CN114888714B - 一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质 - Google Patents

一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取设置的第一工艺参数；将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置；判断保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工。通过将保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数进行对比，当两个数值不一样时，拒绝加工。当两个数值不一样时，可能是由于其中一个数值被主动更改或内存地址错位导致，对比两个参数是否相同可以发现参数异常，减少因失误操作或内存地址偏差造成的工艺参数异常，造成计算时间的误差，从而减少晶圆被异常抛光的可能性。

Description

一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质
技术领域
本发明涉及晶圆抛光技术领域，尤其涉及晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质。
背景技术
集成电路制造工艺过程通常是指将导体、半导体、绝缘层以一定的工艺顺序沉积在特定的基板上(如硅基晶圆)。在制造工艺过程中，化学机械抛光(Chemical MechanicalPolishing，CMP)设备主要用于对晶圆在膜沉积工艺后的微观粗糙表面进行全局平坦化处理，以便进行后续的半导体工艺过程。CMP设备中主要通过调节抛光时间和调整抛光头压力完成平坦化工艺。设置去除率时，设备通过实时监测晶圆厚度，计算去除率，调节抛光时间。
在现有的晶圆抛光工艺中，读取加工参数时存在本地模式和远程模式两种模式，本地模式时，将工艺参数文件中的数据读取到内存中，使用时直接从内存中读取数据；远程模式时，工厂自动化系统将数据设置到内存中，使用时直接从内存中读取数据。
这两种模式都是在使用前从内存中读取设定值，但从保存去除率参数到使用该值时存在时间差，且该时间差长短不一，在本地模式和远程模式切换时可能造成内存中的这个设定值被改动，包括主动更改或内存地址错位造成的改动，由此，可能会导致参数不正确，晶圆被异常抛光，造成晶圆报废的问题出现。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质，能够解决加工参数被改动导致参数不正确，晶圆被异常抛光，造成晶圆报废的问题。
本发明提出的技术方案如下：
本发明实施例第一方面提供一种晶圆抛光的保护方法，包括：获取设置的第一工艺参数；将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置；判断保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工。
本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，通过将保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数进行对比，当两个数值不一样时，拒绝加工。当两个数值不一样时，可能是由于其中一个数值被主动更改或内存地址错位导致，对比两个参数是否相同可以发现参数异常，减少因失误操作或内存地址偏差造成的工艺参数异常，造成计算时间的误差，从而减少晶圆被异常抛光的可能性。
根据本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，还包括：当保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数相同时；根据保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数计算第二工艺参数；根据保存在所述第二存储位置的所述第一工艺参数计算第二工艺参数；判断根据保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数计算的第二工艺参数与根据保存在所述第二存储位置的所述第一工艺参数计算的第二工艺参数是否相同；若不同，则拒绝加工，若相同，则根据所述第二工艺参数进行加工。
第一工艺参数为中间参数，第二工艺参数为最终加工所应用的参数，通过分别对这两个参数均进行判断，避免在加工时出现计算错误或者参数异常而不被发现，进一步保证参数准确性。
根据本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，在将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置前，还包括：判断所述第一工艺参数是否在设定范围内，若不在，则拒绝加工。
在加工前，预先设定第一工艺参数的设定范围，如果第一工艺参数不在这个范围内，则参数不正确，通过此步骤可以避免采用不正确的参数进行加工，防止晶圆被异常抛光。
根据本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，所述将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置，包括：将所述第一工艺参数保存在临时内存中；将临时内存复制到备份内存和第二存储位置；将备份内存中的第一工艺参数写到第一存储位置的配置文件中。
将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置两个不同的位置，避免参数被同时修改，将所述第一工艺参数从临时内存中复制到备份内存中，便于对备份内存中的第一工艺参数进行处理。
根据本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，所述第一工艺参数为去除率参数，第二工艺参数为加工时间。
加工时间通过去除率参数计算得到，通过同时验证去除率参数和加工时间，确保加工时间的准确性。
根据本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，所述第一存储位置位于硬盘中，所述第二存储位置位于内存中。
第一存储位置位于硬盘中，机台断电时数据不会消失，为断电恢复数据提供可能，第二存储位置位于内存中，方便机台对数据进行处理。
