料优选为聚对二甲苯。
16.根据权利要求14所述的辐射探测器芯组件，其中，所述封装材料在低于60摄氏度的温度下应用。
17.根据权利要求16所述的辐射探测器芯组件，其中，所述封装材料在室温下应用。
18.根据权利要求10至13中的任一项所述的辐射探测器芯组件，其中，所述至少一个连接元件包括：将所述光子-电子转换元件与所述集成电路电气地连接的电连接元件，诸如焊球或填充金属的环氧树脂滴；和/或将所述光子-电子转换元件与所述集成电路光学地连接的光学连接元件。
19.一种包括根据权利要求10至18中的任一项所述的辐射探测器芯组件的辐射探测器。
20.根据权利要求19所述的辐射探测器，包括多个探测器芯组件。
21.根据权利要求19或20所述的辐射探测器，其形成计算机断层摄影辐射探测器。
22.一种包括根据权利要求19至21中的任一项所述的辐射探测器的辐射成像设备。
23.一种包括根据权利要求19至21中的任一项所述的辐射探测器的计算机断层摄影成像系统。
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