CN113130830A - 有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了有机电子元件、包括所述有机电子元件的显示面板和显示装置,所述有机电子元件包括电荷产生层,所述电荷产生层包括含有第一化合物和第二化合物的第一层以及含有第三化合物的第二层,使得其可以具有优异的效率或寿命。

Description

有机电子元件、包括其的显示面板和包括其的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0180077号的优先权,其通过引用并入本文用于所有目的,如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
实施方案涉及有机电子元件、包括所述有机电子元件的显示面板和显示装置。
背景技术
通常,有机发光现象是指通过有机材料将电能转换为光能的现象。有机电子元件是指利用有机发光现象的电子元件。
利用有机发光现象的有机电子元件可以应用于显示装置。由于便携式显示装置由作为有限电源的电池来驱动,因此用于便携式显示装置的有机电子元件需要优异的发光效率。另外,由于在电子装置的使用期间应当正常显示图像,因此可能还需要有机电子元件的长寿命。
为了改善有机电子元件的效率、寿命和驱动电压,已经对有机电子元件中包含的有机材料进行了研究。
发明内容
实施方案可以提供具有高效率或长寿命的有机电子元件。
实施方案可以提供通过包括上述有机电子元件而具有高效率或长寿命的显示面板。
此外,实施方案可以提供通过包括上述显示面板而具有高效率或长寿命的显示装置。
根据一个方面,实施方案可以提供包括第一电极、第二电极和有机层的有机电子元件。
有机层定位在第一电极与第二电极之间。
有机层包括发光层和第一层。
第一层包含第一化合物和第二化合物。
第一化合物由以下化学式1和化学式2中的一者或更多者表示。
[化学式1]
Figure BDA0002841248160000021
[化学式2]
Figure BDA0002841248160000022
第二化合物由以下化学式3表示。
[化学式3]
Figure BDA0002841248160000023
根据另一个方面,实施方案可以提供显示面板,所述显示面板包括子像素,所述子像素包括所述有机电子元件。
根据另一个方面,实施方案可以提供显示装置,所述显示装置包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动电路。
根据实施方案,可以提供具有高发光效率和长寿命的有机电子装置。
根据实施方案,可以提供包括具有高发光效率和长寿命的有机电子装置的显示面板以及包括其的显示装置。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本公开的上述和其他目的、特征和优点,在附图中:
图1是根据实施方案的显示装置的系统配置图。
图2是示出根据实施方案的显示面板的子像素电路的图;以及
图3和图4是根据实施方案的有机电子装置的示意性截面图。
具体实施方式
在以下对本发明的实例或实施方案的描述中,将参照附图,在附图中通过对可以实现的特定实例或实施方案的说明的方式示出,并且在附图中,相同的附图标记和符号可以用于表示相同或相似的组成部分,即使当这些组成部分彼此在不同的附图中示出时也是如此。此外,在以下对本发明的实例或实施方案的描述中,当确定并入本文中的已知功能和组成部分的详细描述可能使本发明的一些实施方案中的主题相当不清楚时,将省略该描述。除非本文所使用的术语例如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”,“由......构成”和“由......形成”与术语“仅”一起使用,否则所述术语通常旨在允许添加另外的组成部分。除非上下文另外明确地指出,否则如本文所使用的,单数形式旨在包括复数形式。
诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”的术语在本文中可以用于描述本发明的要素。这些术语各自不用于限定要素的本质、顺序、次序或数目等,而是仅用于将相应的要素与另外的要素区分开。
当提及第一元件与第二元件“连接或耦接”、“接触或交叠”等时,应当理解的是,不仅第一元件可以与第二元件“直接连接或耦接”或“直接接触或交叠”,而且也可以在第一元件与第二元件之间“插入”第三元件,或者第一元件和第二元件可以经由第四元件彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等。在此,第二元件可以包括在彼此“连接或耦接”、“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少一者中。
当诸如“在……之后”、“继……之后”、“接着”、“在……之前”等的时间关系术语用于描述元件或配置的过程或操作,或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时,除非同时使用了术语“直接”或“紧接着”,否则这些术语可以用于描述非连续或非顺序的过程或操作。
另外,当提及任何尺寸、相对大小等时,即使当未具体说明相关描述时,也应考虑到元件或特征或相应的信息(例如,水平、范围等)的数值包括可能由各种因素(例如,工艺因素、内部或外部影响、噪声等)引起的公差或误差范围。此外,术语“可以”完全涵盖术语“能够”的所有含义。
除非另外指出,否则如本文中所用的术语“卤代”或“卤素”是指氟(F)、溴(Br)、氯(Cl)或碘(I)。
如本文中所用,术语“烷基”或“烷基基团”是指其中具有单键的具有1至60个碳原子的饱和脂族官能基团,除非另外指出,否则其包括直链烷基、支链烷基、环烷基(脂环族)、经烷基取代的环烷基和经环烷基取代的烷基。
除非另外详细说明,否则如本文中所用的术语“卤烷基”或“卤代烷基”意指经卤素取代的烷基。
如本文中所用的术语“杂烷基”意指构成烷基的碳原子中的至少一者已被杂原子替代。
如本文中所用,除非另外说明,否则术语“烯基”和“炔基”分别是指其中具有双键和三键的具有2至60个碳原子的直链或支链,但不限于此。
除非另外说明,否则如本文中所用的术语“环烷基”是指形成具有3至60个碳原子的环的烷基,而不限于此。
除非另外说明,否则如本文中所用的术语“烷氧基”、“烷氧基团”或“烷基氧基”意指具有与其连接的氧基团的具有1至60个碳原子的烷基,但不限于此。
如本文中所用,除非另外说明,否则术语“烯氧基”、“烯氧基团”或“烯基氧基”意指具有与其连接的氧基团的具有2至60个碳原子的烯基,但不限于此。
