CN114935880A - 一种光阻的去除方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种光阻的去除方法和装置，涉及半导体制造技术领域，所述装置至少包括：晶圆室；防护罩，罩设于所述晶圆室外；硫酸加热单元，通过第一管道与所述晶圆室连通，且所述硫酸加热单元与晶圆表面具有第一预设距离；以及纯净水加热单元，通过第二管道与所述晶圆室连通，且所述纯净水加热单元与晶圆表面具有第二预设距离，所述第二预设距离小于所述第一预设距离。本发明提供的一种光阻的去除方法和装置，能有效增加晶圆表面光阻的去除效果。

Description

一种光阻的去除方法和装置

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光阻的去除方法和装置。

背景技术

在半导体制造工业中，将光阻从半导体器件上移除的工艺通常采用硫酸/过氧化氢混合物(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture ,SPM)清洗液处理光阻，以去除半导体器件上的光阻。然而，由于过氧化氢与硫酸混合时剧烈放热，促使过氧化氢挥发分解，影响清洗液的清洗能力，进而影响光阻去除的时间及质量。因此，急需一种高效的光阻去除的方法和装置。

发明内容

本发明提出了一种光阻的去除方法和装置，通过设计多级加热和超声雾化的结构，利用高温水蒸气与高温硫酸雾直接在晶圆表面混合，即混瞬间释放大量的热量，大幅提高硫酸接触晶圆表面的温度，从而提高硫酸对硬化光阻的去除能力，同时使用水蒸气可以一定程度上避免金属污染，并且节约成本。

为解决上述技术问题，本发明是通过如下的技术方案实现的：

本发明提出一种光阻的去除装置，至少包括：

晶圆室；

防护罩，所述防护罩罩设于所述晶圆室；

硫酸加热单元，通过第一管道与所述晶圆室连通，且所述硫酸加热单元与晶圆表面具有第一预设距离；以及

纯净水加热单元，通过第二管道与所述晶圆室连通，且所述纯净水加热单元与晶圆表面具有第二预设距离，所述第二预设距离小于所述第一预设距离。

在本发明一实施例中，所述装置还包括双氧水循环单元，所述双氧水循环单元与所述晶圆室连通。

在本发明一实施例中，所述硫酸加热单元包括多个硫酸加热器，所述多个硫酸加热器包覆在所述第一管道外侧。

在本发明一实施例中，所述纯净水加热单元包括多个纯净水加热器，所述多个纯净水加热器包覆在所述第二管道外侧。

在本发明一实施例中，所述硫酸加热单元还包括超声装置，以将硫酸超声震荡为硫酸雾。

本发明还提出一种光阻去除的方法，至少包括以下步骤：

将硫酸加热至第一温度；

将硫酸进一步加热至第二温度，形成硫酸雾；

将超纯水加热至第三温度，形成水蒸气；

将所述水蒸气进一步加热至第四温度，形成高温水蒸气；以及

将所述硫酸雾与所述高温水蒸气分别输送至晶圆表面，并在晶圆表面进行即混。

在本发明一实施例中，所述第一温度为90-100℃。

在本发明一实施例中，所述第二温度为160-170℃。

在本发明一实施例中，所述第三温度为60-70℃。

在本发明一实施例中，所述第四温度为90-100℃。

本发明提出一种光阻的去除方法和装置，通过设计多级加热和超声雾化的结构，利用高温水蒸气与高温硫酸雾直接在晶圆表面混合，即混瞬间释放大量的热量，大幅提高硫酸接触晶圆表面的温度，从而提高硫酸对硬化光阻的去除能力，同时使用水蒸气可以一定程度上避免金属污染，并且节约成本。

附图说明

图1为本发明一实施例中光阻去除装置的结构示意图。

图2为图1中硫酸加热单元的结构示意图。

图3为图1中纯净水加热单元的结构示意图。

图4为本发明一实施例中光阻去除方法的流程图。

图5为硫酸在水中质量分数与温度的曲线图。

附图说明：

100、硫酸加热单元；101、第一阀门；102、第一储存室；103、多个硫酸泵；1031、第一硫酸泵；1032、第二硫酸泵；104、多个硫酸加热器；1041、第一硫酸加热器；1042、第二硫酸加热器；1043、第三硫酸加热器；105、第二储存室；106、第一管道；107、第二阀门；108、超声装置；200、纯净水加热单元；201、第三阀门；202、纯净水储存室；203、多个水泵；2031、第一水泵；2032、第二水泵；204、多个纯净水加热器；2041、第一纯净水加热器；2042、第二纯净水加热器；2043、第三纯净水加热器；205、第二管道；300、晶圆室；301、晶圆；302、晶圆支撑台；303、防护罩；400、双氧水循环单元；401、混合液储存室；402、双氧水输入管道；403、第五阀门；404、混合液输出管道；405、第六阀门。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

下面结合若干实施例及附图对本发明的技术方案做进一步详细说明，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1所示，本发明提出一种光阻的去除装置，包括晶圆室300、硫酸加热单元100、纯净水加热单元200以及双氧水循环单元400。硫酸加热单元100与纯净水加热单元200分别与晶圆室300流通，产生的高温硫酸雾与高温水蒸气在晶圆表面混合，即混瞬间温度能达到260℃以上，将晶圆表面大量的硬化光阻进行溶解、去除。

请参阅图1-图2所示，在本发明一实施例中，硫酸加热单元100与晶圆室300的一侧连通。硫酸加热单元100包括第一储存室102、第二储存室105和多个硫酸加热器104，第一储存室102与第二储存室105之间通过第一管道106连通，第一管道106设置有第一阀门101、第二阀门107和多个硫酸泵103，多个硫酸加热器104包覆在第一管道106外壁，以对第一管道106的不同阶段分别进行加热。

请参阅图1-图2所示，在本发明的一实施例中，第一管道106一端输入硫酸，另一端与晶圆室300连通，且与晶圆301表面具有第一预设距离d1。在本发明的一实施例中，第一阀门101设置在第一管道106上，且位于靠近硫酸输入端的一侧，以控制调节硫酸的输入流量。第一管道106用耐腐蚀、耐高温、自润滑、易加工和高机械强度等优异性能的材料制成，本发明对第一管道106材质不加以限制，在一些实施例中，第一管道106质例如为聚四氟乙烯、聚醚醚酮、石墨等。在本发明一实施例中，第一管道106形状例如设置为圆管状，在其他实施例中，第一管道106形状也可以设置为例如方管状。在本发明一实施例中，第一管道106壁厚例如设置为1-3mm，内径例如设置为5-20mm。进一步，可选的，第一管道106壁厚例如设置为1mm，内径例如设置为10mm。

请参阅图1-图2所示，在本发明的一实施例中，输入的硫酸在第一储存室102内收集、存储。本发明对第一储存室102的形状不加以限制，在一实施例中，第一储存室102例如设置为长方体。在另一实施例中，第一储存室102例如设置为圆筒。在本发明的一实施例中，第一储存室102的容量例如为1-3L，进一步的，第一储存室102的容量例如为1L。第一储存室102表面可涂覆有防腐材料，防止第一储存室102被浓硫酸腐蚀，增加了配件的使用寿命。在一些实施例中，防腐材料可为聚四氟乙烯、有机玻璃、石英、聚醚醚酮材料中的一种。

请参阅图1-图2所示，在本发明的一实施例中，第一管道106上设置有多个硫酸泵103，其中，第一硫酸泵1031位于第一储存室102与第二储存室105之间，以将第一储存室102存储的硫酸输送至第二储存室105内。将第一储存室102存储的硫酸输送至晶圆室300之前，还需对硫酸进行加热。在本发明一实施例中，硫酸加热单元100包括多个硫酸加热器104。本发明对加热器的种类不加以限制，在一实施例中，加热器例如可以为加热电阻丝，在另一实施例中，加热器例如也可以为陶瓷加热器，在其他实施例中，加热器例如还可以为电磁加热器、微波加热器等。

请参阅图1-图2所示，在本发明一实施例中，多个硫酸加热器104包覆在第一管道106外壁，多个硫酸加热器104位于第一储存室102与晶圆室300之间，且多个硫酸加热器104位于第一管道106不同的阶段。其中，第一硫酸加热器1041位于第一储存室102与第二储存室105之间，且设置在靠近第一储存室102的一侧。本发明对第一硫酸加热器1041的数量不加以限制，在本实施例中，第一硫酸加热器1041的数量例如为2个，且2个第一硫酸加热器1041例如对称设置。采用多个第一硫酸加热器1041同时加热，可使硫酸受热均匀，减小因温度波动带来的不良影响。第一硫酸加热器1041能将第一储存室102内输出的硫酸从20-30℃加热至90-100℃，90-100℃的热硫酸经第一管道106传输至第二储存室105。

请参阅图1-图2所示，在本发明的一实施例中，经第一硫酸加热器1041第一次加热后的硫酸在第二储存室105内收集、存储。本发明对第二储存室105的形状不加以限制，在一实施例中，第二储存室105例如设置为长方体，在另一实施例中，第二储存室105例如设置为圆筒。在本发明的一实施例中，第二储存室105的容量例如为1-3L，进一步的，第二储存室105的容量例如为1L。第二储存室105表面可涂覆有防腐材料，防止第二储存室105被加热的浓硫酸腐蚀，增加了配件的使用寿命。在一些实施例中，防腐材料可为聚四氟乙烯、有机玻璃、石英、聚醚醚酮材料中的一种。

请参阅图1-图2所示，在本发明的一实施例中，第二储存室105的一端与晶圆室300连通，且第二储存室105通过第一管道106与晶圆室300连通。在本发明的一实施例中，第二储存室105与晶圆室300之间设有第二硫酸加热器1042，第二硫酸加热器1042包覆在第一管道106外侧，进一步的，第二硫酸加热器1042与第二储存室105的一端连接。本发明对第二硫酸加热器1042的数量不加以限制，在本实施例中，第二硫酸加热器1042的数量例如为2个，且2个第二硫酸加热器1042例如对称设置。第二硫酸加热器1042将第二储存室105内输出的硫酸进一步加热，可将硫酸从90-100℃加热至160-170℃，160-170℃的硫酸经第一管道106输送至晶圆301表面。采用多个第二硫酸加热器1042对硫酸进行加热，可使硫酸受热均匀。且采用分级加热的方式，先将硫酸第一次加热至90-100℃，再将90-100℃的硫酸第二次加热至160-170℃，有利于降低硫酸温度的波动性，提高硫酸加热系统的稳定性。

请参阅图1-图2所示，在本发明的一实施例中，第二储存室105与第二硫酸加热器1042之间设置有第二硫酸泵1032，以便将第二储存室105内的高温硫酸输送至第二硫酸加热器1042处进行第二次加热。

请参阅图1-图2所示，在本发明的一实施例中，第二硫酸加热器1042与晶圆室300之间设置有第三硫酸加热器1043，且第三硫酸加热器1043的加热温度例如设置为160-170℃，以将第二硫酸加热器1042处输出的硫酸进行保温。本发明对第三硫酸加热器1043的数量不加以限制，在本实施例中，第三硫酸加热器1043的数量例如为1个。在本发明的一实施例中，第二硫酸加热器1042和第三硫酸加热器1043之间设置有第三硫酸泵1033，以便将经过第二硫酸加热器1042加热过的硫酸输送至第三硫酸加热器1043处进行保温。在本发明的一实施例中，第三硫酸加热器1043与晶圆室300之间设置有第二阀门107，以调整控制输送至晶圆表面的硫酸的浓度。

请参阅图1-图2所示，在本发明的一实施例中，第三硫酸加热器1043与晶圆室300之间还设置有超声装置108，超声装置108包覆在第一管道106靠近晶圆室300的一端。第一管道106输出的硫酸经高能超声雾化，在喷口处行成硫酸雾，并在晶圆301表面形成一片硫酸雾化层。将高温的硫酸超声处理为硫酸雾，能减小硫酸的尺寸，增大硫酸与高温水蒸气的接触面积，这有利于提高硫酸的溶解效率，使硫酸雾与水蒸气在即混瞬间释放更多的热量。

请参与图1和图3所示，纯净水加热单元200与晶圆室300的一侧连通，且纯净水加热单元200与硫酸加热单元100位于同一侧。纯净水加热单元200包括纯净水储存室202和多个纯净水加热器204，纯净水储存室202与晶圆室300之间通过第二管道205连通，第二管道205设置有第三阀门201、第四阀门206和多个水泵203，多个纯净水加热器204包覆在第二管道205外壁，以对第二管道205的不同阶段分别进行加热。

请参阅图3所示，在本发明的一实施例中，第二管道205一端输入纯净水，另一端与晶圆室300连通，且与晶圆301表面具有第二预设距离d2。第二预设距离d2小于第一预设距离d1，第二管道205内喷出的高温水蒸气向上自然流动，形成均匀的水蒸气层，第一管道106喷出的硫酸雾在自然重力作用向下移动，形成均匀的硫酸雾化层，水蒸气层与硫酸雾化层重叠，有利于提高硫酸的溶解效率，释放更多热量。

请参阅图3所示，在本发明的一实施例中，第三阀门201设置在第二管道205上，且位于靠近纯净水输入端的一侧，以控制调节纯净水的输入流量。第二管道205由耐高温、自润滑、易加工和高机械强度等优异性能的材料制成，本发明对第二管道205材质不加以限制，在一些实施例中，第二管道205材质例如为合金、陶瓷、石墨等。在本发明一实施例中，第二管道205形状例如设置为圆管状，在其他实施例中，第二管道205的形状也可以设置为例如方管状。在本发明一实施例中，第二管道205壁厚例如设置为1-3mm，内径例如设置为5-20mm。进一步，可选的，第二管道205壁厚例如设置为1mm，内径例如设置为10mm。

请参阅图3所示，在本发明的一实施例中，输入的纯净水在纯净水储存室202内收集、存储。本发明对纯净水储存室202的形状不加以限制，在一实施例中，纯净水储存室202例如设置为长方体状，在另一实施例中，纯净水储存室202例如设置为圆筒状。在本发明的一实施例中，纯净水储存室202的容量例如为1-3L，进一步的，纯净水储存室202的容量例如为1L。

请参阅图3所示，在本发明的一实施例中，第二管道205上设置有多个水泵203，其中，第一水泵2031位于纯净水储存室202与晶圆室300之间，以将纯净水储存室202存储的纯净水输送至晶圆室300。将纯净水储存室202存储的纯净水输送至晶圆室300之前，还需对纯净水进行加热。在本发明一实施例中，多个纯净水加热器204包覆在第二管道205外壁，多个纯净水加热器204位于纯净水储存室202与晶圆室300之间，且多个纯净水加热器204位于第二管道205不同的阶段。其中，第一纯净水加热器2041与第一水泵2031的一端连接，以便第一水泵2031将纯净水输送至第一纯净水加热器2041处进行加热。本发明对第一纯净水加热器2041的数量不加以限制，在本实施例中，第一纯净水加热器2041的数量例如为2个，2个第一纯净水加热器2041例如对称设置。采用多个第一纯净水加热器2041同时加热，可使纯净水受热均匀，减小因温度波动带来的不良影响。第一纯净水加热器2041能将纯净水储存室202内输出的纯净水从20-30℃加热至60-70℃。

请参与图3所示，在本发明的一实施例中，第二纯净水加热器2042包覆在第二管道205外侧，进一步的，第二纯净水加热器2042与第一纯净水加热器2041一端连接。第二纯净水加热器2042将第一纯净水加热器2041处输出的纯净水进一步加热，可将纯净水从60-70℃加热至90-100℃，形成高温水蒸气。采用分级加热的方式，先将纯净水第一次加热至60-70℃，再将60-70℃的纯净水第二次加热至90-100℃，有利于降低纯净水温度的波动性，提高纯净水加热系统的稳定性。且形成的高温水蒸气从第二管道205靠近晶圆室300的一端喷出，在晶圆表面形成稳定的水蒸气层。

请参阅图3所示，在本发明一实施例中，第一纯净水加热器2041与第二纯净水加热器2042之间还设置有第二水泵2032，以便将第一纯净水加热器2041处的纯净水输送至第二纯净水加热器2042处。

