CN114935850A - 彩膜基板及其制造方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种彩膜基板及其制造方法和显示面板，彩膜基板包括：衬底基板；彩膜层，设置在衬底基板上，彩膜层包括分布于衬底基板的多个色阻单元，相邻两色阻单元之间形成交汇区域；色阻单元的制造材料包括光刻胶材料和导电材料。本申请实施例提供的彩膜基板，将色阻单元采用光刻胶材料和导电材料制成，使得色阻单元具有导电性；再在每两个相邻的色阻单元之间形成交汇区域，使得多个色阻单元之间可形成电导通。如此，可直接由彩膜层来充当彩膜基板上的电极，同样能在彩膜基板和阵列基板之间形成电场来控制液晶层的液晶取向。也就是说，在制作彩膜基板时，可省去制作导电膜层的步骤，以提高彩膜基板的生产效率，并降低彩膜基板的生产成本。

Description

彩膜基板及其制造方法和显示面板
技术领域
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种彩膜基板及其制造方法和显示面板。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。通常液晶显示面板由彩膜基板(Color Filter，CF)、薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor，TFT)以及夹于彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层组成。
阵列基板上设有像素电极，彩膜基板上也会设有导电膜层，以在阵列基板和彩膜基板之间形成可控制液晶取向的电场。但在彩膜基板上设置导电膜层会使彩膜基板的制程周期延长，影响生产效率。
发明内容
本申请实施例提供一种彩膜基板及其制造方法和显示面板，以缩短彩膜基板的制程周期，提高生产效率。
第一方面，本申请实施例提供一种彩膜基板，包括：
衬底基板；
彩膜层，设置在所述衬底基板上，所述彩膜层包括分布于所述衬底基板的多个色阻单元，相邻两所述色阻单元之间具有交汇区域；所述色阻单元的制造材料包括光刻胶材料和导电材料。
可选的，所述导电材料包括导电纳米材料、碳材料或导电有机聚合物中的至少一种。
可选的，所述导电材料包括导电纳米材料，所述导电纳米材料在所述色阻单元中的重量百分比为10wt％至50wt％。
可选的，所述导电材料包括碳材料，所述碳材料在所述色阻单元中的重量百分比为10wt％至50wt％。
可选的，所述导电材料包括导电有机聚合物，所述导电有机聚合物在所述色阻单元中的重量百分比为20wt％至50wt％。
可选的，所述导电有机聚合物包括聚噻吩、聚乙炔或聚苯胺中的至少一种。
可选的，所述彩膜基板还包括设置在所述衬底基板上的黑色矩阵，所述黑色矩阵包括多个开口区和遮光区，各所述遮光区位于相邻两所述开口区之间；各所述色阻单元设于各所述开口区，相邻两所述色阻单元在所述遮光区背离所述衬底基板的一侧形成交汇区域。
可选的，各所述遮光区的宽度自靠近所述衬底基板的一端朝远离所述衬底基板的一端渐减。
第二方面，本申请实施例还提供一种彩膜基板的制造方法，用以制造如上所述的彩膜基板，该制造方法包括如下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上设置彩膜层；所述彩膜层包括多个色阻单元，相邻两所述色阻单元之间形成交汇区域，所述色阻单元的制造材料包括光刻胶材料和导电材料。
可选的，所述在所述衬底基板上设置彩膜层的步骤包括：
在所述衬底基板上涂覆色阻材料层；所述色阻材料层包括用以形成色阻单元的显示区域和设于相邻两显示区域之间的交汇区域；
利用灰阶光罩对色阻材料层进行曝光；所述灰阶光罩包括透光区域和半透光区域，所述透光区域对应所述显示区域，所述半透光区域对应所述交汇区域；
对曝光后的色阻材料层进行显影。
可选的，所述在所述衬底基板上设置彩膜层的步骤包括：
在所述衬底基板上设置黑色矩阵；所述黑色矩阵包括遮光区和开口区；
在所述黑色矩阵上涂覆色阻材料层，色阻材料层在遮光区上形成交汇区域；
利用光罩对所述色阻材料层进行曝光；
对曝光后的色阻材料层进行显影。