如本文中所用,除非另外详细说明,否则术语“芳氧基”或“芳氧基团”意指具有与其连接的氧基团的具有6至60个碳原子的芳基,但不限于此。
如本文中所用,除非另外说明,否则术语“芳基”和“亚芳基”各自是指具有6至60个碳原子,但不限于此。在本公开中,芳基或亚芳基意指单个或多个芳族环,包括当邻近的取代基参与键合或反应时形成的芳族环。例如,芳基可以为苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、芴基、螺芴基或螺二芴基。
前缀“芳基”或“芳”意指经芳基取代的基团。例如,芳基烷基为经芳基取代的烷基,芳基烯基为经芳基取代的烯基。在这方面,经芳基取代的基团具有本文所述的碳原子数。
此外,当前缀顺序命名时,这意指取代基首先以描述的顺序列出。举例来说,芳基烷氧基意指经芳基取代的烷氧基,烷氧基羰基意指经烷氧基取代的羰基,芳基羰基烯基意指经芳基羰基取代的烯基,其中芳基羰基为经芳基取代的羰基。
如本文中所用,除非另外指出,否则术语“杂烷基”意指具有一个或更多个杂原子的烷基。如本文中所用,除非另外详细说明,否则术语“杂芳基”和“亚杂芳基”分别是指在其中具有一个或更多个杂原子的具有2至60个碳原子的芳基和亚芳基,但不限于此。其可以包括单环和多环中的至少一者,并且可以通过相邻的官能团结合来形成。
除非另外指出,否则如本文中所用的术语“杂环基”是指具有一个或更多个杂原子作为其环成员的具有2至60个碳原子的杂脂族环和杂芳族环中的至少一者,其可以是单环或多环的,并且可以当邻近的官能团彼此结合时形成。
除非另有说明,否则如本文中所用的术语“杂原子”是指N、O、S、P或Si。
“杂环基”也可以包括含有SO2代替碳原子作为环成员的环。例如,“杂环基”包括以下化合物。
Figure BDA0002841248160000051
除非另外说明,否则如本文中所用的术语“脂族”意指具有1至60个碳原子的脂族烃,“脂族环”意指具有3至60个碳原子的脂族烃环。
除非另外说明,否则如本文中所用的术语“环”是指具有3至60个碳原子的脂族环、具有6至60个碳原子的芳族环、具有2至60个碳原子的杂环或由其组合组成的稠环,无论其为饱和的或不饱和的。
除前述杂化合物以外的其他杂化合物或杂基团包含但不限于一个或更多个杂原子。
除非另外说明,否则如本文中所用的术语“羰基”由-COR'表示,其中R'为具有1至20个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子的芳基、具有3至30个碳原子的环烷基、具有2至20个碳原子的烯基、具有2至20个碳原子的炔基、或其组合。
除非另外详细说明,否则如本文中所用的术语“醚”由-RO-R'表示,其中R和R'各自独立地为具有1至20个碳原子的烷基、具有6至30个碳原子的芳基、具有3至30个碳原子的环烷基、具有2至20个碳原子的烯基、具有2至20个碳原子的炔基、或其组合。
此外,除非另外明确说明,否则表达“经取代或未经取代的”中的术语“经取代”意指具有选自,但不限于以下的至少一个取代基:氘、卤素、氨基、腈基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20烷基胺基、C1-C20烷基噻吩基、C6-C20芳基噻吩基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C6-C20芳基、经氘取代的C6-C20芳基、C8-C20芳基烯基、硅烷基、硼基、锗基和C2-C20杂环。
此外,除非另外说明,否则本发明中使用的化学式如对以下化学式中的取代基的下标部分所限定的:
Figure BDA0002841248160000061
其中,
当a为整数0时,不存在取代基R1
当a为整数1时,一个取代基R1与苯环的构成碳原子中的任一者键合,
当a为整数2或3时,取代基R1各自如下所示键合,其可以相同或不同,以及
当a为整数4至6时,取代基R1以相同的方式与苯环的构成碳原子键合,
其中与苯环的构成碳原子键合的氢未被指出。
Figure BDA0002841248160000071
在本说明书中,通过取代基彼此结合而形成环意指相邻基团彼此结合以形成单环或单个环、集合环或共轭多环,并且单环、集合环和形成的共轭多环可以包括含有至少一个杂原子的杂环,并且可以包括芳族环和非芳族环。
在本说明书中,有机电子元件可以包括阳极与阴极之间的组成部分,或者可以为包括阳极、阴极和定位在其间的组成部分的有机发光二极管。
在本说明书中,有机电子元件可以意指有机电子装置、有机发光二极管和包括其的面板以及包括所述面板和电路的电子装置中的一者。例如,电子装置包括显示装置、照明装置、太阳能电池、便携式或移动终端(例如,智能电话、平板电脑、PDA、电子词典、PMP等)、导航终端、游戏机、各种TV和各种计算机监视器等,但不限于此,并且可以是任何类型的装置,只要包括所述组成部分即可。
在下文中,将参照附图详细地描述本公开的示例性实施方案。
图1是根据实施方案的显示装置的系统配置图。
参照图1,根据本公开的实施方案的显示装置100包括:显示面板110,在显示面板110中布置有多条数据线DL和多条栅极线GL,以及布置有由多条数据线DL和多条栅极线GL限定的多个子像素111;用于驱动多条数据线DL的数据驱动电路DDC(或数据驱动器);用于驱动多条栅极线GL的栅极驱动电路GDC(或栅极驱动器);控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的控制器D-CTR等。
控制器D-CTR通过将相应的控制信号(DCS、GCS)供应至数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC来控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的运行。
控制器D-CTR根据在每个帧中处理的时序开始像素扫描,将从其他装置或其他图像提供源输入的图像数据转换成以适应数据驱动电路DDC中使用的数据信号形式,然后输出由转换产生的图像数据DATA,并根据扫描在预配置的时间将数据加载至像素。
控制器D-CTR可以实现为独立于数据驱动电路DDC的组成部分,或者可以与数据驱动电路DDC集成,因此控制器D-CTR可以实现为集成电路。
数据驱动电路DDC通过将与从控制器D-CTR接收的图像数据DATA相对应的数据电压提供至数据线DL来驱动多条数据线DL。在此,数据驱动电路DDC有时被称为源极驱动电路或源极驱动器。
数据驱动电路DDC可以包括待实现的至少一个源极驱动器集成电路SDIC。
每个源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器DAC、输出缓冲器等。
在某些情况下,每个源极驱动器集成电路SDIC还可以包括一个或更多个模数转换器ADC。
栅极驱动电路GDC通过将扫描信号依次提供至多条栅极线GL来依次驱动多条栅极线GL。在此,栅极驱动电路GDC有时被称为扫描驱动电路或扫描驱动器。
栅极驱动电路GDC可以包括待实现的至少一个栅极驱动器集成电路GDIC。
每个栅极驱动器集成电路GDIC可以包括移位寄存器、电平移位器等。
每个栅极驱动器集成电路GDIC可以以带式自动接合(TAB)类型或玻璃上芯片(COG)类型连接至显示面板110的接合焊盘,或者按照以面板内栅极(gate in panel,GIP)类型来实现而直接布置在显示面板110上。在一些情况下,栅极驱动器集成电路GDIC可以被布置成与显示面板110集成。此外,每个栅极驱动器集成电路GDIC可以以其中栅极驱动器集成电路GDIC安装在与显示面板110连接的膜上的膜上芯片(COF)类型来实现。
根据控制器D-CTR的控制,栅极驱动电路GDC将导通电压或截止电压的扫描信号依次提供至多条栅极线GL。
当通过来自栅极驱动电路GDC的扫描信号来断定特定的栅极线时,数据驱动电路DDC将从控制器D-CTR接收的图像数据DATA转换成模拟数据电压,并且将获得的模拟数据电压提供至多条数据线DL。
数据驱动电路DDC可以位于但不限于显示面板110的仅一侧(例如,上侧或下侧),或者在某些情况下,根据驱动方案、面板设计方案等,可以位于但不限于显示面板110的两侧(例如,上侧和下侧)。
栅极驱动电路GDC可以位于但不限于显示面板110的仅一侧(例如左侧或右侧),或者在某些情况下,根据驱动方案、面板设计方案等,可以位于但不限于显示面板110的两侧(例如,左侧和右侧)。
根据本公开的实施方案的显示装置100可以是诸如液晶显示装置、有机发光显示装置、等离子体显示装置等的各种类型的显示装置中的一者。
在根据本公开的实施方案的显示装置100为有机发光显示装置的情况下,布置在显示面板110中的每个子像素111可以包括电路组成部分,例如作为自发光元件的有机发光二极管(OLED)、用于驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管等。
每个子像素111中包括的电路元件的类型和电路元件的数量可以根据面板(例如,LCD面板、OLED面板等)的类型、所提供的功能、设计方案/特征等而不同。
图2是示出根据实施方案的显示面板的子像素电路的图。
参照图2,每个子像素111可以包括有机发光二极管OLED和用于驱动有机发光二极管OLED的驱动晶体管DRT作为基本电路组成部分。
参照图2,每个子像素111还可以包括:第一晶体管T1,所述第一晶体管T1允许将数据电压VDATA施加至与驱动晶体管DRT的栅极节点相对应的第一节点N1;和存储电容器C1,存储电容器C1用于在一帧时间期间保持与图像信号电压相对应的数据电压VDATA或与此相对应的电压。
有机发光二极管OLED可以包括第一电极221(阳极电极或阴极电极)、发光层222、第二电极223(阴极电极或阳极电极)等。
在一个实施方案中,可以将低电平电压EVSS施加至有机发光二极管OLED的第二电极223。
驱动晶体管DRT通过将驱动电流提供至有机发光二极管OLED来使有机发光二极管OLED被驱动。
驱动晶体管DRT包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。
驱动晶体管DRT的第一节点N1可以是与其栅极节点相对应的节点,并且可以电连接至第一晶体管T1的源极节点或漏极节点。
驱动晶体管DRT的第二节点N2可以电连接至有机发光二极管OLED的第一电极221,并且可以是源极节点或漏极节点。
驱动晶体管DRT的第三节点N3可以是作为施加有驱动电压EVDD的节点的漏极节点或源极节点,并且可以电连接至用于供应驱动电压EVDD的驱动电压线DVL。
第一晶体管T1可以电连接在数据线DL与驱动晶体管DRT的第一节点N1之间,并且可以通过经由栅极线提供并施加至第一晶体管T1的栅极节点的扫描信号SCAN来控制。
存储电容器C1可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间。
存储电容器C1是有意设计成位于驱动晶体管DRT外部的外部电容器,而非存在于驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间的内部电容器,例如寄生电容器(例如,Cgs、Cgd)。
图3是根据实施方案的显示装置的截面图。
参照图3,根据实施方案的有机电子元件320包括第一电极321和第二电极323、定位在其间的有机层322。
第一电极321可以为阳极,第二电极323可以为阴极。在倒置型的情况下,第一电极321可以为阴极,第二电极323可以为阳极。
例如,第一电极321可以为透明电极,第二电极323可以为反射电极。在另一个实例中,第一电极321可以为反射电极,第二电极323可以为透明电极。
有机层322可以包括位于第一电极321与第二电极323之间并且包含有机材料的复数个层。
有机层322包括发光层322a和第一层322b。
发光层322a是在其中从第一电极321和第二电极323传输的空穴和电子复合从而发光的层,并且可以包含例如主体材料和掺杂剂。
发光层322a可以包含第三化合物。第三化合物可以为例如包含在发光层322a中的主体材料或掺杂剂。
第一层322b可以定位在发光层322a与第一电极321之间。例如,第一层322b可以定位在作为阳极电极的第一电极321与发光层322a之间。
虽然在图3中未示出,但是有机电子装置320还可以包括空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一者或更多者。例如,空穴传输层可以定位在作为空穴注入层的第一层322b与发光层322a之间并且同时定位在发光层322a与作为阳极电极的第一电极321之间。例如,电子注入层可以定位在作为阴极电极的第二电极323与发光层322a之间。例如,电子传输层可以定位在发光层322a与电子注入层之间并且同时定位在作为阴极电极的第二电极323与发光层322a之间。在包括空穴注入层的实例中,第一层322b可以为空穴注入层。
第一层322b包含第一化合物。空穴传输层也可以包含第一化合物。各层中包含的第一化合物可以彼此相同或者可以彼此不同,只要满足稍后描述的第一化合物的要求即可。
图4是示意性地示出根据实施方案的有机电子元件的图。
参照图4,根据实施方案的有机电子元件420包括第一电极421、第二电极423和定位在第一电极421与第二电极423之间的有机层422。
第一电极421可以为例如阳极电极,第二电极423可以为阴极电极。
例如,第一电极421可以为透明电极,第二电极423可以为反射电极。在另一个实例中,第一电极421可以为反射电极,第二电极423可以为透明电极。
有机层422为包含有机材料同时定位在第一电极421与第二电极423之间的层,并且可以由复数个层构成。
有机层422包括第一堆叠体424、第二堆叠体425和定位在第一堆叠体424与第二堆叠体425之间的电荷产生层426。
有机电子元件420可以为包括复数个各自包括发光层的堆叠体的串联有机电子元件。复数个发光层可以由彼此相同的材料制成,或者可以由彼此不同的材料制成。
第一堆叠体424包括第一发光层424a。第一发光层424a可以包含例如主体材料和掺杂剂。
第一堆叠体424还可以包括第一空穴传输层424b和第一电子传输层424c。
第一空穴传输层424b可以定位在第一发光层424a与第一电极421和第二电极423中的作为阳极电极的一者之间。第一电子传输层424c可以定位在第一发光层424a与第一电极421和第二电极423中的作为阴极电极的一者之间。例如,当第一电极421为阳极电极,第二电极423为阴极电极时,第一空穴传输层424b可以定位在第一电极421上,第一发光层424a可以定位在第一空穴传输层424b上,第一电子传输层424c可以定位在第一发光层424a上。
第二堆叠体425包括第二发光层425a。第二发光层425a可以包含例如主体材料和掺杂剂。
第二堆叠体425还可以包括第二空穴传输层425b和第二电子传输层424c。
第二空穴传输层425b可以定位在第二发光层425a与第一电极421和第二电极423中的作为阳极电极的一者之间。第二电子传输层425c可以定位在第二发光层425a与第一电极421和第二电极423中的作为阴极电极的一者之间。例如,当第一电极421为阳极电极,第二电极423为阴极电极时,第二空穴传输层425b可以定位在第一电极421上方,第二发光层425a可以定位在第二空穴传输层425b上,第二电子传输层425c可以定位在第二发光层425a上。
由于第一堆叠体424和第二堆叠体425如上所述配置,因此从第一电极421和第二电极423传输的空穴和电子在第一发光层424a和第二发光层425a中彼此复合,因此可以通过在第一发光层424a和第二发光层425a中的复合而发光。
电荷产生层426形成在复数个发光层之间以顺利地分配电荷,使得可以提高发光层的电流效率。因此,电荷产生层426定位在包括第一发光层424a的第一堆叠体424与包括第二发光层425a的第二堆叠体425之间。
电荷产生层426可以包括p型电荷产生层和n型电荷产生层,以便顺利地分配电荷。例如,第一层426a可以为p型电荷产生层,而第二层426b可以为n型电荷产生层。当第一电极421为阳极电极,第二电极423为阴极电极时,p型电荷产生层可以位于阴极电极侧,而n型电荷产生层可以位于阳极侧。例如,第一层426a可以定位在第二层426b与作为阴极电极的第二电极423之间。
虽然图4示出了包括两个堆叠体的串联有机电子元件,但是实施方案不限于包括两个堆叠体的串联有机电子元件,并且包括包括有两个或更多个堆叠体的串联有机电子元件。当有机电子元件420进一步包括堆叠体时,电荷产生层可以另外地定位在另外包括的堆叠体与相邻的第一堆叠体424和第二堆叠体425中的一者之间。
有机电子元件420可以包括空穴注入层427。空穴注入层427可以定位在作为阳极电极的第一电极421与第一发光层424a之间。例如,空穴注入层427可以定位在作为阳极电极的第一电极421与第一空穴传输层424b之间。
尽管在图4中未示出,但是有机电子元件420还可以包括电子注入层。例如,电子注入层可以定位在作为阴极电极的第二电极423与第二电子传输层425c之间。
在另一个实例中,第一堆叠体424和第二堆叠体425各自还可以包括空穴注入层和电子注入层中的一者或更多者。在每个堆叠体内,空穴注入层可以位于发光层与阳极电极之间,电子注入层可以位于发光层与阴极电极之间。
第一层426a包含第一化合物。第一空穴传输层424b可以包含第一化合物,第二空穴传输层425b也可以包含第一化合物。此外,空穴注入层也可以包含第一化合物。各层中包含的第一化合物可以彼此相同或者可以彼此不同,只要满足稍后描述的第一化合物的要求即可。
第一化合物由以下化学式1和化学式2中的一者或更多者表示。
[化学式1]
Figure BDA0002841248160000131
[化学式2]
Figure BDA0002841248160000132
在下文中,将描述化学式1和化学式2。
R1至R6相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;芴基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,并且R1至R6中的一者或更多者为氰基。
当R1至R6为芳基时,它们可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C30芳基或C6-C12芳基。
A1至A4可以相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;芴基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
在化学式1和化学式2的R1至R6和A1至A4中,芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基和烷基芳基甲硅烷基可以各自进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;芴基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
当第一化合物由化学式1和化学式2中的一者或更多者表示时,例如,第一层包含一种由化学式1表示的化合物(A)和一种由化学式2表示的化合物(B),这意指所有两种化合物(A、B)均包括在第一化合物中。
第一层426a包含第二化合物。第二化合物由以下化学式3表示。
[化学式3]
Figure BDA0002841248160000141
在下文中,将描述化学式3。
X1至X3可以相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:C6-C60芳基;芴基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基,或者由下式3-1至3-5中的一者表示。
在化学式3的X1至X3中,芳基、芴基、杂环基和稠环基可以各自进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;芴基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
[化学式3-1]
Figure BDA0002841248160000151
[化学式3-2]
Figure BDA0002841248160000152
[化学式3-3]
Figure BDA0002841248160000153
[化学式3-4]
Figure BDA0002841248160000154
[化学式3-5]
Figure BDA0002841248160000161
在下文中,将描述化学式3-1至3-5。
m和n各自独立地为0至3的整数,
R1各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;芴基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
当R1为芳基时,其可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C30芳基或C6-C12芳基。
当R1为烷基时,其可以各自独立地为C1-C30烷基、C6-C20烷基或C6-C12烷基。
L为选自以下的一者:C6-C60亚芳基;亚芴基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60二价杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基。
在化学式3-1至3-5中,与L连接的虚线部分表示X1至X3与化学式3中的N键合的位置或键合氢的位置。例如,在化学式3-1至3-3中,与L连接的虚线部分可以为与化学式3的N键合的位置。在化学式3-4和3-5的情况下,任一虚线可以与化学式3的N键合,而另一虚线可以与氢键合。
在化学式3-1至3-5的R1和L中,芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基、烷基芳基甲硅烷基、亚芳基、亚芴基、二价杂环基、二价稠环基可以各自进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;芴基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
由于有机电子元件420包括含有第一化合物和第二化合物的第一层426a,因此其可以具有高效率或长寿命。
第一化合物由以下化学式4和化学式5中的一者或更多者表示。
[化学式4]
Figure BDA0002841248160000171
[化学式5]
Figure BDA0002841248160000172
在下文中,将描述化学式4和化学式5。
n和m各自独立地为0至5的整数。
R7和R8可以相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氘;氚;卤素;氰基;C1-C50烷基;和C1-C30烷氧基。
当R7和R8为烷氧基时,它们可以为例如C1-C30烷氧基、C1-C20烷氧基或C1-C10烷氧基。
在化学式4和化学式5的R7和R8中,烷基和烷氧基可以各自进一步经选自氘和卤素中的至少一个取代基取代。
当第一化合物由化学式4和化学式5中的一者或更多者表示时,例如,第一层包含一种由化学式4表示的化合物(C)和一种由化学式5表示的化合物(D),这意指所有两种化合物(C、D)均包括在第一化合物中。
当第一层426a包含由以上化学式4和5中的一者或更多者表示的第一化合物时,有机电子元件420可以具有高效率或长寿命。
第一化合物由以下化学式6和化学式7中的一者或更多者表示。
[化学式6]
Figure BDA0002841248160000181
[化学式7]
Figure BDA0002841248160000182
将描述化学式6和化学式7。
R1至R6相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;芴基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,并且R1至R6中的一者或更多者为氰基。
当R1至R6为芳基时,它们可以各自独立地为C6-C60芳基、C6-C30芳基或C6-C12芳基。
在化学式6和化学式7的R1至R6中,芳基、芴基、杂环基、稠环基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基和烷基芳基甲硅烷基可以各自进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;芴基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
当第一化合物由化学式7和化学式8中的一者或更多者表示时,例如,第一层包含一种由化学式7表示的化合物(E)和一种由化学式8表示的化合物(F),这意指所有两种化合物(E、F)均包括在第一化合物中。
当第一层426a包含由以上化学式6和7中的一者或更多者表示的第一化合物时,有机电子元件420可以具有高效率或长寿命。
第一化合物可以为以下化合物中的一者或更多者。
Figure BDA0002841248160000191
Figure BDA0002841248160000201
Figure BDA0002841248160000211
当第一层426a包含由以上化合物中一者或更多者代表的第一化合物时,有机电子元件420可以具有高效率或长寿命。
第二化合物可以为以下化合物中的一者或更多者。
Figure BDA0002841248160000212
Figure BDA0002841248160000221
当第一层426a包含由以上化合物中的一者或更多者代表的第二化合物时,有机电子元件420可以具有高效率或长寿命。
第三化合物为以下化合物中的一者或更多者。
Figure BDA0002841248160000231
当第一层426a包含由以上化合物中的一者或更多者代表的第三化合物时,有机电子元件420可以具有高效率或长寿命。
有机电子元件420满足以下一般式1。
[一般式1]
0.32eV≤L1-H2≤0.8eV
在一般式1中,L1为第一化合物的LUMO能级。H2为第二化合物的HOMO(最高占据分子轨道)能级。
一般式1中限定的L1-H2的下限可以为0.34eV或更大、或者0.38eV或更大。
一般式1中限定的L1-H2的上限可以为0.7eV或更小、或者0.6eV或更小。
有机电子元件420包括含有满足一般式1的第一化合物和第二化合物的第一层,使得其可以具有高效率或长寿命。
有机电子元件420满足以下一般式2。
[一般式2]
0.80eV≤L1-H3≤1.4eV
在一般式2中,L1为第一化合物的LUMO(最低未占分子轨道)能级。
H3为第三化合物的HOMO(最高占据分子轨道)能级。
一般式2中限定的L1-H3的下限可以为0.90eV或更大、或者1.00eV或更大。
一般式2中限定的L1-H3的上限可以为1.3eV或更小、或者1.2eV或更小。
有机电子装置420包括含有满足一般式2的第一化合物的第一层和含有所述第三化合物的发光层,使得其可以具有高效率或长寿命。
有机电子元件420满足以下一般式3。
[一般式3]
0.40eV≤H2-H3≤0.9eV
在一般式3中,H2为第二化合物的HOMO(最高占据分子轨道)能级。
H3为第三化合物的HOMO(最高占据分子轨道)能级。
一般式3中限定的H2-H3的下限可以为0.45eV或更大、或者0.50eV或更大。
一般式3中限定的H2-H3的上限可以为0.80eV或更小、或者0.70eV或更小。
有机电子装置420包括含有满足一般式3的第一化合物的第一层,使得其可以具有高效率或长寿命。
包含在第一层426a中的第一化合物可以为掺杂剂,而第二化合物可以为主体化合物。由于第一层426a包含作为掺杂剂的上述第一化合物和作为主体的上述第二化合物,因此第一层426a具有优异的空穴传输特性,使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。
第一化合物可以以10重量%至50重量%的比率掺杂到第一层426a中。当第一化合物满足以上比率时,第一层具有优异的空穴传输特性,使得有机电子元件可以具有优异的效率和寿命。
第一层426a的厚度没有特别限制,但是可以为例如
Figure BDA0002841248160000251
Figure BDA0002841248160000252
第二层426b的厚度没有特别限制,但是可以为例如
Figure BDA0002841248160000253
Figure BDA0002841248160000254
本发明的其他实施方案可以提供显示面板110。
显示面板110包括子像素111,所述子像素111包括上述有机电子元件420。
在根据本实施方案的显示面板110中,由于所述有机电子元件420与根据上述实施方案的有机电子元件420相同,因此将省略其描述。
另外,由于以上已描述了根据实施方案的显示面板110和子像素111,因此将省略其描述。
本发明的其他实施方案可以提供显示装置100。
显示装置100包括上述显示面板110和用于驱动上述显示面板110的驱动电路。
在根据本实施方案的显示装置100中,显示面板110与根据上述实施方案的显示面板110相同,因此将省略其描述。
此外,由于以上已描述了用于驱动根据实施方案的显示面板的驱动电路,因此将省略其描述。
在下文中,将参照实施方案具体描述制造根据实施方案的有机电子元件的实施例,但是实施方案不限于以下实例。
有机电子元件的制造评估
比较例1
在将涂覆有ITO(氧化铟锡)至
Figure BDA0002841248160000262
厚度的玻璃基底洗涤之后,用例如异丙醇、丙酮或甲醇的溶剂洗涤所述基底并干燥。在该准备的ITO透明电极上,使用NPD(N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺)作为第二化合物,掺杂10%的F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-四氰基醌二甲烷)作为第一化合物,并且热真空沉积以形成10nm的空穴注入层。通过热真空沉积100nm的空穴传输材料(NPD)形成第一空穴传输层(HTL1)。
随后,通过热真空沉积空穴传输材料(TCTA,三(4-咔唑基-9-基苯基)胺)至100nm的厚度形成第二空穴传输层(HTL2)。在此之前(或者在此之后),使用ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)和1,6-双(二苯胺)芘分别作为主体材料和掺杂剂材料(掺杂3%),并且热真空沉积至20nm的厚度以形成第一发光层。
随后,通过热真空沉积电子传输材料(TmPyPB,1,3,5-三(间吡啶-3-基苯基)苯)至10nm的厚度形成电子传输层,并且使用作为电子注入材料的Bphen(红菲绕啉),并掺杂2%的Li以通过热真空沉积至20nm的厚度形成电子注入层。随后,通过沉积Al至50nm的厚度形成阴极,从而制造有机电子元件。
实施方案1至21和比较例2至7
以与比较例1中相同的方式制造有机电子元件,不同之处在于以下表1所示的类型和比率使用第一化合物和第二化合物。表2示出了所制造的有机电子元件的性能。
[表1]
Figure BDA0002841248160000261
Figure BDA0002841248160000271
在表1中,A04、A15和A38为描述为可选择作为第一化合物的A04、A15和A38化合物,D01、D16、D19、D22、D28和D52为描述为可选择作为第二化合物的D01、D16、D19、D22、D28和D52化合物。F4-TCNQ如下。
Figure BDA0002841248160000272
[表2]
Figure BDA0002841248160000281
如从表2的结果可以看出,根据实施方案的有机电子元件包括含有根据实施方案的第一化合物和第二化合物的第一层,因此,与比较例的有机电子元件相比,其可以具有优异的效率或寿命。
在包括含有由化学式1和化学式2中的至少一者表示的第一化合物的第一层的实施方案1、8和15的情况下,与比较实施方案的有机电子元件相比,其效率和寿命得以改善。
此外,与实施方案1、8和15相比,可以看出包括还含有由化学式3表示的第二化合物的第一层的实施方案的有机电子元件具有比实施方案1、8和15的有机电子元件更好的效率和更长的寿命。
因此,可以看出,包含由化学式1和2中的一者或更多者表示的第一化合物和由化学式3表示的第二化合物的特征提供彼此协同效应从而提供更优异的有机电子元件。
本申请还涉及以下方面。
1.一种有机电子元件,包括:
第一电极;
第二电极;和
定位在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层,
其中所述有机层包括第一层,以及
所述第一层包含由以下化学式1和化学式2中的一者或更多者表示的第一化合物和由以下化学式3表示的第二化合物:
[化学式1]
Figure BDA0002841248160000291
[化学式2]
Figure BDA0002841248160000292
[化学式3]
Figure BDA0002841248160000301
在所述化学式1和所述化学式2中,
R1至R6相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,并且R1至R6中的一者或更多者为氰基,
A1至A4相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
在所述化学式1和所述化学式2的R1至R6和A1至A4中,所述芳基、所述杂环基、所述稠环基、所述烷基、所述烯基、所述炔基、所述烷氧基、所述芳氧基、所述烷基甲硅烷基、所述芳基甲硅烷基和所述烷基芳基甲硅烷基各自任选地进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
在所述化学式3中,
X1至X3相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:C6-C60芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基,或者由下式3-1至3-5中的一者表示,
在所述化学式3的X1至X3中,所述芳基、所述杂环基和所述稠环基各自任选地进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
[化学式3-1]
Figure BDA0002841248160000311
[化学式3-2]
Figure BDA0002841248160000312
[化学式3-3]
Figure BDA0002841248160000313
[化学式3-4]
Figure BDA0002841248160000314
[化学式3-5]
Figure BDA0002841248160000321
在所述化学式3-1至3-5中,
m和n各自独立地为0至3的整数,
R1各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
L为选自以下的一者:C6-C60亚芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60二价杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基,
在所述化学式3-1至3-5的R1和L中,所述芳基、所述杂环基、所述稠环基、所述烷基、所述烯基、所述炔基、所述烷氧基、所述芳氧基、所述烷基甲硅烷基、所述芳基甲硅烷基、所述烷基芳基甲硅烷基、所述亚芳基、所述二价杂环基、所述二价稠环基各自任选地进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
2.根据项1所述的有机电子元件,其中所述芳基为芴基,所述亚芳基为亚芴基。
3.根据项1所述的有机电子元件,其中所述第一化合物由以下化学式4和化学式5中的一者或更多者表示:
[化学式4]
Figure BDA0002841248160000331
[化学式5]
Figure BDA0002841248160000332
在所述化学式4和所述化学式5中,
n和m各自独立地为0至5的整数,
R7至R8相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氘;氚;卤素;氰基;C1-C50烷基;和C1-C30烷氧基,以及
烷基和烷氧基各自任选地进一步经选自氘和卤素中的至少一个取代基取代。
4.根据项1所述的有机电子元件,其中所述第一化合物由以下化学式6和化学式7中的一者或更多者表示:
[化学式6]
Figure BDA0002841248160000333
[化学式7]
Figure BDA0002841248160000334
在所述化学式6和所述化学式7中,
R1至R6与所述化学式1和2中限定的R1至R6相同。
5.根据项1所述的有机电子元件,其中所述第一化合物为以下化合物中的一者或更多者:
Figure BDA0002841248160000341
Figure BDA0002841248160000351
Figure BDA0002841248160000361
6.根据项1所述的有机电子元件,其中所述第二化合物为以下化合物中的一者或更多者:
Figure BDA0002841248160000362
Figure BDA0002841248160000371
Figure BDA0002841248160000381
7.根据项1所述的有机电子元件,其中所述第一电极为阳极电极,所述第二电极为阴极电极,以及所述第一层定位在所述第一电极与发光层之间。
8.根据项1所述的有机电子元件,其中满足以下一般式1:
[一般式1]
0.32eV≤L1-H2≤0.8eV
在所述一般式1中,L1为所述第一化合物的LUMO能级,以及H2为所述第二化合物的HOMO能级。
9.根据项7所述的有机电子元件,其中满足以下一般式2:
[一般式2]
0.80eV≤L1-H3≤1.4eV
在所述一般式2中,L1为所述第一化合物的LUMO能级,以及H3为第三化合物的HOMO能级。
10.根据项6所述的有机电子元件,其中满足以下一般式3:
[一般式3]
0.40eV≤H2-H3≤0.9eV
在所述一般式3中,H2为所述第二化合物的HOMO能级,以及H3为第三化合物的HOMO能级。
11.一种显示面板,包括子像素,所述子像素包括根据项1至10中任一项所述的有机电子元件。
12.一种显示装置,包括:
根据项11所述的显示面板;和
用于驱动所述显示面板的驱动电路。
已提供了以上描述以使本领域任何技术人员能够制造和使用本发明的技术构思,并且已经在特定应用及其要求的背景下提供了以上描述。对所描述的实施方案的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员而言是显而易见的,并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以将本文中限定的一般原理应用于其他实施方案和应用。以上描述和附图提供本发明的技术构思的实例仅用于说明性目的。即,所公开的实施方案旨在说明本发明的技术构思的范围。因此,本发明的范围不限于所示实施方案,而应被赋予与权利要求一致的最宽范围。应基于所附权利要求来解释本发明的保护范围,并且在其等同方案的范围内的全部技术构思应当被解释为包含在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种有机电子元件,包括:
第一电极;
第二电极;和
定位在所述第一电极与所述第二电极之间的有机层,
其中所述有机层包括第一层,以及
所述第一层包含由以下化学式1和化学式2中的一者或更多者表示的第一化合物和由以下化学式3表示的第二化合物:
[化学式1]
Figure FDA0002841248150000011
[化学式2]
Figure FDA0002841248150000012
[化学式3]
Figure FDA0002841248150000013
在所述化学式1和所述化学式2中,
R1至R6相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,并且R1至R6中的一者或更多者为氰基,
A1至A4相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
在所述化学式1和所述化学式2的R1至R6和A1至A4中,所述芳基、所述杂环基、所述稠环基、所述烷基、所述烯基、所述炔基、所述烷氧基、所述芳氧基、所述烷基甲硅烷基、所述芳基甲硅烷基和所述烷基芳基甲硅烷基各自任选地进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
在所述化学式3中,
X1至X3相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:C6-C60芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基,或者由下式3-1至3-5中的一者表示,
在所述化学式3的X1至X3中,所述芳基、所述杂环基和所述稠环基各自任选地进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
[化学式3-1]
Figure FDA0002841248150000021
[化学式3-2]
Figure FDA0002841248150000022
[化学式3-3]
Figure FDA0002841248150000031
[化学式3-4]
Figure FDA0002841248150000032
[化学式3-5]
Figure FDA0002841248150000033
在所述化学式3-1至3-5中,
m和n各自独立地为0至3的整数,
R1各自独立地为选自以下的一者:氢;氘;氚;卤素;氰基;硝基;C6-C60芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的稠环基;C1-C50烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C1-C30烷氧基;C6-C30芳氧基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基,
L为选自以下的一者:C6-C60亚芳基;包含O、N、S、Si和P中的至少一个杂原子的C2-C60二价杂环基;C3-C60脂族环和C6-C60芳族环的二价稠环基,
在所述化学式3-1至3-5的R1和L中,所述芳基、所述杂环基、所述稠环基、所述烷基、所述烯基、所述炔基、所述烷氧基、所述芳氧基、所述烷基甲硅烷基、所述芳基甲硅烷基、所述烷基芳基甲硅烷基、所述亚芳基、所述二价杂环基、所述二价稠环基各自任选地进一步经选自以下的至少一个取代基取代:氘;硝基;氰基;卤素;氨基;C1-C20烷氧基;C1-C20烷基;C2-C20烯基;C2-C20炔基;C6-C20芳基;经氘取代的C6-C20芳基;C2-C20杂环基;C3-C60烷基甲硅烷基;C18-C60芳基甲硅烷基;和C8-C60烷基芳基甲硅烷基。
2.根据权利要求1所述的有机电子元件,其中所述芳基为芴基,所述亚芳基为亚芴基。
3.根据权利要求1所述的有机电子元件,其中所述第一化合物由以下化学式4和化学式5中的一者或更多者表示:
[化学式4]
Figure FDA0002841248150000041
[化学式5]
Figure FDA0002841248150000042
在所述化学式4和所述化学式5中,
n和m各自独立地为0至5的整数,
R7至R8相同或不同,各自独立地为选自以下的一者:氘;氚;卤素;氰基;C1-C50烷基;和C1-C30烷氧基,以及
烷基和烷氧基各自任选地进一步经选自氘和卤素中的至少一个取代基取代。
4.根据权利要求1所述的有机电子元件,其中所述第一化合物由以下化学式6和化学式7中的一者或更多者表示:
[化学式6]
Figure FDA0002841248150000051
[化学式7]
Figure FDA0002841248150000052
在所述化学式6和所述化学式7中,
R1至R6与所述化学式1和2中限定的R1至R6相同。
5.根据权利要求1所述的有机电子元件,其中所述第一化合物为以下化合物中的一者或更多者:
Figure FDA0002841248150000053
Figure FDA0002841248150000061
Figure FDA0002841248150000071
6.根据权利要求1所述的有机电子元件,其中所述第二化合物为以下化合物中的一者或更多者:
Figure FDA0002841248150000072
Figure FDA0002841248150000081
Figure FDA0002841248150000091
7.根据权利要求1所述的有机电子元件,其中所述第一电极为阳极电极,所述第二电极为阴极电极,以及所述第一层定位在所述第一电极与发光层之间。
8.根据权利要求1所述的有机电子元件,其中满足以下一般式1:
[一般式1]
0.32eV≤L1-H2≤0.8eV
在所述一般式1中,L1为所述第一化合物的LUMO能级,以及H2为所述第二化合物的HOMO能级。
9.根据权利要求7所述的有机电子元件,其中满足以下一般式2:
[一般式2]
0.80eV≤L1-H3≤1.4eV
在所述一般式2中,L1为所述第一化合物的LUMO能级,以及H3为第三化合物的HOMO能级。
10.根据权利要求6所述的有机电子元件,其中满足以下一般式3:
[一般式3]
0.40eV≤H2-H3≤0.9eV
在所述一般式3中,H2为所述第二化合物的HOMO能级,以及H3为第三化合物的HOMO能级。
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