CN114836837B - 一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法 - Google Patents
一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114836837B CN114836837B CN202210593140.9A CN202210593140A CN114836837B CN 114836837 B CN114836837 B CN 114836837B CN 202210593140 A CN202210593140 A CN 202210593140A CN 114836837 B CN114836837 B CN 114836837B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- width
- potassium titanyl
- phosphate crystal
- titanyl phosphate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 54
- WYOHGPUPVHHUGO-UHFFFAOYSA-K potassium;oxygen(2-);titanium(4+);phosphate Chemical compound [O-2].[K+].[Ti+4].[O-]P([O-])([O-])=O WYOHGPUPVHHUGO-UHFFFAOYSA-K 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/14—Phosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3551—Crystals
- G02F1/3553—Crystals having the formula MTiOYO4, where M=K, Rb, TI, NH4 or Cs and Y=P or As, e.g. KTP
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,包括以下步骤:(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的‑Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极;(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化,并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数;(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度;(4)将已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱,并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间。该方法通过高温退火使铁电畴在反转过程中的横向扩展回退,畴壁宽度接近理论值,从而实现对磷酸钛氧钾晶体反转畴的有效调控,提高晶片的转换效率,具有较好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及非线性晶体材料技术领域,更具体的说是涉及一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法。
背景技术
对具有铁电性能的非线性光学晶体进行周期性极化,可以补偿由于折射率色散产生的相位失配,并可利用其最大非线性光学系数,从而提高非线性光学频率转换效率。
磷酸钛氧钾(KTiOPO4,KTP)晶体是一种性能优异的非线性光学晶体,且具有铁电性能。目前制备周期性极化KTP(PPKTP)晶体最常用的方法为电场极化法,具体过程为沿Z向切割出KTP晶片,经抛光后通过光刻工艺在其表面制备出所需周期电极图案,然后镀制电极,最后施加脉冲电压实现对晶片铁电畴的周期反转(垂直方向),从而得到周期性的畴结构。但是晶片铁电畴在完全反转(垂直方向)前,畴壁会伴随着一定程度的横向扩展(水平方向),而这种横向扩展会使得反转畴的实际宽度大于理论值(此现象在短周期电极下更为明显,甚至出现畴合并现象),非常影响周期极化晶体的光学转换效率。
因此,如何提供一种通过退火改变畴宽度的方法,来解决磷酸钛氧钾晶体在畴反转过程中畴壁展宽过大是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
为了达到磷酸钛氧钾晶体铁电畴在垂直方向的完全反转以及在水平方向的周期均匀分布,本发明提供了一种磷酸钛氧钾晶体材料改变畴宽度的退火方法,该方法通过高温退火使铁电畴在反转过程中的横向扩展回退,畴壁宽度接近理论值,从而实现对磷酸钛氧钾晶体反转畴的有效调控,提高晶片的转换效率,具有较好的应用前景。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,包括以下步骤:
(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的-Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极;
(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化,并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数;
(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度;
(4)将步骤(3)中所述已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱,并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间。
优选的,步骤(1)中:
所述第二电极为均匀覆盖磷酸钛氧钾晶体整个表面的金属电极;
所述第一电极为周期金属电极且其包括中心区域和边缘区域;
所述中心区域由大小一致且周期为1:1的长方形极化电极与空隙组成,且每一条长方形极化电极的上方和下方均设置有等宽长电极与其相互连接;
所述边缘区域为等宽均匀空隙;
其中,所述长方形极化电极与所述磷酸钛氧钾晶体Y轴平行。
优选的,所述边缘区域的等宽均匀空隙的宽度为0~2mm;
所述长方形极化电极的宽度2~200um,等宽长电极的宽度为1~2mm;
所述电极为金、铜、铬、钛、铝或其它导电材料;
所述电极的厚度50~500nm。
优选的,步骤(2)中:
所述的极化参数包括脉冲电压、弛豫时间、脉冲数目;
所述脉冲电压数值为≥磷酸钛氧钾晶体矫顽场电压;
所述弛豫时间为0.1~100ms;
所述脉冲数目为≥1。
优选的,步骤(3)中:
所述畴展宽宽度为>长方形极化电极宽度。
优选的,步骤(4)中:
所述烘箱的初始温度为25℃。
所述烘箱的恒温温度为80~120℃。
所述烘箱升温速度和降温速度为定值。
所述烘箱的恒温时间为≥12h。
所述磷酸钛氧钾晶体的厚度为≥0.5mm。
经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本发明所提供的改变磷酸钛氧钾晶体材料铁电畴的退火方法,通过对极化后的反转畴宽度调控,提高反转畴的质量,使得反转畴的占空比接近50%,提高了光学转换效率,达到了对磷酸钛氧钾晶体更有效利用的目的;并且本发明操作简单,退火方法易于实现。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明用于对磷酸钛氧钾晶体材料进行极化的的极化装置示意图。
图2为本发明用于对磷酸钛氧钾晶体进行极化的电极结构。
图3为本发明的电极结构中的第一电极的结构示意图。
其中,图中:
201:用于磷酸钛氧钾晶体极化的第一电极;
202:具有良好的单畴性的磷酸钛氧钾晶体,其成分为KTiOPO4;
203:用于磷酸钛氧钾晶体极化的第二电极;
301:第一电极的边缘区域;
302:第一电极中心区域的长方形极化电极部分;
303:第一电极中心区域的空隙部分;
304:第一电极中心区域的等宽长电极部分。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例公开了一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,包括以下步骤:
(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的-Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极;
(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化,并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数,借助本发明的电极结构,并通过图1所示的极化装置示意图控制在第一电极201和第二电极203之间电极线组的极化条件,以实现介于第一电极201和第二电极203之间的磷酸钛氧钾晶体材料202的极化反转,从而在磷酸钛氧钾晶体材料202内部形成周期性的畴结构;
(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度,极化完成后,由于反转畴的横向扩展,反转畴的占空比会大于50%,利用仪器对反转畴进行测试,得到实际的反转畴展宽宽度;
(4)将步骤(3)中所述已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱,并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间,将上述经过极化的的磷酸钛氧钾晶体平稳放置于石英舟内,并保持-Z面朝上放置,随后将石英舟转移至温度为25℃的烘箱中,根据反转畴展宽的实际宽度,将烘箱以1℃/min~5℃/min的升温速率升至100℃,并且恒温保持时间≥12h,由于高温的作用畴壁的横向扩展会出现回退现象,待反转畴占空比约等于50%后,停止加热,烘箱均匀降温至25℃。
为了进一步优化上述技术方案,本实施例中,光学晶体202为磷酸钛氧钾晶体,且具有1mm的厚度,其长宽尺寸可根据需求切割成任意大小。
为了进一步优化上述技术方案,本实施例中,第一电极边缘区域301的宽度为1mm,中心区域等宽长电极304的宽度为1mm,中心区域长方形极化电极302和空隙部分的宽度相等,均为23um。
为了进一步优化上述技术方案,本实施例中,第二电极203可以具有与第一电极201相同的材质,选用金属铝作为电极材料,并通过镀膜技术均匀覆盖于磷酸钛氧钾晶体202的表面上。
为了进一步优化上述技术方案,本实施例中,脉冲电压为3kv/mm。
为了进一步优化上述技术方案,本实施例中,弛豫时间为20ms。
为了进一步优化上述技术方案,本实施例中,脉冲数目为≥1,根据示波器上反映的极化程度,所施加的脉冲个数不同,待晶片铁电畴在完全反转(垂直方向)后停止极化。
图1为本发明用于对磷酸钛氧钾晶体材料进行极化的的极化装置示意图。如图所示,信号发生器能够发出任意波形脉冲,经过高压放大器放大脉冲信号并施加在磷酸钛氧钾晶体上,示波器用于检测施加的脉冲信号电压和通过电阻的R2的电流波形(其中R1和R2的电阻比值为1000:1),通过极化后产生的波形实时了解极化情况。
图2为用于对磷酸钛氧钾晶体进行极化的电极结构。如图所示,本发明的电极结构为图所示的第一电极201和第二电极203,其中,第一电极201和第二电极203均匀分布在磷酸钛氧钾晶体202的相对表面上。
图3为第一电极的结构示意图。如图所示,所施加的脉冲电压通过等宽长电极304均匀地作用于每一条长方形极化电极302,使得在电极下方形成均匀的反转畴。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (2)
1.一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的-Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极;
(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化,并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数;
(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度;
(4)将步骤(3)中所述已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱,并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间,待反转畴占空比等于50%后,停止加热;
步骤(1)中:
所述第二电极为均匀覆盖磷酸钛氧钾晶体整个表面的金属电极;
所述第一电极为周期金属电极且其包括中心区域和边缘区域;
所述中心区域由大小一致且周期为1:1的长方形极化电极与空隙组成,且每一条长方形极化电极的上方和下方均设置有等宽长电极与其相互连接;
所述边缘区域为等宽均匀空隙;
所述边缘区域的等宽均匀空隙的宽度为1~2 mm;
所述长方形极化电极的宽度2~200 um,等宽长电极的宽度为1~2 mm;
所述第一电极和第二电极为铝;
所述第一电极和第二电极的厚度50~500 nm;
步骤(2)中:
所述的极化参数包括脉冲电压、弛豫时间、脉冲数目;
所述脉冲电压数值为≥磷酸钛氧钾晶体矫顽场电压;
所述弛豫时间为0.1~100 ms;
所述脉冲数目为≥1;
步骤(3)中:
所述畴展宽宽度为>长方形极化电极宽度;
步骤(4)中:
所述烘箱的初始温度为25 ℃;
所述烘箱的恒温温度为80~120 ℃;
所述烘箱升温速度和降温速度为定值;
所述烘箱的恒温时间为≥12 h。
2.根据权利要求1所述的一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,其特征在于,所述磷酸钛氧钾晶体的厚度为≥0.5 mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210593140.9A CN114836837B (zh) | 2022-05-27 | 2022-05-27 | 一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210593140.9A CN114836837B (zh) | 2022-05-27 | 2022-05-27 | 一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114836837A CN114836837A (zh) | 2022-08-02 |
CN114836837B true CN114836837B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=82572072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210593140.9A Active CN114836837B (zh) | 2022-05-27 | 2022-05-27 | 一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114836837B (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07120798A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子の作成方法 |
CN101887204A (zh) * | 2010-06-23 | 2010-11-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 激光诱导铁电晶体周期畴反转的装置 |
CN102483555A (zh) * | 2009-10-16 | 2012-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 光学元件的制造方法 |
CN104570209A (zh) * | 2015-01-07 | 2015-04-29 | 济南大学 | 一种制备周期极化KTiOPO4平面波导的方法 |
CN106283194A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-04 | 南开大学 | 一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法 |
CN107561817A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-09 | 上海交通大学 | 铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法 |
WO2019081376A1 (de) * | 2017-10-24 | 2019-05-02 | Westfälische Wilhelms-Universität Münster | Herstellung ferroelektrischer domänen |
CN112987447A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-06-18 | 济南量子技术研究院 | 一种用于铁电晶体材料周期极化的电极结构及极化方法 |
CN114262939A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-04-01 | 济南量子技术研究院 | 一种周期极化钽铌酸钾晶体及其制备方法 |
-
2022
- 2022-05-27 CN CN202210593140.9A patent/CN114836837B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07120798A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子の作成方法 |
CN102483555A (zh) * | 2009-10-16 | 2012-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 光学元件的制造方法 |
CN101887204A (zh) * | 2010-06-23 | 2010-11-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 激光诱导铁电晶体周期畴反转的装置 |
CN104570209A (zh) * | 2015-01-07 | 2015-04-29 | 济南大学 | 一种制备周期极化KTiOPO4平面波导的方法 |
CN106283194A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-01-04 | 南开大学 | 一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法 |
CN107561817A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-09 | 上海交通大学 | 铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法 |
WO2019081376A1 (de) * | 2017-10-24 | 2019-05-02 | Westfälische Wilhelms-Universität Münster | Herstellung ferroelektrischer domänen |
CN112987447A (zh) * | 2019-12-02 | 2021-06-18 | 济南量子技术研究院 | 一种用于铁电晶体材料周期极化的电极结构及极化方法 |
CN114262939A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-04-01 | 济南量子技术研究院 | 一种周期极化钽铌酸钾晶体及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Reversed domains in x-cut lithium niobate thin films;Honghu Zhang et al;《Optical Materials》;110364 * |
Stabilization of domain structures in Rb-doped KTiOPO4 for high-temperature processes;Hoda Kianirad et al;《Appl. Phys. Lett.》;052904 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114836837A (zh) | 2022-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Rosenman et al. | Low temperature periodic electrical poling of flux-grown KTiOPO 4 and isomorphic crystals | |
EP2165240B1 (en) | Improved electric field poling of ferroelectric materials | |
DE69735956T2 (de) | Methode zur polarisation optischer kristalle | |
JPH10503602A (ja) | パターン付分極化誘電構造体と装置の製造 | |
WO2021051844A1 (zh) | 具有p型纳米线区域或n型纳米线区域的铌酸锂及其制备方法,以及其载流子类型转换方法 | |
US7440161B2 (en) | Optical element and method for forming domain inversion regions | |
CN102483555A (zh) | 光学元件的制造方法 | |
CN114836837B (zh) | 一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法 | |
JP4119508B2 (ja) | 光波長変換素子とその製造方法、この素子を用いた光発生装置および光ピックアップ、ならびに分極反転部の製造方法 | |
Risk et al. | Periodic electric field poling of KTiOPO4 using chemical patterning | |
CN100390651C (zh) | 光学元件的制造方法和具有极化反转结构的光学元件 | |
JP2007033489A (ja) | 強誘電体結晶の製造方法および電気光学素子 | |
US20050084199A1 (en) | Ferroelectric substrate period polarization structure manufacturing method | |
JP4081398B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
Yamada et al. | Fabrication of a periodically poled laminar domain structure with a pitch of a few micrometers by applying an external electric field | |
JPH05210132A (ja) | ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムの分極制御方法とこれによる光導波路デバイスの製造方法及び光導波路デバイス | |
CN1124305A (zh) | 室温制备具有周期电畴的lt、掺杂ln晶体及应用 | |
JP2001242498A (ja) | 強誘電体の分極反転方法、並びに光波長変換素子およびその作製方法 | |
US6529309B2 (en) | Production method of light wavelength converting element | |
RU2411561C1 (ru) | Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика | |
CN117970723A (zh) | Ktp晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法 | |
JP3213907B2 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶と光機能素子 | |
Zhu et al. | Field-induced periodic poled bulk using Al electrodes | |
US20080158655A1 (en) | Method for Preparing a Periodically Poled Structure | |
RU2439636C1 (ru) | Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |