CN114895175A - 测量电路及测量方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种测量电路及测量方法。其中，测量电路中的比较单元用于比较第一预设值和第二预设值之间的电压差，以使累加累减单元根据比较结果进行计数，控制单元根据计数结果调节比较电压两个输入端的电压差，从而计算出控制单元的电压分辨率，能够避免因第一恒流源和单位电阻的实际误差对实际的电压分辨率的影响，保证测量精度的精准。以及，计算出精准的待测电压，以校正待测电压的测量值，保证测量待测电压和输出功率的高精准度。且测量方法简便，易操作，有利于提高测量效率。进一步的，比较单元和控制单元中仅采用多个晶体管和多个单位电阻，几乎不使用电容器件，减少了测量电路的制备成本，且也缩小了测量电路占用芯片的面积，利于集成化。

Description

测量电路及测量方法
技术领域
本发明涉及电子烟技术领域，特别涉及一种测量电路及测量方法。
背景技术
电子雾化器，一般指电子烟，是一种模仿卷烟的电子产品，有着与卷烟一样的外观、烟雾、味道和感觉。它是通过雾化等手段，将尼古丁等变成蒸汽后，让用户吸食的一种产品。近年来，随着越来越多的人开始接受电子烟，人们对电子烟的质量要求也越来越高。
电子雾化器一般采用恒定平均值电压、恒定均方根值电压和恒定功率输出。基于此，在对电子雾化器的输出进行采样测量时，现有的测量方案是对电池的供电电压值、输出峰值电压和电热丝的阻值采用逐次逼近模/数转换器（ADC）的方式，但测量芯片中需要制作大量的电容器件，占用晶圆面积较大，致使测量成本高，且测量精度有限。
因此，亟需一种新的测量方案，以降低测量成本，提高测量精度，简化测量步骤。
发明内容
本发明的目的在于提供一种测量电路及测量方法，以解决如何降低电子雾化器的测量成本、提高测量精度以及提高测量效率中的至少一个问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种测量电路，包括比较单元、累加累减单元和控制单元；
所述比较单元具有第一输入端、第二输入端和输出端；所述第一输入端接入所述待测电压或第一预设电压，所述第二输入端接入所述基准电压或第二预设电压，所述输出端与所述累加累减单元相接；
所述累加累减单元用于根据所述比较单元的输出值进行累加或累减的计数，并将计数结果输入至所述控制单元；
所述控制单元包括第一电阻串联单元和第二电阻串联单元，所述第一电阻串联单元与所述第一输入端相接，所述第二电阻串联单元与所述第二输入端相接；所述控制单元用于根据所述计数结果，控制所述第一电阻串联单元或所述第二电阻串联单元对应接入所述第一输入端或所述第二输入端的电阻值，以调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差；
其中，根据所述计数结果和所述第一预设电压与所述第二预设的差值计算出所述控制单元的电压分辨率，以及根据所述电压分辨率、所述计数结果和所述基准电压计算出所述待测电压。
可选的，在所述的测量电路中，所述第一电阻串联单元和所述第二电阻串联单元均包括串联的2n-1个单位电阻；其中，所述累加累减单元采用二进制计数方式，且n为所述计数结果的位数。
可选的，在所述的测量电路中，所述控制单元还包括第一恒流源、第一开关阵列单元和第二开关阵列单元；所述第一恒流源分别与所述第一开关阵列单元和所述第二开关阵列单元相接；所述第一开关阵列单元和所述第二开关阵列单元分别与所述第一电阻串联单元和所述第二电阻串联单元相接。
可选的，在所述的测量电路中，所述第一开关阵列单元和所述第二开关阵列单元均包括并联的2n-1个开关，且相邻两个所述开关接在同一所述单位电阻的两端；
其中，所述第一开关阵列单元中的第2n-1个开关和所述第二开关阵列单元中的第一个开关接在所述第一电阻串联单元中第2n-1个所述单位电阻的两端；所述第二开关阵列单元中的第2n-1个开关接在所述第二电阻串联单元中的第2n-1个所述单位电阻的一端，另一端与所述第二输入端相接。
可选的，在所述的测量电路中，当所述待测电压高于所述基准电压，或者，所述第一预设电压高于所述第二预设电压时，所述比较单元的输出值为高电平，所述累加累减单元的计数结果加1，所述第一电阻串联单元增加一个所述单位电阻接入至所述第一输入端，或者，所述第二电阻串联单元减少一个所述单位电阻接入至所述第二输入端，以使所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差减少一个电压分辨率；
当所述待测电压低于所述基准电压，或者，所述第一预设电压低于所述第二预设电压时，所述比较单元的输出值为低电平，所述累加累减单元的计数结果减1，所述第一电阻串联单元减少一个所述单位电阻接入至所述第一输入端，或者，所述第二电阻串联单元增加一个所述单位电阻接入至所述第二输入端，以使所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差增加一个电压分辨率。
可选的，在所述的测量电路中，所述电压分辨率和所述待测电压满足如下公式：
Δ=(Vref0-Vref1)/D；
Vp = Vn +M×Δ；
其中，Δ为电压分辨率，Vref0为第一预设电压，Vref1为第二预设电压，D为测量电压分辨率时所述累加累减单元的计数结果与初始计数的差值；Vp为所述待测电压，Vn为所述基准电压，M为测量待测电压时所述累加累减单元的计数结果与初始计数的差值。
可选的，在所述的测量电路中，所述比较单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；其中，
所述第一输入端与所述第一晶体管的栅极相接，所述第二输入端与所述第二晶体管的栅极相接，所述第一电阻串联单元与所述第一晶体管的源极相接，所述第二电阻串联单元与所述第二晶体管的源极相接，所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极和栅极相接，所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极和所述累加累减单元相接，所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相接，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极均接地。
可选的，在所述的测量电路中，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为PMOS管，所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS管。
可选的，在所述的测量电路中，所述比较单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第一电容、第二电容、第二恒流源、第三恒流源、第四恒流源、第五恒流源和比较器；
其中，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第四恒流源的第一端和所述第五恒流源的第一端均与电源端相接，所述第一PMOS管的栅极和漏极均与所述第二PMOS管的栅极相接，且所述第一PMOS管的漏极还与所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极相接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第七NMOS管的漏极和栅极、第八NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极相接；所述第三PMOS管的源极与所述第一电阻串联单元相接，所述第三PMOS管的栅极接入所述待测电压或所述第一预设电压，所述第三PMOS管的漏极分别与所述第三NMOS管的漏极、所述第十NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极相接；所述第四PMOS管的源极与所述第二电阻串联单元相接，所述第四PMOS管的栅极与所述基准电压或所述第二预设电压相接，所述第四PMOS管的漏极分别与所述第四NMOS管的漏极、所述第十一NMOS管的源极和所述第六NMOS管的漏极相接；
所述第一NMOS管的栅极分别与所述第四恒流源的第二端、所述第十NMOS管的漏极和所述比较器的正相输入端相接；所述第二NMOS管的栅极分别与所述第十一NMOS管的漏极和所述比较器的反相输入端相接；所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极均接入第一信号；所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极均接入第二信号；其中，所述第一信号和所述第二信号的相位相反；所述第三NMOS管的源极分别与所述第二恒流源的第一端、所述第六NMOS管的源极和所述第九NMOS管的漏极相接；所述第四NMOS管的源极分别与所述第三恒流源的第一端、所述第五NMOS管的源极和所述第八NMOS管的漏极相接；所述第十NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极相接；所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极、所述第七NMOS管的源极、所述第八NMOS管的源极、所述第九NMOS管的源极、所述第二恒流源的第二端和所述第三恒流源的第二端均接地；所述第一电容的一端接入所述比较器的反相输入端，且另一端接地；所述第二电容的一端接入所述比较器的正相输入端，且另一端接地；所述比较器的输出端与所述累加累减单元相接。
基于同一发明构思，本发明还提供一种测量方法，用于测量电子雾化器电路，所述测量方法包括：
所述比较单元的第一输入端接入所述第一预设电压，所述比较单元的第二输入端接入所述第二预设电压；在第一设定时间内，所述累加累减单元计数，所述控制单元调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以计算出所述控制单元的电压分辨率，并判断所述电压分辨率是否异常，如是，所述控制单元的电压分辨率取预设值；
测量所述电子雾化器电路中的电热丝的阻值，并判断所述阻值是否异常，如是，更换电热丝并重新测量所述电热丝阻值；
经测量获取所述待测电压的测量值；其中，所述待测电压至少包括电子雾化器电路中的供电电压、输出电压和所述电热丝端电压；
所述比较单元的第一输入端接入所述待测电压，所述比较单元的第二输入端接入所述基准电压；在第二设定时间内，所述累加累减单元计数，所述控制单元调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以计算出所述待测电压的实际值；
根据所述待测电压的实际值校正所述待测电压的测量值；
根据校正后的所述待测电压计算出所述电子雾化器电路的输出功率；以及，
在吸烟结束后，所述比较单元的第一输入端接入所述第一预设电压，所述比较单元的第二输入端接入所述第二预设电压；在第一设定时间内，所述累加累减单元计数，所述控制单元调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以再次计算出所述控制单元的电压分辨率，并判断所述电压分辨率是否异常，如是，所述控制单元的电压分辨率更新为吸烟之前的原值。
综上所述，本发明提供一种测量电路及测量方法。其中，所述测量电路包括比较单元、累加累减单元和控制单元。所述比较单元用于比较所述第一预设值和所述第二预设值之间的电压差，以使所述累加累减单元根据比较结果进行计数，所述控制单元根据计数结果调节所述比较电压两个输入端的电压差，从而根据所述计数结果和所述第一预设电压与所述第二预设的差值预先计算出所述控制单元的电压分辨率，能够避免因第一恒流源和单位电阻的实际误差对实际的电压分辨率的影响，保证测量精度的精准。以及，根据所述基准电压、预先测量的所述电压分辨率和计数结果能够获取较为精准的待测电压，以校正待测电压的测量值，保证测量待测电压和输出功率的高精准度。并且，所述测量方法简便，易操作，有利于提高测量效率。
进一步的，所述比较单元和所述控制单元中仅采用多个晶体管和多个单位电阻，几乎不使用电容器件，减少了所述测量电路的制备成本，且也缩小了所述测量电路占用芯片的面积，利于集成化。
因此，本发明提供的所述测量电路及测量方法，不仅能够降低电子雾化器的测量成本，还能够提高测量精度以及提高测量效率。
附图说明
图1本发明实施例中测量电路的框架示意图。
图2本发明实施例中控制单元的结构示意图。
图3本发明实施例中测量电路的结构示意图。
图4本发明实施例中比较单元的结构示意图。
图5本发明实施例中电子烟雾器的结构示意图。
图6本发明实施例中用于电子烟雾器的测量方法的流程示意图。
图7本发明实施例中预先测量电压分辨率的流程示意图。
图8本发明实施例中测量电热丝阻值的流程示意图。
图9本发明实施例中更换电热丝之后测量阻值的流程示意图。
图10本发明实施例中吸烟结束后测量电压分辨率的流程示意图。
具体实施方式
兹有关于本发明的详细内容及技术说明，现用较佳的实施例作进一步说明，但不应被解释为本发明实施的限制。在本说明书以及权利要求书中使用了某些词汇来指称特定的组件，而所属领域中具有通常知识者应可理解。硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件，本说明书与后续的申请专利范围并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异作为区分的准则。在通篇说明书以及权利要求书中所提到的“包含”为一开放式的用语，故应解释成“包括有但不限定于”，此外，“耦接”一词在此是包含任何直接与间接的电性连接手段。因此，若文中描述第一回路耦接于第二回路，则代表所述第一回路可以直接电性连接在所述第二回路，或通过其它电阻等元器件间接地连接至所述第二回路。
请参阅图1-2，本实施例提供一种测量电路，包括比较单元101、控制单元102和累加累减单元103；所述比较单元101具有第一输入端、第二输入端和输出端；所述第一输入端接入所述待测电压或第一预设电压，所述第二输入端接入所述基准电压或第二预设电压，所述输出端与所述累加累减单元103相接；所述累加累减单元103用于根据所述比较单元101的输出值进行累加或累减的计数，并将计数结果输入至所述控制单元102；所述控制单元102包括第一电阻串联单元201和第二电阻串联单元202，所述第一电阻串联单元201与所述第一输入端相接，所述第二电阻串联单元202与所述第二输入端相接；所述控制单元102用于根据所述计数结果，控制所述第一电阻串联单元201或所述第二电阻串联单元202对应接入所述第一输入端或所述第二输入端的电阻值，以调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差；其中，根据所述计数结果和所述第一预设电压与所述第二预设的差值计算出所述控制单元102的电压分辨率，以及根据所述电压分辨率、所述计数结果和所述基准电压计算出所述待测电压。
可见，本实施例提供的所述测量电路通过预先测出电压分辨率，以避免因第一恒流源和单位电阻的实际误差对实际的电压分辨率的影响，保证测量精度的精准。以及，根据所述基准电压、预先测量的所述电压分辨率和计数结果能够获取较为精准的待测电压，以校正待测电压的测量值，保证测量待测电压和输出功率的高精准度。进一步的，所述比较单元101和所述控制单元102中仅采用多个晶体管和多个单位电阻，几乎不使用电容器件，减少了所述测量电路的制备成本，且也缩小了所述测量电路占用芯片的面积，利于集成化。因此，本实施例提供的所述测量电路，不仅能够降低电子雾化器的测量成本，还能够提高测量精度以及提高测量效率。
以下结合附图1-10具体介绍本实施例提供的所述测量电路。
请继续参阅图1-2，所述比较单元101具有第一输入端、第二输入端和输出端。所述比较单元10用于比较所述第一输入端和所述第二输入端的电压Vin，且所述第一输入端为同相输入端，所述第二输入端为反相输入端。所述比较单元101的输出端与所述累加累减单元103相接。进一步的，所述累加累减单元103即为累加器，以在所述输出端为高电平时，所述累加器加1；在所述输出端为低电平时，所述累加器减1。
所述控制单元102用于根据所述累加累减单元103的计数结果，控制所述第一电阻串联单元201或所述第二电阻串联单元202对应接入所述第一输入端或所述第二输入端的电阻值，以调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差。进一步的，所述控制单元102包括第一电阻串联单元201、所述第二电阻串联单元202、第一开关阵列单元203、第二开关阵列单元204和第一恒流源I201。所述第一电阻串联单元201包括串联的2n-1个单位电阻R1~R(m)，其中m=2n-1。同样，所述第二电阻串联单元202包括串联的2n-1个单位电阻R(m+1)~R(2m)。进一步的，其中，所述累加累减单元采用二进制计数方式，且n为所述计数结果的位数。例如，所述累加累减单元的初始值为100000，即位数n=6，则所述第一电阻串联单元201和所述第二电阻串联单元202中的单位电阻数量均为25个。
进一步的，所述第一恒流源I201分别与所述第一开关阵列单元203和所述第二开关阵列单元204相接；所述第一开关阵列单元203和所述第二开关阵列单元204分别与所述第一电阻串联单元201和所述第二电阻串联单元202相接。所述第一开关阵列单元203包括并联的2n-1个开关SW1~SW(m)；所述第二开关阵列单元204包括并联的2n-1个开关SW(m+1)~SW(2m)，且相邻两个所述开关接在同一所述单位电阻的两端。其中，所述第一开关阵列单元中的第2n-1个开关SW(m)和所述第二开关阵列单元中的第一个开关SW(m+1)接在所述第一电阻串联单元中第2n-1个所述单位电阻R(m)的两端；所述第二开关阵列单元中的第2n-1个开关SW(2m)接在所述第二电阻串联单元中的第2n-1个所述单位电阻R(2m)的一端，另一端与所述第二输入端相接。
基于此，当所述第一开关阵列单元203和所述第二开关阵列单元204中的所有开关均闭合时，所述第一电阻串联单元201中电阻为0，所述第二电阻串联单元202中只有电阻R(2m)。请参阅图2，依次从右到左断开第二开关阵列单元204中的开关，每打开一个开关，第二电阻串联单元202中就有一个单位电阻串入进去；同样，依次从左到右断开第一开关阵列单元203中的开关，每断开一个开关，第一电阻串联单元201中就有一个单位电阻串入进去。如果第二开关阵列单元204中的开关全部断开，第二电阻串联单元202中就有m个单位电阻串入进去；同样，如果第一开关阵列单元203中的开关全部断开，第一电阻串联单元201中就有m个单位电阻串入进去。
因此，通过所述第一开关阵列单元203和所述第二开关阵列单元204中的开关分别闭合，将出现所述第一电阻串联单元201和所述第二电阻串联单元202接入电阻不同。第一电阻串联单元201接入电阻为0，第二电阻串联单元202接入m个单位电阻，最大偏差电压为(m-1)×I201×R；同样，第一电阻串联单元201接入m个单位电阻，第二电阻串联单元202接入电阻为0, 最大偏差电压为-m×I201×R。测量范围为-m×I201×R～(m-1)×I201×R，所述控制单元102的电压分辨率为Δ=I201×R。其中，R为单位电阻。例如，所述累加累减单元的测量输出为6位，则所述累加累减单元103输出初始值为100000。若比较单元101输出高电平，则累加累减单元103输出+1。在所述控制单元102的控制下所述比较单元101的第一输入端电位相当于减去一个电压分辨率电压或第二输入端加上一个电压分辨率电压。若所述比较单元101输出低电平，则累加累减单元103输出-1，在所述控制单元102的控制下所述比较单元101的第一输入端电位相当于加上一个电压分辨率电压或第二输入端减去一个电压分辨率电压。所述测量电路的测量范围为-32×Δ～31×Δ，Δ为电压分辨率。
进一步的，请参阅图3，在一个实施例中，所述比较单元包括第一晶体管MP301、第二晶体管MP302、第三晶体管MN301和第四晶体管MN302；其中，所述第一输入端与所述第一晶体管MP301的栅极相接，所述第二输入端与所述第二晶体管MP302的栅极相接，所述第一电阻串联单元301与所述第一晶体管MP301的源极相接，所述第二电阻串联单元302与所述第二晶体管MP302的源极相接，所述第一晶体管MP301的漏极与所述第三晶体管MN301的漏极和栅极相接，所述第二晶体管MP302的漏极与所述第四晶体管MN302的漏极和所述累加累减单元305相接，所述第三晶体管MN301的栅极与所述第四晶体管MN302的栅极相接，所述第三晶体管MN301的源极和所述第四晶体管MN302的源极均接地。其中，所述第一晶体管MP301和所述第二晶体管MP302均为PMOS管，所述第三晶体管MN301和所述第四晶体管MN302均为NMOS管。
基于此，当所述待测电压高于所述基准电压，或者，所述第一预设电压高于所述第二预设电压时，所述比较单元的输出值为高电平，所述累加累减单元305的计数结果加1，所述第一电阻串联单元301增加一个所述单位电阻R接入至所述第一输入端，或者，所述第二电阻串联单元302减少一个所述单位电阻R接入至所述第二输入端，以使所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差减少一个电压分辨率Δ。当所述待测电压低于所述基准电压，或者，所述第一预设电压低于所述第二预设电压时，所述比较单元的输出值为低电平，所述累加累减单元305的计数结果减1，所述第一电阻串联单元301减少一个所述单位电阻R接入至所述第一输入端，或者，所述第二电阻串联单元302增加一个所述单位电阻R接入至所述第二输入端，以使所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差增加一个电压分辨率Δ。
例如，电压分辨率Δ=0.020V，所述比较单元的第一输入端和第二输入端电位分别为1.050V和1.000V，则所述输出端为高电平，所述累加累减单元305加1，所述控制单元使第一输入端电位降低0.020V，这时第一输入端和第二输入端电位分别为1.030V和1.000V。所述比较单元的输出端仍为高电平，则所述累加累减单元305继续加1，所述控制单元使第一输入端电位再降低0.020V，则所述比较单元的第一输入端和第二输入端电位分别为1.010V和1.000V，所述比较单元的输出端还是高电平。相应的，所述累加累减单元305继续加1，所述控制单元使第一输入端电位再降低0.020V，则所述比较单元的第一输入端和第二输入端电位分别为0.990V和1.000V，所述比较单元的输出端转化为低电平。因此，所述累加累减单元305减1，所述控制单元使第一输入端电位升高0.020V，则所述比较单元的第一输入端和第二输入端电位分别为1.010V和1.000V，所述比较单元的输出端又转化为高电平。
鉴于实际工艺的误差，单位电阻R很难与标定值相同，则电压分辨率Δ=I301×R难以保证准确。因此，本实施例提供的所述测量电路通过预先测量Δ值来克服。即，先将所述第一输入端接入第一预设电压Vref0，所述第二输入端接入第二预设电压Vref1，则在第一设定时间内，根据所述累加累减单元305输出的计数结果，即测量码D，可以获得：Δ=(Vref0-Vref1)/D。例如所述第一输入端接入的第一预设值Vref0为1.101V，所述第二输入端接入的第二预设值Vref1为1.000V。累加累减单元305使第一输入端电位经过五次降低，比较单元的输出端由高电平转化为低电平。累加累减单元305输出为000101(二进制)，则电压分辨率为：
Δ=(Vref0-Vref1)/D=(1.101-1.000)/5=0.020V。
因此，通过预先测得所述电压分辨率Δ，可以避免因第一恒流源I301和单位电阻R的工艺误差对实际的电压分辨率Δ的影响，保证测量精度的精准。并且，所述比较单元和所述控制单元中仅采用多个晶体管和多个单位电阻，未不使用电容器件，减少了所述测量电路的制备成本，且也缩小了所述测量电路占用芯片的面积，利于集成化。
请参阅图1-2和4，在另一个实施例中，所述比较单元包括：第一PMOS管P401、第二PMOS管P402、第三PMOS管P403、第四PMOS管P404、第一NMOS管N401、第二NMOS管N402、第三NMOS管N403、第四NMOS管N404、第五NMOS管N404、第六NMOS管N406、第七NMOS管N407、第八NMOS管N408、第九NMOS管N409、第十NMOS管N410、第十一NMOS管N411、第一电容C401、第二电容C402、第二恒流源I401、第三恒流源I402、第四恒流源I403、第五恒流源I404和比较器X401。其中，所述第一PMOS管P401的源极、所述第二PMOS管P402的源极、所述第四恒流源I403的第一端和所述第五恒流源I404的第一端均与电源端VDD相接，所述第一PMOS管P401的栅极和漏极均与所述第二PMOS管P402的栅极相接，且所述第一PMOS管P401的漏极还与所述第一NMOS管N401的漏极和所述第二NMOS管N402的漏极相接，所述第二PMOS管P402的漏极分别与所述第七NMOS管N407的漏极和栅极、第八NMOS管N408的栅极和所述第九NMOS管N409的栅极相接；所述第三PMOS管P403的源极与所述第一电阻串联单元201相接，所述第三PMOS管P403的栅极接入所述待测电压或所述第一预设电压，所述第三PMOS管P403的漏极分别与所述第三NMOS管 N403的漏极、所述第十NMOS管N410的源极和所述第五NMOS管N405的漏极相接；所述第四PMOS管P404的源极与所述第二电阻串联单元202相接，所述第四PMOS管P404的栅极与所述基准电压或所述第二预设电压相接，所述第四PMOS管P404的漏极分别与所述第四NMOS管N404的漏极、所述第十一NMOS管N411的源极和所述第六NMOS管N406的漏极相接。
所述第一NMOS管N401的栅极分别与所述第四恒流源I403的第二端、所述第十NMOS管N410的漏极和所述比较器X401的正相输入端相接；所述第二NMOS管N402的栅极分别与所述第十一NMOS管N411的漏极和所述比较器X401的反相输入端相接；所述第三NMOS管N403的栅极和所述第四NMOS管N404的栅极均接入第一信号CLK-P；所述第五NMOS管N405的栅极和所述第六NMOS管N406的栅极均接入第二信号CLK-N；其中，所述第一信号CLK-P和所述第二信号CLK-N的相位相反；所述第三NMOS管N403的源极分别与所述第二恒流源I401的第一端、所述第六NMOS管N406的源极和所述第九NMOS管N409的漏极相接；所述第四NMOS管N404的源极分别与所述第三恒流源I402的第一端、所述第五NMOS管N405的源极和所述第八NMOS管N408的漏极相接；所述第十NMOS管N410的栅极和所述第十一NMOS管N411的栅极相接；所述第一NMOS管N401的源极、所述第二NMOS管的源极N402、所述第七NMOS管的源极N407、所述第八NMOS管N408的源极、所述第九NMOS管N409的源极、所述第二恒流源I401的第二端和所述第三恒流源I402的第二端均接地GND；所述第一电容C401的一端接入所述比较器X401的反相输入端，且另一端接地GND；所述第二电容C402的一端接入所述比较器X401的正相输入端，且另一端接地GND；所述比较器X401的输出端与所述累加累减单元103相接。
其中，第三PMOS管P403和第四PMOS管P404组成比较单元的输入差分对。第三NMOS管N403、第四NMOS管N404、第五NMOS管N405和第六NMOS管N406是分别受反向的时钟开关控制，可以减小失调。差分管上第二恒流源I401和第三恒流源I402相等。可见，本实施例提供的所述测量电路的所述比较单元101和所述控制单元102中仅采用多个晶体管和多个单位电阻，几乎不使用电容器件，减少了所述测量电路的制备成本，且也缩小了所述测量电路占用芯片的面积，利于集成化。
基于同一发明构思，本实施例还提供一种测量方法，用于测量电子雾化器电路。请参阅图5，所述电子雾化器电路包括供电电压VDD、第六恒流源I501、电热丝RL、第一切换开关504和第二切换开关505。其中，所述电子雾化器电路中的待测电压包括：供电电压VDD、输出电压Vout和电热丝RL的电阻值。进一步的，在测量所述供电电压VDD时，第一切换开关切换504选择42开关端，供电电压VDD输入至比较单元501第一输入端。通常供电电压VDD在5V内，可采用三十分之一输入；第二切换开关505选择基准电压源，比如有80、120、160、200和240mV等，以得到合适的量程。在测量输出电压Vout时，第一切换开关504选择43开关端，输出电压Vout输入至比较单元501第一输入端。通常输出电压Vout在也5V内，可采用三十分之一输入；第二切换开关505选择基准电压源，比如有80、120、160、200和240mV等，以得到合适的量程。在测量电热丝RL的电阻值时，第一切换开关504选择44开关端，电热丝RL两端电压输入至比较单元501第一输入端。由于被测电热丝RL的电阻值范围在0.5Ω～2Ω内，则第六恒流源I501可选200mA。第二切换开关505选择基准电压源，比如有80、120、160、200和240mV等，以得到合适的量程。
进一步的，请参阅图5-10，针对电子烟雾器电路，所述测量方法包括：
步骤一：所述比较单元501的第一输入端接入所述第一预设电压，所述比较单元501的第二输入端接入所述第二预设电压；在第一设定时间内，所述累加累减单元503计数，所述控制单元502调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以计算出所述控制单元102的电压分辨率Δ，并判断所述电压分辨率Δ是否异常，如是，所述控制单元502的电压分辨率Δ取预设值。
具体的，如图6-7所示，在初次上电时，通过所述第一预设电压和所述第二预设电压预先测得电压分辨率Δ。优选的，可测量多次取平均值以作为所述电压分辨率Δ，当出现错误a时，多次重复测量电压分辨率Δ，若所述电压分辨率Δ正常，则记录电压分辨率Δ。若所述电压分辨率Δ异常，则电压分辨率Δ取预设值。其中，错误a是指测得值超出应有的范围。
步骤二：测量所述电子雾化器电路中的电热丝RL的阻值，并判断所述阻值RL是否异常，如是，更换电热丝并重新测量所述电热丝RL阻值。
如图8-9所示，在上电之后，预先测得所述电压分辨率Δ，继而通过测量电热丝RL两端的电压，来获取电热丝RL的阻值。优选的，多次测量取平均值作为电热丝RL的阻值。若所述阻值不在预设范围内，则更换电热丝RL，并重新测量电热丝RL的阻值直至符合设定要求。
优选的，可间隔一设定时间监测电热丝RL的阻值，以保证产品质量。例如，每120ms判别是否需要更换电热丝RL。
步骤三：经测量获取所述待测电压的测量值；其中，所述待测电压至少包括电子雾化器电路中的供电电压VDD、输出电压Vout和所述电热丝端电压。可选的，直接测量获取供电电压VDD、输出电压Vout和所述电热丝端电压。
步骤四：所述比较单元501的第一输入端接入所述待测电压，所述比较单元502的第二输入端接入所述基准电压；在第二设定时间内，所述累加累减单元503计数，所述控制单元502调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以计算出所述待测电压的实际值。
其中，所述待测电压分别为电子雾化器电路中的供电电压VDD、输出电压Vout和所述电热丝端电压。具体测量过程可参阅本实施例对图1-5中的记载。即，所述第一输入端分别接入供电电压VDD、输出电压Vout和所述电热丝端电压，通过所述测测量电路分别获取对应的实际电压值。
步骤五：根据所述待测电压的实际值校正所述待测电压的测量值。
因步骤三中获取的测量值与步骤四中获取的测量值存在偏振，故需要根据所述待测电压的实际值校正所述待测电压的测量值，以保证测量的精准。则所述待测电压满足如下公式：
Vp = Vn +M×Δ；
其中，Δ为电压分辨率， Vp为所述待测电压，Vn为所述基准电压，M为测量待测电压时，所述累加累减单元的计数结果与初始计数的差值。其中，M为十进制数值，若所述累加累减单元为6位，则Vp = Vn + {A[5:0] - 31 )/ 64 }×Δ ；A为所述累加累减单元输出的二进制计数值。
进一步的，若在所述测量电路中Δ理论值为20mV，但实际可能在19mV-21mV期间波动。则从理论上来看，第一输入端和第二输入端之间的压差为200mV时，所述累加累减单元输出应该为200/20=5。而经直接测量Δ=I301×R为19mV，第一输入端和第二输入端之间的压差为200mV，所述累加累减单元输出应该为200/19=10.53。但在预先测量过程中：第一输入端Vref0=1.101V，第二输入端Vref1=1.000V，所述累加累减单元输出值为5.25，则：
Δ=I301×R= (Vref0-Vref1)/D=(1.101-1.000)/5.25=0.0192V。
可见，电压分辨率的理论值、实际值与测量值之间存在偏差。因此，当第一输入端和第二输入端之间的压差为200mV时，所述累加累减单元的实际输出为10.53×(5.00/5.25)=10.03。
同样，经测量Δ=I301×R为20.8mV，第一输入端和第二输入端之间的压差为200mV，所述累加累减单元输出应该为200/20.8=9.62。在预先测量过程中，第一输入端Vref0=1.101V，第二输入端Vref0=1.000V，所述累加累减单元输出值为4.85，则：
Δ=I301×R= (Vref0-Vref1)/D=(1.101-1.000)/4.85=0.0208V。
可见，电压分辨率的实际值与测量值相同，但与理论值存在偏差。因此，当第一输入端和第二输入端之间的压差为200mV时，所述累加累减单元的实际输出为为9.62×(5.00/4.85)=9.91。
步骤六：根据校正后的所述待测电压计算出所述电子雾化器电路的输出功率；以及，在吸烟结束后，所述比较单元的第一输入端接入所述第一预设电压，所述比较单元的第二输入端接入所述第二预设电压；在第一设定时间内，所述累加累减单元计数，所述控制单元调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以再次计算出所述控制单元的电压分辨率，并判断所述电压分辨率是否异常，如是，所述控制单元的电压分辨率更新为吸烟之前的原值。
其中，所述电子雾化器电路的恒定输出功率P满足如下公式：
P = Vout2 /[ (B%)*(VR /I501)]；
Vout为吸烟时实时测量的电热丝端电压，VR 为测量的电热丝RL上电压，I501为第六恒流源的电流，可选的为200mA，B%为设定的占空比。则当VR /I501=1时，恒定功率输出转化成恒定均方根值电压输出，大小为Vout×(B%)1/2。
进一步的，请继续参阅图6-10，所述电子烟雾器具有吸烟状态、充电状态和更换负载状态。在吸烟状态下，可实时测量输出电压Vout以及每间隔一段时间测量电热丝的阻值，同时还可以计算出恒定输出功率P，以监控所述电子烟雾器是否正常作业。在吸烟结束后，需要再次测量电源电压VDD，以判断是否需要充电。以及再次测量电压分辨率Δ，以更新吸烟之前的电压分辨率Δ。优选的，多次测量取平均值作为所述电压分辨率Δ，若出现错误a和/或错误b情况，再次测量，如依然异常，则将电压分辨率Δ设定为吸烟前的原值，以避免系统宕机，等待下次测量。其中，错误a是指测得值超出应有的范围；错误b是指测得值与原值差距过大。本实施例所指多次测量，不限定为2次、4次、6次或8次等。在充电状态下，所述测量电路可实时测量所述供电电压VDD以判断是否充满，或供电电压VDD是否异常。再更换电热丝RL之后，需要重新测量电热丝RL的阻值，以保证系统能正常作业。
综上所述，本实施例提供的所述测量电路及测量方法，通过预先测量出电压分辨率，以避免因第一恒流源和单位电阻的实际误差对实际的电压分辨率的影响，保证测量精度的精准。以及，根据所述基准电压、实际测量的所述电压分辨率和计数结果能够获取较为精准的待测电压，以校正待测电压的测量值，保证测量待测电压和输出功率的高精准度。并且，所述测量方法简便，易操作，有利于提高测量效率。进一步的，所述比较单元和所述控制单元中仅采用多个晶体管和多个单位电阻，几乎不使用电容器件，减少了所述测量电路的制备成本，且也缩小了所述测量电路占用芯片的面积，利于集成化。因此，本实施例提供的所述测量电路及测量方法，不仅能够降低电子雾化器的测量成本，还能够提高测量精度以及提高测量效率。
此外还应该认识到，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

Claims (10)

1.一种测量电路，其特征在于，包括比较单元、累加累减单元和控制单元；
所述比较单元具有第一输入端、第二输入端和输出端；所述第一输入端接入待测电压或第一预设电压，所述第二输入端接入基准电压或第二预设电压，所述输出端与所述累加累减单元相接；
所述累加累减单元用于根据所述比较单元的输出值进行累加或累减的计数，并将计数结果输入至所述控制单元；
所述控制单元包括第一电阻串联单元和第二电阻串联单元，所述第一电阻串联单元与所述第一输入端相接，所述第二电阻串联单元与所述第二输入端相接；所述控制单元用于根据所述计数结果，控制所述第一电阻串联单元或所述第二电阻串联单元对应接入所述第一输入端或所述第二输入端的电阻值，以调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差；
其中，根据所述计数结果和所述第一预设电压与所述第二预设的差值计算出所述控制单元的电压分辨率，以及根据所述电压分辨率、所述计数结果和所述基准电压计算出所述待测电压。
2.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述第一电阻串联单元和所述第二电阻串联单元均包括串联的2n-1个单位电阻；其中，所述累加累减单元采用二进制计数方式，且n为所述计数结果的位数。
3.根据权利要求2所述的测量电路，其特征在于，所述控制单元还包括第一恒流源、第一开关阵列单元和第二开关阵列单元；所述第一恒流源分别与所述第一开关阵列单元和所述第二开关阵列单元相接；所述第一开关阵列单元和所述第二开关阵列单元分别与所述第一电阻串联单元和所述第二电阻串联单元相接。
4.根据权利要求3所述的测量电路，其特征在于，所述第一开关阵列单元和所述第二开关阵列单元均包括并联的2n-1个开关，且相邻两个所述开关接在同一所述单位电阻的两端；
其中，所述第一开关阵列单元中的第2n-1个开关和所述第二开关阵列单元中的第一个开关接在所述第一电阻串联单元中第2n-1个所述单位电阻的两端；所述第二开关阵列单元中的第2n-1个开关接在所述第二电阻串联单元中的第2n-1个所述单位电阻的一端，另一端与所述第二输入端相接。
5.根据权利要求2所述的测量电路，其特征在于，当所述待测电压高于所述基准电压，或者，所述第一预设电压高于所述第二预设电压时，所述比较单元的输出值为高电平，所述累加累减单元的计数结果加1，所述第一电阻串联单元增加一个所述单位电阻接入至所述第一输入端，或者，所述第二电阻串联单元减少一个所述单位电阻接入至所述第二输入端，以使所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差减少一个电压分辨率；
当所述待测电压低于所述基准电压，或者，所述第一预设电压低于所述第二预设电压时，所述比较单元的输出值为低电平，所述累加累减单元的计数结果减1，所述第一电阻串联单元减少一个所述单位电阻接入至所述第一输入端，或者，所述第二电阻串联单元增加一个所述单位电阻接入至所述第二输入端，以使所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差增加一个电压分辨率。
6.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述电压分辨率和所述待测电压满足如下公式：
Δ=(Vref0-Vref1)/D；
Vp = Vn +M×Δ；
其中，Δ为电压分辨率，Vref0为第一预设电压，Vref1为第二预设电压，D为测量电压分辨率时所述累加累减单元的计数结果与初始计数的差值；Vp为所述待测电压，Vn为所述基准电压，M为测量待测电压时所述累加累减单元的计数结果与初始计数的差值。
7.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述比较单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；其中，
所述第一输入端与所述第一晶体管的栅极相接，所述第二输入端与所述第二晶体管的栅极相接，所述第一电阻串联单元与所述第一晶体管的源极相接，所述第二电阻串联单元与所述第二晶体管的源极相接，所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极和栅极相接，所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极和所述累加累减单元相接，所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极相接，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极均接地。
8.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为PMOS管，所述第三晶体管和所述第四晶体管均为NMOS管。
9.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述比较单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第一电容、第二电容、第二恒流源、第三恒流源、第四恒流源、第五恒流源和比较器；
其中，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第四恒流源的第一端和所述第五恒流源的第一端均与电源端相接，所述第一PMOS管的栅极和漏极均与所述第二PMOS管的栅极相接，且所述第一PMOS管的漏极还与所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极相接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第七NMOS管的漏极和栅极、第八NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极相接；所述第三PMOS管的源极与所述第一电阻串联单元相接，所述第三PMOS管的栅极接入所述待测电压或所述第一预设电压，所述第三PMOS管的漏极分别与所述第三NMOS管的漏极、所述第十NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极相接；所述第四PMOS管的源极与所述第二电阻串联单元相接，所述第四PMOS管的栅极与所述基准电压或所述第二预设电压相接，所述第四PMOS管的漏极分别与所述第四NMOS管的漏极、所述第十一NMOS管的源极和所述第六NMOS管的漏极相接；
所述第一NMOS管的栅极分别与所述第四恒流源的第二端、所述第十NMOS管的漏极和所述比较器的正相输入端相接；所述第二NMOS管的栅极分别与所述第十一NMOS管的漏极和所述比较器的反相输入端相接；所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极均接入第一信号；所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极均接入第二信号；其中，所述第一信号和所述第二信号的相位相反；所述第三NMOS管的源极分别与所述第二恒流源的第一端、所述第六NMOS管的源极和所述第九NMOS管的漏极相接；所述第四NMOS管的源极分别与所述第三恒流源的第一端、所述第五NMOS管的源极和所述第八NMOS管的漏极相接；所述第十NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极相接；所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极、所述第七NMOS管的源极、所述第八NMOS管的源极、所述第九NMOS管的源极、所述第二恒流源的第二端和所述第三恒流源的第二端均接地；所述第一电容的一端接入所述比较器的反相输入端，且另一端接地；所述第二电容的一端接入所述比较器的正相输入端，且另一端接地；所述比较器的输出端与所述累加累减单元相接。
10.一种测量方法，用于测量电子雾化器电路，其特征在于，使用如权利要求1~9中任意一项所述的测量电路，所述测量方法包括：
所述比较单元的第一输入端接入所述第一预设电压，所述比较单元的第二输入端接入所述第二预设电压；在第一设定时间内，所述累加累减单元计数，所述控制单元调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以计算出所述控制单元的电压分辨率，并判断所述电压分辨率是否异常，如是，所述控制单元的电压分辨率取预设值；
测量所述电子雾化器电路中的电热丝的阻值，并判断所述阻值是否异常，如是，更换电热丝并重新测量所述电热丝阻值；
经测量获取所述待测电压的测量值；其中，所述待测电压至少包括电子雾化器电路中的供电电压、输出电压和所述电热丝端电压；
所述比较单元的第一输入端接入所述待测电压，所述比较单元的第二输入端接入所述基准电压；在第二设定时间内，所述累加累减单元计数，所述控制单元调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以计算出所述待测电压的实际值；
根据所述待测电压的实际值校正所述待测电压的测量值；
根据校正后的所述待测电压计算出所述电子雾化器电路的输出功率；以及，
在吸烟结束后，所述比较单元的第一输入端接入所述第一预设电压，所述比较单元的第二输入端接入所述第二预设电压；在第一设定时间内，所述累加累减单元计数，所述控制单元调节所述第一输入端和所述第二输入端之间的电压差，以再次计算出所述控制单元的电压分辨率，并判断所述电压分辨率是否异常，如是，所述控制单元的电压分辨率更新为吸烟之前的原值。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115664388A (zh) * 2022-12-26 2023-01-31 成都信息工程大学 一种用于δς小数分频锁相环的三角波发生电路

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4053569B1 (de) * 2021-03-05 2023-09-27 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und system zum auswerten einer eingangsspannung einer stromversorgung

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000209093A (ja) * 1999-01-19 2000-07-28 Toshiba Corp 逐次比較型アナログ・ディジタル変換回路
JP2004040976A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Sansha Electric Mfg Co Ltd 電力制御電源装置
CN102338822A (zh) * 2010-07-15 2012-02-01 西门子公司 电流测量装置及其电流测量方法
CN109567280A (zh) * 2019-01-16 2019-04-05 深圳市海派特光伏科技有限公司 雾化器阻值检测电路和电子烟
CN111789309A (zh) * 2020-07-31 2020-10-20 无锡市晶源微电子有限公司 一种电子烟漏油防护装置及方法
CN112187043A (zh) * 2020-09-30 2021-01-05 无锡市晶源微电子有限公司 一种恒定均方根电压输出装置及方法
CN113848370A (zh) * 2021-09-24 2021-12-28 无锡市晶源微电子有限公司 Mos管输出电流测量电路
CN114451589A (zh) * 2022-04-13 2022-05-10 南京芯圣电子科技有限公司 一种实现恒功率输出的电子烟电路及其工作方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6040560A (en) * 1996-10-22 2000-03-21 Philip Morris Incorporated Power controller and method of operating an electrical smoking system
US6053176A (en) * 1999-02-23 2000-04-25 Philip Morris Incorporated Heater and method for efficiently generating an aerosol from an indexing substrate
EP2468117A1 (en) * 2010-12-24 2012-06-27 Philip Morris Products S.A. An aerosol generating system having means for determining depletion of a liquid substrate
CN104348141B (zh) * 2013-07-31 2018-08-14 惠州市吉瑞科技有限公司 一种用于电子烟的过流过压保护电路及方法
DE102014226136B3 (de) 2014-12-16 2016-02-11 Dialog Semiconductor (UK) Ltd Messschaltung
US11293959B2 (en) 2018-02-19 2022-04-05 Schneider Electric USA, Inc. Measurement circuit
US11231447B2 (en) 2018-02-19 2022-01-25 Schneider Electric USA, Inc. Measurement circuit
US10986875B2 (en) * 2018-06-25 2021-04-27 Juul Labs, Inc. Vaporizer device heater control

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000209093A (ja) * 1999-01-19 2000-07-28 Toshiba Corp 逐次比較型アナログ・ディジタル変換回路
JP2004040976A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Sansha Electric Mfg Co Ltd 電力制御電源装置
CN102338822A (zh) * 2010-07-15 2012-02-01 西门子公司 电流测量装置及其电流测量方法
CN109567280A (zh) * 2019-01-16 2019-04-05 深圳市海派特光伏科技有限公司 雾化器阻值检测电路和电子烟
CN111789309A (zh) * 2020-07-31 2020-10-20 无锡市晶源微电子有限公司 一种电子烟漏油防护装置及方法
CN112187043A (zh) * 2020-09-30 2021-01-05 无锡市晶源微电子有限公司 一种恒定均方根电压输出装置及方法
CN113848370A (zh) * 2021-09-24 2021-12-28 无锡市晶源微电子有限公司 Mos管输出电流测量电路
CN114451589A (zh) * 2022-04-13 2022-05-10 南京芯圣电子科技有限公司 一种实现恒功率输出的电子烟电路及其工作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115664388A (zh) * 2022-12-26 2023-01-31 成都信息工程大学 一种用于δς小数分频锁相环的三角波发生电路

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