CN114915265B

CN114915265B - 一种动态规划深度的ask调制电路、方法、设备及存储介质

Info

Publication number: CN114915265B
Application number: CN202210832948.8A
Authority: CN
Inventors: 金煜昊; 李绍瑜; 吕后阳
Original assignee: Zhejiang Geoforcechip Technology Co Ltd
Current assignee: Zhejiang Geoforcechip Technology Co Ltd
Priority date: 2022-07-15
Filing date: 2022-07-15
Publication date: 2022-10-14
Anticipated expiration: 2042-07-15
Also published as: CN114915265A

Abstract

本申请公开了一种动态规划深度的ASK调制电路、方法、电子设备及存储介质，其中调制电路包括：调制模块和调制深度调整模块；其中，所述调制模块根据第一电压和第二电压对载波信号进行幅移键控ASK调制，得到已调信号；所述调制深度调整模块根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整。本申请中，调制深度调整模块可以根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整，因此，当环境噪声变化时，本申请的ASK调制电路可以动态调整调制深度，不仅能够适应复杂多变的环境，而且能够保证信号的良好传输。

Description

一种动态规划深度的ASK调制电路、方法、设备及存储介质

技术领域

本申请属于电子电路技术领域，具体涉及一种动态规划深度的ASK调制电路、方法、电子设备及存储介质。

背景技术

ASK即“幅移键控”又称为“振幅键控”。ASK是一种相对简单的调制方式。幅移键控相当于模拟信号中的调幅，只不过与载波信号相乘的是二进制数码而已。幅移就是把频率、相位作为常量，而把振幅作为变量，信息比特是通过载波的幅度来传递的。ASK调制常用于一些实际的电子设备中，例如无线充电设备。

现有的无线充电技术方案，在进行ASK调制时，通常采用的是固定调制深度的方法，其缺点在于，当环境噪声突然变化时，比如环境噪声增大时，固定的调制深度不足以对抗噪声，信号不能良好传输。另一方面，固定的调制深度，会造成一定程度的无线电传输功率的浪费，比如，环境允许以10%调制深度传输，如果调制深度固定在20%，则会造成10%左右的无线充电传输功率损失，然而，在调制深度固定的情况下，只能把调制深度固定在一个比较偏大的值以适应多变的环境。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种动态规划深度的ASK调制电路、方法、电子设备及存储介质，以解决现有技术中调制深度固定带来的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种动态规划深度的ASK调制电路，包括：

调制模块和调制深度调整模块；其中，

所述调制模块，用于根据第一电压和第二电压对载波信号进行幅移键控ASK调制，得到已调信号；ASK调制的调制深度d=(V1-V2)/V1，其中，V1表示所述第一电压，V2表示所述第二电压；

所述调制深度调整模块，用于根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整；

所述调制深度调整模块的输入端用于输入所述第一电压；所述调制深度调整模块的输出端，用于向所述调制模块输出所述第二电压；所述调制深度调整模块的控制端用于输入所述调整信号；

所述调制模块的第一输入端用于输入所述第一电压；所述调制模块的第二输入端与所述调制深度调整模块的输出端连接；所述调制模块的第三输入端用于输入调制信号；所述调制模块的第四输入端用于输入载波信号；所述调制模块的输出端，用于输出已调信号。

一种可能的实现方式中，所述调制深度调整模块包括：第一MOS管、调压滤波单元、第一电阻和第一二极管；

所述第一MOS管的漏极为所述调制深度调整模块的输入端，所述第一MOS管的源极连接于所述调压滤波单元的输入端，所述第一MOS管的栅极为所述调制深度调整模块的控制端；

所述调压滤波单元的输出端为所述调制深度调整模块的输出端，分别通过所述第一电阻和所述第一二极管接地；

所述第一二极管的阳极接地，所述第一二极管的阴极连接于所述调压滤波单元的输出端。

一种可能的实现方式中，所述调制深度调整模块还包括：连接于所述第一MOS管和所述调压滤波单元之间的第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述第一MOS管连接，所述第二二极管的阴极与所述调压滤波单元连接。

一种可能的实现方式中，所述调制深度调整模块还包括：连接于所述第一电阻和所述调压滤波单元之间的第三二极管，所述第三二极管的阳极与所述调压滤波单元连接，所述第三二极管的阴极与所述第一电阻连接。

一种可能的实现方式中，所述调压滤波单元包括第一电感和第一电容；

所述第一电感的第一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一电感的第二端为所述调制深度调整模块的输出端且通过所述第一电容接地。

一种可能的实现方式中，所述调压滤波单元还包括第二电感和第二电容；

所述第二电感的第一端与所述第一电感的第二端连接，所述第二电感的第二端为所述调制深度调整模块的输出端且通过所述第二电容接地。

一种可能的实现方式中，所述调制深度调整模块还包括第四二极管，所述第四二极管的阴极与所述第一电感的第二端连接，所述第四二极管的阳极接地。

一种可能的实现方式中，所述调制模块包括：第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第二电阻和第三电阻；

所述第二MOS管的漏极为所述调制模块的第二输入端，所述第二MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的栅极分别与所述第六MOS管的漏极和所述第三电阻的第一端连接；

所述第五MOS管的源极分别与所述第三电阻的第二端和所述第三MOS管的漏极连接，所述第五MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极连接，所述第五MOS管的栅极分别与所述第三MOS管的源极和所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端接地，所述第五MOS管的源极为所述调制模块的第一输入端；

所述第三MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极连接；

所述第四MOS管的源极为所述调制模块的输出端，所述第四MOS管的栅极为所述调制模块的第四输入端；

所述第六MOS管的源极接地，所述第六MOS管的栅极为所述调制模块的第三输入端。

本申请第一方面实施例的动态规划深度的ASK调制电路，包括调制模块和调制深度调整模块，调制深度调整模块可以根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整，因此，当环境噪声变化时，本申请的ASK调制电路可以动态调整调制深度，不仅能够适应复杂多变的环境，而且能够保证信号的良好传输。

第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，该电子设备包括第一方面的动态规划深度的ASK调制电路。

第三方面，本申请实施例提供一种动态规划深度的ASK调制方法，应用第一方面所述的调制电路，所述方法包括：

在正常通信前进行调制深度自规划，所述调制深度自规划包括：

S1、通过调整信号控制所述调制深度调整模块将调制深度调整为预设调制深度；

S2、控制所述调制模块按照预设调制深度进行ASK调制，向接收端发送第一数量的已调信号数据包和循环冗余校验CRC数据验证包；

S3、若接收端返回的应答为数据比对全部准确，则将所述预设调制深度降低第一预设值；

重复以上步骤S1、S2和S3，直到接收端返回的应答为数据比对出现错误，则将预设调制深度设置成上次收到接收端应答时的调制深度值；

S4、若接收端返回的应答为数据比对出现错误，则将所述预设调制深度增加第一预设值；

重复以上步骤S1、S2和S4，直到接收端返回的应答为数据比对全部准确，则将预设调制深度设置成本次收到接收端应答时的调制深度值。

一种可能的实现方式中，所述方法还包括：

与接收端通信过程中，若检测到每第二数量的已调信号数据包的数据错误率大于预设比例，则重新进行所述调制深度自规划。

一种可能的实现方式中，所述方法还包括：

与接收端通信过程中，每隔预设时长进行一次将当前调制深度降低第二预设值，根据调整后的调制深度向接收端发送第三数量的已调信号数据包和CRC数据验证包，若接收端返回的应答为数据比对全部准确，则将调制深度设置为本次调整后的值；否则，调制深度维持不变。

