CN114835608A

CN114835608A - 有机化合物和包含其的有机发光二极管和有机发光装置

Info

Publication number: CN114835608A
Application number: CN202111435831.8A
Authority: CN
Inventors: 申智彻; 金信韩; 徐正大; 尹胄镛; 尹俊; 金东宪; 李勇翰; 李成宰
Original assignee: LG Chemical Co Ltd; LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd; LG Corp
Priority date: 2020-12-21
Filing date: 2021-11-29
Publication date: 2022-08-02
Also published as: US20220194883A1; KR20220089235A

Abstract

本公开涉及由下式1表示的有机化合物、包含该有机化合物的有机发光二极管、以及包括该有机发光二极管的有机发光装置。所述有机化合物包含在有机发光二极管的有机层中。[式1]

Description

有机化合物和包含其的有机发光二极管和有机发光装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月21日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2020-0179674的权益，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本公开涉及有机化合物，更具体地，涉及具有改进的空穴注入性能、空穴产生性能和/或空穴传输性能的有机化合物，以及包含该有机化合物的有机发光二极管(OLED)和有机发光装置。

背景技术

近来，对占用面积小的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括OLED的有机发光显示装置技术迅速发展。

OLED通过将来自作为电子注入电极的阴极的电子和来自作为空穴注入电极的阳极的空穴注入有机发射层中，使电子与空穴结合，产生激子并将激子从激发态转移到基态而发光。柔性透明基板，例如塑料基板，可以用作在其上形成元件的基础基板。此外，OLED可以在比操作其他显示装置所需的电压低的电压(例如，10V或更低)下操作，并且具有低功耗。此外，来自OLED的光具有优异的色纯度。

OLED可以包括：作为阳极的第一电极；作为阴极的面对第一电极的第二电极；和在第一电极与第二电极之间的有机发射层。

为了改进OLED的发射效率，有机发射层可以包括依次堆叠在第一电极上的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

在OLED中，来自作为阳极的第一电极的空穴通过HIL和HTL转移到EML中，而来自作为阴极的第二电极的电子通过EIL和ETL转移到EML中。空穴和电子在EML中结合以形成激子，且激子从激发态转移为基态以发光。

为了提供OLED的低驱动电压以及足够的发射效率和寿命，需要具有足够的空穴注入效率的空穴注入材料。

发明内容

本公开的具体实施方案涉及基本上消除了与相关的常规技术的局限性和缺点有关的一个或多个问题的有机化合物、OLED和有机发光装置。

在下面的描述中阐述了本公开的附加特征和优点，这些特征和优点将从描述中变得显而易见，或者通过本公开的实践而显而易见。通过本文以及附图中描述的特征来实现和得到本公开的目的和其他优点。

为了实现根据本公开的具体实施方案的目的的这些和其他优点，如本文所述，本公开的一个方面是式1的有机化合物：

[式1]

其中R1和R2各自独立地选自氢、氘、卤素和氰基，其中R3至R6各自独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，且R3和R4中的至少一个以及R5和R6中的至少一个是丙二腈，其中X和Y各自独立地是被C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基中的至少一个取代的苯基，且X和Y在取代基和取代基位置中的至少一个方面不相同。

本公开的另一方面是一种有机发光二极管，其包括第一电极；面对第一电极的第二电极；位于第一电极与第二电极之间的第一发射材料层；和位于第一电极与第一发射材料层之间或位于第一发射材料层与第二电极之间的有机层，其中所述有机层包含上述有机化合物。

本公开的另一方面是一种有机发光装置，其包括基板；位于基板上的上述有机发光二极管；和覆盖有机发光二极管的封装膜。

应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述均是示例性和说明性的，并且旨在进一步解释所要求保护的本公开。

附图说明

被包括以提供对本公开的进一步理解、被并入本说明书并构成本说明书的一部分的附图，示出了本公开的具体实施方案并且与本说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。

图2是根据本公开的第一实施方案的有机发光装置的示意性截面图。

图3是根据本公开的第二实施方案的OLED的示意性截面图。

图4是根据本公开的第三实施方案的有机发光装置的示意性截面图。

图5是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图。

图6是根据本公开的第五实施方案的OLED装置的示意性截面图。

具体实施方案

现在将详细参考附图中示出的一些实例和优选的具体实施方案。

在本公开的OLED和有机发光装置中，将新的有机化合物施用到空穴注入层和p型电荷产生层中的至少一个。例如，有机发光装置可以是有机发光显示装置或有机照明装置。作为实例，将主要描述有机发光显示装置，所述有机发光显示装置是包括本公开的OLED的显示装置。

图1是示出了本公开的有机发光显示装置的示意性电路图。

如图1所示，在有机发光显示装置中形成彼此交叉以限定像素P的栅极线GL和数据线DL、以及电源线PL。开关薄膜晶体管(TFT)Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D形成在像素P中。像素P可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。此外，像素P还可以包括白色像素。

开关薄膜晶体管Ts连接到栅极线GL和数据线DL，并且驱动薄膜晶体管Td和存储电容器Cst连接在开关薄膜晶体管Ts与电源线PL之间。OLED D连接到驱动薄膜晶体管Td。当通过栅极线GL施加的栅极信号使开关薄膜晶体管Ts导通时，将通过数据线DL施加的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts施加到驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存储电容器Cst的一个电极。

通过施加到栅电极中的数据信号使驱动薄膜晶体管Td导通，使得通过驱动薄膜晶体管Tr，将与数据信号成比例的电流从电源线PL提供给OLED D。OLED D发射具有与流过驱动薄膜晶体管Td的电流成比例的亮度的光。在这种情况下，用与数据信号成比例的电压对存储电容器Cst进行充电，使得驱动薄膜晶体管Td中的栅电极的电压在一帧(frame)期间保持恒定。因此，有机发光显示装置可以显示期望的图像。

图2是示出了根据本公开的第一实施方案的有机发光显示装置的示意性截面图。

如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110、TFT Tr和设置在平坦化层150上并连接至TFT Tr的OLED D。例如，有机发光显示装置100可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且OLED D可以形成在红色、绿色和蓝色像素的每一个中。即，可以在红色、绿色和蓝色像素中分别提供发射红光、绿光和蓝光的OLED D。

基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。

缓冲层120形成在基板上，并且TFT Tr形成在缓冲层120上。可以省略缓冲层120。

半导体层122形成在缓冲层120上。半导体层122可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。

当半导体层122包括氧化物半导体材料时，可以在半导体层122下方形成遮光图案(未示出)。发射到半导体层122的光被遮光图案遮挡或阻挡，使得可以防止半导体层122的热降解。另一方面，当半导体层122包含多晶硅时，可以将杂质掺杂到半导体层122的两侧中。