根据本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，还包括：当在抛光过程中断电时，从所述第一存储位置中获取第一加工参数。
由于第二存储位置位于硬盘中，断电时硬盘数据不会被删除，因此可以从硬盘中把工厂自动化系统下载的参数予以恢复，确保了机台加工的连续性和数据的可追踪性。
本发明实施例第二方面提供了一种晶圆抛光的保护装置，包括：参数获取模块，用于获取设置的第一工艺参数；参数保存模块，用于将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置；参数判断模块，用于判断保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工。
本发明实施例第二方面提供的一种晶圆抛光的保护装置，具有和本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法相同的有益效果，在此不再赘述。
本发明实施例第三方面提供一种电子设备，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行如本发明实施例第一方面所述的晶圆抛光的保护方法。
本发明实施例第二方面提供的一种电子设备，具有和本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法相同的有益效果，在此不再赘述。
本发明实施例第四方面提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行如本发明实施例第一方面所述的晶圆抛光的保护方法。
本发明实施例第二方面提供的一种计算机可读存储介质，具有和本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法相同的有益效果，在此不再赘述。
附图说明
为了更清楚地表达说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中读取加工参数的流程图；
图2为本发明实施例中一晶圆抛光的保护方法的流程图；
图3为本发明实施例中另一晶圆抛光的保护方法的流程图；
图4为本发明实施例中晶圆抛光的保护装置的模块框图；
图5为本发明实施例中电子设备的模块框图；
图6为本发明实施例中计算机可读存储介质的模块框图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1，在现有技术中，读取加工参数时存在本地模式和远程模式两种模式，本地模式时，将工艺参数文件中的数据读取到内存中，使用时直接从内存中读取数据；远程模式时，工厂自动化系统将数据设置到内存中，使用时直接从内存中读取数据。这两种模式都是在使用前从内存中读取设定值，但从保存去除率参数到使用该值时存在时间差，且该时间差长短不一，在本地模式和远程模式切换时可能造成内存中的这个设定值被改动，包括主动更改或内存地址错位造成的改动，由此，可能会导致参数不正确，晶圆被异常抛光，造成晶圆报废的问题出现。
由此，本发明实施例提供了一种晶圆抛光的保护方法，能够解决加工参数被改动导致参数不正确，晶圆被异常抛光，造成晶圆报废的问题。
参见图2，本发明实施例提供的一种晶圆抛光的保护方法，包括以下步骤：
步骤S100，获取设置的第一工艺参数。
第一工艺参数可以通过本地模式或者远程模式设置，在设置完成后从内存中读取获得第一工艺参数。在本发明实施例中，不区分本地模式和远程模式，两种模式采用同一个判断流程。即第一工艺参数无论是由本地模式设置还是远程模式设置判断流程均一样。
第一工艺参数可以为直接用于晶圆抛光的最终参数也可以为用于计算最终参数的中间参数，优选为中间参数。示例性的，在一具体实施例中，中间参数可以为去除率参数，最终参数为抛光时间，机台设备通过实时监测晶圆厚度，计算去除率，通过去除率参数计算最终抛光时间。
步骤S200，将第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置。
第一存储位置和第二存储位置是机台中的两个不同的存储参数的位置，例如第一存储位置位于硬盘中，第二存储位置位于机台内存中；或者第一存储位置位于硬盘的一个分区，第一存储位置位于硬盘的另一个分区。将第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置两个不同的位置，避免参数被同时修改。
步骤S300，判断保存在第一存储位置的第一工艺参数和保存在第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工。
在机台加工前或者运行过程中，读取存储在两个不同位置的第一工艺参数，判断其是否一致，当不同时，则表明参数被异常改动，不适合继续加工，因此此时拒绝加工，避免采用异常参数加工损坏晶圆或机台。
本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，通过将保存在第一存储位置的第一工艺参数和保存在第二存储位置的第一工艺参数进行对比，当两个数值不一样时，拒绝加工。当两个数值不一样时，可能是由于其中一个数值被主动更改或内存地址错位导致，对比两个参数是否相同可以发现参数异常，减少因失误操作或内存地址偏差造成的工艺参数异常，造成计算时间的误差，从而减少晶圆被异常抛光的可能性。本发明实施例可有效保证加工数据的准确性。即使两种模式不停的切换，也可以杜绝数据错乱，造成晶圆的异常加工。
在一实施例中，请参见图3，本发明实施例的晶圆抛光的保护方法还包括：当保存在第一存储位置的第一工艺参数和保存在第二存储位置的第一工艺参数相同时；根据保存在第一存储位置的第一工艺参数计算第二工艺参数；根据保存在第二存储位置的第一工艺参数计算第二工艺参数；判断根据保存在第一存储位置的第一工艺参数计算的第二工艺参数与根据保存在第二存储位置的第一工艺参数计算的第二工艺参数是否相同；若不同，则拒绝加工，若相同，则根据第二工艺参数进行加工。
第一工艺参数为中间参数，具体地，为去除率参数，第二工艺参数为最终加工所应用的参数，具体地，为抛光的加工时间，加工时间由去除率参数计算得到。分别对这两个参数均进行判断，实现多形式对比，避免在加工时出现计算错误或者参数异常而不被发现，有效保证加工数据准确性。即使两种模式不停的切换，也可以杜绝数据错乱，造成晶圆的异常加工。
作为对上述实施例的进一步改进，在将第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置前，还包括：判断第一工艺参数是否在设定范围内，若不在，则拒绝加工。
具体地，第一工艺参数为去除率参数，通常在加工晶圆时具有一定的范围，将此范围作为设定范围，在加工前，预先设定第一工艺参数的设定范围，如果第一工艺参数不在这个范围内，则参数不正确，通过此步骤可以避免采用不正确的参数进行加工，防止晶圆被异常抛光。
进一步，根据本发明实施例第一方面提供的晶圆抛光的保护方法，将第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置，包括：将第一工艺参数保存在临时内存中；将临时内存复制到备份内存和第二存储位置；将备份内存中的第一工艺参数写到第一存储位置的配置文件中。
将第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置两个不同的位置，避免参数被同时修改，将第一工艺参数从临时内存中复制到备份内存中，便于对备份内存中的第一工艺参数进行处理。
具体地，在一实施例中，第一工艺参数为去除率参数，第二工艺参数为加工时间。加工时间通过去除率参数计算得到，通过同时验证去除率参数和加工时间，确保加工时间的准确性。
将第一工艺参数保存在临时内存中，前置该临时内存。当第一工艺参数为去除率参数时，为便于理解，可将其称为临时去除率参数内存，若在其他实施例中参数为其他类型，也可依据参数名称命名该临时内存。在将临时内存前置后，才能方便将第一工艺参数进行复制，分别保存在第一存储位置和第二存储位置两个不同的位置，避免参数被同时修改。
将第一工艺参数从临时内存中复制到备份内存中，便于对备份内存中的第一工艺参数进行处理。
进一步，第一存储位置位于硬盘中，第二存储位置位于内存中。将备份内存中的第一工艺参数保存在第一存储位置，当第一工艺参数为去除率参数时，具体实现方式是在硬盘中保存用于存放去除率参数的独立文件，将去除率参数存放于该独立文件中。将第一工艺参数从临时内存中保存到第二存储位置，即将从临时去除率参数内存中的去除率参数复制到内存的其他位置中，为了便于理解，可以将其称为去除率参数内存。
由于第一存储位置位于硬盘的独立文件中，机台断电时数据不会消失，为断电恢复数据提供可能，第二存储位置位于内存中，方便机台对数据进行处理。
在一实施例中，根据本发明实施例的晶圆抛光的保护方法，还包括：当在抛光过程中断电时，从第一存储位置中获取第一加工参数。
由于第二存储位置位于硬盘中，断电时硬盘数据不会被删除，因此可以从硬盘中把工厂自动化系统下载的参数予以恢复，确保了机台加工的连续性和数据的可追踪性。
参见图3，本发明实施例的一个具体流程如下：
1、设置去除率参数指令下达时，判断获取的去除率参数是否在参数设定范围内，若不在范围内，则报警并拒绝继续执行后续逻辑。在参数设定范围时执行第二步流程。
2、将去除率参数存储到一个临时内存中，并且将该内存复制到两个不同的内存中(去除率参数内存和去除率参数备份内存)。
3、根据去除率参数内存中的数据计算需要加工的时间，将该时间值存在时间内存中。
4、同时把去除率参数备份内存中的数据写到配置文件中，即：保存到硬盘中。
5、待晶圆需要加工时，将文件中的内容读取出来，和去除率参数内存中存储的数据进行比较。若相同，计算时间；若不同，则报警并拒绝继续执行后续逻辑。
6、将步骤5中计算出来的时间与步骤3中时间内存中的数据进行对比，若相同，进行加工；若不同，则报警并拒绝继续执行后续逻辑。
本发明实施例的一种晶圆抛光的保护方法，通过内存中的数据与硬盘文件中备份的数据进行对比的方法，并在运行前进行对比，运行中进行监控。在去除率参数被异常改动时，程序可以主动发现，及时报警，防止晶圆被异常抛光的错误出现，造成晶圆报废的问题出现。在半导体生产CMP工艺过程中，可以大大减少因误操作或内存地址偏差造成的去除率参数异常，造成计算时间的误差，从而减少晶圆被异常抛光的可能性。对设置的数据进行多种方式备份(内存、硬盘)、多种形式对比(参数范围、值对比)，可有效保证加工数据的准确性。即使两种模式(远程模式和本地模式)不停的切换，也可以杜绝数据错乱，造成晶圆的异常加工。
此外，如果机台异常断电，还可以从硬盘中把工厂自动化系统下载的参数予以恢复，确保了机台加工的连续性和数据的可追踪性。
本发明实施例还提供了一种晶圆抛光的保护装置，参见图4，该装置包括：参数获取模块，用于获取设置的第一工艺参数；具体内容参见上述方法实施例对应部分，在此不再赘述。
参数保存模块，用于将第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置；具体内容参见上述方法实施例对应部分，在此不再赘述。
参数判断模块，用于判断保存在第一存储位置的第一工艺参数和保存在第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工。具体内容参见上述方法实施例对应部分，在此不再赘述。
该装置的具体细节、工作原理和有益效果参见上述方法对应部分，在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种电子设备，包括：存储器12和处理器11，存储器12和处理器11之间互相通信连接，存储器12存储有计算机指令，处理器11通过执行计算机指令，从而执行如本发明实施例第一方面及第一方面任一项晶圆抛光的保护方法，如图5所示，包括存储器12和处理器11，其中处理器11和存储器12可以通过总线或者其他方式连接。处理器11可以为中央处理器(CentralProcessingUnit，CPU)。处理器11还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(DigitalSignalProcessor，DSP)、专用集成电路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field－ProgrammableGateArray，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。存储器12作为一种非暂态计算机存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的对应的程序指令/模块。处理器11通过运行存储在存储器12中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器11的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的晶圆抛光的保护方法。存储器12可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作装置、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器11所创建的数据等。此外，存储器12可以包括高速随机存取存储器12，还可以包括非暂态存储器12，例如至少一个磁盘存储器12件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器12件。在一些实施例中，存储器12可选包括相对于处理器11远程设置的存储器12，这些远程存储器12可以通过网络连接至处理器11。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。一个或者多个模块存储在存储器12中，当被处理器11执行时，执行如上述方法实施例中的晶圆抛光的保护方法。上述电子设备具体细节可以对应上述方法实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，如图6所示，其上存储有计算机程序13，该指令被处理器执行时实现上述实施例中晶圆抛光的保护方法的步骤。该存储介质上还存储有音视频流数据，特征帧数据、交互请求信令、加密数据以及预设数据大小等。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read－OnlyMemory，ROM)、随机存储记忆体(RandomAccessMemory，RAM)、快闪存储器(FlashMemory)、硬盘(HardDiskDrive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid－StateDrive，SSD)等；存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。本领域技术人员可以理解，实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，计算机程序13可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read－OnlyMemory，ROM)、随机存储记忆体(RandomAccessMemory，RAM)、快闪存储器(FlashMemory)、硬盘(HardDiskDrive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid－StateDrive，SSD)等；存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
以上，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种晶圆抛光的保护方法，其特征在于，包括：
获取设置的第一工艺参数；
将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置；
判断保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工；
当保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数相同时；
根据保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数计算第二工艺参数；
根据保存在所述第二存储位置的所述第一工艺参数计算第二工艺参数；
判断根据保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数计算的第二工艺参数与根据保存在所述第二存储位置的所述第一工艺参数计算的第二工艺参数是否相同；
若不同，则拒绝加工，若相同，则根据所述第二工艺参数进行加工。
2.根据权利要求1所述的晶圆抛光的保护方法，其特征在于，在将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置前，还包括：
判断所述第一工艺参数是否在设定范围内，若不在，则拒绝加工。
3.根据权利要求1所述的晶圆抛光的保护方法，其特征在于，所述将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置，包括：
将所述第一工艺参数保存在临时内存中；
将临时内存复制到备份内存和第二存储位置；
将备份内存中的第一工艺参数写到第一存储位置的配置文件中。
4.根据权利要求1所述的晶圆抛光的保护方法，其特征在于，所述第一工艺参数为去除率参数，第二工艺参数为加工时间。
5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆抛光的保护方法，其特征在于，所述第一存储位置位于硬盘中，所述第二存储位置位于内存中。
6.根据权利要求5所述的晶圆抛光的保护方法，其特征在于，还包括：
当在抛光过程中断电时，从所述第一存储位置中获取第一加工参数。
7.一种晶圆抛光的保护装置，其特征在于，包括：
参数获取模块，用于获取设置的第一工艺参数；
参数保存模块，用于将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置；
参数判断模块，用于判断保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工，当保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数相同时；根据保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数计算第二工艺参数；根据保存在所述第二存储位置的所述第一工艺参数计算第二工艺参数；判断根据保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数计算的第二工艺参数与根据保存在所述第二存储位置的所述第一工艺参数计算的第二工艺参数是否相同；若不同，则拒绝加工，若相同，则根据所述第二工艺参数进行加工。
8.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行如权利要求1－6任一项所述的晶圆抛光的保护方法。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行如权利要求1－6任一项所述的晶圆抛光的保护方法。
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