本申请第三方面实施例的动态规划深度的ASK调制方法，在通信前和通信过程中，可以控制调制深度调整模块对ASK调制的调制深度进行调整，因此，当环境噪声变化时，本申请的ASK调制电路可以动态调整调制深度，不仅能够适应复杂多变的环境，而且能够保证信号的良好传输。

第四方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行实现第三方面所述的方法。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

附图1示出了本申请的一种动态规划深度的ASK调制电路的示意图；

附图2示出了本申请的一种调制深度调整模块的电路图；

附图3示出了本申请的一种调制模块的电路图；

附图4示出了调制深度为10%波形的示意图；

附图5示出了调制深度为30%波形的示意图；

附图6示出了步骤S10调制深度自规划的流程图；

附图7示出了本申请的一种动态规划深度的ASK调制方法的流程图；

附图8示出了本申请的另一种动态规划深度的ASK调制方法的流程图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

如图1所示，本申请实施例提供的一种动态规划深度的ASK调制电路10，包括：调制深度调整模块100和调制模块200。

调制模块200，用于根据第一电压和第二电压对载波信号进行幅移键控ASK调制，得到已调信号。

其中， ASK调制的调制深度d=(V1-V2)/V1，其中，V1表示第一电压，V2表示第二电压。第一电压是固定的ASK发送高电压，第二电压作为ASK的发送跳变电压，当第二电压改变时，ASK调制的调制深度也将改变。

调制深度调整模块100，用于根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整，也就是说可以调整第二电压，该调整信号是根据环境噪声确定的，可以是外部单片机输出的。

调制深度调整模块100的输入端110用于输入第一电压；调制深度调整模块的输出端130，用于向调制模块200输出第二电压；调制深度调整模块100的控制端120用于输入调整信号。

调制模块200的第一输入端210用于输入第一电压；调制模块200的第二输入端220与调制深度调整模块100的输出端130连接；调制模块200的第三输入端230用于输入调制信号；调制模块200的第四输入端240用于输入载波信号；调制模块200的输出端250，用于输出已调信号。

本申请提供的上述调制电路，具体工作过程如下：

调制深度调整模块100根据外部输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整，调制深度调整模块100向调制模块200输出当前调制深度对应的第二电压。调制模块200根据第一电压和第二电压对载波信号进行ASK调制，得到已调信号，并发送至接收端。

根据本申请的一些实施方式中，如图2所示，调制深度调整模块100可以包括：第一MOS管Q1、调压滤波单元、第一电阻R1和第一二极管D1。

第一MOS管Q1的漏极为调制深度调整模块100的输入端110，第一MOS管Q1的源极连接于调压滤波单元的输入端，第一MOS管Q1的栅极为调制深度调整模块100的控制端120。

调压滤波单元的输出端为调制深度调整模块100的输出端130，分别通过第一电阻R1和第一二极管D1接地。具体的，第一二极管D1的阳极接地，第一二极管D1的阴极连接于调压滤波单元的输出端。

根据本申请的一些实施方式中，如图2所示，调制深度调整模块100还可以包括：连接于第一MOS管Q1和调压滤波单元之间的第二二极管D2，第二二极管D2的阳极与第一MOS管Q1连接，第二二极管D2的阴极与调压滤波单元连接。

根据本申请的一些实施方式中，如图2所示，调制深度调整模块100还可以包括：连接于第一电阻R1和调压滤波单元之间的第三二极管D3，第三二极管D3的阳极与调压滤波单元连接，第三二极管D3的阴极与第一电阻R1连接。

根据本申请的一些实施方式中，如图2所示，调压滤波单元可以包括第一电感L1和第一电容C1。

具体的，第一电感L1的第一端与第一MOS管Q1的源极连接（当第二二极管D2存在的情况下，第一电感L1的第一端与第二二极管D2的阴极连接），第一电感L1的第二端为调制深度调整模块100的输出端130且通过第一电容C1接地。

根据本申请的一些实施方式中，如图2所示，调压滤波单元还可以包括第二电感L2和第二电容C2。

具体的，第二电感L2的第一端与第一电感L1的第二端连接，第二电感L2的第二端为调制深度调整模块100的输出端130且通过第二电容C2接地。

本申请中，第一电感L1与第一电容C1组成一级调压滤波环路，第二电感L2与第二电容C2组成二级调压滤波环路，一级调压滤波环路进行电压粗调，二级调压滤波环路进行电压细调，R1与L1和L2组成的负载保证Q1管能够正常开闭。

根据本申请的一些实施方式中，如图2所示，调制深度调整模块100还可以包括第四二极管D4，第四二极管D4的阴极与第一电感L1的第二端连接，第四二极管D4的阳极接地。

本申请中，第四二极管D4为内电压环路抗浪涌保护管，第一二极管D1为输出端抗浪涌保护管。

如图2所示，从第一MOS管Q1的栅极输入的是调整信号Deep-pwm，例如，调整信号Deep-pwm为固定频率50Khz的方波，由单片机控制，其高电平占空比为0时，第二电压V2的电压输出等于0V，其高电平占空比为100时，第二电压V2的电压输出等于V1。根据占空比，则可以控制第二电压V2的输出电压在0-V1之间连续可调，也就是说，调制深度(V1-V2)/V1在0-100%之间连续可调。

根据本申请的一些实施方式中，如图3所示，调制模块200可以包括：第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第二电阻R2和第三电阻R3。

第二MOS管Q2的漏极为调制模块200的第二输入端220，第二MOS管Q2的源极与第四MOS管Q4的漏极连接，第二MOS管Q2的栅极分别与第六MOS管Q6的漏极和第三电阻R3的第一端连接。

第五MOS管Q5的源极分别与第三电阻R3的第二端和第三MOS管Q3的漏极连接，第五MOS管Q5的漏极与第四MOS管Q4的漏极连接，第五MOS管Q5的栅极分别与第三MOS管Q3的源极和第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端接地，第五MOS管Q5的源极为调制模块200的第一输入端210。

第三MOS管Q3的栅极与第二MOS管Q2的栅极连接。

第四MOS管Q4的源极为调制模块200的输出端250，第四MOS管Q4的栅极为调制模块200的第四输入端240。

第六MOS管Q6的源极接地，第六MOS管Q6的栅极为调制模块200的第三输入端230。

值得一提的是，MOS管Q1、Q2、Q3、Q4、Q6均为NMOS，Q5为PMOS。

上述调制模块200的电路中第六MOS管Q6控制第三电阻R3的切入与断开，加入第三电阻R3这个上拉源提供小电流驱动，可以保证对第二MOS管Q2与第三MOS管Q3控制的稳定性和抗干扰能力。第二MOS管Q2、第五MOS管Q5和第三MOS管Q3，以及第二电阻R2的组合保证了第二MOS管Q2与第五MOS管Q5只能有一个导通，且一个导通时另一个必为截止，一个截止时另一个必为导通。

如图3所示，Base-pwm为ASK调制的载波信号，例如，固定为128KHz，当第二MOS管Q2导通，第五MOS管Q5截止时，调制载波信号高电平为第二电压V2，当第二MOS管Q2截止，第五MOS管Q5导通时，调制载波信号高电平为第一电压V1，已调信号最终流入到Netport1，此端为天线端，通过此端将已调信号发出，Netport3端为天线接地端，Netport1和Netport3构成发射端。

ASK-code为ASK调制信号，第二MOS管Q2和第五MOS管Q5的导通与截止受到ASK-code的控制。ASK-code输出高电平时，第二MOS管Q2截止，第五MOS管Q5导通，控制载波信号幅度为第一电压V1，ASK-code输出低电平时，第二MOS管Q2导通，第五MOS管Q5截止，控制载波信号幅度为第二电压V2，载波信号幅度为第一电压V1时表示发送数据1，载波信号幅度为第二电压V2时表示发送数据0。