第三方面，本申请实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板、液晶层以及如上所述的彩膜基板；所述液晶层设于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
可选的，所述阵列基板上设有与各所述色阻单元一一对应的像素电极，所述色阻单元在所述阵列基板上的投影面积大于所述像素电极的投影面积。
本申请实施例提供的彩膜基板，将色阻单元采用光刻胶材料和导电材料制成，使得色阻单元具有导电性；再在每两个相邻的色阻单元之间形成交汇区域，使得多个色阻单元之间可形成电导通。如此，可直接由彩膜层来充当彩膜基板上的电极，同样能在彩膜基板和阵列基板之间形成电场来控制液晶层的液晶取向。也就是说，在制作彩膜基板时，可省去制作导电膜层的步骤，从而可缩短彩膜基板的制程周期，提高彩膜基板的生产效率，同时还能降低彩膜基板的生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了更完整地理解本申请及其有益效果，下面将结合附图来进行说明。其中，在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
图1为现有技术中显示面板的剖面示意图。
图2为本申请实施例提供的彩膜基板的剖面示意图。
图3为本申请实施例中黑色矩阵的剖面示意图。
图4为本申请实施例中彩膜层的曝光过程示意图。
图5为本申请实施例提供的彩膜基板的制造方法的流程示意图。
图6为本申请实施例提供的彩膜基板的制造方法的流程细节图。
图7为本申请实施例提供的彩膜基板的制造方法的流程细节图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种彩膜基板100及其制造方法和显示面板，以缩短彩膜基板100的制程周期，提高生产效率。以下将结合附图对其进行说明。
请参考图1，图1为现有技术中显示面板的剖面示意图。通常液晶显示面板由彩膜基板100(Color Filter，CF)、薄膜晶体管阵列基板200(Thin Film Transistor，TFT)、夹于彩膜基板100与薄膜晶体管阵列基板200之间的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列基板200和彩膜基板100制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段阵列基板200制程主要是形成阵列基板200和彩膜基板100，以便于控制液晶分子的运动；中段成盒制程主要是在阵列基板200与彩膜基板100之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
彩色滤光片基板即彩膜基板100是液晶显示器的重要组成部分，传统的彩膜基板100的制作方法为在衬底基板10上制作完黑色矩阵30(Black Matrix，BM)后，再制作色阻层(包括红色色阻、绿色色阻、及蓝色色阻)。色阻层上还需要制作导电膜层，以与阵列基板200上的像素电极40之间形成电场，从而控制位于电场中的液晶分子的运动。导电膜层的制作会延长彩膜基板100的制程周期，降低彩膜基板100的生产效率。
请参考图2，图2为本申请实施例提供的彩膜基板100的剖面示意图。本申请实施例提供的彩膜基板100包括：衬底基板10；彩膜层，设置在所述衬底基板10上，所述彩膜层包括分布于所述衬底基板10的多个色阻单元20，相邻两所述色阻单元20之间具有交汇区域21；所述色阻单元20的制造材料包括光刻胶材料和导电材料。
具体的，本实施例中，衬底基板10可以为透明玻璃基板，也可以为透明柔性基板，在此不做限制。色阻单元20可由色阻材料层经涂布、曝光、显影后制成，色阻材料层至少由光刻胶材料和导电材料混合形成，以使色阻单元20既具有透过单色光谱的特性，又具有导电性能。举例而言，色阻单元20通常包括红色色阻单元20、绿色色阻单元20和蓝色色阻单元20，每种色阻单元20能透过相对应的红色光谱、绿色光谱和蓝色光谱。三种颜色的色阻单元20数量均为多个，并在衬底基板10上组成多个像素组合，每个像素组合都包括一个红色色阻单元20、一个绿色色阻单元20和一个蓝色色阻单元20。