栅极绝缘层124形成在半导体层122上。栅极绝缘层124可以由无机绝缘材料诸如氧化硅或氮化硅形成。

由导电材料例如金属形成的栅电极130形成在栅极绝缘层124上，以相应于半导体层122的中心。

在图2中，栅级绝缘层124形成在基板110的整个表面上。替代地，可以将栅级绝缘层124图案化以具有与栅电极130相同的形状。

由绝缘材料形成的层间绝缘层132形成在栅电极130上。层间绝缘层132可以由无机绝缘材料诸如氧化硅或氮化硅、或有机材料绝缘材料例如苯并环丁烯或光聚合丙烯酸类化合物(photo-acryl)形成。

层间绝缘层132包括暴露半导体层122的两端的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅电极130的两侧并与栅电极130间隔开。

第一接触孔134和第二接触孔136穿过栅级绝缘层124形成。替代地，当将栅级绝缘层124图案化以具有与栅电极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136仅穿过层间绝缘层132形成。

由导电材料例如金属形成的源电极140和漏电极142形成在层间绝缘层132上。

源电极140和漏电极142相对于栅电极130彼此间隔开，并且分别通过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层122的两端。

半导体层122、栅电极130、源电极140和漏电极142构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可以相应于(图1的)驱动TFT Td。

在TFT Tr中，栅电极130、源电极140和漏电极142位于半导体层122上方。即，TFTTr具有共面结构。

替代地，在TFT Tr中，栅电极可以位于半导体层下方，并且源电极和漏电极可以位于半导体层上方，使得TFT Tr可以具有倒置的交错结构。在这种情况下，半导体层可以包含非晶硅。

尽管未示出，但是栅极线和数据线彼此交叉以限定像素，并且形成开关TFT以连接到栅极线和数据线。开关TFT连接到作为驱动元件的TFT Tr。

此外，可以进一步形成电源线和存储电容器，所述电源线可以形成为与栅极线和数据线之一平行且间隔开，所述存储电容器用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压。

形成平坦化层150以覆盖TFT Tr，平坦化层150包括暴露TFT Tr的漏极142的漏极接触孔152。

在每个像素中并且在平坦化层150上分别形成第一电极160，第一电极160通过漏极接触孔152连接到TFT Tr的漏极142。第一电极160可以是阳极，并且可以由具有相对较高的功函数的导电材料例如透明导电氧化物(TCO)形成。例如，第一电极160可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)或氧化铝锌(Al:ZnO,AZO)形成。

当有机发光显示装置100以底部发射型操作时，第一电极160可以具有透明导电氧化物的单层结构。当有机发光显示装置100以顶部发射型操作时，反射电极或反射层可以形成在第一电极160下方。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极160可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。

堤层(bank layer)166形成在平坦化层150上以覆盖第一电极160的边缘。即，堤层166位于像素的边界处并且暴露像素中的第一电极160的中心。

有机发射层162形成在第一电极160上。有机发射层162包括发射材料层(EML)和至少一个有机层，所述有机层设置在EML的下方和/或之上(或上方)。例如，有机层可以是设置在EML下方的空穴注入层(HIL)。此外，有机层可以是设置在EML下方和/或上方的p型电荷产生层(CGL)。有机层还可以包括空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。如下所述，作为有机层，HIL和p型CGL中的至少一个包含具有不对称结构的引达省(indacene)衍生物，其中将不同的取代基链接(连接或组合)到被丙二腈取代的引达省核的两侧(端)，使得通过有机层，将空穴充分或有效地注入和/或传输到EML中。

第二电极164形成在基板110上方的、形成有机发射层162的位置。第二电极164覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对较低的功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极164可以由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、或它们的合金，例如Al-Mg合金(AlMg)或Ag-Mg合金(MgAg)形成。在顶部发射型有机发光显示装置100中，第二电极164可以具有薄的外形(小的厚度)以提供光透射性能(或半透射性能)。

即，第一电极160和第二电极164中的一个是透明(或半透明)电极，并且第一电极160和第二电极164中的另一个是反射电极。

第一电极160、有机发射层162和第二电极164构成OLED D。

封装膜170形成在第二电极164上以防止水分渗透到OLED D中。封装膜170包括依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。可以省略封装膜170。

有机发光显示装置100还可以包括滤色器层(未示出)。滤色器层可以包括分别相应于红色像素、绿色像素和蓝色像素的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。可以通过滤色器层提高有机发光显示装置100的色纯度。

有机发光显示装置100还可以包括用于减少环境光反射的偏振板(未示出)。例如，偏振片可以是圆形偏振片。在底部发射型有机发光显示装置100中，可以将偏振板设置在基板110下方。在顶部发射型有机发光显示装置100中，可以将偏振板设置在封装膜170之上或上方。

此外，在顶部发射型有机发光显示装置100中，覆盖窗(未示出)可以连接到封装膜170或偏振板。在这种情况下，基板110和覆盖窗具有柔性性能，使得可以提供柔性有机发光显示装置。

图3是示出了根据第二实施方案的OLED的示意性截面图。

如图3所示，OLED D包括彼此面对的第一电极160和第二电极164、以及位于第一电极160与第二电极164之间的有机发射层162。有机发射层162包括在第一电极160与第二电极164之间的EML 240、以及在第一电极160与EML 240之间的HIL 210。

第一电极160是阳极，第二电极164是阴极。第一电极160和第二电极164中的一个是透明电极(或半透明电极)，并且第一电极160和第二电极164中的另一个是反射电极。

有机层162还可以包括位于第二电极164与EML 240之间的EIL 260。

此外，有机层162还可以包括位于HIL 210与EML 240之间的HTL 220、以及位于EML240与EIL 260之间的ETL 250中的至少一个。

尽管未示出，但是有机层162还可以包括位于HTL 220与EML 240之间的EBL、以及位于ETL 250与EML 240之间的HBL中的至少一个。

例如，HTL 220可以包含至少一种选自以下的化合物：N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯基-4,4”-二胺(NPD)、4,4’-双(N-咔唑基(carbazoyl))-1,1’-联苯(CBP)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯胺](poly-TPD)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯基氨基))](TFB)、二-[4-(N,N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯基-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯基-4-胺，但不限于此，例如，HTL 220可以包含NPD并且可以具有500至

优选800至

的厚度。

EBL可以包含至少一种选自以下的化合物：三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(mCBP)、铜酞菁(CuPc)、N,N’-双[4-[双(3-(甲基苯基)氨基]苯基]-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺(DNTPD)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、DCDPA和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩)，但不限于此。

