CN114884532B - 射频前端电路、芯片及终端设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种射频前端电路、芯片及终端设备，涉及通信技术领域，该射频前端电路包括：第一低频发射通路、第一中高频发射通路、第二低频发射通路和第二中高频发射通路；第一低频发射通路用于放大第一SIM卡的非全球移动通讯系统GSM信号中的第一低频射频信号；第一中高频发射通路用于放大第一SIM卡的非GSM信号中的第一中高频射频信号；第二低频发射通路用于放大第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号和第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号；第二中高频发射通路用于放大第二SIM卡的GSM信号中的第二中高频射频信号和第二SIM卡的非GSM信号中的第三中高频射频信号。本发明既能够减小面积、降低成本，又能实现双卡双通功能。

Description

射频前端电路、芯片及终端设备

技术领域

本申请实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种射频前端电路、芯片及终端设备。

背景技术

随着移动通信技术的发展，人们对终端设备的依赖越来越高。为了给用户带来更大的方便，厂家已经推出了支持两张手机卡或者说用户识别卡（subscriber identitymodule，SIM）的终端设备，即双卡终端设备。目前市面上的双卡终端设备主要可分为双卡双待单通终端和双卡双待双通终端两种形态。双卡双待是指两张卡都等待网络寻呼，都可用。双卡单通是指待机时两张卡共享一个通道，此时，终端设备需要快速切换以确保两张卡都能与基站交互信息，但一张卡进行通话时，另一张卡不能与基站进行交互。而双卡双通(dual SIM dual active，DSDA) 是指两张卡可以分别实时与基站交互信息，当一张卡进行通话时，不影响另一张卡的交互和使用。

那么，为了实现双卡双通功能，相关技术中的解决方案是在现有通路的基础上，再增加一套射频电路和天线，但相关设计方案集成度低，占用印刷电路板（printed circuitboard，PCB）面积比较大，导致制作成本较高。

因此，亟待一种新的解决方案，以解决上述问题。

发明内容

本申请实施例提供一种射频前端电路、芯片及终端设备，能够减小面积、降低成本，且实现双卡双通功能。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

第一方面，提供了一种射频前端电路，应用于包括第一SIM卡和第二SIM卡的终端设备，所述射频前端电路包括：第一低频发射通路、第一中高频发射通路、第二低频发射通路和第二中高频发射通路；

所述第一低频发射通路用于放大所述第一SIM卡的非全球移动通讯系统GSM信号中的第一低频射频信号；

所述第一中高频发射通路用于放大所述第一SIM卡的非GSM信号中的第一中高频射频信号；

所述第二低频发射通路用于放大所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号和所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号；

所述第二中高频发射通路用于放大所述第二SIM卡的GSM信号中的第二中高频射频信号和所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三中高频射频信号；

其中，所述第一中高频射频信号的频率大于所述第一低频射频信号的频率；所述第二中高频射频信号的频率大于所述第二低频射频信号的频率；所述第三中高频射频信号的频率大于所述第三低频射频信号的频率。

本申请实施例提供一种射频前端电路，通过设置一组第一低频发射通路和第一中高频发射通路来分别对第一SIM卡的非GSM信号中的低频射频信号和中高频射频信号进行放大；还通过增加设置一组第二低频发射通路和第二中高频发射通路来分别对第二SIM卡的GSM信号、非GSM信号中的低频射频信号和中高频射频信号进行放大，由于两组发射通路互不影响，从而可以实现双卡双通。

此外，相对现有技术中的电路，本申请实施例提供的射频前端电路省略了独立的支持GSM制式的功率放大器，新增了能支持所有制式的信号的第二低频发射通路和第二中高频发射通路；或者说，本申请实施例提供的射频前端电路复用独立的支持GSM制式的功率放大器，来作为新增的第二频发射通路和第二中高频发射通路中的功率放大器，并对其优化，使其在支持GSM制式的同时，能支持其他制式的信号，由此可见，相对于相关技术，本申请减小了功率放大器，增加了集成度，降低了成本。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第二低频发射通路还用于以时分复用方式放大所述第一SIM卡的GSM 信号中的第四低频射频信号；

所述第二中高频发射通路还用于以时分复用方式放大所述第一SIM卡的GSM信号中的第四中高频射频信号；

其中，所述第四中高频射频信号的频率大于所述第四低频射频信号的频率。

在该实现方式中，第二低频发射通路和第二中高频发射通路通过分时复用的方式，可以实现对第一SIM卡的GSM信号中的低频射频信号和中高频射频信号的放大，由此，第一SIM卡的GSM信号和第二SIM卡的GSM信号不会相互干扰。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第二中高频发射通路包括：第二中高频放大单元、第一切换开关；

所述第二中高频放大单元的输出端与所述第一切换开关的第一端相连接，所述第一中高频放大单元用于放大所述第二SIM卡的GSM信号中的第二中高频射频信号和所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三中高频射频信号。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第二中高频发射通路还包括：多个第一滤波器和第一天线开关；

所述第一切换开关的多个第二端与多个所述第一滤波器的第一端一一对应连接，多个所述第一滤波器的第二端与所述第一天线开关的多个第一端一一对应连接，所述第一天线开关的第二端与第一中高频天线和第二中高频天线相连接，或者，所述第一天线开关的第二端与第三中高频天线相连接；

所述第一中高频天线和所述第二中高频天线，或者，所述第三中高频天线用于将放大后的所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三中高频射频信号发射至空间中。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第一中高频发射通路包括第三天线开关；

所述第一切换开关的另一个第二端与所述第三天线开关的第一端相连接，所述第三天线开关的第二端与所述第一中高频天线和所述第二中高频天线相连接；

所述第一中高频天线和所述第二中高频天线还用于将放大后的所述第二SIM卡的GSM信号中的第二中高频射频信号、或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四中高频射频信号发射至空间中。

在该实现方式中，利用第一切换开关导通第二中高频放大单元与第三天线开关，将第二中高频放大单元放大后的第二SIM卡的GSM信号中的第二中高频信号、或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四中高频射频信号经第三天线开关传输后，从第三天线开关的第二端连接的第一中高频天线和第二中高频天线发射至空间中，由于第一中高频天线和第二中高频天线的性能相对较好，从而可以提高信号的质量。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第二低频发射通路包括：第二低频放大单元，第二切换开关；

所述第二低频放大单元的输出端与所述第二切换开关的第一端相连接，所述第二低频放大单元用于放大所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号和所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第二低频发射通路还包括：多个第二滤波器和第二天线开关；

所述第二切换开关的多个第二端与多个所述第二滤波器的第一端一一对应连接，多个所述第二滤波器的第二端与所述第二天线开关的多个第一端一一对应连接，所述第二天线开关的第二端与第一低频天线和第二低频天线相连接，或者，所述第二天线开关的第二端与第三低频天线相连接；

所述第一低频天线和所述第二低频天线，或者，所述第三低频天线用于将放大后的所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号发射至空间中。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第一低频发射通路包括第四天线开关；

所述第二切换开关的另一个第二端与所述第四天线开关的第一端相连接，所述第四天线开关的第二端与所述第一低频天线和所述第二低频天线相连接；所述第一低频天线和所述第二低频天线还用于将放大后的所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号、或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四低频射频信号发射至空间中。

在该实现方式中，利用第二切换开关导通第二低频放大单元和第四天线开关，将第二低频放大单元放大后的第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号、或者第一SIM卡的GSM信号中的第四低频射频信号，从第一低频天线和第二低频天线发射至空间中，由于第三中高频天线的性能相对较好，从而可以提高信号的质量。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第二低频放大单元包括分路器、输入开关、第一功率放大器、第二功率放大器、输出开关和合路器；

所述输入开关的第一端用于接收所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号，所述输入开关的第二端与所述第一功率放大器的输入端相连接；

所述分路器的第一端用于接收所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号，或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四低频射频信号，所述分路器的第二端与所述输入开关的第三端相连接，所述分路器的第三端与所述第二功率放大器的输入端相连接，所述分路器用于将所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号，或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四低频射频信号分离成第一子信号和第二子信号；

所述第一功率放大器的输出端与所述输出开关的第一端相连接，所述第一功率放大器用于对所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号进行放大，或者对所述合路器提供的第一子信号进行放大；

所述第二功率放大器的输出端与所述合路器的第一端相连接，所述第二功率放大器用于对所述合路器提供的第二子信号进行放大；

所述输出开关的第二端与所述合路器的第二端相连接，所述合路器用于将放大后的第一子信号和放大后的第二子信号合成并从所述合路器的第四端输出；

所述输出开关的第三端用于输出所述放大后的所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号。

在该实现方式中，通过对第二低频放大单元进行优化，可以使得第一功率放大器支持LTE/NR制式，复用饱和功率较低的第一功率放大器，再结合第二功率放大器则可以支持GSM制式，由此，可以提高第一功率放大器和第二功率放大器的工作效率，在实现GSM制式下低频大功率输出的同时，也可以实现较好的非GSM制式的性能。

在第一方面一种可能的实现方式中，所述第二低频放大单元还包括：第一偏置子电路和第二偏置子电路；

所述第一功率放大器还与第一偏置子电路相连接，所述第一功率放大器用于在所述第一偏置子电路的控制下，对所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号进行放大，或者对所述合路器提供的第一子信号进行放大；

所述第二功率放大器还与所述第二偏置子电路相连接，所述第二功率放大器用于在所述第二偏置子电路的控制下，对所述合路器提供的第二子信号进行放大。

可选地，第二中高频放大单元、第一切换开关和第一低频发射通路集成第一功率放大器模组中；第二低频放大单元、第二切换开关和第一中高频发射通路集成在第二功率放大器模组中；

可选地，第一低频发射通路和第一中高频发射通路集成在所述第一功率放大器模组中，第二中高频发射通路中的第二中高频放大单元和第一切换开关、第二低频发射通路中的第二低频放大单元和第二切换开关集成在所述第二功率放大器模组中。

可选地，第一低频发射通路和所述第二中高频发射通路集成在第一功率放大器模组中；第一中高频发射通路和第二低频发射通路集成在第一功率放大器模组中；

或者，所述第一低频发射通路和所述第一中高频发射通路集成在所述第一功率放大器模组中，所述第二低频发射通路和所述第二中高频发射通路集成在所述第二功率放大器模组中。

可选地，第一低频发射放大单元、第四单刀多掷开关和和所述第一中高频放大单元、第三单刀多掷开关集成在第一器件中；第二低频放大单元和第二中高频放大单元集成在第二器件中。

可选地，第一SIM卡工作于以下至少一个频段：B1、B3、B5、B8、B34、B39、B40、B41；第二SIM卡工作于以下至少一个频段：n1、n2、n5、n8、n28、n41、n78。

第二方面，提供了一种芯片，包括第一方面或第一方面中任一种所述的射频前端电路。

第三方面，提供了一种终端设备，包括第一方面或第一方面中任一种所述的射频前端电路和电源子系统，所述电源子系统包括第一电源和第二电源；

所述第一电源用于为所述第一低频发射通路中的第一低频放大单元和所述第一中高频发射通路中的第一中高频放大单元提供第一电压；所述第二电源用于为所述第二低频发射通路的第二低频放大单元和所述第二中高频发射通路中的第二中高频放大单元提供第二电压；或者，所述第一电源用于为所述第一低频发射通路中的第一低频放大单元和所述第二中高频发射通路中的第二中高频放大单元提供第一电压；所述第二电源用于为所述第一中高频发射通路中的第一中高频放大单元和所述第二低频发射通路中的第二低频放大单元提供第二电压。

在第三方面一种可能的实现方式中，所述终端设备还包括第一CMOS控制器和第二CMOS控制器；

当所述终端设备中的所述第二低频放大单元包括分路器、输入开关、第一功率放大器、第二功率放大器、输出开关和合路器，还包括第一偏置子电路和第二偏置子电路时，所述第一偏置子电路与所述第一CMOS控制器、所述第二CMOS控制器均相连接，所述第二偏置子电路与所述第二CMOS控制器相连接；

所述第一偏置子电路用于在所述第一CMOS控制器输出的第一电压状态的控制下，控制所述第一功率放大器，以使所述第一功率放大器对所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号进行放大；

所述第一偏置子电路还用于在所述第二CMOS控制器输出的第二电压状态的控制下，控制所述第一功率放大器，以使所述第一功率放大器对所述合路器提供的第一子信号进行放大；

所述第二偏置子电路用于在所述第二CMOS控制器输出的第二电压状态的控制下，控制所述第二功率放大器，以使所述第二功率放大器对所述合路器提供的第二子信号进行放大。

在该实现方式中，当第一偏置子电路与第一CMOS控制器和第二CMOS控制器均相连接时，第二偏置子电路与第二CMOS控制器相连接时，第一CMOS控制器可以根据控制信号，输出第一电压状态给第一偏置子电路，使第一功率放大器工作，实现支持非GSM制式。第二CMOS控制器可以根据控制信号的不同，输出第二电压状态给第一偏置子电路和第二偏置子电路，当输出第二电压状态给第一偏置子电路时，使第一功率放大器工作，实现支持GSM制式，当输出第二电压状态给第二偏置子电路时，使第二功率放大器工作，实现支持GSM制式。

本申请实施例提供一种射频前端电路，通过设置一组第一低频发射通路和第一中高频发射通路来分别对第一SIM卡的非GSM信号中的低频射频信号和中高频射频信号进行放大；还通过增加设置一组第二低频发射通路和第二中高频发射通路来分别对第二SIM卡的GSM信号、非GSM信号中的低频射频信号和中高频射频信号进行放大，由于两组发射通路互不影响，从而可以实现双卡双通。

附图说明

图1为一种本申请实施例适用的场景示意图；

图2为一种用于示意是否可通过软件配置实现双卡双通的表格；

图3为相关技术中的一种射频前端电路的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种终端设备的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种射频前端电路的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的另一种射频前端电路的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图12为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图13为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图14为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图15为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图16为本申请实施例提供的又一种射频前端电路的结构示意图；

图17为本申请实施例提供的一种放大单元的结构示意图；

图18为本申请实施例提供的一种第一低频放大单元的结构示意图；

图19为图18提供的放大单元的一种等效电路图；

图20为图18提供的放大单元的另一种等效电路图。

附图标记：

1-终端设备；2-基站；10-基带子系统；20-射频子系统；21-射频收发芯片；22-射频前端电路；221-第一低频发射通路；222-第一中高频发射通路；223-第二低频发射通路；224-第二中高频发射通路；30-天线子系统；40-电源子系统；51-第一SIM卡；52-第二SIM卡；S_MHB1-第一中高频射频信号；S_MHB2-第二中高频射频信号；S_MHB3-第三中高频射频信号；S_MHB4-第四中高频射频信号；S_LB1-第一低频射频信号；S_LB2-第二低频射频信号；S_LB3-第三低频射频信号；S_LB4-第四低频射频信号。

具体实施方式

下面将结合附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、详尽地描述。其中，在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“/”表示或的意思，例如，A/B可以表示A或B；文本中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为暗示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

首先，对本申请实施例中的部分用语进行解释说明，以便于本领域技术人员理解。

1、发射 (transmit，Tx)

在通信领域，发射指的是从一个器件向另一个器件或一组器件发送数据的行为。

2、接收 (receive，Rx)

在通信领域，接收指的是将传送过来的信号转换成可感知信息的过程。

3、Bx和nx

B为长期演进（long term evolution，LTE）制式的频段号开头，n为新无线（newradio，NR）制式的频段号开头，x为频段号。Bx代表LTE频段号x所对应的频段；nx代表NR频段号x所对应的频段。例如，B41代表LTE频段号41所对应的频段，即2496MHz~2690MHz。

4、LB、MB、HB

LB指的是低频（low frequency band，LB）；MB指的是中频（middle frequencyband，MB）；HB指的是高频（high frequency band，HB），MHB指的是中高频（MHB middle&highfrequency band）。应理解，低频、中频、中高频、高频指的是频率的相对高低，其频段划分可以根据需要进行调整，中高频包括中频和高频。

5、集成滤波器/双工器的功率放大器模组（power amplifier module withintegrated duplexer，PAMiD）

为了减小射频前端所占用的面积，将功率放大器（power amplifier，PA）、滤波器（filter）、双工器（duplexer）和射频开关（RF switch）集成在一颗芯片中，便构成了PAMiD。

6、集成低噪声放大器（low noise amplifier，LNA）的功率放大器模组（LNA andpower amplifier module with integrated duplexer，L-PAMiD）：在PAMiD的基础上进一步集成了LNA，便构成了L-PAMiD。

以上是对本申请实施例所涉及名词的简单介绍，以下不再赘述。

图1为一种本申请实施例适用的场景示意图。

如图1所示，用户手中的终端设备1包括有SIM1和SIM2两张卡，该终端设备1可以称为双卡终端设备1。其中，图1仅用于示意终端设备1包括有SIM1和SIM2两张卡，该两张卡不会在终端设备1的界面上进行显示。

随着更高传输效率的第五代移动通信技术（5th generation wireless systems，5G）被广泛的应用，终端设备1逐渐从支持LTE制式业务向支持NR制式业务更迭。那么，对于包括两张卡的终端设备1就存在两张卡均需支持LTE制式的业务，或者，一张卡支持LTE制式业务，另一张卡支持NR制式业务，或者，两张卡均支持NR制式业务工作的情况。

由于终端设备1的软件架构比较复杂，更改困难，所以，相关技术无法通过软件配置方式使得终端设备1中的两张手机卡，一张卡在LTE制式下的某些频段和另一张卡NR制式下的某些频段实现双卡双通，或者两张卡均在LTE制式下的某些频段实现双卡双通。

以SIM1卡支持LTE制式，SIM2卡支持NR制式为例，图2为一种用于示意是否可通过软件配置来实现双卡双通功能的表格。

如图2所示，第一列表格中所示的B1、B3、B5至B41等，用于表示LTE制式下的多个频段，例如，B1代表LTE频段号1所对应的频段，其他依次类推，在此不再赘述。第一行表格中所示的n1、n2、n5至n79等，用于表示NR制式下的多个频段，例如，n1代表NR频段号1所对应的频段，其他依次类推，在此不再赘述。其中，表格中的叉号用于表示不能通过软件配置来实现双卡双通，对号表示可以通过软件配置来实现双卡双通。

结合图2可知，例如，当SIM1卡需在B1频段工作，SIM2卡需在n1频段工作时，现有无法通过软件配置的方式来实现双卡双通。其他频段依次类推，在此不再赘述。对此，相关技术提出了一种利用硬件配置来实现双卡双通的方法。

图3为相关技术中提供的一种射频电路的结构示意图。如图3所示，相关硬件解决方案是在现有通路的基础上，再增加一套发射通路和天线。通过两套独立的发射通路和天线，来实现双卡双通功能。

其中，在该射频电路中，A所示的区域中的发射通路和天线为实现单通功能，已存在的一套发射通路和天线，B所示的区域中的发射通路和天线为实现双通功能所增加的一套发射通路和天线。这样，结合A和B所示的两套发射通路和天线，该射频电路就可以实现双卡双通功能。但是，该方案中的器件集成度较低，占用PCB面积比较大，导致制作成本相对较高。

在上述射频电路中，电源1用于为原有的A所示的区域中的发射通路中的功率放大器提供电压，但是相关技术增加了一套发射通路后，由于负载增加，为了避免影响原有电源1的输出，如图3所示，在新增一套发射通路和天线的基础上，还增加了一个电源2，该电源2用于为新增的一套发射通路提供电压。

此外，由于通常支持GSM制式的功率放大器为独立的功率放大器，仅能支持GSM制式，因此，在图3所示的射频电路中，为了满足GSM制式的需求，原有的一套发射通路中还包括有支持GSM制式的独立的功率放大器。如图3中所示的a，终端设备为了支持GSM制式的业务，单独设置了支持GSM制式的功率放大器，通常该功率放大器可以包括支持GSM制式的高频功率放大器和中频功率放大器，这样，也占用了一部分PCB面积，增加了成本。因此，亟待一种新的解决方案，以解决上述问题。

有鉴于此，本申请实施例提供一种射频前端电路，通过对射频前端电路中原有的一套发射通路进行改造，使其能支持2G、3G、4G和5G频段的业务，由此，不仅可以省略原有的发射通路中独立设置的支持GSM制式的功率放大器，增加集成度，降低成本，还能实现双卡双通功能。

下面结合图4至图10，对本申请实施例提供的终端设备1、射频前端电路22进行详细介绍。

本申请实施例对终端设备1的类型不做具体限定，在一些实施例中，本申请实施例中的终端设备1可以是手机、可穿戴设备（例如智能手环、智能手表、耳机等）、平板电脑、膝上型计算机（laptop）、手持计算机、笔记本电脑、超级移动个人计算机（ultra-mobilepersonal computer，UMPC）、蜂窝电话、个人数字助理（personal digital assistant，PDA）、增强现实（Augmented reality，AR）\虚拟现实（virtual reality，VR）设备等IOT（internet of things，物联网）设备，还可以是电视、大屏、打印机、投影仪等设备。为方便理解，下面各实施例以终端设备1为手机为例进行示例性说明。

如图4所示，该终端设备1可以包括基带子系统10，由射频收发芯片（radiofrequency integrated circuit，RFIC）和射频前端电路（radio frequency front end，RFFE）构成的射频子系统20，以及天线（antenna，ANT）子系统、电源子系统40等，这些器件可以通过各种互联总线或其他电连接方式耦合。

基带子系统10可以从基带信号中提取有用的信息或数据比特，或者将信息或数据比特转换为待发送的基带信号。这些信息或数据比特可以是表示语音、文本、视频等用户数据或控制信息的数据。示例性的，基带子系统10可以实现调制和解调，编码和解码等信号处理操作。对于不同的无线接入技术，例如5G NR和4G LTE，可以提供不同的基带信号处理操作。因此，为了支持多种移动通信模式，基带子系统10可同时包括多个处理核心，或者多个硬件加速器（hardware accelerator，HAC）。基带子系统10可以集成到一个或多个芯片中。

示例性的，基带子系统10可以作为独立的芯片，该芯片可被称为调制解调器（modem）芯片。基带子系统10的硬件组件可以按照modem芯片为单位来制造和销售。modem芯片也可以被称为基带芯片或基带处理器。此外，基带子系统10也可以进一步集成在片上系统（system on chip technology，SOC）芯片中，以SOC芯片为单位来制造和销售。基带子系统10的软件组件可以在芯片出厂前内置在芯片的硬件组件中，也可以在芯片出厂后从其他非易失性存储器中导入到芯片的硬件组件中，或者还可以通过网络以在线方式下载和更新这些软件组件。

此外，由于射频信号是模拟信号，基带子系统10处理的信号主要是数字信号，电子设备中还需要有模数转换器件。模数转换器件包括将模拟信号转换为数字信号的模数转换器（analog to digital converter，ADC），以及数字信号转换为模拟信号的数模转换器（digital to analog converter，DAC）。应理解，模数转换器件可以设置在基带子系统10中，可以设置在射频子系统20中，本申请实施例对此不进行任何限制。

射频子系统20可以分为射频接收通道（RF receive path）和射频发射通道（RFtransmit path）。射频接收通道可通过天线接收射频信号，对该射频信号进行处理，如放大、滤波、下变频和模数转换等以得到基带信号，并传输给基带子系统10。射频发射通道可接收来自基带子系统10的基带信号，对基带信号进行处理，如上变频、放大、滤波和数模转换等，以得到射频信号，并通过天线将该射频信号辐射到空间中。具体地，射频子系统20可包括射频开关、双工器、天线调谐器、低噪声放大器（low noise amplifier，LNA）、功率放大器、混频器（mixer）、本地振荡器（local oscillator，LO）、滤波器等电子器件，这些电子器件可以根据需要集成到一个或多个芯片中。天线有时也可以认为是射频子系统20的一部分。

示例性的，上述电子器件可以根据需要被分开设置在天线、射频前端电路22以及射频收发芯片21中。射频收发芯片21可以由混频器、本地振荡器等器件组成。其中，本地振荡器用于提供本振信号；混频器用于将射频信号与本地振荡器提供的本振信号进行混频。射频收发芯片21也可以称为接收机、发射机或收发机。

射频前端电路22可以由滤波器、低噪声放大器、功率放大器、射频开关等电子器件构成。射频开关用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段间的切换；双工器用于将射频信号的发射通路和接收通路进行隔离，从而保证接收和发射在共用同一天线的情况下能正常工作；滤波器用于保留特定频段内的信号，而将特征频段外的信号滤除。低噪声放大器用于将接收通道的射频信号放大；功率放大器用于将发射通路的射频信号放大。

应理解，上述仅为一种示例，射频子系统20也可以包括其他器件或采用其他集成方式，例如，可以将属于射频前端电路22的部分器件集成在射频收发芯片21中，或者，也可以将天线和射频前端电路22都集成在射频收发芯片21中，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

天线子系统30包括多根天线，其中，ANT1表示第一天线，ANTn表示第n天线，n为大于1的正整数。天线子系统30还可以包括天线开关，用于切换至不同的天线，从而可以使得不同的信号利用不同的天线发射。

电源子系统40用于为各个器件进行供电，例如，电源可以为功率放大器提供电压。其中，该电源子系统40可以包括多个电源，该多个电源可以相同也可以不同。

终端设备1还包括两张SIM卡，例如分别称为第一SIM卡51和第二SIM卡52。第一SIM卡51和第二SIM卡52可以安装在终端设备1内部的电路板上，上述所述的基带子系统10、射频子系统20也可以设置在该电路板上。第一SIM卡51可以作为信息存储器，用于存储用户的身份识别信息，例如用于表示用户身份的电话号码。此外，第一SIM卡51还可以用于存储用户的个人信息，例如语音通话时用于对语音内容进行加密的密钥、用户的电话簿等。其中，SIM卡也称为用户身份识别卡、智能卡等。

需要说明的是，终端设备1上安装第一SIM卡51后，终端设备1才能通过第一SIM卡51上存储的信息与基站2或其他终端设备1进行通信。

第二SIM卡52也安装在终端设备1内部的电路板上，通常第二SIM卡52和第一SIM卡51安装在同一电路板上。第二SIM卡52也可以作为信息存储器，用于存储用户的身份识别信息、用户的个人信息等。

其中，第二SIM卡52上存储的用户身份识别信息与第一SIM卡51上存储的用户身份识别信息是不同的。例如，第一SIM卡51上存储用户的第一身份识别信息，例如用于表示用户身份的第一电话号码。第二SIM卡52上存储用户的第二身份识别信息，例如用于表示用户身份的第二电话号码。此外，第一SIM卡51上存储的用户个人信息与第二SIM卡52上存储的用户个人信息可以相同或者部分相同，也可以不同。

需要说明的是，终端设备1上安装第二SIM卡52后，终端设备1才能通过第二SIM卡52上存储的信息与基站2或其他终端设备1进行通信。

示例性的，以下以第一SIM卡51为主卡，第二SIM卡52为副卡，进行举例说明，后续不再赘述。当然，第二SIM卡52也可以作为主卡，第一SIM卡51也可以作为副卡，本申请实施例对此不进行任何限制。其中，主卡可以理解为用户进行单卡通信时所使用的SIM卡；主卡通信所利用的发射通路为现有技术中已有的一套发射通路。

除此之外，终端设备1还可以包括应用子系统，该应用子系统可作为终端设备1的主控制系统或主计算系统，用于运行主操作系统和应用程序，管理整个终端设备1的软硬件资源，并可为用户提供用户操作界面。应用子系统可包括一个或多个处理核心。此外，应用子系统中也可以包括与其他子系统（例如基带子系统10）相关的驱动软件。基带子系统10也可以包括一个或多个处理核心，以及硬件加速器和缓存等。

应理解，上述仅为针对终端设备1的结构的一种示例，终端设备1也可以包括其他子系统或器件，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