相邻两色阻单元20之间具有交汇区域21，即相邻两色阻单元20会在交汇区域21相互抵接、相互重叠或相互交融，只需满足相邻两色阻单元20能在交汇区域21有接触关系即可。由于色阻单元20的制造材料中有导电材料，因此相邻两色阻单元20在交汇区域21会形成电导通，即彩膜层的各个色阻单元20都会两两形成电导通，从而使彩膜层整体具有导电性能。具有导电性能的彩膜层可作为导电膜层使用，从而使彩膜层能与阵列基板200上的像素电极40之间形成电场，以控制液晶层300的液晶分子运动。由此，在制作彩膜基板100时，可省去导电膜层的制程，从而可缩短彩膜基板100的整体制程周期，提高彩膜基板100的生产效率。
色阻单元20的制造材料包括光刻胶材料和导电材料，其中，光刻胶材料的主要成分是溶剂、颜料、分散剂、单体、聚合体和光引发剂等。光刻胶材料使色阻单元20吸收自然光中的一部分光谱，仅透过与之匹配的单色光谱，形成混色中的基色。导电材料使色阻单元20具有导电能力，导电材料具体可以为导电纳米材料、碳材料或导电有机聚合物中的至少一种，当然还可以为其它类型的导电材料。
导电膜层的导电性与其电导率和厚度有关，电导率越高，厚度越大，则导电性越好。在现有技术的彩膜基板100中，导电膜层通常选用ITO膜层，其厚度一般控制在0.09-0.15微米，以使ITO膜层具有足够的电导率。而在本申请实施例的彩膜基板100中，为保证彩膜层的透光性能，彩膜层的厚度控制在1.0-2.5微米，也就是说，色阻单元20的电导率只需要达到ITO膜层的1/10左右即可实现与ITO膜层相同的导电效果。
示例性的，所述导电材料包括导电纳米材料，所述导电纳米材料在所述色阻单元20中的重量百分比为10wt％至50wt％，例如可以是10wt％、15wt％、20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％或50wt％。导电纳米材料例如可以是银纳米线，银纳米线除具有银优良的导电性之外，由于纳米级别的尺寸效应，还具有优异的透光性、耐曲挠性。因此，将银纳米线混入光刻胶材料中，既可使色阻单元20具有导电性，又能减少对透光性的影响。将导电纳米材料在色阻单元20中的重量百分比设置为10wt％至50wt％，既能使色阻单元20达到足够的电导率，又能避免因导电纳米材料的比重过高而影响色阻单元20的透光性能。
示例性的，所述导电材料包括碳材料，所述碳材料在所述色阻单元20中的重量百分比为10wt％至50wt％，例如可以是10wt％、15wt％、20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％或50wt％。碳材料具体可以为纳米碳材料，如碳纳米球、石墨烯、碳纳米管等。纳米碳材料能改善色阻单元20的电导率，使彩膜层既具有导电性，又具有透光性能。将碳材料在所述色阻单元20中的重量百分比为10wt％至50wt％，既能使色阻单元20达到足够的电导率，又能避免因碳材料的比重过高而影响色阻单元20的透光性能。
示例性的，所述导电材料包括导电有机聚合物，所述导电有机聚合物在所述色阻单元20中的重量百分比为20wt％至50wt％，例如可以是20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％或50wt％。导电有机聚合物即导电高分子，例如可以是聚噻吩PEDOT，聚乙炔，聚苯胺中的至少一种。导电有机聚合物与光刻胶材料的相容性较高，能减少对色阻单元20透光性能和颜色的影响，从而保证色阻单元20的透光能力。将导电有机聚合物在所述色阻单元20中的重量百分比为20wt％至50wt％，，既能使色阻单元20达到足够的电导率，又能避免因导电有机聚合物的比重过高而影响色阻单元20的透光性能。
由于相邻两色阻单元20具有交汇区域21，不同颜色的色阻单元20在交汇区域21会混合形成新的颜色，杂乱散射光无法从混色后的交汇区域21射出，从而可对杂乱散射光起到遮挡作用；因此，彩膜基板100可以不用设置用以遮挡杂乱散射光的黑色矩阵30。但对于颜色相同的两个相邻色阻单元20，在交汇区域21无法混合形成新的颜色，因此难以对杂乱散射光起到遮挡作用；为解决该问题，就需要设置遮光结构来遮挡颜色相同的两个相邻色阻单元20之间的交汇区域，如黑色矩阵30。
示例性的，请参考图2和图3，图3为本申请实施例中黑色矩阵30的剖面示意图。所述彩膜基板100还包括设置在所述衬底基板10上的黑色矩阵30，所述黑色矩阵30包括多个开口区31和遮光区32，各所述遮光区32位于相邻两所述开口区31之间；各所述色阻单元20设于各所述开口区31，相邻两所述色阻单元20在所述遮光区32背离所述衬底基板10的一侧形成交汇区域21。
黑色矩阵30的作用是遮挡来自液晶层300的杂乱散射光，防止亚像素之间混色和防止环境光照射到薄膜晶体管阵列基板200的沟道上。在制作彩膜基板100上，通常是先制作黑色矩阵30，再在黑色矩阵30上制作彩膜层，以使各色阻单元20能位于黑色矩阵30的各开口区31内。黑色矩阵30是通过涂布黑色材料-曝光-显影的工艺制成，色阻单元20是通过涂布色阻材料-曝光-显影的工艺制成。需要说明的是，在涂布色阻材料的过程中，相邻两色阻单元20的色阻材料均会被涂布在黑色矩阵30的遮光区32上，以形成交汇区域21；为了在曝光过程中保留该交汇区域21，需要对光罩50进行相应的调整。
举例而言，请参考图4，图4为本申请实施例中彩膜层的曝光过程示意图。光罩50可采用灰阶光罩50，灰阶光罩50具有透光区域51和半透光区域52，将透光区域51对应黑色矩阵30的开口区31，可在曝光-显影后形成色阻单元20；将半透光区域52对应黑色矩阵30的遮光区32，可在曝光过程中使交汇区域21固化，并且削减交汇区域21的部分厚度，以在显影后既能保留交汇区域21，又能减少交汇区域21的厚度，以减少对彩膜基板100整体厚度的影响。
在另一种保留交汇区域21的方式中，光罩50可为普通光罩50，即只有透光区和挡光区，透光区对应的是黑色矩阵30的开口区31；而在显示面板中，黑色矩阵30的开口区31是与阵列基板200上的像素电极40一一对应的，且开口区31的投影面积与像素电极40的投影面积相同。因此，在利用光罩50进行曝光的过程中，可适当增大光罩50透光区的面积，使光罩50的透光区大于黑色矩阵30的开口区31；如此，在曝光过程中，黑色矩阵30的部分遮光区32也会被曝光，从而可增大色阻材料的曝光面积，最终使色阻单元20在阵列基板200上的投影面积大于黑色矩阵30开口区31和像素电极40的投影面积，也就是使色阻单元20在黑色矩阵30遮光区32上的交汇区域21能被固化保留。
示例性的，如图2和图3所示，各所述遮光区32的宽度自靠近所述衬底基板10的一端朝远离所述衬底基板10的一端渐减；如此，既不影响遮光区32在彩膜基板100上的投影面积，也就是不影响遮光区32对杂乱散射光的遮光面积，又能使相邻两色阻单元20在遮光区32上更顺利地形成交汇区域21，以保证彩膜层的整体导电能力。
示例性的，请参考图5，图5为本申请实施例提供的彩膜基板100的制造方法的流程示意图。本申请实施例还提出一种彩膜基板100的制造方法，用以制造如上所述的彩膜基板100，该制造方法包括如下步骤：
S100、提供一衬底基板10；
S200、在所述衬底基板10上设置彩膜层；所述彩膜层包括多个色阻单元20，相邻两所述色阻单元20之间形成交汇区域21，所述色阻单元20的制造材料包括光刻胶材料和导电材料。
在步骤S100中，对衬底基板10进行初始清洗。这里的初始清洗是将衬底基板10放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在衬底基板10表面上的灰尘或杂质去除，防止这些杂质尘粒对后续的制程造成影响；并对清洗后的衬底基板10进行铬溅镀，以提高衬底基板10性能。
在步骤S200中，可通过涂布色阻材料、曝光、显影的工艺步骤来形成色阻单元20，其中，色阻材料混合有光刻胶材料和导电材料。色阻材料可在制造彩膜基板100前预先配制好，以提高彩膜层的生产效率。色阻单元20包括红、绿、蓝三种颜色，三种颜色的色阻单元20材料基本相同，区别在于颜料。在实际制造过程中，通常是先制造其中一种颜色的色阻单元20，再依次制造第二、第三种颜色的色阻单元20。
示例性的，请参考图6，图6为本申请实施例提供的彩膜基板100的制造方法的流程细节图。所述在所述衬底基板10上设置彩膜层的步骤包括：
S210、在所述衬底基板10上涂覆色阻材料层；所述色阻材料层包括用以形成色阻单元20的显示区域和设于相邻两显示区域之间的交汇区域21；
S220、利用灰阶光罩50对色阻材料层进行曝光；所述灰阶光罩50包括透光区域51和半透光区域52，所述透光区域51对应所述显示区域，所述半透光区域52对应所述交汇区域21；
S230、对曝光后的色阻材料层进行显影。
在步骤S220中，灰阶光罩50具有透光区域51和半透光区域52，将透光区域51对应黑色矩阵30的开口区31，可在曝光-显影后形成色阻单元20；将半透光区域52对应黑色矩阵30的遮光区32，可在曝光过程中使交汇区域21部分固化，并且削减交汇区域21的部分厚度，以在显影后既能保留交汇区域21，又能减少交汇区域21的厚度，以减少对彩膜基板100整体厚度的影响。可以理解，本实施例中的保留部分交汇区域21是指在曝光显影过程中从彩膜基板100的厚度方向上减薄交汇区域21的厚度，减薄后的交汇区域21仍会有效连接相邻两个色阻单元20。
在步骤S230中，对曝光后的色阻材料层进行显影后，可获得被固化的色阻单元20；由于交汇区域也在曝光过程中被部分固化，因此交汇区域21的一部分也可在显影后被有效保留。
示例性的，请参考图7，图7为本申请实施例提供的彩膜基板100的制造方法的流程细节图。所述在所述衬底基板10上设置彩膜层的步骤包括：
S240、在所述衬底基板10上设置黑色矩阵30；所述黑色矩阵30包括遮光区32和开口区31；
S250、在所述黑色矩阵30上涂覆色阻材料层，色阻材料层在遮光区32上形成交汇区域21；
S260、利用光罩50对所述色阻材料层进行曝光；
S270、对曝光后的色阻材料层进行显影。
在步骤S240中，黑色矩阵30可通过涂布黑色材料、曝光、显影的工艺步骤形成。黑色矩阵30的作用是遮挡来自液晶层300的杂乱散射光，防止亚像素之间混色和防止环境光照射到薄膜晶体管阵列基板200的沟道上。在制作彩膜基板100上，通常是先制作黑色矩阵30，再在黑色矩阵30上制作彩膜层，以使各色阻单元20能位于黑色矩阵30的各开口区31内。需要说明的是，在步骤S250中，相邻两色阻单元20的色阻材料均会被涂布在黑色矩阵30的遮光区32上，以形成交汇区域21；为了在步骤260中保留该交汇区域21，需要对光罩50进行相应的调整。其中一种调整方式可参照上述步骤210至230的实施例。
在另一种对光罩50的调整方式中，光罩50可为普通光罩50，即只有透光区和挡光区，透光区对应的是黑色矩阵30的开口区31；而在显示面板中，黑色矩阵30的开口区31是与阵列基板200上的像素电极40一一对应的，且开口区31的投影面积与像素电极40的投影面积相同。因此，在利用光罩50进行曝光的过程中，可适当增大光罩50透光区的面积，使光罩50的透光区大于黑色矩阵30的开口区31；如此，在曝光过程中，黑色矩阵30的部分遮光区32也会被曝光，从而可增大色阻材料的曝光面积，最终使色阻单元20在阵列基板200上的投影面积大于黑色矩阵30开口区31和像素电极40的投影面积，也就是使色阻单元20在黑色矩阵30遮光区32上的交汇区域21能被固化保留。
在步骤270中，对曝光后的色阻材料层进行显影后，可获得被固化的色阻单元20；由于交汇区域也在曝光过程中被固化，因此交汇区域21也可在显影后被有效保留。
本申请实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板200、液晶层300以及如上所述的彩膜基板100；所述液晶层300设于所述阵列基板200与所述彩膜基板100之间。其中，显示面板可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
示例性的，所述阵列基板200上设有与各所述色阻单元20一一对应的像素电极40，所述色阻单元20在所述阵列基板200上的投影面积大于所述像素电极40的投影面积。在显示面板中，黑色矩阵30的开口区31是与阵列基板200上的像素电极40一一对应的，且开口区31的投影面积与像素电极40的投影面积相同。因此，在利用光罩50进行曝光的过程中，可适当增大光罩50透光区的面积，使光罩50的透光区大于黑色矩阵30的开口区31；如此，在曝光过程中，黑色矩阵30的部分遮光区32也会被曝光，从而可增大色阻材料的曝光面积，最终使色阻单元20在阵列基板200上的投影面积大于黑色矩阵30开口区31和像素电极40的投影面积，也就是使色阻单元20在黑色矩阵30遮光区32上的交汇区域21能被固化保留。