HBL可以包含至少一种选自以下的化合物：三-(8-羟基喹啉合)铝(tris-(8-hydroxyquinolinato)aluminum,Alq₃)、2-联苯基-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基(benzinetriyl))-三(1-苯基-1-H苯并咪唑)(TPBi)、双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1’-联苯基-4-酚根合)铝(bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1’-biphenyl-4-phenolato)aluminum,BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯基-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-((N,N-二甲基)-N-乙基铵基)-丙基)-2,7-芴]-交替(alt)-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)，但不限于此。

ETL 250可以包含至少一种选自以下的化合物：1,3,5-三(间吡啶-3-基苯基)苯(TmPyPB)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H苯并咪唑)(TPBi)、三(8-羟基-喹啉根合)铝(Alq₃)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、2-联苯基-4-基-4,6-双-(4’-吡啶-2-基-联苯基-4-基)-[1,3,5]三嗪(DPT)和双(2-甲基-8-喹啉根合)-4-(苯基苯酚合)铝(BAlq)，但不限于此。例如，ETL 250可以包含基于吖嗪的化合物例如TmPyPB，或者基于咪唑的化合物例如TPBi，并且可以具有50至

优选100至

的厚度。

EIL 260可以包含碱金属、碱金属卤化物诸如LiF、CsF、NaF或BaF₂、和有机金属化合物诸如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠中的至少一种，但不限于此。例如，EIL 260可以具有1至

优选5至

的厚度。

例如，红色像素的EML 240可以包含主体和掺杂剂。在红色像素的EML240中，主体可以是4,4’-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)，并且掺杂剂可以选自双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)铱(PQIr)和八乙基卟啉铂(PtOEP)。红色像素中的EML 240可以提供波长范围(例如，发射波长范围)为约600至650nm的光。

绿色像素的EML 240可以包含主体和掺杂剂。在绿色像素的EML 240中，主体可以是CBP，并且掺杂剂可以是三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)₃)或三(8-羟基喹啉合)铝(Alq₃)。绿色像素中的EML 240可以提供波长范围为约510至570nm的光。

蓝色像素的EML 240可以包含主体和掺杂剂。在蓝色像素的EML 240中，主体可以是蒽衍生物，并且掺杂剂可以是芘衍生物。例如，主体可以是9,10-二(萘-2-基)蒽，并且掺杂剂可以是1,6-双(二苯基氨基)芘。在蓝色像素的EML 240中，掺杂剂的重量百分比可以为0.1-20％、优选为1-10％。蓝色像素中的EML 240的厚度可以为50至

优选为100至

并且可以提供波长范围为约440至480nm的光。

HIL 210包含作为空穴注入材料212的本发明的有机化合物，其为具有不对称结构的引达省衍生物，其中不同的取代基链接(连接或结合)到被丙二腈取代的引达省核心的两侧(端)。本公开的有机化合物由式1-1表示。

[式1-1]

在式1-1中，R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基。R3至R6各自独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个以及R5和R6中的至少一个是丙二腈。X和Y各自独立地是被C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基中的至少一个取代的苯基，并且X和Y在取代基和取代基位置中的至少一个方面不相同。

例如，C1-C10卤代烷基可以是三氟甲基，并且C1-C10卤代烷氧基可以是三氟甲氧基。此外，卤素可以是F、Cl、Br和I中的一个。

在式1-1中，R3和R4中的一个以及R5和R6中的一个可以是丙二腈，并且R3和R4中的另一个以及R5和R6中的另一个可以是氰基。

例如，在式1-1中，R3和R6可以是丙二腈。替代地，在式1-1中，R4和R6可以是丙二腈。即，式1-1中的有机化合物可以由式1-2或1-3表示。

[式1-2]

[式1-3]

如上所述，X和Y在取代基和取代基位置中的至少一个方面不相同。即，为X的苯基部分和为Y的苯基部分可以具有不同的取代基，和/或可以在不同的位置具有相同的取代基或不同的取代基。

例如，式1-1中的有机化合物可以由式1-4表示。

[式1-4]

在式1-4中，X1至X3各自和Y1至Y3各自独立地选自H、C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并满足以下中的至少一个：i)X1和Y1不同，和ii)X2不同于Y2和Y3，或X3不同于Y2和Y3。

本公开的有机化合物可以是式2的化合物中的一种。

[式2]

[合成]

1.化合物4的合成

(1)化合物4-A

[反应式1-1]

将2,2’-(4,6-二溴-1,3-亚苯基)二乙腈(180g,573mmol)、甲苯(6L)、碘化铜(CuI，44mmol)、四(三苯基膦)钯(44mmol)、二异丙胺(2885mmol)和1-乙炔基-4-(三氟甲基)苯(637mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸除溶剂(5L)。将混合物冷却至室温并过滤以得到固体。将固体溶解在氯仿中并用水萃取后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物并再次蒸馏溶剂。使用乙醇将混合物重结晶以得到化合物4-A(104g)。(产率45％，MS[M+H]+＝403)

(2)化合物4-B

[反应式1-2]

将化合物4-A(104g,258mmol)、甲苯(3L)、CuI(21mmol)、四(三苯基膦)钯(21mmol)、二异丙胺(1290mmol)和1-乙炔基-4-(三氟甲氧基)苯(258mmol)混合，加热至100℃，并搅拌2小时。反应后，蒸除溶剂(2L)。将混合物冷却至室温并过滤以得到固体。将固体溶解在氯仿中并用水萃取后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。使用四氢呋喃和乙醇将混合物重结晶以得到化合物4-B(39.3g)(产率30％，MS[M+H]+＝509)。

(3)化合物4-C

[反应式1-3]

将化合物4-B(39g,77mmol)、1,4-二噁烷(520mL)、二苯亚砜(462mmol)、溴化铜(II)(CuBr(II),15mmol))、乙酸钯(15mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸除溶剂。将混合物溶解在氯仿中后，添加酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。使用己烷将混合物反沉淀以得到固体。使用四氢呋喃和己烷将固体重结晶并过滤，以得到化合物4-C(7g)。(收率17％，MS[M+H]+＝537)

(4)化合物4

[反应式1-4]

添加化合物4-C(7g,13mmol)、二氯甲烷(220mL)和丙二腈(96mmol)并冷却至0℃。缓慢添加氯化钛(IV)(65mmol)，并搅拌1小时，同时保持温度在0℃。在0℃，将溶于二氯甲烷(75mL)的吡啶(97.5mmol)缓慢添加到混合物中，并搅拌1小时。反应完成后，添加乙酸(130mmol)并另外搅拌30分钟。用水萃取反应溶液后，将有机层在己烷中反沉淀以得到固体。通过乙腈过滤固体后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌30分钟。过滤溶液，使用乙腈和甲苯重结晶，并用甲苯洗涤。使用乙腈和叔丁基甲基醚将固体重结晶，并通过升华来纯化，以得到化合物4(1.6g)。(收率20％，MS[M+H]+＝633)

2.化合物13的合成

(1)化合物13-A

[反应式2-1]

将2,2’-(4,6-二溴-1,3-亚苯基)二乙腈(200g,637mmol)、甲苯(6L)、碘化铜(CuI,51mmol)、四(三苯基膦)钯(51mmol)、二异丙胺(将3185mmol)和1-乙炔基-3,5-双(三氟甲基)苯(637mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸除溶剂(5L)。将混合物冷却至室温并过滤以得到固体。将固体溶解在氯仿中并用水萃取后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物并再次蒸馏溶剂。使用乙醇将混合物重结晶以得到化合物13-A(105g)。(产率35％，MS[M+H]+＝471)

(2)化合物13-B

[反应式2-2]

化合物13-A(105g,223mmol)、甲苯(3L)、CuI(18mmol)、四(三苯基膦)钯(18mmol)、二异丙胺(1115mmol)和4-乙炔基-2-(三氟甲基)苄腈(223mmol)混合，加热至100℃并搅拌2小时。反应后，蒸除溶剂(2L)。将混合物冷却至室温并过滤以得到固体。将固体溶解在氯仿中并用水萃取后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。使用四氢呋喃和己烷将混合物重结晶并过滤以得到化合物13-B(32.6g)。(产率25％，MS[M+H]+＝586)

(4)化合物13-C

[反应式2-3]

将化合物13-B(32g,55mmol)、1,4-二噁烷(480mL)、二苯亚砜(330mmol)、CuBr(II)(11mmol)、乙酸钯(11mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸除溶剂。将混合物溶解在氯仿中后，添加酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。使用己烷将混合物反沉淀以得到固体。使用四氢呋喃和己烷将固体重结晶并过滤以得到化合物13-C(5g)。(收率15％，MS[M+H]+＝614)

(4)化合物13

[反应式2-4]

添加化合物13-C(5g,8.2mmol)、二氯甲烷(150mL)和丙二腈(49.2mmol)并冷却至0℃。缓慢添加氯化钛(IV)(41mmol)并搅拌1小时，同时保持温度在0℃。在0℃，将溶于二氯甲烷(50mL)中的吡啶(61.5mmol)缓慢添加到混合物中并搅拌1小时。反应完成后，添加乙酸(82mmol)并另外搅拌30分钟。用水萃取反应溶液后，将有机层在己烷中反沉淀以得到固体。通过乙腈过滤固体后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌30分钟。过滤溶液，使用乙腈和甲苯重结晶，并用甲苯洗涤。使用乙腈和叔丁基甲基醚将固体重结晶并通过升华纯化以得到化合物13(1g)。(收率18％，MS[M+H]+＝710)

3.化合物37的合成

(1)化合物37-A

[反应式3-1]

将2,2’-(4,6-二溴-2-氟-1,3-亚苯基)二乙腈(300g,903.7mmol)、甲苯(9L)、CuI(72.3mmol)、四(三苯基膦)钯(72.3mmol))、二异丙胺(4518mmol)和1-乙炔基-3,5-双(三氟甲基)苯(903.7mmol)混合并加热至100℃。反应后，蒸除溶剂(8L)。将混合物冷却至室温并过滤以得到固体。将固体溶解在氯仿中并用水萃取后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物并再次蒸馏溶剂。使用乙醇将混合物重结晶以得到化合物37-A(137g)。(产率31％，MS[M+H]+＝489)

(2)化合物37-B

[反应式3-2]

将化合物37-A(137g,280mmol)、甲苯(4.1L)、CuI(22mmol)、四(三苯基膦)钯(22mmol)、二异丙胺(1400mmol)和4-乙炔基-2-(三氟甲基)苄腈(280mmol)混合，加热至100℃，并搅拌2小时。反应后，蒸除溶剂(3L)。将混合物冷却至室温并过滤以得到固体。将固体溶解在氯仿中并用水萃取后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。使用四氢呋喃和乙醇将混合物重结晶以得到化合物37-B(33.8g)。(收率20％，MS[M+H]+＝603)

(3)化合物37-C

[反应式3-3]

将化合物37-B(33g,54.7mmol)、1,4-二噁烷(500mL)、二苯亚砜(328.2mmol)、CuBr(II)(10.9mmol)、乙酸钯(10.9mmol)混合，加热至100℃，并搅拌5小时。反应后，蒸除溶剂。将混合物溶解在氯仿中后，添加酸性粘土并搅拌1小时。过滤混合物后，再次蒸馏溶剂。使用己烷将混合物反沉淀以得到固体。使用四氢呋喃和己烷将固体重结晶并过滤以得到化合物37-C(4.8g)。(产率14％，MS[M+H]+＝632)

(4)化合物37

[反应式3-4]

添加化合物37-C(4.8g,7.6mmol)、二氯甲烷(145mL)和丙二腈(45.6mmol)并冷却至0℃。缓慢添加氯化钛(IV)(38mmol)并搅拌1小时，同时将温度保持在0℃。在0℃，将溶于二氯甲烷(48mL)中的吡啶(57mmol)缓慢添加到混合物中并搅拌1小时。反应完成后，添加乙酸(76mmol)并另外搅拌30分钟。用水萃取反应溶液后，将有机层在己烷中反沉淀以得到固体。通过乙腈过滤固体后，添加硫酸镁和酸性粘土并搅拌30分钟。过滤溶液，使用乙腈和甲苯重结晶，并用甲苯洗涤。使用乙腈和叔丁基甲基醚将固体重结晶，并通过升华来纯化，以得到化合物37(1.1g)。(收率20％，MS[M+H]+＝728)

HIL 210还可以包含电子注入主体材料。即，HIL 210可以仅包含本公开的有机化合物作为空穴注入材料212，或者可以包含空穴注入材料212和空穴注入主体材料的混合物。

例如，空穴注入主体材料可以是选自以下材料中的至少一种：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯基胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯基-4,4”-二胺(NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基六甲腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈)(HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。例如，空穴注入主体材料可以是NPD。在HIL 210中，为本公开的有机化合物的空穴注入材料212的重量百分比可以为约1-40重量％、优选约5-20重量％。

如上所述，在本公开的OLED D中，HIL 210包括为本公开的有机化合物的空穴注入材料210。本公开的有机化合物具有例如高于0.8D、优选1.5D至4D的高偶极矩，使得有机化合物具有优异的空穴注入性能。因此，在具有包含本公开的有机化合物作为空穴注入材料212的HIL 210的OLED D中，降低驱动电压得以，并且提高发射效率和寿命。

图4是根据本公开的第三实施方案的有机发光装置的示意性截面图。图5是根据本公开的第四实施方案的OLED的示意性截面图，且图6是根据本公开的第五实施方案的OLED装置的示意性截面图。