在上述基础上，为了满足终端设备以低成本实现双卡双通的需求，本申请实施例提供了一种射频前端电路22。图5示出了一种射频前端电路22的示意图，图6示出了另一种射频前端电路22的示意图。

如图5和图6所示，该射频前端电路22包括：第一低频发射通路221、第一中高频发射通路222、第二低频发射通路223、第二中高频发射通路224。

应理解，该四个发射通路分别与射频收发芯片21和天线子系统30电连接，用于将射频收发芯片21发送的射频信号进行一系列处理后再输出给天线子系统30中的天线，然后再利用天线进行发射。例如，第一低频发射通路221分别与射频收发芯片21和天线子系统30电连接，将射频收发芯片21发送的射频信号进行处理后传输给天线子系统30中的天线，然后利用天线进行发射。第一中高频发射通路222分别与射频收发芯片21和天线子系统30电连接，将射频收发芯片21发送的射频信号进行处理后传输给天线子系统30中的天线，然后利用天线进行发射。第二低频发射通路223分别与射频收发芯片21和天线子系统30电连接，将射频收发芯片21发送的射频信号进行处理后传输给天线子系统30中的天线，然后利用天线进行发射。第二中高频发射通路224分别与射频收发芯片21和天线子系统30电连接，将射频收发芯片21发送的射频信号进行处理后传输给天线子系统30中的天线，然后利用天线进行发射。

此外，该四个发射通路与射频收发芯片21的连接之间，还可以连接其他器件；该四个发射通路分别与天线子系统30的连接之间，也还可以连接其他器件；两处的器件和连接关系可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

其中，第一低频发射通路221和第一中高频发射通路222可以组成一组发射通路，用于覆盖第一SIM卡51相关所有频段的射频信号，换句话说，第一SIM卡51通信时，射频收发芯片21对应产生的低频射频信号，可以通过第一低频发射通路221进行放大后传输给天线进行发射；第一SIM卡51通信时，射频收发芯片21对应产生的中高频射频信号，可以通过第一中高频发射通路222进行放大后传输给天线进行发射。

同理，第二低频发射通路223和第二中高频发射通路224可以组成一组发射通路，用于覆盖第二SIM卡52所有频段的射频信号，换句话说，第二SIM卡52通信时，射频收发芯片21对应产生的低频射频信号，可以通过第二低频发射通路223进行放大后传输给天线进行发射；第二SIM卡52通信时，射频收发芯片21对应产生的中高频射频信号，可以通过第二中高频发射通路224进行放大后传输给天线进行发射。

应理解，第一SIM卡51和第二SIM卡52通信时，射频收发芯片21对应产生的低频射频信号不同，对应产生的中高频射频信号也不同。对应同一张SIM卡，射频收发芯片21对应的不同制式下的低频射频信号也不同，不同制式下的中高频信号也不同。

在本申请实施例中，可以将第一SIM卡51对应的中高频射频信号根据制式的不同，将非GSM信号中的中高频射频信号称为第一中高频射频信号S_MHB1，GSM信号中的中高频信号称为第四中高频射频信号S_MHB4；同理，第一SIM卡51对应的低频射频信号，也可以根据信号制式的不同，将非GSM信号中的低频射频信号称为第一低频射频信号S_LB1，GSM信号中的低频射频信号称为第四低频射频信号S_LB4。

第二SIM卡52对应的中高频射频信号根据信号制式的不同，将GSM信号中的中高频射频信号称为第二中高频射频信号S_MHB2，将非GSM信号中的中高频射频信号称为第三中高频射频信号S_MHB3；同理，第二SIM卡52对应的低频射频信号，也根据信号制式的不同，将GSM信号中的低频射频信号称为第二低频射频信号S_LB2，将非GSM信号中的低频射频信号称为第三低频射频信号S_LB3。

其中，GSM信号中的中高频射频信号包括GSM 1800 MHz至GSM 1900 MHz频段之间的信号，GSM信号中的低频射频信号包括GSM 850 MHz至GSM 900 MHz频段之间的信号。

这样，当终端设备包括第一SIM卡51和第二SIM卡52时，基于本申请的通信需求，第一SIM卡51对应的信号将包括非GSM信号中的第一中高频射频信号S_MHB1和非GSM信号中的第一低频射频信号S_LB1，GSM信号中的第四中高频射频信号S_MHB4和GSM信号中的第四低频射频信号S_LB4。第二SIM卡52对应的信号将包括GSM信号中的第二中高频射频信号和GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2，以及非GSM信号中的第三中高频射频信号S_MHB3和非GSM信号中的第三低频射频信号S_LB3。

基于此，第一SIM卡51的非GSM信号中的第一低频射频信号S_LB1可以利用第一低频发射通路进行放大；第一SIM卡51中的非GSM信号中的第一中高频射频信号S_MHB1可以利用第一中高频发射通路222进行放大；第二SIM卡52的GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2和第二SIM卡52的非GSM信号中的第三低频射频信号S_LB3可以利用第二低频发射通路223进行放大；第二SIM卡52的GSM信号中的第二中高频射频信号S_MHB2和第二SIM卡52的非GSM信号中的第三中高频射频信号S_MHB3可以利用第二中高频发射通路224进行放大。

此外，第一SIM卡51的GSM信号中的第四中高频射频信号S_MHB4可以以时分复用的方式，利用第二中高频发射通路224进行放大；GSM信号中的第四低频射频信号S_LB4也可以以时分复用的方式，利用第二低频发射通路223进行放大。

其中，时分复用指的是多路信号在同一通路上占用不同时间片段进行传输。例如，第四中高频射频信号S_MHB4通过第二中高频发射通路224进行放大时，与第二SIM卡52的第三中高频射频信号S_MHB3放大的时间片段不同；第四低频射频信号S_LB4通过第二低频发射通路223进行放大时，与第二SIM卡52的信号的第三低频射频信号S_LB3放大的时间片段不同。

应理解，第一SIM卡51的GSM信号指的是终端设备通过第一SIM卡51中存储的信息以第二待移动通信技术与基站2或其他终端设备进行无线通信时的信号。第二SIM卡52的GSM信号指的是终端设备通过第二SIM卡52中存储的信息以第二代移动通信技术与基站2或其他终端设备进行无线通信时的信号。

第一SIM卡51的非GSM信号指的是终端设备通过第一SIM卡51中存储的信息以第三代移动通信技术、第四代移动通信技术或第五代移动通信技术，与基站2或其他终端设备进行无线通信时的信号。第二SIM卡52的非GSM信号指的是终端设备通过第二SIM卡52中存储的信息以第三代移动通信技术、第四代移动通信技术或第五代移动通信技术，与基站2或其他终端设备进行无线通信时的信号。

可选地，为了节约成本，第一低频发射通路和第一中高频发射通路222可以使用相关技术中实现单通时已有的射频发射通路。

示例性的，结合图3所示，第一低频发射通路可以为A所示的区域中的低频发射通路，包括低频放大单元（LB PA）、滤波器和射频开关，以对非GSM信号中的低频信号进行放大。

第一中高频发射通路222可以为A所示的区域中的中高频发射通路，包括中高频放大单元（MHB PA）、滤波器和射频开关，以对非GSM信号中的中高频信号进行放大。

应理解，由于对原有的低频发射通路和高频发射通路进行了利用，且无需改变其内部结构，因此，可以节约一定成本；又因为去除了原有A中所示的独立设置的支持GSM制式的PA（GSM PA），所以，空间上可以进行一定的减小，提高了电路的集成度，进而也能节约一定成本。

而第二低频发射通路223和第二中高频发射通路224为本申请实施例新增的发射通路，其中，第二低频发射通路223用于放大包括GSM信号在内所有制式下的低频频段的信号，第二中高频发射通路224用于放大包括GSM信号在内所有制式下的中高频频段的信号，例如2G、3G、4G和5G信号中的中高频信号；或者，第二低频发射通路223和第二中高频发射通路224中涉及的功率放大器也可以复用单通时已有的独立设置的GSM PA，并对其进行优化设计，使其还能支持3G、4G和5G信号，此时，相对于相关技术，本申请相当于节省的是图3所示的区域B中的功率放大器，同样可以减小一些空间，节约一定成本。

由此，将第一低频发射通路和第一中高频发射通路222作为第一SIM卡51的非GSM信号对应的发射通路，在第一SIM卡51进行通信时覆盖非GSM信号下所有频段的信号的发射；将第二低频发射通路223和第二中高频发射通路224作为第二SIM卡52非GSM信号和GSM信号对应的发射通路，在第二SIM卡52进行通信时覆盖非GSM信号和GSM信号下所有频段的信号的发射。此外，还将第二低频发射通路223和第二中高频发射通路224作为第一SIM卡51的GSM信号对应的发射通路，第一SIM卡51的GSM信号和第二SIM卡52的GSM信号分时工作。由于两组发射通路互不影响，因此，基于本申请实施例提供的射频前端电路22的结构，当第二SIM卡52进行通信时，不会影响第一SIM卡51的交互和使用；当第一SIM卡51进行通信时，也不会影响第二SIM卡52的交互和使用，也即是说，基于本申请实施例提供的射频前端电路22的结构，可以实现双卡双通。