请参阅图3所示，在本发明一实施例中，将经过第二纯净水加热器2042加热的高温水蒸气输送至晶圆室300之前，需对高温水蒸气进一步保温。在本发明一实施例中，第三纯净水加热器2043包覆在第二管道205外侧，且第三纯净水加热器2043与第二纯净水加热器2042的一端连接，以将高温水蒸气进行保温。在本发明一实施例中，第四阀门206设置在第二管道205靠近晶圆室300的一端，以控制调节输送至晶圆室300的高温水蒸气的流量。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，晶圆室300包括晶圆301、晶圆支撑台302和防护罩303。晶圆301放置在晶圆支撑台302上，防护罩303罩设于晶圆支撑台302外侧，防止硫酸雾和水蒸气溅射，对人体或其他设备造成损伤。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，第一管道106内喷出的硫酸雾与第二管道205内喷出的水蒸气的体积比例如设置为0.8:1-1:1。在本发明一实施例中，纯净水加热单元200输出的高温水蒸气向上自然流动，在晶圆301表面形成均匀的水蒸气层，硫酸加热单元100喷出的硫酸雾在自然重力作用向下移动，在晶圆301表面形成均匀的硫酸雾化层，水蒸气层与硫酸雾化层重叠，释放大量热量，且重叠瞬间的温度能达到260℃，能打断硬化光阻与晶圆结合的C-N键，将光阻从晶圆表面剥离，光阻颗粒随着硫酸溶液从晶圆室300流出。在本发明一实施例中，晶圆室300还可连接一个双氧水循环单元400，一方面，通入的双氧水可将光阻颗粒进一步消解、融化，防止阻塞通道。另一方面，双氧水与硫酸的混合溶液可循环至其他机台，对机台进行清理。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，双氧水循环单元400一端与晶圆室300连通。在本发明一实施例中，双氧水循环单元400包括混合液储存室401、双氧水输入管道402、第五阀门403、第六阀门405和混合液输出管道404。在本发明一实施例中，双氧水输入管道402连接在混合液储存室401的一端，混合液输出管道404连接在混合液储存室401的另一端，且第五阀门403设置在双氧水输入管道402上，以调节控制双氧水的输入流量，第六阀门405设置在混合液输出管道404上，以调节控制混合液的输出流量。晶圆室300内的硫酸溶液流入混合液储存室401，与输入的双氧水一起在混合液储存室401内混合、收集，双氧水对硫酸溶液中的光阻颗粒进行氧化和消解，形成的混合溶液可经混合液输出管道404输送至其他设备，对其他设备进行清洗。

请参阅图1所示，在本发明一实施例中，双氧水输入管道402和混合液输出管道404均采用耐腐蚀、耐高温、自润滑、易加工和高机械强度等优异性能的材料制成，例如聚四氟乙烯、聚醚醚酮、石墨等。

请参阅图4所示，本发明还提出一种光阻的去除方法，包括但不限于以下步骤S100-S500。

S100、将硫酸加热至第一温度。

S200、将硫酸进一步加热至第二温度，形成硫酸雾。

S300、将超纯水加热至第三温度，形成水蒸气。

S400、将所述水蒸气进一步加热至第二温度，形成高温水蒸气。

S500、将所述硫酸雾与所述高温水蒸气分别输送至晶圆表面，并在晶圆表面进行即混。

请参阅图4所示，在步骤S100中，在本发明一实施例中，使用的硫酸为浓硫酸，且硫酸的浓度例如可以为93-98%，进一步，可选的，硫酸的浓度例如可以为98%。在本发明一实施例中，采用多个硫酸加热器104对硫酸进行加热，且是通过加热输送硫酸的第一管道106，对第一管道106内硫酸进行加热。在本发明一实施例中，第一温度例如可以设置为90-100℃，进一步，可选的，第一温度例如设置为100℃。

请参阅图4所示，在步骤S200中，本发明的一实施例中，将硫酸加热至第一温度后，再将第一温度的硫酸进一步加热至第二温度，采用上述分级加热的加热方式，有利于降低硫酸温度的波动性，提高硫酸加热系统的稳定性。本发明的一实施例中，第二温度例如可以设置为160-170℃，进一步，可选的，第二温度例如设置为160℃。本发明的一实施例中，硫酸出口处设置有超声设备108，能够将硫酸超声雾化，形成硫酸雾，以便在出口处形成均匀的雾化层，加大与高温水蒸气的接触面积，从而提高溶解效率。

请参阅图4所示，本发明不限制步骤S100、S200和步骤S300、S400的先后顺序，在一实施例中，可以先进行步骤S100和S200，然后再进行步骤S300和S400，也可以先进行步骤S300和S400，然后再进行步骤S100和S200，还可以同时进行步骤S100、S200和步骤S300、S400。

请参阅图4所示，在本发明的一实施例中，在步骤S300中，第三温度例如可以设置为60-70℃，进一步，可选的，第三温度例如设置为70℃。

请参阅图4所示，在本发明的一实施例中，在步骤S400中，将纯净水加热至第三温度，形成水蒸气，再将水蒸气进一步进行第二次加热，形成高温水蒸气，采用上述分级加热的方法有利于降低水蒸气温度的波动性，提高纯净水加热单元的稳定性。本发明的一实施例中，第四温度例如可以设置为90-100℃，进一步，可选的，第四温度例如设置为100℃。

请参阅图4-图5所示，在步骤S500中，在本发明的一实施例中，硫酸温度越高，对于光阻的去除能力越强，将高温硫酸雾与高温水蒸气进行共混，即混瞬间温度最高可到260℃以上，能够将晶圆表面大量的光阻溶解、去除。

请参阅图5所示，随着硫酸与水蒸气的体积比增大，硫酸与水蒸气的即混温度也随之增大。当硫酸雾与水蒸气的体积比大于0.8:1时，硫酸与水蒸气的即混温度能达到204℃，且即混瞬间温度最高可到260℃以上。

综上所述，本发明提出一种光阻的去除方法和装置，通过设计多级加热的结构，利用高温水蒸气与高温硫酸雾直接在晶圆表面混合，即混瞬间达到260℃，释放大量的热量，大幅提高硫酸接触晶圆表面的温度，从而提高硫酸对硬化光阻的去除能力。并通过超声雾化处理硫酸，细化硫酸的尺寸，从而提高硫酸的溶解效率，进一步释放更多的热量。同时使用水蒸气可以一定程度上避免金属污染，并且节约成本。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明，本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案，例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

除说明书所述的技术特征外，其余技术特征为本领域技术人员的已知技术，为突出本发明的创新特点，其余技术特征在此不再赘述。

Claims (10)

1.一种光阻的去除装置，其特征在于，至少包括：

晶圆室；

防护罩，所述防护罩罩设于所述晶圆室；

硫酸加热单元，通过第一管道与所述晶圆室连通，且所述硫酸加热单元与晶圆表面具有第一预设距离；以及

纯净水加热单元，通过第二管道与所述晶圆室连通，且所述纯净水加热单元与晶圆表面具有第二预设距离，所述第二预设距离小于所述第一预设距离。

2.根据权利要求1所述的一种光阻的去除装置，其特征在于，所述装置还包括双氧水循环单元，所述双氧水循环单元与所述晶圆室连通。

3.根据权利要求1所述的一种光阻的去除装置，其特征在于，所述硫酸加热单元包括多个硫酸加热器，所述多个硫酸加热器包覆在所述第一管道外侧。

4.根据权利要求1所述的一种光阻的去除装置，其特征在于，所述纯净水加热单元包括多个纯净水加热器，所述多个纯净水加热器包覆在所述第二管道外侧。

5.根据权利要求1所述的一种光阻的去除装置，其特征在于，所述硫酸加热单元还包括超声装置，以将硫酸超声震荡为硫酸雾。

6.一种光阻的去除方法，利用如权利要求1所述的装置以实现，其特征在于，包括以下步骤：

将硫酸加热至第一温度；

将硫酸进一步加热至第二温度，形成硫酸雾；

将超纯水加热至第三温度，形成水蒸气；

将所述水蒸气进一步加热至第四温度，形成高温水蒸气；以及

将所述硫酸雾与所述高温水蒸气分别输送至晶圆表面，并在晶圆表面进行即混。

7.根据权利要求6所述的一种光阻的去除方法，其特征在于，所述第一温度为90-100℃。

8.根据权利要求6所述的一种光阻的去除方法，其特征在于，所述第二温度为160-170℃。

9.根据权利要求6所述的一种光阻的去除方法，其特征在于，所述第三温度为60-70℃。

10.根据权利要求6所述的一种光阻的去除方法，其特征在于，所述第四温度为90-100℃。

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