如图4所示，有机发光显示装置300包括：第一基板310，在第一基板310限定红色像素BP、绿色像素GP和蓝色像素BP；第二基板370，其面对第一基板310；OLED D，其位于第一基板310与第二基板370之间并提供白色发射，和滤色器层380，其位于OLED D与第二基板370之间。

第一基板310和第二基板370各自可以是玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板310和第二基板370各自可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。

缓冲层320形成在基板上，并且相应于红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP中的每一个的TFT Tr形成在缓冲层320上。可以省略缓冲层320。

半导体层322形成在缓冲层320上。半导体层322可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。

栅极绝缘层324形成在半导体层322上。栅极绝缘层324可以由无机绝缘材料诸如氧化硅或氮化硅形成。

由导电材料例如金属形成的栅电极330形成在栅级绝缘层324上，以相应于半导体层322的中心。

由绝缘材料形成的层间绝缘层332形成在栅电极330上。层间绝缘层332可以由无机绝缘材料例如氧化硅或氮化硅、或有机绝缘材料例如苯并环丁烯或光聚合丙烯酸类化合物形成。

层间绝缘层332包括暴露半导体层322的两端的第一接触孔334和第二接触孔336。第一接触孔334和第二接触孔336位于栅电极330的两端并与栅电极330间隔开。

由导电材料例如金属形成的源电极340和漏电极342形成在层间绝缘层332上。

源电极340和漏电极342相对于栅电极330彼此间隔开，并且分别穿过第一接触孔334和第二接触孔336接触半导体层322的两端。

半导体层322、栅电极330、源电极340和漏电极342构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可以相应于(图1的)驱动TFT Td。

此外，可以进一步形成电源线和存储电容器，所述电源线可以形成为与栅极线和数据线中的一个平行且间隔开，所述存储电容器用于在一帧中保持TFT Tr的栅电极的电压。

形成平坦化层350以覆盖TFT Tr，平坦化层350包括暴露TFT Tr的漏极342的漏极接触孔352。

在每个像素中并且在平坦化层350上分别形成第一电极360，第一电极360通过漏极接触孔352连接到TFT Tr的漏极342。第一电极360可以是阳极，并且可以由具有相对较高的功函数的导电材料例如透明导电氧化物(TCO)形成。第一电极360还可以包括反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在顶部发射型有机发光显示装置300中，第一电极360可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。

堤层366形成在平坦化层350上以覆盖第一电极360的边缘。即，堤层166位于像素的边界处并且暴露像素中的第一电极360的中心。由于OLED D在红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP中发射白光，因此有机发射层362可以作为公共层形成在红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP中而没有分离。可以形成堤层366，以防止在第一电极360的边缘处的电流泄漏，并且可以省略堤层366。

有机发射层362形成在第一电极360上。

参照图5，OLED D包括彼此面对的第一电极360和第二电极364、以及在第一电极360与第二电极364之间的有机发射层362。有机发射层362包括：包括第一EML 416和HIL420的第一发射部分410；包括第二EML 434的第二发射部分430；以及在第一发射部分410与第二发射部分430之间的电荷产生层(CGL)450。

CGL 450位于第一发射部分410与第二发射部分430之间，并且第一发射部分410、CGL 450和第二发射部分430依次堆叠在第一电极360上。即，第一发射部分410位于第一电极360与CGL 450之间，且第二发射部分420位于第二电极364和CGL 450之间。

在第一发射部分410中，HIL 420位于第一EML 416下方。即，HIL 420位于第一电极360与第一EML 416之间。

第一发射部分410还可以包括位于HIL 420与第一EML 416之间的第一HTL 414、以及位于第一EML 416上方的第一ETL 418中的至少一个。

尽管未示出，但是第一发射部分410还可以包括位于第一HTL 414与第一EML 416之间的EBL、以及在第一EML 416与第一ETL 418之间的HBL中的至少一个。

第二发射部分430还可以包括位于第二EML 434上方的EIL 436。此外，第二发射部分430还可以包括位于第二EML 434下方的第二HTL 432、以及位于第二EML 434与EIL 436之间的第二ETL 440中的至少一个。

尽管未示出，但是第二发射部分430还可以包括位于第二HTL 432与第二EML 434之间的EBL、以及位于第二EML 434与第二ETL 440之间的HBL中的至少一个。

第一EML 416和第二EML 434中的一个提供波长范围为约440至480nm的光，而第一EML 416和第二EML 434中的另一个提供波长范围为约500至550nm的光。例如，第一EML 416可以提供波长范围为约440至480nm的光，并且第二EML 434可以提供波长范围为约500至550nm的光。

替代地，第二EML 434可以具有发射红光的第一层和发射绿光的第二层的双层结构。在这种情况下，发射红光的第一层可以包括主体和红色掺杂剂，并且发射绿光的第二层可以包括主体和绿色掺杂剂。

在波长范围为440至480nm的第一EML 416中，主体可以是蒽衍生物，并且掺杂剂可以是芘衍生物。例如，在第一EML 416中，主体可以是9,10-二(萘-2-基)蒽，并且掺杂剂可以是1,6-双(二苯基氨基)芘。在波长范围为500至550nm的第二EML 434中，主体可以是咔唑衍生物，并且掺杂剂可以是铱衍生物(络合物)。例如，在第二EML 434中，主体可以是4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)，并且掺杂剂可以是三(2-苯基吡啶)铱(Ⅲ)(Ir(ppy)₃)。

CGL 450包括n型CGL 452和p型CGL 454。n型CGL 452位于第一ETL 418与第二HTL432之间，并且p型CGL 454位于n型CGL 452与第二HTL 432之间。

n型CGL 452向第一ETL 418提供电子，并且电子通过第一ETL 418转移到第一EML416中。p型CGL 454向第二HTL 432提供空穴，并且空穴通过第二HTL 432转移到第二EML434中。结果，在具有两个堆叠(双堆叠)结构的OLED D中，降低了驱动电压，并且提高了发射效率。

n型CGL 452包含n型电荷产生材料，并且可以具有100至

的厚度。例如，n型电荷产生材料可以选自三-(8-羟基喹啉合)铝(Alq₃)、2-联苯基-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1’-联苯基-4-酚根合)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯基-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-((N,N-二甲基)-N-乙基铵基)-丙基)-2,7-芴]-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三苯基喹喔啉(TPQ)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)。在本公开的一个实施方案中，n型电荷产生材料可以是菲咯啉衍生物，例如红菲咯啉(Bphene)。

此外，n型CGL 452还可以包括辅助n型电荷产生材料。例如，辅助n型电荷产生材料可以是碱金属，例如Li、Cs、K、Rb、Na或Fr，或碱土金属，例如Be、Mg、Ca、Sr、Ba或Ra。在n型CGL452中，辅助n型电荷产生材料的重量％可以为约0.1-20重量％、优选约1-10重量％。

HIL 420和p型CGL 454中的至少一个包含式1-1的本公开的有机化合物。例如，HIL420可以包含本公开的有机化合物作为空穴注入材料422,并且p型CGL 454可以包含本公开的有机化合物作为p型电荷产生材料456。

HIL 420中的空穴注入材料422和p型CGL 454中的p型电荷产生材料456可以相同或不同。

HIL 420可以具有约50至

的厚度。当HIL 420包含本公开的有机化合物作为空穴注入材料422时，HIL 420还可以包含空穴注入主体材料(未示出)。即，HIL 420可以仅包含本公开的有机化合物作为空穴注入材料422，或者可以包含空穴注入材料422和空穴注入主体材料的混合物。

例如，空穴注入主体材料可以是NPD。在这种情况下，在HIL 420中，为本公开的有机化合物的空穴注入材料422的重量％可以为约1-40重量％、优选约5-20重量％。

p型CGL 454可以具有约100至

的厚度。当p型CGL 454包含本公开的有机化合物作为p型电荷产生材料456时，p型CGL 454还可以包含p型电荷产生主体材料(未示出)。即，p型CGL 454可以仅包含本公开的有机化合物作为p型电荷产生材料456，或者可以包含p型电荷产生材料456和p型电荷产生主体材料的混合物。

例如，p型电荷产生主体材料可以选自：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯基胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯基-4,4”-二胺(NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基六甲腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈)(HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。例如，p型电荷产生主体材料可以是NPD。在这种情况下，在p型CGL 454中，为本公开的有机化合物的p型电荷产生材料456的重量％可以为约1-40重量％、优选约10-30重量％。

例如，当HIL 420包含空穴注入主体材料和为本公开的有机化合物的空穴注入材料422，且p型CGL 454包含p型电荷产生主体材料和为本公开的有机化合物的p-型电荷产生材料456时，p型CGL 454中p型电荷产生材料456的重量％可以等于或大于HIL 420中空穴注入材料422的重量％。

包括波长范围为440至480nm的第一发射部分410和波长范围为500至550nm的第二发射部分430的OLED D提供白色发射，并且包含本公开的有机化合物的CGL 450提供在第一发射部分410与第二发射部分430之间。结果，OLED D在驱动电压、发射效率和寿命方面具有优势。

参照图6，有机发射层362包括：第一发射部分510，其包括第一EML516和HIL 520；第二发射部分530，其包括第二EML 534；第三发射部分550，其包括第三EML 554；位于第一发射部分510与第二发射部分530之间的第一CGL 570；和位于第二发射部分530与第三发射部分550之间的第二CGL 580。

第一CGL 570位于第一发射部分510与第二发射部分530之间，且第二CGL 580位于第二发射部分530与第三发射部分550之间。即，第一发射部分510、第一CGL 570、第二发射部分530、第二CGL 580和第三发射部分550依次堆叠在第一电极360上。换句话说，第一发射部分510位于第一电极360与第一CGL 570之间，第二发射部分530位于第一CGL 570与第二CGL 580之间，并且第三发射部分550位于第二电极360与第二CGL580之间。

在第一发射部分510中，HIL 520位于第一EML 516下方。即，HIL 520位于第一电极360与第一EML 516之间。

第一发射部分510还可以包括位于HIL 520与第一EML 516之间的第一HTL 514、以及在第一EML 516上方的第一ETL 518中的至少一个。

尽管未示出，但是第一发射部分510还可以包括位于第一HTL 514和第一EML 516之间的EBL、以及位于第一EML 516和第一ETL 518之间的HBL中的至少一个。

第二发射部分530还可以包括在第二EML 534之下的第二HTL 532、以及在第二EML534之上的第二ETL 540中的至少一个。

尽管未示出，但是第二发射部分530还可以包括在第二HTL 532与第二EML 534之间的EBL、以及在第二EML 534与第二ETL 540之间的HBL中的至少一个。

第三发射部分550还可以包括EIL 556。此外，第三发射部分550还可以包括在第三EML 554下方的第三HTL 552、以及在第三EML 554与EIL556之间的第三ETL 560中的至少一个。

尽管未示出，但是第三发射部分550还可以包括在第三HTL 552与第三EML 554之间的EBL、以及在第三EML 554与第三ETL 560之间的HBL中的至少一个。

第一EML 516和第三EML 554中的每一个提供波长范围约为440至480nm的光，并且第二EML 534提供波长范围约为500至550nm的光。

替代地，第二EML 534可以具有发射红光的第一层和发射绿光的第二层的双层结构。此外，第二EML 534可以具有包括主体和红色掺杂剂的第一层、包括主体和黄绿色掺杂剂的第二层、以及包括主体和绿色掺杂剂的第三层的三层结构。

在波长范围为440至480nm的第一EML 516和第三EML 554中，主体可以是蒽衍生物，并且掺杂剂可以是芘衍生物。例如，在第一EML 516和第三EML 554中的每一个中，主体可以是9,10-二(萘-2-基)蒽，并且掺杂剂可以是1,6-双(二苯基氨基)芘。

在波长范围为500至550nm的第二EML 534中，主体可以是咔唑衍生物，并且掺杂剂可以是铱衍生物(络合物)。例如，在第二EML 534中，主体可以是4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)，并且掺杂剂可以是三(2-苯基吡啶)铱(Ⅲ)(Ir(ppy)₃)。

第一CGL 570包括第一n型CGL 572和第一p型CGL 574。第一n型CGL 572位于第一ETL 518与第二HTL 532之间，且第一p型CGL 574位于第一n型CGL 572与第二HTL 532之间。

第二CGL 580包括第二n型CGL 582和第二p型CGL 584。第二n型CGL 582位于第二ETL 540与第三HTL 552之间，且第二p型CGL 584位于第二n型CGL 582与第三HTL 552之间。

第一n型CGL 572向第一ETL 518提供电子，并且将电子通过第一ETL518转移到第一EML 516中。第一p型CGL 574向第二HTL 532提供空穴，并且将空穴通过第二HTL 532转移到第二EML 534中。

第二n型CGL 582向第二ETL 540提供电子，并且将电子通过第二ETL540转移到第二EML 534中。第二p型CGL 584向第三HTL 552提供空穴，并且将空穴通过第三HTL 552转移到第三EML 554中。

结果，在具有三层堆叠(三重堆叠)结构的OLED D中，降低了驱动电压得，并且提高了发射效率。

第一n型CGL 572和第二n型CGL 582中的每一个包含n型电荷产生材料，并且可以具有100至

的厚度。例如，n型电荷产生材料可以是Bphene。此外，第一n型CGL 572和第二n型CGL 582中的每一个还可以包含辅助n型电荷产生材料。例如，辅助n型电荷产生材料可以是碱金属或碱土金属。

HIL 520、第一p型CGL 574和第二p型CGL 584中的至少一个包含式1-1的本发明的有机化合物。例如，HIL 520可以包含本公开的有机化合物作为空穴注入材料522。第一p型CGL 574可以包含本公开的有机化合物作为第一p型电荷产生材料576，并且第二p型CGL584可以包含本公开的有机化合物作为第二p型电荷产生材料586。

在HIL 520中的空穴注入材料522、在第一p型CGL 574中的第一p型电荷产生材料576、和第二p型CGL 584中的第二p型电荷产生材料586可以是相同或不同的。

HIL 520可以具有约50至

的厚度。当HIL 520包含本公开的有机化合物作为空穴注入材料522时，HIL 520还可以包含空穴注入主体材料(未示出)。即，HIL 520可以仅包含本公开的有机化合物作为空穴注入材料522，或者可以包含空穴注入材料522和空穴注入主体材料的混合物。

例如，空穴注入主体材料可以是NPD。在这种情况下，在HIL 520中，为本公开的有机化合物的空穴注入材料522的重量％可以为约1-40重量％、优选约5-20重量％。

第一p型CGL 574和第二p型CGL 584中的每一个可以具有约100至

的厚度。当第一p型CGL 574和第二p型CGL 584中的每一个分别包含本公开的有机化合物作为第一p型电荷产生材料576和第二p型电荷产生材料586时，第一p型CGL 574和第二p型CGL 584还可以包含p型电荷产生主体材料(未示出)。即，第一p型CGL 574和第二p型CGL 584中的每一个可以分别仅包含本公开的有机化合物作为第一p型电荷产生材料576和第二p型电荷产生材料586，或者可以包含第一p型电荷产生材料576和第二p型电荷产生材料586中相应的一个与p型电荷产生主体材料的混合物。

例如，p型电荷产生主体材料可以是NPD。在这种情况下，在第一p型CGL 574和第二p型CGL 584的每一个中，为本公开的有机化合物的第一p型电荷产生材料576和第二p型电荷产生材料586中的每一个的重量％可以为约1-40重量％、优选约10-30重量％。

例如，当HIL 520包含空穴注入主体材料和为本公开的有机化合物的空穴注入材料522，并且第一p型CGL 574和第二p型CGL 584分别包含p型电荷产生主体材料以及为本公开的有机化合物的第一p型电荷产生材料576和第二p型电荷产生材料586中相应的一个时，在第一p型CGL 574和第二p型CGL 584中第一p型电荷产生材料576和第二p型电荷产生材料586中的每一个的重量％可以等于或大于HIL 520中的空穴注入材料522的重量％。

包括波长范围各自为440至480nm的第一发射部分510和第三发射部分550、以及波长范围为500至550nm的第二发射部分530的OLED D提供了白色发射，并且包含本公开的有机化合物的第一CGL 570和第二CGL580分别提供在第一发射部分510与第二发射部分530之间以及第二发射部分530与第三发射部分550之间。结果，OLED D在驱动电压、发射效率和寿命方面具有优势。

再次参照图4，第二电极364形成在基板310上方、形成有机发射层362的位置。

在有机发光显示装置300中，由于从有机发射层362发出的光通过第二电极364入射到滤色器层380，因此第二电极364具有用于透射光的薄外形(profile)。

第一电极360、有机发射层362和第二电极364构成OLED D。

滤色器层380位于OLED D上方,并且包括分别相应于红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP的红色滤色器382、绿色滤色器384和蓝色滤色器386。红色滤色器382可以包含红色染料和红色颜料中的至少一种，绿色滤色器384可以包含绿色染料和绿色颜料中的至少一种，并且蓝色滤色器386可以包含蓝色染料和蓝色颜料中的至少一种。

尽管未示出，但是滤色器层380可以通过使用粘合剂层连接至OLED D。替代地，滤色器层380可以直接形成在OLED D上。

可以形成封装膜(未示出)以防止水分渗透到OLED D中。例如，封装膜可以包括依次堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但不限于此。可以省略封装膜。

用于减少环境光反射的偏振板(未示出)可以设置在顶部发射型OLED D上方。例如，偏振板可以是圆形偏振板。

在图4的OLED中，第一电极360和第二电极364分别是反射电极和透明(或半透明)电极，并且滤色器层380设置在OLED D上方。替代地，当第一电极360和第二电极364分别是透明(或半透明)电极和反射电极时，滤色器层380可以设置在OLED D与第一基板310之间。

可以在OLED D与滤色器层380之间形成颜色转换层(未示出)。颜色转换层可以包括分别相应于红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP的红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层。来自OLED D的白光通过红色、绿色和蓝色转换层分别转换为红光、绿光和蓝光。例如，颜色转换层可以包括量子点。因此，可以进一步提高有机发光显示装置300的色纯度。

可以包括颜色转换层而不是滤色器层380。

如上所述，在有机发光显示装置300中，在红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP中的OLED D发射白光，并且来自有机发光二极管D的白光穿过红光滤色器382、绿光滤色器384和蓝光滤色器386。结果，分别由红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP提供红光、绿光和蓝光。

在图4中，发射白光的OLED D用于显示装置。替代地，OLED D可以形成在基板的整个表面上，无需驱动元件和滤色器层中的至少一个用于照明装置。各自包括本公开的OLEDD的显示装置和照明装置可以称为有机发光装置。

在OLED D和有机发光显示装置300中，HIL和p型CGL中的至少一个包括本公开的有机化合物，使得将空穴有效地提供到EML中。因此，在OLED和显示装置300中，降低了驱动电压，并且增加了发射效率和寿命。

[OLED1]

在阳极(ITO)上依次沉积HIL

HTL(

NPD)、EML(

主体(9,10-二(萘-2-基)蒽)和掺杂剂(1,6-双(二苯基氨基)芘，3重量％)、ETL(

1,3,5-三(间吡啶-3-基苯基)苯(TmPyPB))、EIL(LiF，

)和阴极(Al，

)，以便形成OLED。

1.比较例

(1)比较例1(Ref1)

使用NPD和HATCN(10重量％)以形成HIL。

(2)比较例2(Ref2)

使用NPD和式3的化合物OA1(10重量％)以形成HIL。

(3)比较例3(Ref3)

使用NPD和式3的化合物OA2(10重量％)以形成HIL。

(4)比较例4(Ref4)

使用NPD和式3的化合物OA3(10重量％)以形成HIL。

(5)比较例5(Ref5)

使用NPD和式3的化合物OA4(10重量％)以形成HIL。

(6)比较例6(Ref6)

使用NPD和式3的化合物OA5(10重量％)以形成HIL。

(7)比较例7(Ref7)

使用NPD和式3的化合物OA6(10重量％)以形成HIL。

2.实施例

(1)实施例1(Ex1)

使用NPD和式2的化合物4(10重量％)以形成HIL。

(2)实施例2(Ex2)

使用NPD和式2的化合物13(10重量％)以形成HIL。

(3)实施例3(Ex3)

使用NPD和式2的化合物37(10重量％)以形成HIL。

[式3]

测量比较例1至7和实施例1至3中制造的OLED的各种性能，即电压(V)、效率(Cd/A)和寿命(hr)，并将其列于表1中。

表1

如表1所示，在Ref1的OLED中，NPD的偶极矩与HAYCN的偶极矩之间的差异非常小或为零，空穴注入性能劣化。此外，用于Ref2至Ref7的OLED中的式3的化合物OA1至OA6具有对称结构，并且具有相对较低的偶极矩。结果，Ref2至Ref7的OLED的空穴注入性能劣化。另一方面，本公开的有机化合物是具有不对称结构并且具有相对较高的偶极矩的引达省化合物。因此，与Ref1至Ref7的OLED相比，Ex1至Ex3的OLED的驱动电压降低，并且Ex1至Ex3的OLED的发射效率和寿命提高。

[OLED2]

在阳极(ITO)上依次沉积HIL(

NPD+HATCN(10重量％))、第一HTL(

NPD)、第一EML(

主体(9,10-二(萘-2-基)蒽)和掺杂剂(1,6-双(二苯基氨基)芘，3重量％),

)、第一ETL(

TmPyPB)、n型CGL(

Bphen+Li(2重量％))、p型CGL

第二HTL(

NPD)、第二EML(

主体(CBP)和掺杂剂(Ir(ppy)₃，8重量％))、第二ETL(

2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H苯并咪唑)(TPBi))、EIL(LiF，

)和阴极(Al,

)，以便形成OLED。

3.比较例

(1)比较例8(Ref8)

使用NPD和HATCN(20重量％)以形成p-CGL。

(2)比较例9(Ref9)

使用NPD和式3的化合物OA1(20重量％)以形成p-CGL。

(3)比较例10(Ref10)

使用NPD和式3的化合物OA2(20重量％)以形成p-CGL。

(4)比较例11(Ref11)

使用NPD和式3的化合物OA3(20重量％)以形成p-CGL。

(5)比较例12(Ref12)

使用NPD和式3的化合物OA4(20重量％)以形成p-CGL。

(6)比较例13(Ref13)

使用NPD和式3的化合物OA5(20重量％)以形成p-CGL。

(7)比较例14(Ref14)

使用NPD和式3的化合物OA6(20重量％)以形成p-CGL。

4.实施例

(1)实施例4(Ex4)

使用NPD和式2的化合物4(20重量％)以形成p-CGL。

(2)实施例5(Ex5)

使用NPD和式2的化合物13(20重量％)以形成p-CGL。

(3)实施例6(Ex6)

使用NPD和式2的化合物37(20重量％)以形成p-CGL。

测量比较例8至14和实施例4至6中制造的OLED的各种性能，即电压(V)、效率(Cd/A)和寿命(小时)，并将其列于表2中。

表2

如表2所示，在Ref8的OLED中，NPD的偶极矩与HAYCN的偶极矩之间的差异非常小或为零，空穴注入性能劣化。此外，用于Ref9至Ref14的OLED中的式3的化合物OA1至OA6具有对称结构并且具有相对较低的偶极矩。结果，Ref9至Ref14的OLED的空穴注入性能劣化。另一方面，本公开的有机化合物是具有不对称结构并且具有相对较高的偶极矩的引达省化合物。因此，与Ref8至Ref14的OLED相比，Ex4至Ex6的OLED的驱动电压降低，并且Ex1至Ex3的OLED的发射效率和寿命提高。

对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开的具体实施方案进行各种修改和变型。因此，只要这些修改和变型落入所附权利要求及其等同物的范围内，则本公开涵盖这些修改和变型。

Claims

1.式1的有机化合物：

[式1]

其中R1和R2各自独立地选自氢、氘、卤素和氰基，

其中R3至R6各自独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，且R3和R4中的至少一个以及R5和R6中的至少一个是丙二腈，

其中X和Y各自独立地是被C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基中的至少一个取代的苯基，且X和Y在取代基和取代基位置中的至少一个方面不相同。

2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中所述有机化合物由式1-2至1-4中的一个表示：

[式1-2]

[式1-3]

和

[式1-4]

其中在式1-4中，X1至X3各自和Y1至Y3各自独立地选自H、C1-C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1-C10卤代烷基和C1-C10卤代烷氧基，并且满足以下条件中的至少一个：i)X1和Y1不同，和ii)X2不同于Y2和Y3，或X3不同于Y2和Y3。

3.根据权利要求1所述的有机化合物，其中所述有机化合物是式2的化合物中的一种：

[式2]

4.有机发光二极管，其包括：

第一电极；

面对第一电极的第二电极；

位于第一电极与第二电极之间的第一发射材料层；和

位于第一电极与第一发射材料层之间或位于第一发射材料层与第二电极之间的有机层，

其中所述有机层包含式1的有机化合物：

[式1]

其中R1和R2各自独立地选自氢、氘、卤素和氰基，

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述有机化合物由式1-2至1-4中的一个表示：

[式1-2]

[式1-3]

和

[式1-4]

6.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述有机化合物是式2的化合物中的一种：

[式2]

7.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述有机层是位于第一电极与第一发射材料层之间的空穴注入层。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层还包含空穴注入主体材料，并且

其中所述空穴注入主体材料选自：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯基胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯基-4,4”-二胺(NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基六甲腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈)(HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺。

9.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其还包括：

第二发射材料层，其位于第一发射材料层与第二电极之间；和

第一p型电荷产生层，其包含第一p型电荷产生材料并位于第一发射材料层与第二发射材料层之间。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第一p型电荷产生材料是式1-1的有机化合物。

11.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层还包含空穴注入主体材料，并且第一p型电荷产生层还包含p型电荷产生主体材料，并且

其中第一电荷产生材料在第一p型电荷产生层中的重量％等于或大于空穴注入材料在空穴注入层中的重量％。

12.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中第一发射材料层的发射波长范围为440至480nm，并且第二发射材料层的发射波长范围为500至550nm。

13.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其还包括：

第三发射材料层，其位于第二发射材料层与第二电极之间；和

第二p型电荷产生层，其包含第二p型电荷产生材料并位于第二发射材料层与第三发射材料层之间。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中第二p型电荷产生材料是式1-1的有机化合物。

15.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层还包含空穴注入主体材料，并且第一p型电荷产生层和第二p型电荷产生层还分别包含第一p型电荷产生主体材料和第二p型电荷产生主体材料，且