本申请中，通过对载波信号幅度的控制，即可完成对ASK调制深度的控制。

如图4所示为调制深度为10%波形，如图5所示为调制深度为30%波形。

本申请实施例的动态规划深度的ASK调制电路，包括调制模块和调制深度调整模块，调制深度调整模块可以根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整，因此，当环境噪声变化时，本申请的ASK调制电路可以动态调整调制深度，不仅能够适应复杂多变的环境，而且能够保证信号的良好传输。

基于上述实施例的动态规划深度的ASK调制电路，本申请实施例还提供一种动态规划深度的ASK调制方法，该方法包括以下步骤：

S10、在正常通信前进行调制深度自规划。在正常通信前是指Netport1和Netport3构成发射端向接收端发送正式信号之前，在正常通信前进行调制深度自规划，以适应当前的环境。

如图6所示，步骤S10调制深度自规划包括：

S101、通过调整信号控制所述调制深度调整模块将调制深度调整为预设调制深度。预设调制深度为初始化默认的调制深度，例如20%。

S102、控制所述调制模块按照预设调制深度进行ASK调制，向接收端发送第一数量的已调信号数据包和循环冗余校验CRC数据验证包。例如，发送100个1000bit数据+CRC数据验证包。接收端收到数据后进行比对，若全部准确则回复数据比对全部准确，否则回复数据比对出现错误。

S103、若接收端返回的应答为数据比对全部准确，则将所述预设调制深度降低第一预设值。

S104、重复以上步骤S101、S102和S103，直到接收端返回的应答为数据比对出现错误，则将预设调制深度设置成上次收到接收端应答时的调制深度值。

例如，若接收端返回的应答为数据比对全部准确，将调制深度降低2%，降低后的调制深度为18%，并重复以上发送数据及验证的过程，若接收端返回的应答仍然为数据比对全部准确，再将调制深度降低2%，降低后的调制深度为16%，以此类推，直到接收端返回的应答为数据比对出现错误，则将调制深度设置成上次收到应答时的调制深度值。例如直到调制深度为14%时数据比对出现错误，则将后续正常通信的调制深度设置为16%。

S105、若步骤S102之后，接收端返回的应答为数据比对出现错误，则将所述预设调制深度增加第一预设值。也就是说，若调制深度为20%时，就出现错误，则将调制深度增加2%，增加后的调制深度为22%。

S106、重复以上步骤S101、S102和S105，直到接收端返回的应答为数据比对全部准确，则将预设调制深度设置成本次收到接收端应答时的调制深度值。

例如，若接收端返回的应答为数据比对出现错误，将调制深度增加2%，增加后的调制深度为22%，并重复以上发送数据及验证的过程，若接收端返回的应答仍然为数据比对出现错误，再将调制深度增加2%，增加后的调制深度为24%，以此类推，直到接收端返回的应答为数据比对全部准确，则将调制深度设置成本次收到应答时的调制深度值。例如直到调制深度为30%时数据比对全部准确，则将后续正常通信的调制深度设置为30%。

一种可能的实现方式中，如图7所示，本申请的上述方法可以包括以下步骤：

S10、在正常通信前进行调制深度自规划；

S20、与接收端通信过程中，若检测到每第二数量的已调信号数据包的数据错误率大于预设比例，则重新进行步骤S10调制深度自规划。

例如，在通信过程中，若每100包的数据错误率大于3%，则重新进行调制深度自规划。

一种可能的实现方式中，本申请的上述方法可以包括以下步骤：

S10、在正常通信前进行调制深度自规划；

S30、与接收端通信过程中，每隔预设时长进行一次将当前调制深度降低第二预设值，根据调整后的调制深度向接收端发送第三数量的已调信号数据包和CRC数据验证包，若接收端返回的应答为数据比对全部准确，则将调制深度设置为本次调整后的值；否则，调制深度维持不变。

例如，在正常通信过程中，每十分钟尝试一次将调制深度降低5%，发送10个1000bit数据+CRC数据验证包，若全部验证正确，在收到正确应答后，将调制深度设定为此值，若失败则调制深度维持不变。例如，将调制深度由30%降低至25%，数据验证全部正确，则将调制深度设定为25%进行后续的10分钟的通信，10分钟后再将调制深度由25%降低至20%，若数据验证失败，则调制深度维持在25%不变，以此类推。

通过上述方法，可以动态规划ASK的调制深度，使得系统可以根据环境动态的调整ASK的调制深度，使得无线充电与信息传输系统工作在传输功率与数据稳定性最佳的平衡状态。规避了传统ASK调制固定调制深度方法在传输功率、传输效率与抗干扰能力方面不能自动调整与适应的弊端。

本申请实施例的动态规划深度的ASK调制方法，在通信前和通信过程中，可以控制调制深度调整模块对ASK调制的调制深度进行调整，因此，当环境噪声变化时，本申请的ASK调制电路可以动态调整调制深度，不仅能够适应复杂多变的环境，而且能够保证信号的良好传输。

本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行实现上述动态规划深度的ASK调制方法。

本申请实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括上述实施例的动态规划深度的ASK调制电路。该电子设备可以为采用ASK调制电路的任何电子设备，例如无线充电设备。

本申请实施例的电子设备，调制深度调整模块可以根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整，当环境噪声变化时，本申请的ASK调制电路可以动态调整调制深度，不仅能够适应复杂多变的环境，而且能够保证信号的良好传输。

需要说明的是：

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

类似地，应当理解，为了精简本申请并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本申请的示例性实施例的描述中，本申请的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本申请要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本申请的单独实施例。

本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

本申请的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器( DSP )来实现根据本申请实施例的虚拟机的创建装置中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本申请还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的设备或者装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本申请的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。

应该注意的是上述实施例对本申请进行说明而不是对本申请进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本申请可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

以上所述，仅为本申请较佳的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种动态规划深度的ASK调制电路，其特征在于，包括：

调制模块和调制深度调整模块；其中，

所述调制模块的第一输入端用于输入所述第一电压；所述调制模块的第二输入端与所述调制深度调整模块的输出端连接；所述调制模块的第三输入端用于输入调制信号，调制信号为待发送的信息；所述调制模块的第四输入端用于输入载波信号；所述调制模块的输出端，用于输出已调信号；

所述调制深度调整模块包括：第一MOS管、调压滤波单元、第一电阻和第一二极管；

2.根据权利要求1所述的调制电路，其特征在于，所述调制深度调整模块还包括：连接于所述第一MOS管和所述调压滤波单元之间的第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述第一MOS管连接，所述第二二极管的阴极与所述调压滤波单元连接。

3.根据权利要求1或2所述的调制电路，其特征在于，所述调制深度调整模块还包括：连接于所述第一电阻和所述调压滤波单元之间的第三二极管，所述第三二极管的阳极与所述调压滤波单元连接，所述第三二极管的阴极与所述第一电阻连接。

4.根据权利要求1所述的调制电路，其特征在于，所述调压滤波单元包括第一电感和第一电容；

5.根据权利要求4所述的调制电路，其特征在于，所述调压滤波单元还包括第二电感和第二电容；

6.根据权利要求4或5所述的调制电路，其特征在于，所述调制深度调整模块还包括第四二极管，所述第四二极管的阴极与所述第一电感的第二端连接，所述第四二极管的阳极接地。

7.根据权利要求1所述的调制电路，其特征在于，所述调制模块包括：第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第二电阻和第三电阻；

所述第三MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极连接；

8.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1 至 7 中任一项所述的动态规划深度的ASK调制电路。

9.一种动态规划深度的ASK调制方法，其特征在于，应用权利要求1-7中任一项所述的动态规划深度的ASK调制电路，所述方法包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述程序被处理器执行实现如权利要求9至11中任一项所述的方法。