本申请实施例提供了一种射频前端电路，通过设置一组第一低频发射通路和第一中高频发射通路来分别对第一SIM卡的非GSM信号中的低频射频信号和中高频射频信号进行放大；还通过增加设置一组第二低频发射通路和第二中高频发射通路来分别对第二SIM卡的GSM信号、非GSM信号中的低频射频信号和中高频射频信号进行放大，以及第二低频发射通路和第二中高频发射通路还可以分时对第一SIM卡的GSM信号中的低频射频信号和中高频射频信号进行放大，由于两组发射通路互不影响，从而可以实现双卡双通。

此外，相对现有技术中的电路，本申请实施例提供的射频前端电路省略了独立的支持GSM制式的功率放大器，新增了能支持所有制式的信号的第二低频发射通路和第二中高频发射通路；或者说，本申请实施例提供的射频前端电路复用独立的支持GSM制式的功率放大器，来作为新增的第二频发射通路和第二中高频发射通路中的功率放大器，并对其优化，使其在支持GSM制式的同时，能支持其他制式的信号，由此可见，相对于相关技术，本申请减小了功率放大器，增加了集成度，降低了成本。

实施例1

图5和图6分别示出了本申请实施例提供的一种射频前端电路22的结构示意图。

其中，图5和图6中的射频前端电路22中的第一中高频发射通路222和第一低频发射通路221，可以沿用相关技术中已有的一套覆盖低频和中高频所有频段的发射通路，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

示例性的，图7和图8分别示出了图5对应的一种射频前端电路22的结构示意图。如图7和图8所示，第一中高频发射通路222可以包括第一中高频放大单元MHB1。

第一中高频放大单元MHB1用于放大第一SIM卡51的非GSM信号中的第一中高频射频信号S_MHB1。例如，第一中高频放大单元可支持放大3G、4G、5G信号中的中高频射频信号。

第一中高频发射通路222还可以包括第三切换开关、多个第三滤波器和第三天线开关。第三切换开关、第三天线开关可以为单刀多掷开关、双刀多掷开关等。当然，第一中高频发射通路222还可以包括其他器件，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

如图7和图8所示，在第一中高频发射通路222中，第一中高频放大单元MHB1的输出端与第三切换开关的第一端相连接，第三切换开关的多个第二端与多个第三滤波器的第一端一一对应连接，多个第三滤波器的第二端与第三天线开关的多个第一端一一对应连接，此外，第三天线开关的第二端与第一中高频天线MHB ANT1、第二中高频天线MHB ANT2相连接。

应理解，当第三切换开关中的第一端与不同的第二端导通时，第三切换开关可以将第一中高频放大单元放大后的第一SIM卡51的非GSM信号中的第一中高频射频信号S_MHB1，根据信号频段的不同，发送给不同的第三滤波器进行滤波。第三滤波器滤波处理后的射频信号，经第三天线开关切换后从相连接的第一中高频天线MHB ANT1和/或第二中高频天线MHB ANT2发射至空间中。

示例性的，图9示出了另一种第一中高频发射通路222的结构示意图。

如图9所示，第一中高频发射通路222中的第一中高频放大单元MHB1可以包括第一中频功率放大器MB1 PA和第一高频功率放大器HB1 PA。

其中，第一中频功率放大器MB1 PA和第一高频功率放大器HB1 PA的输入端可以分别与射频收发芯片21相连接，输出端分别与各自对应的一个第三切换开关相连接。

在工作阶段，第一中频功率放大器MB1 PA用于放大第一SIM卡51的非GSM信号中的第一中频射频信号，第一高频功率放大器HB1 PA用于放大第一SIM卡51的非GSM信号中的第一高频射频信号；第一高频射频信号的频率大于第一中频射频信号的频率。

可选地，如图7和图8所示，第一低频发射通路221可以包括第一低频放大单元LB1。

第一低频发射放大单元LB1用于放大第一SIM卡51的非GSM信号中的第一低频射频信号S_LB1。例如，第一低频发射放大单元LB1可支持放大3G、4G、5G信号中的低频射频信号。

第一低频发射通路221还可以包括第四切换开关、多个第四滤波器和第四天线开关。第四切换开关、第四天线开关可以为单刀多掷开关、双刀多掷开关等。当然，第一低频发射通路221还可以包括其他器件，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

第一低频放大单元221的输出端与第四切换开关的第一端相连接，第四切换开关的多个第二端与多个第四滤波器的第一端一一对应连接，多个第四滤波器的第二端与第四天线开关的多个第一端一一对应连接，第四天线开关的第二端与第二低频天线相连接。

应理解，当第四切换开关中的第一端与不同的第二端导通时，第四切换开关可以将第一低频发射放大单元LB1放大后的第一SIM卡51的非GSM信号中的第一低频射频信号S_LB1，根据信号频段的不同，发送给不同的第四滤波器进行滤波。第四滤波器处理后的射频信号，经第四天线开关切换后从相连接的第一低频天线LB ANT1和/或第二低频天线LBANT2发射至空间中。

其中，上述第三切换开关和第四切换开关可以相同，也可以不同；第三滤波器和第四滤波器可以相同，也可以不同；第三天线开关和第四天线开关可以相同，也可以不同，器件的具体结构、数量均可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

应理解，上述仅为对第一低频发射通路221和第一中高频发射通路222的一种举例，其具体结构可以根据需要进行设置和调整，本申请实施例对此不进行任何限制。

在上述基础上，下面对本申请实施例提供的第二中高频发射通路224和第二低频发射通路223进行详细说明。

可选地，如图5至图8所示，第二中高频发射通路224可以包括第二中高频放大单元MHB2。

第二中高频放大单元MHB2用于放大第二SIM卡52的GSM信号中的第二中高频射频信号S_MHB2和第二SIM卡52的非GSM信号中的第三中高频射频信号S_MHB3。例如，第二中高频放大单元可支持放大2G、3G、4G、5G信号中的中高频射频信号。

第二中高频发射通路224还可以包括第一切换开关、多个第一滤波器和第一天线开关。第一切换开关、第一天线开关可以为单刀多掷开关、双刀多掷开关等。当然，第二中高频发射通路224还可以包括其他器件，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

此外，第二中高频放大单元MHB2还用于放大第一SIM卡51的GSM信号中的第四中高频射频信号S_MHB4。

可选地，如图5至图8所示，第二低频发射通路223可以包括第二低频放大单元LB2。

第二低频放大单元LB2用于放大第二SIM卡52的GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2和第二SIM卡52的非GSM信号中的第三低频射频信号S_LB3。

例如，第二低频放大单元可支持放大2G、3G、4G、5G信号中的低频射频信号。

第二低频发射通路223还可以包括第二切换开关、多个第二滤波器和第二天线开关。第二切换开关、第二天线开关可以为单刀多掷开关、双刀多掷开关等。当然，第二低频发射通路223还可以包括其他器件，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

此外，第二低频放大单元LB2还用于放大第一SIM卡51的GSM信号中的第四低频射频信号S_LB4。

在此基础上，可选地，作为一种示例，如图5所示，第二中高频发射通路224的第二中高频放大单元、第一切换开关和第一低频发射通路221，可以集成在一个模组中，例如图5所示的第一功率放大器模组P1中，而第二低频发射通路223中的第二低频放大单元、第二切换开关和第一中高频发射通路222，可以集成在另一模组中，例如图5所示的第二功率放大器模组P2中。

可选地，作为另一种示例，如图6所示，第一低频发射通路221和第一中高频发射通路222可以集成在第一功率放大器模组P1中；而第二中高频发射通路224中的第二中高频放大单元和第一切换开关、第二低频发射通路223中的第二低频放大单元和第二切换开关可以集成在第二功率放大器模组P2中。

应理解，此处，将一组低频放大单元和中高频放大单元集成一个功率放大器模组中，可以避免工作在相同频率的两个放大单元在工作时互相干扰，例如，可以避免两个低频放大单元在工作时相互干扰。

此处，第二中高频放大单元和第二低频放大单元可以为本申请新增的放大单元，或者，是复用相关技术中已有独立设置的GSM PA，并对其进行优化设计，使其能够支持2G、3G、4G、5G信号。

下面结合图7、图8和图10对上述两种示例中的发射通路进一步进行举例说明。图7为图5对应的一种射频前端电路22的结构示意图，图8为图5对应的另一种射频前端电路22的结构示意图，图10为图6对应的一种射频前端电路22的结构示意图。

如图7所示，在第二中高频发射通路224中，第二中高频放大单元的输入端可以与射频收发芯片21相连接，或者，如图8所示，第二中高频放大单元的输入端与射频收发芯片21之间可以通过第一输入开关相连接，该第一输入开关可以包括多个第一端和一个第二端，多个第一端分别与射频收发芯片21的多个端口相连接，一个第二端可以与第二中高频放大单元的输入端相连接，该第一输入开关用于将射频收发芯片21不同端口提供的第二SIM卡52的中高频信号，根据制式不同，切换后输入至第二中高频放大单元进行放大。

如图7和图8所示，在第二中高频发射通路224中，第一切换开关可以包括一个第一端，多个第二端，基于此，第一中高频放大单元的输出端与第一切换开关的第一端相连接，第一切换开关的多个第二端分别与多个第一滤波器的第一端一一对应连接；多个第一滤波器的第二端与第一天线开关的多个第一端一一对应连接，而第一天线开关的第二端可以与第三中高频天线MHB ANT3相连接（如图7所示），或者，第一天线开关的第二端也可以通过第一中高频发射通路222中所包括的第三天线开关，与第一中高频天线MHB ANT1和第二中高频天线MHB ANT2间接相连接（图中未示出）。

应理解，当第一切换开关中的第一端与第一切换开关中的不同的第二端导通时，第一切换开关可以将第二中高频放大单元放大后的第二SIM卡52的非GSM信号中的第三中高频射频信号S_MHB3，根据频段的不同，从不同的输出端口（例如MHB2_out1、MHB2_out2、MHB2_out3）发送给不同的第一滤波器进行滤波。第一滤波器滤波处理后的射频信号，经第一天线开关切换后，可以从相连接的第三中高频天线（MHB ANT3）发射至空间中，或者，经第一中高频发射通路222中所包括的第三天线开关，从第一中高频天线MHB ANT1和/或第二中高频天线MHB ANT2发射至空间中。

如图7和图8所示，第一切换开关还可以将第二中高频放大单元放大后的第二SIM卡52的GSM信号中的第二中高频射频信号S_MHB2，或者第一SIM卡51的GSM信号中的第四中高频射频信号S_MHB4，从另一输出端口（例如GSM MHB2_out）输出，经过第一中高频发射通路222中所包括的第三天线开关，发送给第一中高频发射通路222所连接的第一中高频天线（MHB ANT1）和/或第二中高频天线（MHB ANT2），以利用第一中高频天线（MHB ANT1）和/或第二中高频天线（MHB ANT2）发射至空间中。

应理解，通常原有的第一中高频发射通路222所连接的第一中高频天线（MHBANT1）和第二中高频天线（MHB ANT2）的性能，相对于新增的第三中高频天线（MHB ANT3）性能较好，因此，可以将第二中高频放大单元放大后的第二SIM卡52的GSM信号中的第二中高频射频信号S_MHB2，利用第一中高频天线（MHB ANT1）和/或第二中高频天线（MHB ANT2）发射至空间中，以提高信号质量。当然，也可以根据需要利用其他方式进行发射，本申请实施例对此不进行任何限制。

如图7所示，在第二低频发射通路223中，第二低频放大单元的输入端可以与射频收发芯片21相连接，或者，如图8所示，第二低频放大单元的输入端与射频收发芯之间可以通过第二输入开关相连接，该第二输入开关可以包括多个第一端和一个第二端，多个第一端分别与射频收发芯片21的多个端口相连接，一个第二端可以与第二低频放大单元的输入端相连接，该第二输入开关用于将射频收发芯片21不同端口提供的第二SIM卡52的不同制式的低频信号，切换后输入至第二低频放大单元进行放大。

如图7和图8所示，在第二低频发射通路223中，第二切换开关可以包括一个第一端，多个第二端，基于此，第二低频放大单元的输出端与第二切换开关的第一端相连接，第二切换开关的多个第二端与多个第二滤波器的第一端一一对应连接；多个第二滤波器的第二端与第二天线开关的多个第一端一一对应连接，而第二天线开关的第二端可以与第三低频天线LB ANT3相连接（如图7所示），或者，如图8所示，第二天线开关的第二端可以通过第一低频发射通路221中所包括的第四天线开关，与第一低频天线LB ANT1和第二低频天线LBANT2间接相连接。

应理解，当第二切换开关中的第一端与第二切换开关中的不同的第二端导通时，第二切换开关可以将第二低频放大单元放大后的第二SIM卡52的非GSM信号中的第三低频射频信号S_LB3，根据频段的不同，从不同的输出端口（例如LB2_out1、LB2_out2、LB2_out3）发送给不同的第二滤波器进行滤波。第二滤波器处理后的射频信号，经第二天线开关切换后从相连接的第三低频天线（LB ANT3）发射至空间中，或者，经第一低频发射通路221中所包括的第四天线开关，从第一低频天线（LB ANT1）和/或第二低频天线（LB ANT2）发射至空间中。

如图7和图8所示，第二切换开关还可以将第二低频放大单元放大后的第二SIM卡52的GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2，或者第一SIM卡51的GSM信号中的第四低频射频信号S_LB4，从另一输出端口（例如GSM LB2_out）输出，经第一低频发射通路221中包括的第四天线开关，发送给第一低频发射通路221所连接的第一低频天线（LB ANT1）和/或第二低频天线（LB ANT2），以利用第一低频天线（LB ANT1）和/或第二低频天线（LB ANT2）发射至空间中。

应理解，通常原有的第一低频发射通路221所连接的第一低频天线（LB ANT1）和第二低频天线（LB ANT2）的性能，相对于新增的第三低频天线（LB ANT3）性能较好，因此，可以将第二低频放大单元放大后的第二SIM卡52的GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2，利用第一低频天线（LB ANT1）和/或第二低频天线（LB ANT2）发射至空间中，以提高信号质量。当然，也可以根据需要利用其他方式进行发射，本申请实施例对此不进行任何限制。

应理解，上述第一输入开关和第二输入开关可以相同，也可以不同；第一切换开关和第二切换开关可以相同，也可以不同；第一滤波器和第二滤波器可以相同，也可以不同；第一天线开关和第二天线开关可以相同，也可以不同，具体可以根据需要进行设置，本申请实施例对此不进行任何限制。

此外，第一切换开关、第二切换开关、第三切换开关、第四切换开关可以相同，也可以不同；第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器和第四滤波器可以相同，也可以不同；第一天线开关、第二天线开关、第三天线开关和第四天线开关可以相同，也可以不同，具体可以根据需要进行设置，本申请实施例对此不进行任何限制。

结合上述所述的发射通路，本申请实施例提供的电源子系统40还包括第一电源和第二电源。

如图7所示，第一电源用于为第一低频发射通路221中的第一低频放大单元和第一中高频发射通路222中的第一中高频放大单元提供第一电压；第二电源用于为第二低频发射通路223的第二低频放大单元和第二中高频发射通路224中的第二中高频放大单元提供第二电压。

如图8和图10所示，或者，第一电源用于为第一低频发射通路221中的第一低频放大单元和第二中高频发射通路224中的第二中高频放大单元提供第一电压；第二电源用于为第一中高频发射通路222中的第一中高频放大单元和第二低频发射通路223中的第二低频放大单元提供第二电压。

其中，第一电压和第二电压可以相同，也可以不同，本申请实施例对此不进行任何限制。

可选地，如图7所示，第一电源和第一低频放大单元、第一中高频放大单元之间还可以连接第一电源开关，该第一电源开关用于进行切换，将第一电源输出的第一电压提供给第一低频放大单元或第一中高频放大单元。第二电源和第二低频放大单元、第二中高频放大单元之间还可以连接第二电源开关，该第二电源开关用于进行切换，将第二电源输出的第二电压提供给第二低频放大单元或第二中高频放大单元。

应理解，相同频率的放大单元在工作时，为避免利用相同的电源进行供电产生干扰，因此，需利用不同的电源对工作于相同频率的放大单元进行供电。另外，放大单元在工作时有电流产生，在不改变电源输出的情况下，若多个放大单元共用一个电源，将会增加电源的负载，导致电源无法满足需求。结合这两方面原因，本申请设置两个电源，以分开提供电压给两组发射通路。当然，也可以利用3个或3个以上电源分别对不同的放大单元进行供电，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

还应理解，在5G组网形式中，采用LTE与NR进行组网的方式占据了相当的比例，也即ENDC，那么，支持LTE与NR双制式同时工作的终端设备，就存在LTE制式的业务与NR制式的业务同时工作的场景。相关技术为了满足该需求，需要新增一颗低频的功率放大器，这样就会产生增加面积和成本的问题。而在本申请实施例中，通过第二低频发射通路223中的第二低频放大单元即可实现此功能，无需再增加功率放大器，同时也避免了面积和成本增加的问题。本申请实施例提供的射频前端电路22，还可以支持多频段的UL MIMO和ENDC组合。

除此之外，在上述射频前端电路22中，通常还会设置低噪声放大器和第四套天线等，例如，低噪声放大器用于对接收的信号进行放大；第四套天线可以包括第四中高频天线MHB ANT4和第四低频天线LB ANT4，第四中高频天线接收信号中的中高频信号，第四低频天线用于接收信号中的低频信号。当然，低噪声放大器和天线的数量也可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

实施例2

图11和图12分别示出了本申请实施例提供的又一种射频前端电路22的结构示意图。

其中，图11和图12中的射频前端电路22中的第一中高频发射通路222和第一低频发射通路221，可以沿用相关技术中已有的一套覆盖低频和中高频所有频段的发射通路，具体可以根据需要进行设置和修改，本申请实施例对此不进行任何限制。

可选地，如图11所示，第一低频发射通路221和第二中高频发射通路224可以集成在第一功率放大器模组P1中，第一中高频发射通路222和第二低频发射通路223可以集成在第二功率放大器模组P2中。

可选地，如图12所示，第一低频发射通路221和第一中高频发射通路222可以集成在第一功率放大器模组P1中，第二低频发射通路223和第二中高频发射通路224可以集成在第二功率放大器模组P2中。

示例性的，图13为图11对应的一种射频前端电路22的结构示意图，图14为图10对应的一种射频前端电路22的结构示意图。

第一中高频发射通路222和第一低频发射通路221的结构，第二低频发射通路223和第二中高频发射通路224的结构，均可以参考上述实施例1中的描述，在此不再赘述。

结合上述发射通路，本申请实施例提供的电源子系统40可以包括第一电源和第二电源。

第一电源和第二电源的连接方式可以参考实施例1中的描述，在此不再赘述。

此外，第一功率放大器模组、第二功率放大器模组可以为集成滤波器的功率放大器模组PAMiD，或者，也可以为集成低噪声放大器的功率放大器模组L-PAMiD。

应理解，相对于实施例1，实施例2中将第一低频发射通路221和第二中高频发射通路224中的所有器件集成在第一功率放大器模组P1中，将第一中高频发射通路222和第二低频发射通路223的所有器件集成在第二功率放大器模组P2中，集成度更高，成本更低，面积更小，应用于终端设备中时所占用的面积就更小。

实施例3

图15示出了本申请实施例提供的又一种射频前端电路22的结构示意图。

可选地，如图15所示，第一低频发射通路221中的第一低频放大单元、第四单刀多掷开关和第一中高频发射通路222中的第一中高频放大单元、第三单刀多掷开关可以集成在第一器件P11中。

第二低频发射通路223中的第二低频放大单元和第二中高频发射通路224中的第二中高频放大单元可以集成在第二器件P12中。

或者，第二低频发射通路223中的第二低频放大单元、第二切换开关和第二中高频发射通路224中的第二中高频放大单元、第一切换开关可以集成在第二器件P12中。

示例性的，图16为图15对应的一种射频前端电路22的结构示意图。

第一中高频发射通路222和第一低频发射通路221的结构，第二低频发射通路223和第二中高频发射通路224的结构，均可以参考上述实施例1中的描述，在此不再赘述。

结合上述所述的发射通路，本申请实施例提供的电源子系统40可以包括第一电源和第二电源。

第一电源和第二电源的连接方式可以参考实施例1中的描述，在此不再赘述。

应理解，相对于实施例1和实施例2，实施例3仅将发射通路中的放大单元和/或切换开关进行集成，其他器件则可以根据需要进行选择和更改，使用更灵活。

上面结合图4至图16对本申请实施例提供的射频前端电路22的结构进行详细了介绍，下面结合附图对本申请实施例提供的对GSM、3G、4G、5G均能支持的第二中高频放大单元和第二低频放大单元进行详细介绍。

图17为相关技术提供的一种放大单元的结构示意图。

如图17所示，放大单元通常包括功率放大器、开关子电路和偏置子电路。

其中，开关子电路包括输入开关和输出开关，功率放大器的输入端可以与输入开关相连接，功率放大器的输出端可以与输出开关相连接。此外，功率放大器还与偏置子电路相连接，偏置子电路还与互补金属氧化物半导体（complementary metal oxidesemiconductor，CMOS）控制器相连接，其中，CMOS控制器也属于图4所示的前端射频电路22中的一部分。

基于上述结构，开关子电路负责在不同制式之间切换，也即用于选择GSM、3G、4G、5G信号的输入和输出。偏置子电路用于为功率放大器提供基极电压，以使得功率放大器可以处于工作状态。

CMOS控制器由MIPI（mobile industry processor interface）控制，CMOS控制器可以根据控制信号的不同，输出不同的电压状态给偏置电路，从而使功率放大器工作在不同的状态，实现非GSM制式和GSM双模式。

示例性的，如图17所示，3G、4G、5G制式以LTE、NR为例进行示意，输入开关可以为单刀双掷开关，两个第一端用于分开接收非GSM信号和GSM信号，一个第二端与功率放大器进行连接，输入开关用于将接收到的非GSM信号或GSM信号传输给功率放大器。

当功率放大器接收到非GSM信号时，根据控制信号调整到非GSM制式下对应的状态，然后对接收到的非GSM信号进行放大。当功率放大器接收到GSM信号时，根据另一控制信号调整到GSM制式下对应的状态，然后对GSM信号进行放大。

输出开关可以为单刀多掷开关，一个第一端与功率放大器的输出端相连接，多个第二端均作为输出端，用于根据频段的不同，分开输出放大后的非GSM信号和GSM信号。示例性的，如图17所示，输出开关包括三个第二端（LTE/NR OUT1、LTE/NR OUT2和GSM OUT），第二端LTE/NR OUT1和第二端LTE/NR OUT2用于根据频段的不同分开输出放大后的非GSM信号，第二端GSM OUT用于输出放大后的GSM信号。

需要说明的是，GSM高频段（例如DCS1800频段和PCS1900频段）功率放大器的饱和功率要求为33.5dBm~34dBm左右，LTE/NR中频段功率放大器的功率要求也在33.5dBm~34dBm左右，两者功率要求基本相同，因此，该两种功率模式可以复用相同大小的功率放大器来实现。也就是说，该两种功率模式可以利用如图17所示的放大单元来实现放大功能。

此时，前述实施例中的第二中高频放大单元即可为上述图17所示的放大单元，不需要任何改变，复用该功率放大器，即可对GSM中高频段和LTE/NR中高频段的信号均实现放大功能。

而GSM低频段（例如GSM850频段和GSM900频段）功率放大器的饱和功率要求为36dBm左右，LTE/NR低频段功率放大器的饱和功率要求只有33.5-34dBm左右，两者功率相差较大。如果直接复用GSM 低频段功率放大器进行LTE/NR制式的支持，则会由于功率放大器较大，LTE/NR工作功率比饱和功率回退太多导致产生效率低的问题，所以，LTE/NR制式直接复用GSM 低频段功率放大器非最佳选择，因此，本申请提出下述方案以解决GSM低频段功率放大器与LTE/NR低频段功率放大器复用的问题。

示例性的，图18为本申请实施例提供的一种第二低频放大单元的结构示意图。

如图18所示，第二低频放大单元可以包括分路器、输入开关、第一功率放大器、第二功率放大器、输出开关、合路器、第一偏置子电路和第二偏置子电路。

输入开关的第一端用于接收第二SIM卡52的非GSM信号中的第三低频射频信号S_LB3，分路器的第一端用于接收第二SIM卡52的GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2。

分路器的第二端与输入开关的第三端相连接，分路器的第三端与第二功率放大器的输入端相连接，输入开关的第二端与第一功率放大器的输入端相连接。

输入开关用于根据制式进行切换，选择输入非GSM信号中的第三低频射频信号S_LB3或GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2。

分路器用于将输入的多种频段的GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2分离为单一的频段，并输出到不同的通信线路中。例如，在本申请实施例中，分路器为3dB分路器，该分路器将第二低频射频信号S_LB2分离成两路信号，例如第一子信号和第二子信号，第一子信号提供给输入开关的第三端，第二子信号提供给第二功率放大器的输入端。

第一功率放大器的输出端与输出开关的第一端相连接，第一功率放大器还与第一偏置子电路相连接。第一功率放大器用于在第一偏置子电路的控制下，对非GSM信号中的第三低频射频信号S_LB3进行放大，或者对合路器提供的第一子信号进行放大。

第二功率放大器的输出端与合路器的第一端相连接，第二功率放大器还与第二偏置子电路相连接。第二功率放大器用于在第二偏置子电路的控制下，对合路器提供的第二子信号进行放大。

输出开关的第二端与合路器的第二端相连接，合路器用于将放大后的第一子信号和放大后的第二子信号合成成一路信号，然后从合路器的第四端输出，该输出的信号即为放大后的GSM信号中的第二低频射频信号S_LB2。

输出开关的第三端（LTE/NR OUT1）和/或第四端（LTE/NR OUT2）用于将放大后的非GSM信号中的第三低频射频信号S_LB3输出。

可选地，第一偏置子电路还可以与第一CMOS控制器、第二CMOS控制器均相连接，第二偏置子电路还可以与第二CMOS控制器相连接。

第一偏置子电路用于为第一功率放大器提供基极电压，以使得第一功率放大器可以处于工作状态。第二偏置子电路用于为第二功率放大器提供基极电压，以使得第二功率放大器可以处于工作状态。

在此基础上，当第一偏置子电路与第一CMOS控制器和第二CMOS控制器均相连接时，第二偏置子电路与第二CMOS控制器相连接时，第一CMOS控制器可以根据控制信号，输出第一电压状态给第一偏置子电路，使第一功率放大器工作，实现支持非GSM制式。第二CMOS控制器可以根据控制信号的不同，输出第二电压状态给第一偏置子电路和第二偏置子电路，当输出第二电压状态给第一偏置子电路时，使第一功率放大器工作，实现支持GSM制式，当输出第二电压状态给第二偏置子电路时，使第二功率放大器工作，实现支持GSM制式。

由此，本申请通过上述图18所示的第二低频放大单元，在GSM制式下，可以使用两组功率放大器进行功率放大，在非GSM制式下，可以仅使用一组功率放大器进行功率放大，且与相关技术中的功率放大器相比，不会增加额外的输出端损耗，因此，在实现GSM制式下低频大功率输出的同时，也可以实现较好的非GSM制式的性能。

上面结合附图对本申请实施例提供的射频前端电路22的结构及射频前端电路22所包括的各部分的子电路的结构进行了详细描述，下面对其他相关设备进行介绍。

本申请实施例还提供一种芯片，包括如上所述的射频前端电路22。

本申请实施例还提供一种终端设备，包括如上所述的射频前端电路22和电源子系统40，电源子系统包括第一电源和第二电源；

第一电源用于为第一低频发射通路221中的第一低频放大单元和第一中高频发射通路222中的第一中高频放大单元提供第一电压；第二电源用于为第二低频发射通路223的第二低频放大单元和第二中高频发射通路224中的第二中高频放大单元提供第二电压。或者，第一电源用于为第一低频发射通路221中的第一低频放大单元和第二中高频发射通路224中的第二中高频放大单元提供第一电压；第二电源用于为第一中高频发射通路222中的第一中高频放大单元和第二低频发射通路223中的第二低频放大单元提供第二电压。