本申请实施例提供的彩膜基板100，将色阻单元20采用光刻胶材料和导电材料制成，使得色阻单元20具有导电性；再在每两个相邻的色阻单元20之间形成交汇区域21，使得多个色阻单元20之间可形成电导通。如此，可直接由彩膜层来充当彩膜基板100上的电极，同样能在彩膜基板100和阵列基板200之间形成电场来控制液晶层300的液晶取向。也就是说，在制作彩膜基板100时，可省去制作导电膜层的步骤，从而可缩短彩膜基板100的制程周期，提高彩膜基板100的生产效率，同时还能降低彩膜基板的生产成本。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。以上对本申请实施例所提供的彩膜基板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (13)

1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
彩膜层，设置在所述衬底基板上，所述彩膜层包括分布于所述衬底基板的多个色阻单元，相邻两所述色阻单元之间具有交汇区域；所述色阻单元的制造材料包括光刻胶材料和导电材料。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述导电材料包括导电纳米材料、碳材料或导电有机聚合物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述导电材料包括导电纳米材料，所述导电纳米材料在所述色阻单元中的重量百分比为10wt％至50wt％。
4.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述导电材料包括碳材料，所述碳材料在所述色阻单元中的重量百分比为10wt％至50wt％。
5.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述导电材料包括导电有机聚合物，所述导电有机聚合物在所述色阻单元中的重量百分比为20wt％至50wt％。
6.根据权利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，所述导电有机聚合物包括聚噻吩、聚乙炔或聚苯胺中的至少一种。
7.根据权利要求1至6任一项所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括设置在所述衬底基板上的黑色矩阵，所述黑色矩阵包括多个开口区和遮光区，各所述遮光区位于相邻两所述开口区之间；各所述色阻单元设于各所述开口区，相邻两所述色阻单元在所述遮光区背离所述衬底基板的一侧形成交汇区域。
8.根据权利要求7所述的彩膜基板，其特征在于，各所述遮光区的宽度自靠近所述衬底基板的一端朝远离所述衬底基板的一端渐减。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
液晶层；以及，
如权利要求1至8任一项所述的彩膜基板；所述液晶层设于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设有与各所述色阻单元一一对应的像素电极，所述色阻单元在所述阵列基板上的投影面积大于所述像素电极的投影面积。
11.一种彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上设置彩膜层；所述彩膜层包括多个色阻单元，相邻两所述色阻单元之间形成交汇区域，所述色阻单元的制造材料包括光刻胶材料和导电材料。
12.根据权利要求11所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上设置彩膜层的步骤包括：
在所述衬底基板上涂覆色阻材料层；所述色阻材料层包括用以形成色阻单元的显示区域和设于相邻两显示区域之间的交汇区域；
利用灰阶光罩对色阻材料层进行曝光；所述灰阶光罩包括透光区域和半透光区域，所述透光区域对应所述显示区域，所述半透光区域对应所述交汇区域；
对曝光后的色阻材料层进行显影。
13.根据权利要求11所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上设置彩膜层的步骤包括：
在所述衬底基板上设置黑色矩阵；所述黑色矩阵包括遮光区和开口区；
在所述黑色矩阵上涂覆色阻材料层，色阻材料层在遮光区上形成交汇区域；
利用光罩对所述色阻材料层进行曝光；
对曝光后的色阻材料层进行显影。
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