CN114823829A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114823829A CN114823829A CN202210389515.XA CN202210389515A CN114823829A CN 114823829 A CN114823829 A CN 114823829A CN 202210389515 A CN202210389515 A CN 202210389515A CN 114823829 A CN114823829 A CN 114823829A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- display device
- layer
- light emitting
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 24
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 232
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开一种显示装置，显示装置具有显示透光区，显示透光区包括多个透光区和多个发光区，发光区与透光区间隔设置，显示装置包括：基板；像素阵列层，设置于基板上，像素阵列层包括位于显示透光区中除多个透光区之外的区域中的金属结构；以及吸光层，设置于像素阵列层远离基板的一侧，吸光层包括：第一开口，在显示装置的厚度方向上贯穿吸光层，且与透光区重叠；第二开口，在显示装置的厚度方向上贯穿吸光层，且与发光区重叠；以及吸光结构，与金属结构的至少部分重叠。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。
背景技术
目前，由于偏光片会显著地降低透明显示装置的出光率，一般情况下，透明显示装置不会有偏光片，然而，由于透明显示装置不包括偏光片，导致透明显示装置对环境光的反射率较高，对环境光的反射率较高会导致透明显示装置显示时的对比度降低。
因此，有必要提出一种技术方案以解决透明显示装置对环境光的反射率较高导致的对比度降低的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示装置，以降低显示装置对环境光的反射率。
为实现上述目的，技术方案如下：
一种显示装置，所述显示装置具有显示透光区，所述显示透光区包括多个透光区和多个发光区，所述发光区与所述透光区间隔设置，所述显示装置包括：
基板；
像素阵列层，设置于所述基板上，所述像素阵列层包括位于所述显示透光区中除多个透光区之外的区域中的金属结构；以及
吸光层，设置于所述像素阵列层远离所述基板的一侧，所述吸光层包括：
吸光结构，与所述金属结构的至少部分重叠；
第一开口，在所述显示装置的厚度方向上贯穿所述吸光层，且与所述透光区重叠；以及
第二开口，在所述显示装置的厚度方向上贯穿所述吸光层，且与所述发光区重叠。
在上述显示装置中，所述金属结构包括：
多条信号线，设置于多个所述透光区之间，所述吸光结构与所述信号线的至少部分重叠，所述第一开口还与靠近所述透光区的所述信号线和所述透光区之间的间隙重叠。
在上述显示装置中，相邻两个所述透光区之间设置有至少两条沿同一个方向延伸的所述信号线；
所述吸光层还包括：
第三开口，所述第三开口位于相邻两个所述透光区之间的相邻两条所述信号线之间。
在上述显示装置中，多条所述信号线包括：
第一信号线，设置于多个所述透光区之间，且沿第一方向延伸；以及
第二信号线，设置于多个所述透光区之间，沿第二方向延伸，与所述第一信号线电性绝缘，所述第一方向与所述第二方向交叉；
其中，所述吸光结构与所述第一信号线的部分以及所述第二信号线的部分重叠。
在上述显示装置中，所述金属结构还包括图案化阴极，所述吸光结构还与位于所述发光区之外的所述图案化阴极的至少部分重叠。
在上述显示装置中，所述图案化阴极包括：
多个第一阴极，与多个所述发光区对应设置；以及
多个第二阴极，连接相邻两个所述第一阴极；
其中，所述吸光结构与多个所述第二阴极重叠，且与多个所述第一阴极和所述第二阴极连接的部分重叠。
在上述显示装置中，所述吸光结构与所述发光区之外的所述图案化阴极重叠。
在上述显示装置中，所述吸光结构在所述显示透光区的面积占比大于或等于5％且小于或等于30％。
在上述显示装置中，所述显示装置还包括封装层，所述封装层设置于所述吸光层与所述像素阵列层之间。
在上述显示装置中，所述吸光结构包括黑色色阻。
有益效果：本申请提供一种显示装置，通过吸光层包括吸光结构、第一开口以及第二开口，第一开口与透光区重叠，第二开口与发光区重叠，吸光结构与像素阵列层中的金属结构的至少部分重叠，以保证显示装置在透光区的透光率和在发光区的出光率的同时，降低像素阵列层中的金属结构的至少部分对环境光的反射率，进而提高显示装置显示的对比度。
附图说明
图1为本申请一实施例显示透光区的局部放大示意图；
图2为沿图1所示显示装置的A-A切线的截面示意图；
图3为沿图1所示显示装置的B-B切线的截面示意图；
图4为图1所示显示装置的阴极层的平面示意图；
图5为图1所示显示装置的吸光层的平面示意图；
图6为本申请另一实施例显示装置的截面示意图；
图7为图6所示显示装置的吸光层的平面示意图；
图8为本申请又一实施例显示装置的截面示意图；
图9为图8所示显示装置的吸光层的平面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种显示装置，显示装置为透明显示装置。请参阅图1，其为本申请一实施例显示透光区的局部放大示意图。显示装置具有显示透光区DA，显示透光区DA包括多个透光区TA和多个发光区P，发光区P与透光区TA间隔设置。
显示装置的透光区TA用于透光。多个透光区TA沿第一方向和第二方向阵列排布，第一方向与第二方向交叉。具体地，第一方向与第二方向垂直。
显示装置的发光区P用于发光。多个发光区P包括第一发光区PR、第二发光区PB以及第三发光区PG，第一发光区PR、第二发光区PB以及第三发光区PG均不设置滤光结构。第一发光区PR用于发出第一色光，第二发光区PB用于发出第二色光，第三发光区PG用于发光第三色光，第一色光的颜色、第二色光的颜色以及第三色光的颜色互相不同。具体地，第一色光为红光，第二色光为蓝光，第三色光为绿光。
一个第一发光区PR、两个第二发光区PB以及一个第三发光区PG组成一个发光区重复单元U。在一个发光区重复单元U中，一个第一发光区PR的中心、一个第三发光区PG的中心以及两个第二发光区PB的中心分别位于一个虚拟四边形S的顶角位置处，一个第一发光区PR与一个第三发光区PG在第一方向上并排设置，且一个第二发光区PB与另一个第二发光区PB在第二方向上并排设置。
一个发光区重复单元U由四个相邻且分别位于第一方向上相邻两排透光区TA和第二方向上相邻两排透光区TA中的透光区TA包围。
请参阅图1-图3，图2为沿图1所示显示装置的A-A切线的截面示意图，图3为沿图1所示显示装置的B-B切线的截面示意图。显示装置包括基板10、像素阵列层20、封装层30、吸光层40、填充层50、保护盖板60以及通孔20a。
基板10包括第一聚酰亚胺层、第二聚酰亚胺层以及无机绝缘层，无机绝缘层位于第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层之间。第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层均为透明聚酰亚胺层。无机绝缘层为氧化硅层。
像素阵列层20设置于基板10的第二聚酰亚胺层上。像素阵列层20包括薄膜晶体管阵列层和发光器件层，薄膜晶体管阵列层设置于基板10上，发光器件层设置于薄膜晶体管阵列层远离基板10的一侧。
薄膜晶体管阵列层包括依次叠置的缓冲层201、有源层202、第一绝缘层203、第一金属层204、第二绝缘层205、第二金属层206、第三绝缘层207、第三金属层208、第四绝缘层209、第四金属层210、第五绝缘层211以及像素定义层212。
缓冲层201设置于基板10的第二聚酰亚胺层上，以阻挡离子进入至薄膜晶体管阵列层中的薄膜晶体管中。缓冲层201的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。
有源层202设置于缓冲层201远离基板10的表面上。有源层202包括多个有源图案。有源层202的制备材料选自金属氧化物、低温多晶硅以及非晶硅中的任意一种。
第一绝缘层203覆盖有源层202和缓冲层201。第一绝缘层203为栅极绝缘层。第一绝缘层203的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。
第一金属层204设置于第一绝缘层203远离有源层202的表面上。第一金属层204为栅极金属层，第一金属层204包括栅极2041以及第一扫描线2042，栅极2041对应有源图案设置，第一扫描线2042沿第一方向延伸。第一金属层204的制备材料选自钼、铜、铝、钛以及银中的至少一种。
第二绝缘层205覆盖第一金属层204和第一绝缘层203。第二绝缘层205的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。
第二金属层206设置于第二绝缘层205远离第一金属层204的表面。第二金属层206包括第二扫描线2061和电极板2062，电极板2062对应栅极2041设置且与栅极2041组成电容器的两个极板，第二扫描线2061沿第一方向延伸，第二扫描线2061与第一扫描线2042平行，且第二扫描线2061与第一扫描线2042之间绝缘。第二金属层206的制备材料选自钼、铜、铝、钛以及银中的至少一种。
在第二方向上，一条第二扫描线2061和两条第一扫描线2042设置于相邻的两排透光区TA之间，一条第二扫描线2061设置于两条第一扫描线2042之间。可以理解的是，在第二方向上，相邻两排透光区TA之间可以设置一条扫描线、两条扫描线或者三条以上扫描线。
第三绝缘层207覆盖第二金属层206和第二绝缘层205。第三绝缘层207为层间绝缘层。第三绝缘层207的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。
第三金属层208设置于第三绝缘层207远离第二金属层206的一侧。第三金属层208包括多条数据线2081，多条数据线2081沿第二方向延伸，多条数据线2081与第二扫描线2061和第一扫描线2042相交且绝缘。第三金属层208的制备材料选自钼、铜、铝、钛以及银中的至少一种。
在第一方向上，相邻两排透光区TA之间设置有多条数据线2081。可以理解的是，在第一方向上，相邻两排透光区TA之间设置可以设置一条或两条数据线2081。
第四绝缘层209覆盖第三金属层208和第三绝缘层207。第四绝缘层209为钝化层。第四绝缘层209的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。
第四金属层210设置于第四绝缘层209远离第三金属层208的表面上。第四金属层210包括位于栅极2041相对两侧的源极2101和漏极2102，源极2101通过贯穿第四绝缘层209、第三绝缘层207、第二绝缘层205以及第一绝缘层203的第一接触孔与有源图案接触，漏极2102通过贯穿第四绝缘层209、第三绝缘层207、第二绝缘层205以及第一绝缘层203的第二接触孔与有源图案接触。第四金属层210的制备材料钼、铜、铝、钛以及银中的至少一种。
第五绝缘层211覆盖第四金属层210和第四绝缘层209。第五绝缘层211为平坦化层。第五绝缘层211为有机绝缘层。第五绝缘层211的制备材料选自聚酰亚胺、聚丙烯酸酯中的至少一种。
像素定义层212设置于第五绝缘层211远离第四金属层210的一侧。像素定义层212包括像素定义开口212a。
通孔20a位于透光区TA，通孔20a贯穿薄膜晶体管阵列层以及基板10的第二聚酰亚胺层和无机绝缘层。
发光器件层包括阳极层213、发光层214以及阴极层215，发光层214位于发光层214和阴极层215之间。
阳极层213设置于第五绝缘层211上，阳极层213包括多个设置于发光区P的阳极，像素定义开口212a对应阳极设置，且像素定义层212覆盖阳极的部分以及第五绝缘层211。阳极通过第三接触孔与漏极2102电性连接，第三接触孔贯穿第五绝缘层211。
发光层214位于像素定义开口212a内的阳极和像素定义层212上，发光层214为有机发光层。发光层214包括第一发光层、第二发光层以及第三发光层。第一发光层设置于第一发光区PR，第二发光层设置于第二发光区PB，第三发光层设置于第三发光区PG。
请同时参阅图2-图4，图4为图1所示显示装置的阴极层的平面示意图。阴极层215包括图案化阴极2151和多个阴极开口2152，图案化阴极2151位于显示透光区DA中除多个透光区TA之外的区域，多个阴极开口2152位于多个透光区TA，以保证发光区P能发光的同时，透光区TA具有高的透光率。阴极层215的制备材料包括镁和银。
图案化阴极2151包括多个第一阴极2153和多个第二阴极2154。一个第一阴极2153与一个发光区重复单元U中的多个发光区P的发光层214对应设置，以使得一个发光区重复单元U中的多个发光区P的发光层214对应一个第一阴极2153。部分第二阴极2154连接在第一方向上相邻两个第一阴极2153，部分第二阴极2154连接在第二方向上相邻两个第一阴极2153。
需要说明的是，发光器件层还可以包括空穴传输层、电子传输层等功能膜层。空穴传输层、电子传输层等设置于整个显示透光区DA。阳极层213和发光层214不设置于透光区TA。
像素阵列层包括位于显示透光区DA中除多个透光区DA之外的区域中的金属结构，金属结构包括第一金属层204、第二金属层206、第三金属层208以及第四金属层210的金属部分，第一金属层204、第二金属层206、第三金属层208以及第四金属层210的金属部分包括信号线，信号线包括相互之间绝缘的第一扫描线2042、第二扫描线2061以及数据线2081。金属结构还包括图案化阴极2151。可以理解的是，金属结构还包括除扫描线以及数据线之外的其他信号线，例如电源信号线等。
由于金属结构对入射至显示装置的环境光有反射作用，会导致显示装置显示时的对比度明显降低，降低显示装置的显示效果。
封装层30覆盖发光器件层，以对发光器件层中的阴极层215和发光层214起到保护作用。封装层30包括第一无机封装层301、有机封装层302以及第二无机封装层303。第一无机封装层301覆盖图案化阴极2151且形成于通孔20a的侧壁和底部中。有机封装层302位于第一无机封装层301上，且填充通孔20a。第二无机封装层303位于有机封装层302远离第一无机封装层301的表面上。第一无机封装层301与第二无机封装层303的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。有机封装层302的制备材料选自聚酰亚胺或聚丙烯酸酯中的至少一种。
吸光层40设置于像素阵列层20远离基板10的一侧，且吸光层40位于封装层30远离像素阵列层20的表面上，有利于制备封装层30与像素阵列层20后，再在封装层30上形成吸光层40，进而适应且简化制程。
可以理解的是，吸光层40还可以位于封装层30内部，例如封装层30中包括吸光层40。或者，吸光层40还可以位于封装层30与像素阵列层20之间。或者，显示装置还包括位于封装层30远离基板10一侧的触控层时，吸光层40还可以设置于触控层中。
吸光层40包括黑色色阻，以起到吸光作用。吸光层40的厚度为0.8微米-3微米，例如为1微米、1.2微米、1.5微米、2微米、2.5微米。可以理解的是，吸光层40也可以由不同折射率的绝缘层材料组成。
请参阅图2、图3以及图5，图5为图1所示显示装置的吸光层的平面示意图。吸光层40包括吸光结构401、第一开口402、第二开口403以及第三开口404。
第一开口402在显示装置的厚度方向上贯穿吸光层40，且与透光区TA重叠，第一开口402与通孔20a以及阴极开口2152均连通，以保证透光区TA的透光率。
第一开口402的面积大于透光区TA的面积。第一开口402还与靠近透光区TA的信号线和透光区TA之间的间隙重叠。具体地，第一开口402与靠近透光区TA的第一扫描线2042与透光区TA之间的间隙重叠，且第一开口402与靠近透光区TA的数据线2081与透光区TA之间的间隙重叠，以进一步地提高显示装置的透光率。
第二开口403与第一开口402间隔设置，在显示装置的厚度方向上贯穿吸光层40，一个第二开口403与一个发光区P重叠，且一个第二开口403的面积与一个发光区P的面积相等，以保证显示装置在发光区P的出光率。
第三开口404位于相邻两个透光区TA之间的相邻两条信号线之间，以提高相邻两条信号线之间的间隙对光的透过率，以进一步地提高显示装置的透过率。
具体地，部分第三开口404位于在第一方向上相邻两个透光区TA之间的相邻两条数据线2081之间，部分第三开口404位于在第二方向上相邻两个透光区TA之间的一条第一扫描线2042与一条第二扫描线2061之间。
吸光结构401与金属结构的至少部分重叠，以改善透光区TA和发光区P之外的金属结构的至少部分对光的反射，进而提高显示装置显示时的对比度。
吸光结构401在显示透光区DA的面积占比大于或等于5％且小于或等于30％，以降低显示装置中的金属结构对环境光的反射率，进而改善显示装置显示时的对比度的同时，保证显示装置对光的透过率，保证显示装置透明显示的效果。其中，吸光结构401在显示透光区DA的面积占比可以为6％、10％、12％、14％、16％、18％、20％、22％、24％、26％或28％。
如图5所示，吸光结构401与信号线的至少部分重叠设置，以减少信号线对环境光的反射，进而改善显示时的对比度的同时，改善吸光结构401在显示透光区DA设置过多而降低显示装置的透过率的问题。
具体地，吸光结构401与第一扫描线2042、第二扫描线2061以及数据线2081除发光区P之外的部分均重叠设置，且吸光结构401在基板10上的正投影与第一扫描线2042、第二扫描线2061以及数据线2081除发光区P之外的部分在基板10上的正投影完全重合。
可以理解的是，吸光结构401可以只是与第一扫描线2042、第二扫描线2061除发光区P之外的部分重叠设置；或者，吸光结构401可以只是与数据线2081除发光区P之外的部分重叠设置。
填充层50设置于吸光层40与保护盖板60之间，填充层50粘接吸光层40与保护盖板60。填充层50为透明光学胶层。
请参阅图6和图7，图6为本申请另一实施例显示装置的截面示意图，图7为图6所示显示装置的吸光层的平面示意图。图6所示显示装置与图1所示显示装置基本相似，不同之处包括，图6所示显示装置的吸光层与图1所示显示装置的吸光层不同，如图7所示，吸光层40的吸光结构401还与多个第二阴极2154重叠，且吸光结构401与多个第一阴极2153和第二阴极2154连接的部分重叠，以降低第二阴极2154对环境光的反射，改善显示装置显示时的对比度。
具体地，吸光结构401在基板10上的正投影与第一扫描线2042、第二扫描线2061以及数据线2081除发光区P之外的部分在基板10上的正投影以及多个第二阴极2154在基板10上的正投影完全重合。
相较于图1所示显示装置，本实施例显示装置的吸光结构401的面积占比增加，进一步地减小对环境光的反射率，进而提高显示装置显示时的对比度的同时，显示装置对光的透过率相对降低。
请参阅图8和图9，图8为本申请又一实施例显示装置的截面示意图，图9为图8所示显示装置的吸光层的平面示意图。图8所示显示装置与图1所示显示装置基本相似，不同之处包括，图8所示显示装置的吸光层与图1所示显示装置的吸光层不同，如图9所示，吸光层只包括吸光结构401、第一开口402以及第二开口403，吸光结构401与发光区P之外的图案化阴极2151重叠，第一开口402与透光区TA重叠，第二开口403与发光区P重叠，以最大化地降低显示装置对环境光的反射率，改善显示装置显示时的对比度。
具体地，吸光结构401在基板10上的正投影与发光区P之外的图案化阴极2151在基板10上的正投影完全重合，第一开口402的面积与对应重叠的透光区TA的面积相等，第二开口403的面积与对应重叠的发光区P的面积相等。
相较于图6所示显示装置，本实施例显示装置的吸光结构401的面积占比增加，进一步地减小对环境光的反射率，进而提高显示装置显示时的对比度的同时，显示装置对光的透过率进一步相对降低。
需要说明的是，图1、图6及图8所示显示装置分别对应信号线和图案化阴极设置吸光结构的主要原因在于，相较于显示装置中的其他金属结构，信号线和图案化阴极对环境光的反射较强，通过对应信号线和图案化阴极设置吸光结构，以减少信号线和图案化阴极对环境光的反射，进而改善显示装置显示时的对比度。另外，吸光层的设置会降低显示装置的透过率，通过控制吸光结构的布设位置和在显示透光区的面积占比，能在透光率损失较小的情况下，保证显示装置显示时的对比度。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置具有显示透光区，所述显示透光区包括多个透光区和多个发光区，所述发光区与所述透光区间隔设置，所述显示装置包括：
基板；
像素阵列层，设置于所述基板上，所述像素阵列层包括位于所述显示透光区中除多个所述透光区之外的区域中的金属结构；以及
吸光层，设置于所述像素阵列层远离所述基板的一侧，所述吸光层包括：
第一开口，在所述显示装置的厚度方向上贯穿所述吸光层，且与所述透光区重叠；
第二开口，在所述显示装置的厚度方向上贯穿所述吸光层，且与所述发光区重叠；以及
吸光结构，与所述金属结构的至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述金属结构包括：
多条信号线，设置于多个所述透光区之间，所述吸光结构与所述信号线的至少部分重叠，所述第一开口还与靠近所述透光区的所述信号线和所述透光区之间的间隙重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，相邻两个所述透光区之间设置有至少两条沿同一个方向延伸的所述信号线；
所述吸光层还包括：
第三开口，所述第三开口位于相邻两个所述透光区之间的相邻两条所述信号线之间。
4.根据权利要求2-3任一项所述的显示装置，其特征在于，多条所述信号线包括：
第一信号线，设置于多个所述透光区之间，且沿第一方向延伸；以及
第二信号线，设置于多个所述透光区之间，沿第二方向延伸，且与所述第一信号线电性绝缘，所述第一方向与所述第二方向交叉；
其中，所述吸光结构与所述第一信号线的部分以及所述第二信号线的部分重叠。
5.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述金属结构还包括图案化阴极，所述吸光结构还与位于所述发光区之外的所述图案化阴极的至少部分重叠。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述图案化阴极包括：
多个第一阴极，与多个所述发光区对应设置；以及
多个第二阴极，连接相邻两个所述第一阴极；
其中，所述吸光结构与多个所述第二阴极重叠，且与多个所述第一阴极和所述第二阴极连接的部分重叠。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述吸光结构与所述发光区之外的所述图案化阴极重叠。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述吸光结构在所述显示透光区的面积占比大于或等于5％且小于或等于30％。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括封装层，所述封装层设置于所述吸光层与所述像素阵列层之间。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述吸光结构包括黑色色阻。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210389515.XA CN114823829B (zh) | 2022-04-13 | 2022-04-13 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210389515.XA CN114823829B (zh) | 2022-04-13 | 2022-04-13 | 显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114823829A true CN114823829A (zh) | 2022-07-29 |
| CN114823829B CN114823829B (zh) | 2024-01-19 |
Family
ID=82535885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210389515.XA Active CN114823829B (zh) | 2022-04-13 | 2022-04-13 | 显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114823829B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115241265A (zh) * | 2022-08-11 | 2022-10-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108493211A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-09-04 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
| US10121832B1 (en) * | 2017-07-17 | 2018-11-06 | Hannstouch Solution Incorporated | Touch display device |
| CN109300957A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板及透明显示器 |
| CN110047880A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN110085650A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| US20200343312A1 (en) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN112968043A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| US20210202641A1 (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-01 | Lg Display Co., Ltd. | Transparent display device |
| CN114023764A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-02-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN215834552U (zh) * | 2021-01-26 | 2022-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
-
2022
- 2022-04-13 CN CN202210389515.XA patent/CN114823829B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10121832B1 (en) * | 2017-07-17 | 2018-11-06 | Hannstouch Solution Incorporated | Touch display device |
| CN108493211A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-09-04 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
| CN109300957A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板及透明显示器 |
| CN110047880A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| US20200343312A1 (en) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN110085650A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-08-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| US20210202641A1 (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-01 | Lg Display Co., Ltd. | Transparent display device |
| CN215834552U (zh) * | 2021-01-26 | 2022-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
| CN112968043A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN114023764A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-02-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115241265A (zh) * | 2022-08-11 | 2022-10-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114823829B (zh) | 2024-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101321878B1 (ko) | 유기전계 발광소자 | |
| JP4263435B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| US10770530B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR101575168B1 (ko) | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| US12108647B2 (en) | Display substrate with light-transmitting display region | |
| KR20150026883A (ko) | 전계 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| US11678509B2 (en) | Display device including corner dams | |
| KR100549984B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| US11695101B2 (en) | Display panel, method for manufacturing the display panel, and display device | |
| US11882717B2 (en) | Display device having an auxiliary wiring | |
| CN112786812B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
| EP3790054A1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR20160062661A (ko) | 투명 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN114823829B (zh) | 显示装置 | |
| JP2017168397A (ja) | 表示装置 | |
| KR20050068866A (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
| JP4605438B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| CN117501838A (zh) | 显示装置 | |
| CN114300417B (zh) | 阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板 | |
| CN110224076B (zh) | Oled面板及其制造方法 | |
| US20230275103A1 (en) | Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same | |
| CN117693232B (zh) | 显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 | |
| CN221748831U (zh) | 显示装置 | |
| US20240260428A1 (en) | Display device | |
| CN115268156B (zh) | 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板及触控显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |