CN114824700B - 滤波器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种滤波器及其制作方法，滤波器包括：第一基板，第一基板表面设置有微带滤波电路，第一基板包括相对的第一边沿和第二边沿，和相对的第三边沿和第四边沿；第二基板，与第一基板层叠设置，微带电路设置于第一基板和所述第二基板之间，第一基板的射频接地面和第二基板的射频接地面通过金属化孔连接。通过上下层叠设置的双层结构形式，实现滤波器小型化的同时提升了小型化滤波器的电性能。
Description
技术领域
本发明涉及微波器件设计和制造技术领域，尤其涉及一种滤波器及其制作方法。
背景技术
滤波器是最基本的微波电子器件，广泛应用于各行各业，随着5G时代的到来，特别是5G的毫米波频段FR2应用中，明确提出22.1GHz～24GHz，27.5GHz～29.5GHz及32.33GHz～34.9GHz的频段范围，国际上知名元器件供应商已经开始研制此类滤波器产品，个别厂家也推出了货架产品。电子信息产业推动着电子器件不断向着小型化、高频段和高性能方向发展，这使得小型化滤波器的实现方法成为通信电子系统集成技术中不可或缺的技术构成。
微波电子系统中，常见的滤波器形式主要有平面微带形式和腔体滤波器。相关技术中主要还是单纯采用LTCC技术实现多层布局或者减小滤波器尺寸来实现小型化。例如是相关技术中的层叠式滤波器，基于多个滤波器的层叠，来实现增强型功能，描述了一种无源滤波器形式，通过不同的层叠关系改变电感线圈匝数，从而改变滤波器中心频率。
在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：采用同种材料通过多层堆叠电路的方式形成滤波器，对于LTCC材料的技术指标要求很高，并且实现高品质器件的难度较大。
发明内容
本公开实施例提供了一种滤波器及其制作方法，以解决现有技术中采用同种材料通过多层堆叠电路的方式形成滤波器，对于LTCC材料的技术指标要求很高，并且实现高品质器件的难度较大的技术问题。
第一方面，提供了一种滤波器，该滤波器包括：第一基板，所述第一基板表面设置有微带滤波电路，所述第一基板表面包括相对的第一边沿和第二边沿，和相对的第三边沿和第四边沿；第二基板，与所述第一基板层叠设置，所述微带滤波电路设置于所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板的射频接地面和所述第二基板的射频接地面通过金属化孔连接。
结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述微带滤波电路包括：输入传输线，设置于所述第一边沿；第一矩形微带线，与所述输入传输线同向设置，所述第一矩形微带线的一端与所述输入传输线的第一端连接；第二矩形微带线，与所述第一矩形微带线垂直，所述第二矩形微带线的一端与所述第一矩形微带线的一端连接，所述第二矩形微带线的一端还与所述第一端连接；第三矩形微带线，与所述输入传输线同向设置，所述第三矩形微带线的一端与所述第二矩形微带线的另一端连接；第四矩形微带线，与所述第一矩形微带线垂直，所述第四矩形微带线的一端与所述第一矩形微带线的另一端连接；第五矩形微带线，与所述输入传输线同向设置，所述第五矩形微带线和所述输入传输线设置于所述第二矩形微带线两侧，所述第四矩形微带线和所述第五矩形微带线设置于所述第一矩形微带线两侧；第六矩形微带线，与所述第五矩形微带线垂直，所述第六矩形微带线的一端与所述第五矩形微带线的一端连接；第七矩形微带线，与所述输入传输线同向设置，所述第七矩形微带线的一端与所述第六矩形微带线的另一端连接；所述第三边沿和所述第四边沿中点的连线为第一中线，所述微带滤波电路还包括：与所述输入传输线关于所述第一中线对称的输出传输线，与所述第一矩形微带线关于所述第一中线对称的第八矩形微带线，与所述第二矩形微带线关于所述第一中线对称的第九矩形微带线，与所述第三矩形微带线关于所述第一中线对称的第十矩形微带线，与所述第四矩形微带线关于所述第一中线对称的第十一矩形微带线，与所述第五矩形微带线关于所述第一中线对称的第十二矩形微带线，与所述第六矩形微带线关于所述第一中线对称的第十三矩形微带线，与所述第七矩形微带线关于所述第一中线对称的第十四矩形微带线。
结合第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述第一基板表面还设置有：第一U型电镀层，设置于所述第四边沿，所述第一U型电镀层的开口朝向所述微带滤波电路；和第二U型电镀层，设置于所述第三边沿，所述第二U型电镀层的开口朝向所述微带滤波电路；其中，所述第一U型电镀层侧边层的宽度小于所述第二U型电镀层侧边层的宽度。
结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述第二基板表面包括相对的第五边沿和第六边沿，所述第二基板一面设置有：第三U型电镀层，设置于所述第五边沿，所述第三U型电镀层的开口朝向所述第六边沿；和第四U型电镀层，设置于所述第六边沿，所述第四U型电镀层的开口朝向所述第五边沿；其中，所述第三U型电镀层侧边层的宽度小于所述第四U型电镀层侧边层的宽度。
结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述第一U型电镀层、所述第二U型电镀层、所述第三U型电镀层和所述第四U型电镀层的镀层厚度为8微米至十微米。
结合第一方面，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述第一基板和所述第二基板的长度不大于2毫米。
结合第一方面或者第一方面的第五种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述第一基板和所述第二基板的宽度不大于1.8毫米。
结合第一方面或者第一方面的第五种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，所述第一基板，和/或所述第二基板的厚度为0.254毫米。
结合第一方面，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述第一基板，和/或所述第二基板介电常数为9.8。
第二方面，提供了一种滤波器的制作方法，包括：步骤S1：采用薄膜工艺加工得到第一基板和第二基板，其中所述第一基板表面设置有微带滤波电路；步骤S2：采用电镀的方式在所述第一基板表面设置第一U型电镀层和第二U型电镀层，采用电镀的方式在所述第二基板表面设置第三U型电镀层和第四U型电镀层；步骤S3：将加工后的第一基板和第二基板通过真空回流焊接的方式键合，得到所述滤波器。
本公开实施例提供的滤波器及其制作方法，可以实现以下技术效果：
通过上下层叠设置的双层结构形式，实现滤波器小型化的同时提升了小型化滤波器的电性能。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1是本公开实施例提供的滤波器的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的滤波器结构的另一示意图；
图3是本公开实施例提供的第一基板表面的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的第一基板另一表面的结构示意图；
图5是本公开实施例提供的第二基板表面的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的第二基板另一表面的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的回流焊接温度曲线的示意图；
图8是本公开实施例提供的滤波器的S参数曲线图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行描述和说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请提供的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本申请应用于其他类似情景。此外，还可以理解的是，虽然这种开发过程中所作出的努力可能是复杂并且冗长的，然而对于与本申请公开的内容相关的本领域的普通技术人员而言，在本申请揭露的技术内容的基础上进行的一些设计，制造或者生产等变更只是常规的技术手段，不应当理解为本申请公开的内容不充分。
在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域普通技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例在不冲突的情况下，可以与其它实施例相结合。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
除非另作定义，本申请所涉及的技术术语或者科学术语应当为本申请所属技术领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请所涉及的“一”、“一个”、“一种”、“该”等类似词语并不表示数量限制，可表示单数或复数。本申请所涉及的术语“包括”、“包含”、“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含；例如包含了一系列步骤或模块(单元)的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可以还包括没有列出的步骤或单元，或可以还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本公开实施例中“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，“A和/或B”可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
为了便于理解，下面对本公开实施例所涉概念进行介绍，低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramic，简称LTCC)技术是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个被动组件，例如是低容值电容、电阻、滤波器、阻抗转换器或耦合器等，埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，内外电极可分别使用银、铜或金等金属，在900℃下烧结，制成三维空间互不干扰的高密度电路，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源或有源集成的功能模块，可进一步将电路小型化与高密度化，特别适合用于高频通讯用组件。
微波电子系统中，平面微带形式的滤波器难以小型化，陶瓷介质腔体滤波器又难以做到较高频段。相关技术中的带通滤波器，巧妙地利用带线构成准谐振腔，在通带的两侧制作出传输零点，可以有效提升滤波器的带外抑制。相关技术中的毫米波LTCC滤波器，采用SIW基片集成波导腔体滤波器，依靠腔体的尺寸特征形成谐振，可以方便实现小型化产品，但是在较高频段时这种设计方法对介质腔尺寸要求非常严格，要求介质腔尺寸非常精准，在生产制造过程中有很多难点。
图1是本公开实施例提供的滤波器的结构示意图。图2是本公开实施例提供的滤波器结构的另一示意图。如图1和2所示，本公开实施例提供了一种滤波器，该滤波器包括：第一基板1，第一基板1表面设置有微带滤波电路，第一基板1表面包括相对的第一边沿11和第二边沿12，和相对的第三边沿13和第四边沿14；第二基板2，与第一基板1层叠设置，微带滤波电路设置于第一基板1和第二基板2之间，第一基板1的射频接地面和第二基板2的射频接地面通过金属化孔连接。其中，可以将金属化孔的直径设置为0.15毫米。
本公开实施例提供的滤波器，可以实现以下技术效果：通过上下层叠设置的双层结构形式，实现滤波器小型化的同时提升了小型化滤波器的电性能。
图3是本公开实施例提供的第一基板表面的结构示意图。如图3所示，微带滤波电路包括：输入传输线15，设置于第一边沿11；第一矩形微带线111，与输入传输线15同向设置，第一矩形微带线111的一端与输入传输线15的第一端连接；第二矩形微带线112，与第一矩形微带线111垂直，第二矩形微带线112的一端与第一矩形微带线111的一端连接，第二矩形微带线112的一端还与第一端连接；第三矩形微带线113，与输入传输线15同向设置，第三矩形微带线113的一端与第二矩形微带线112的另一端连接；第四矩形微带线114，与第一矩形微带线111垂直，第四矩形微带线114的一端与第一矩形微带线111的另一端连接；第五矩形微带线115，与输入传输线15同向设置，第五矩形微带线115和输入传输线15设置于第二矩形微带线112两侧，第四矩形微带线114和第五矩形微带线115设置于第一矩形微带线111两侧；第六矩形微带线116，与第五矩形微带线115垂直，第六矩形微带线116的一端与第五矩形微带线115的一端连接；第七矩形微带线117，与输入传输线15同向设置，第七矩形微带线117的一端与第六矩形微带线116的另一端连接；第三边沿13和第四边沿14中点的连线为第一中线16，微带滤波电路还包括：与输入传输线15关于第一中线16对称的输出传输线17，与第一矩形微带线111关于第一中线16对称的第八矩形微带线118，与第二矩形微带线112关于第一中线16对称的第九矩形微带线119，与第三矩形微带线113关于第一中线16对称的第十矩形微带线1110，与第四矩形微带线114关于第一中线16对称的第十一矩形微带线1111，与第五矩形微带线115关于第一中线16对称的第十二矩形微带线1112，与第六矩形微带线116关于第一中线16对称的第十三矩形微带线1113，与第七矩形微带线117关于第一中线16对称的第十四矩形微带线1114。
如图3所示，输入传输线15和输出传输线17沿图中水平方向设置，图中的虚线部分用于对各微带线的说明进行辅助，并非对微带线结构的限定。第一矩形微带线111、第二矩形微带线112、第三矩形微带线113、第四矩形微带线114、第五矩形微带线115、第六矩形微带线116、第七矩形微带线117、第八矩形微带线118、第九矩形微带线119、第十矩形微带线1110、第十一矩形微带线1111、第十二矩形微带线1112、第十三矩形微带线1113和第十四矩形微带线1114的划分用于对导带的形状进行说明，各矩形微带线共同组成微带滤波电路的导带，各矩形微带线采用相同工艺相同材料制成。
如图3所示，在一些实施例中，第一矩形微带线的长度L2-3为0.71毫米，第八矩形微带线与第一矩形微带线的长宽相同；第二矩形微带线的长度L2-2为0.47毫米，宽度为毫米，第九矩形微带线与第二矩形微带线的长宽相同；第三矩形微带线的长度L2-1为0.17毫米，第十矩形微带线与第三矩形微带线的长宽相同；第四矩形微带线的长度L2-4为0.20毫米，第十一矩形微带线与第四矩形微带线的长宽相同；第五矩形微带线的长度L1-3为0.50毫米，第十二矩形微带线与第五矩形微带线的长宽相同；第六矩形微带线的长度L1-2为0.76毫米，第十三矩形微带线与第六矩形微带线的长宽相同；第七矩形微带线的长度L1-1为0.45毫米，第十四矩形微带线与第七矩形微带线的长宽相同。
图4是本公开实施例提供的第一基板另一表面的结构示意图。
如图3所示，在一些实施例中，第一基板1表面还设置有：第一U型电镀层18，设置于第四边沿14，第一U型电镀层18的开口朝向微带滤波电路；和第二U型电镀层19，设置于第三边沿13，第二U型电镀层19的开口朝向微带滤波电路；其中，第一U型电镀层18侧边层的宽度小于第二U型电镀层19侧边层的宽度。其中，第一U型电镀层底边层的长度与第一基板1的长度相同，第一U型电镀板底边层的宽度可以设置为0.15毫米，两个第一U型电镀板侧边层的长度可以设置为0.45毫米。第二U型电镀板底边层的长度与第一基板1的长度相同，第二U型电镀板底边层的宽度可以设置为0.2毫米，两个第二U型电镀层侧板层的宽度可以设置为0.1毫米。第一U型电镀层18和第二U型电镀层19的厚度可以设置为8微米至10微米，例如是可以设置为8微米、8.1微米、8.6微米、9微米、9.2微米、9.7微米或者是10微米。第一基板表面的电镀层与微带滤波电路部分没有电气联通，这样，可以很容易实现电镀层局部镀覆。
在一些实施例中，第一基板1的膜层结构为TiW-Ni-Au，其中TiW层厚度可以设置为0.05微米，Ni层厚度可以设置为0.3微米，Au层厚度可以设置为2.5微米。
图5是本公开实施例提供的第二基板表面的结构示意图。如图5所示，在一些实施例中，第二基板2包括相对的第五边沿25和第六边沿26，第二基板2一面设置有：第三U型电镀层23，设置于第五边沿25，第三U型电镀层23的开口朝向第六边沿26；和第四U型电镀层24，设置于第六边沿26，第四U型电镀层24的开口朝向第五边沿25；其中，第三U型电镀层侧边层232的宽度小于第四U型电镀层侧边层242的宽度。其中，第三U型电镀层底边层231的长度与第二基板2的长度相同，第三U型电镀板底边层231的宽度可以设置为0.15毫米，图中L3-1所代表的尺寸为0.6毫米，两个第三U型电镀板侧边层232的长度可以设置为0.45毫米。第四U型电镀板底边层241的长度与第二基板2的长度相同，第四U型电镀板底边层241的宽度可以设置为0.2毫米，图中L3-2所代表的尺寸为0.3毫米，两个第四U型电镀层侧板层242的宽度可以设置为0.1毫米。第三U型电镀层23和第四U型电镀层24的厚度可以设置为8微米至10微米，例如是可以设置为8微米、8.1微米、8.6微米、9微米、9.2微米、9.7微米或者是10微米。第二基板表面的电镀层与微带滤波电路部分没有电气联通，这样，可以很容易实现电镀层局部镀覆。
图6是本公开实施例提供的第二基板另一表面的结构示意图。图中阴影部分为金属化的膜层。在一些实施例中，第二基板2的膜层结构为TiW-Ni-Au，其中金层厚度设置为0.5微米至1微米，例如是，0.5微米、0.6微米、0.78微米或者是1微米等。
第一U型电镀层、第二U型电镀层、第三U型电镀层和第四U型电镀层的镀层厚度为8微米至十微米。这样，既避免了电镀层镀层过厚对滤波器电性能的影响，也避免了电镀层镀层过薄影响后续键合的可靠性。
在一些实施例中，第一基板和第二基板的长度不大于2毫米。即第一基板和第二基板的长度小于等于2毫米。第一基板和第二基板的长度可以设置为2毫米、1.9毫米、1.7毫米或者是1.4毫米等。
在一些实施例中，第一基板和第二基板的宽度不大于1.8毫米。即第一基板和第二基板的宽度小于等于1.8毫米。第一基板和第二基板的宽度可以设置为1.8毫米、1.7毫米、1.5毫米或者是1.2毫米等。第一基板和第二基板键合后的滤波器高度设置为0.7-0.8毫米，滤波器为长方体形状。这样，可以在滤波器外形尺寸长1.8毫米×2毫米×0.8毫米范围内，实现中心频率28.4GHz，通带范围26.6GHz～30GHz，可以完全覆盖27.5GHz～29.5GHz应用频段范围，同时带内损耗小于0.3分贝，带外抑制小于-30分贝@24GHz，带外抑制小于-30分贝@32.33GHz，采用本公开实施例提供的滤波器具有比较好的应用前景。
在一些实施例中，第一基板，和/或第二基板介电常数为9.8的基板。即，第一基板，或者第二基板，或者第一基板和第二基板介电常数为9.8.第一基板和第二基板可以选用介电常数为9.8的氧化铝陶瓷基板。
在一些实施例中，第一基板，和/或第二基板的厚度为0.254毫米。即，第一基板，或者第二基板，或者第一基板和第二基板的厚度为0.254毫米。这样，滤波器仅需保证图形尺寸精度即可，而图形尺寸通过光刻工艺很方便实现，可以实现高频段小型化的滤波器。
本公开实施例还提供了一种前述滤波器的制作方法，包括：步骤S1：采用薄膜工艺加工得到第一基板和第二基板，其中第一基板表面设置有微带滤波电路；步骤S2：采用电镀的方式在第一基板表面设置第一U型电镀层和第二U型电镀层，采用电镀的方式在第二基板表面设置第三U型电镀层和第四U型电镀层；步骤S3：将加工后的第一基板和第二基板通过真空回流焊接的方式键合，得到滤波器。其中，电镀层中金锡合金的比例为78:22.
在一些实施例中，第一基板和第二基板通过薄膜工艺加工得到，通过溅射、电镀或者光刻方式形成导带电路，溅射膜结构可以为TiW-Ni-Au。这样，采用薄膜工艺可以制作出线条精度在±2微米之间的微带滤波电路，可以有效保障滤波器的电性能指标。同时，通过半波长谐振，可以在通带两侧产生谐振零点。
图7是本公开实施例提供的回流焊接温度曲线的示意图。如图7所示，焊接时，升温区内升温速率小于2℃/秒，恒温区内温度处于140℃至200℃，回流区内温度大于217℃，焊接的最高温度在300℃至310℃之间。按照图7所示温度曲线键合第一基板和第二基板，键合后滤波器的耐受温度大于280摄氏度。
图8是本公开实施例提供的滤波器的S参数曲线图。如图8所示，红色曲线表示S11，紫色曲线表示S12，参照滤波器的S参数曲线，滤波器的带宽在26.6GHz至30GHz之间，带宽可以约12％，通带两侧各分布一个传输零点，在23GHz和33.3GHz处的带外抑制可以达到-30分贝以下，对22.1GHz至24GHz和32.33GHz至34.9GHz两个频段的信号可以实现有效抑制。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种滤波器，其特征在于，包括：
第一基板，所述第一基板表面设置有微带滤波电路，所述第一基板表面包括相对的第一边沿和第二边沿，和相对的第三边沿和第四边沿；
第二基板，与所述第一基板层叠设置，所述微带滤波电路设置于所述第一基板和所述第二基板之间，所述第一基板的射频接地面和所述第二基板的射频接地面通过金属化孔连接，
所述微带滤波电路包括：
输入传输线，设置于所述第一边沿；
第一矩形微带线，与所述输入传输线同向设置，所述第一矩形微带线的一端与所述输入传输线的第一端连接；
第二矩形微带线，与所述第一矩形微带线垂直，所述第二矩形微带线的一端与所述第一矩形微带线的一端连接，所述第二矩形微带线的一端还与所述第一端连接；
第三矩形微带线，与所述输入传输线同向设置，所述第三矩形微带线的一端与所述第二矩形微带线的另一端连接；
第四矩形微带线，与所述第一矩形微带线垂直，所述第四矩形微带线的一端与所述第一矩形微带线的另一端连接；
第五矩形微带线，与所述输入传输线同向设置，所述第五矩形微带线和所述输入传输线设置于所述第二矩形微带线两侧，所述第四矩形微带线和所述第五矩形微带线设置于所述第一矩形微带线两侧；
第六矩形微带线，与所述第五矩形微带线垂直，所述第六矩形微带线的一端与所述第五矩形微带线的一端连接；
第七矩形微带线，与所述输入传输线同向设置，所述第七矩形微带线的一端与所述第六矩形微带线的另一端连接；
所述第三边沿和所述第四边沿中点的连线为第一中线，所述微带滤波电路还包括：与所述输入传输线关于所述第一中线对称的输出传输线，与所述第一矩形微带线关于所述第一中线对称的第八矩形微带线，与所述第二矩形微带线关于所述第一中线对称的第九矩形微带线，与所述第三矩形微带线关于所述第一中线对称的第十矩形微带线，与所述第四矩形微带线关于所述第一中线对称的第十一矩形微带线，与所述第五矩形微带线关于所述第一中线对称的第十二矩形微带线，与所述第六矩形微带线关于所述第一中线对称的第十三矩形微带线，与所述第七矩形微带线关于所述第一中线对称的第十四矩形微带线。
2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一基板表面还设置有：
第一U型电镀层，设置于所述第四边沿，所述第一U型电镀层的开口朝向所述微带滤波电路；和
第二U型电镀层，设置于所述第三边沿，所述第二U型电镀层的开口朝向所述微带滤波电路；
其中，所述第一U型电镀层侧边层的宽度小于所述第二U型电镀层侧边层的宽度。
3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述第二基板表面包括相对的第五边沿和第六边沿，所述第二基板一面设置有：
第三U型电镀层，设置于所述第五边沿，所述第三U型电镀层的开口朝向所述第六边沿；和
第四U型电镀层，设置于所述第六边沿，所述第四U型电镀层的开口朝向所述第五边沿；
其中，所述第三U型电镀层侧边层的宽度小于所述第四U型电镀层侧边层的宽度。
4.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，所述第一U型电镀层、所述第二U型电镀层、所述第三U型电镀层和所述第四U型电镀层的镀层厚度为8微米至十微米。
5.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板的长度不大于2毫米。
6.根据权利要求1或5所述的滤波器，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板的宽度不大于1.8毫米。
7.根据权利要求1或5所述的滤波器，其特征在于，所述第一基板，和/或所述第二基板的厚度为0.254毫米。
8.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一基板，和/或所述第二基板介电常数为9.8。
9.一种权利要求1所述的滤波器的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S1：采用薄膜工艺加工得到第一基板和第二基板，其中所述第一基板表面设置有微带滤波电路；
步骤S2：采用电镀的方式在所述第一基板表面设置第一U型电镀层和第二U型电镀层，采用电镀的方式在所述第二基板表面设置第三U型电镀层和第四U型电镀层；
步骤S3：将加工后的第一基板和第二基板通过真空回流焊接的方式键合，得到所述滤波器。
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