上述本申请实施例提供的终端设备、芯片所能达到的有益效果可参考上文所提供的方法对应的有益效果，在此不再赘述。

应理解，上述只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本申请实施例，而非要限制本申请实施例的范围。本领域技术人员根据所给出的上述示例，显然可以进行各种等价的修改或变化，例如，上述检测方法的各个实施例中某些步骤可以是不必须的，或者可以新加入某些步骤等。或者上述任意两种或者任意多种实施例的组合。这样的修改、变化或者组合后的方案也落入本申请实施例的范围内。

还应理解，上文对本申请实施例的描述着重于强调各个实施例之间的不同之处，未提到的相同或相似之处可以互相参考，为了简洁，这里不再赘述。

还应理解，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

还应理解，本申请实施例中，“预先设定”、“预先定义”可以通过在设备(例如，包括电子设备)中预先保存相应的代码、表格或其他可用于指示相关信息的方式来实现，本申请对于其具体的实现方式不做限定。

还应理解，本申请实施例中的方式、情况、类别以及实施例的划分仅是为了描述的方便，不应构成特别的限定，各种方式、类别、情况以及实施例中的特征在不矛盾的情况下可以相结合。

还应理解，在本申请的各个实施例中，如果没有特殊说明以及逻辑冲突，不同的实施例之间的术语和/或描述具有一致性、且可以相互引用，不同的实施例中的技术特征根据其内在的逻辑关系可以组合形成新的实施例。

最后应说明的是：以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种射频前端电路，其特征在于，应用于包括第一SIM卡和第二SIM卡的终端设备，所述射频前端电路包括：第一低频发射通路、第一中高频发射通路、第二低频发射通路和第二中高频发射通路；

所述第一低频发射通路用于放大所述第一SIM卡的非全球移动通讯系统GSM信号中的第一低频射频信号；

所述第一中高频发射通路用于放大所述第一SIM卡的非GSM信号中的第一中高频射频信号；

所述第二低频发射通路用于放大所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号和所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号；

所述第二中高频发射通路用于放大所述第二SIM卡的GSM信号中的第二中高频射频信号和所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三中高频射频信号；

所述第二低频发射通路还用于以时分复用的方式放大所述第一SIM卡的GSM 信号中的第四低频射频信号；

所述第二中高频发射通路还用于以时分复用的方式放大所述第一SIM卡的GSM信号中的第四中高频射频信号；

其中，所述第一中高频射频信号的频率大于所述第一低频射频信号的频率；所述第二中高频射频信号的频率大于所述第二低频射频信号的频率；所述第三中高频射频信号的频率大于所述第三低频射频信号的频率；所述第四中高频射频信号的频率大于所述第四低频射频信号的频率。

2.根据权利要求1所述的射频前端电路，其特征在于，所述第二中高频发射通路包括：第二中高频放大单元、第一切换开关；

所述第二中高频放大单元的输出端与所述第一切换开关的第一端相连接，所述第一中高频放大单元用于放大所述第二SIM卡的GSM信号中的第二中高频射频信号和所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三中高频射频信号。

3.根据权利要求2所述的射频前端电路，其特征在于，所述第二中高频发射通路还包括：多个第一滤波器和第一天线开关；

所述第一切换开关的多个第二端与多个所述第一滤波器的第一端一一对应连接，多个所述第一滤波器的第二端与所述第一天线开关的多个第一端一一对应连接，所述第一天线开关的第二端与第一中高频天线和第二中高频天线相连接，或者，所述第一天线开关的第二端与第三中高频天线相连接；

所述第一中高频天线和所述第二中高频天线，或者，所述第三中高频天线用于将放大后的所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三中高频射频信号发射至空间中。

4.根据权利要求3所述的射频前端电路，其特征在于，所述第一中高频发射通路包括第三天线开关；

所述第一切换开关的另一个第二端与所述第三天线开关的第一端相连接，所述第三天线开关的第二端与所述第一中高频天线和所述第二中高频天线相连接；

所述第一中高频天线和所述第二中高频天线还用于将放大后的所述第二SIM卡的GSM信号中的第二中高频射频信号、或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四中高频射频信号发射至空间中。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的射频前端电路，其特征在于，所述第二低频发射通路包括：第二低频放大单元，第二切换开关；

所述第二低频放大单元的输出端与所述第二切换开关的第一端相连接，所述第二低频放大单元用于放大所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号和所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号。

6.根据权利要求5所述的射频前端电路，其特征在于，所述第二低频发射通路还包括：多个第二滤波器和第二天线开关；

所述第二切换开关的多个第二端与多个所述第二滤波器的第一端一一对应连接，多个所述第二滤波器的第二端与所述第二天线开关的多个第一端一一对应连接，所述第二天线开关的第二端与第一低频天线和第二低频天线相连接，或者，所述第二天线开关的第二端与第三低频天线相连接；

所述第一低频天线和所述第二低频天线，或者，所述第三低频天线用于将放大后的所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号发射至空间中。

7.根据权利要求6所述的射频前端电路，其特征在于，所述第一低频发射通路包括第四天线开关；

所述第二切换开关的另一个第二端与所述第四天线开关的第一端相连接，所述第四天线开关的第二端与所述第一低频天线和所述第二低频天线相连接；

所述第一低频天线和所述第二低频天线还用于将放大后的所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号、或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四低频射频信号发射至空间中。

8.根据权利要求7所述的射频前端电路，其特征在于，所述第二低频放大单元包括分路器、输入开关、第一功率放大器、第二功率放大器、输出开关和合路器；

所述输入开关的第一端用于接收所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号，所述输入开关的第二端与所述第一功率放大器的输入端相连接；

所述分路器的第一端用于接收所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号，或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四低频射频信号，所述分路器的第二端与所述输入开关的第三端相连接，所述分路器的第三端与所述第二功率放大器的输入端相连接，所述分路器用于将所述第二SIM卡的GSM信号中的第二低频射频信号，或者所述第一SIM卡的GSM信号中的第四低频射频信号分离成第一子信号和第二子信号；

所述第一功率放大器的输出端与所述输出开关的第一端相连接，所述第一功率放大器用于对所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号进行放大，或者对所述合路器提供的第一子信号进行放大；

所述第二功率放大器的输出端与所述合路器的第一端相连接，所述第二功率放大器用于对所述合路器提供的第二子信号进行放大；

所述输出开关的第二端与所述合路器的第二端相连接，所述合路器用于将放大后的第一子信号和放大后的第二子信号合成并从所述合路器的第四端输出；

所述输出开关的第三端用于输出所述放大后的所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号。

9.根据权利要求8所述的射频前端电路，其特征在于，所述第二低频放大单元还包括：第一偏置子电路和第二偏置子电路；

所述第一功率放大器还与第一偏置子电路相连接，所述第一功率放大器用于在所述第一偏置子电路的控制下，对所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号进行放大，或者对所述合路器提供的第一子信号进行放大；

所述第二功率放大器还与所述第二偏置子电路相连接，所述第二功率放大器用于在所述第二偏置子电路的控制下，对所述合路器提供的第二子信号进行放大。

10.根据权利要求9所述的射频前端电路，其特征在于，所述第一SIM卡工作于以下至少一个频段：B1、B3、B5、B8、B34、B39、B40、B41；

所述第二SIM卡工作于以下至少一个频段：n1、n2、n5、n8、n28、n41、n78。

11.一种芯片，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的射频前端电路。

12.一种终端设备，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的射频前端电路，和电源子系统，所述电源子系统包括第一电源和第二电源；

所述第一电源用于为所述第一低频发射通路中的第一低频放大单元和所述第一中高频发射通路中的第一中高频放大单元提供第一电压；所述第二电源用于为所述第二低频发射通路的第二低频放大单元和所述第二中高频发射通路中的第二中高频放大单元提供第二电压；

或者，所述第一电源用于为所述第一低频发射通路中的第一低频放大单元和所述第二中高频发射通路中的第二中高频放大单元提供第一电压；所述第二电源用于为所述第一中高频发射通路中的第一中高频放大单元和所述第二低频发射通路中的第二低频放大单元提供第二电压。

13.根据权利要求12所述的终端设备，其特征在于，所述终端设备还包括第一CMOS控制器和第二CMOS控制器；

当所述终端设备中的所述第二低频放大单元包括分路器、输入开关、第一功率放大器、第二功率放大器、输出开关和合路器，还包括第一偏置子电路和第二偏置子电路时，所述第一偏置子电路与所述第一CMOS控制器、所述第二CMOS控制器均相连接，所述第二偏置子电路与所述第二CMOS控制器相连接；

所述第一偏置子电路用于在所述第一CMOS控制器输出的第一电压状态的控制下，控制所述第一功率放大器，以使所述第一功率放大器对所述第二SIM卡的非GSM信号中的第三低频射频信号进行放大；

所述第一偏置子电路还用于在所述第二CMOS控制器输出的第二电压状态的控制下，控制所述第一功率放大器，以使所述第一功率放大器对合路器提供的第一子信号进行放大；

所述第二偏置子电路用于在所述第二CMOS控制器输出的第二电压状态的控制下，控制所述第二功率放大器，以使所述第二功率放大器对所述合路器提供的第二子信号进行放大。

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