CN114822410A - 有机发光显示装置的像素及有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机发光显示装置的像素及有机发光显示装置。有机发光显示装置的像素包括：第一电容器，具有连接于第一电源电压的布线的第一电极及连接于栅极节点的第二电极；第一晶体管，具有连接于栅极节点的栅极电极及连接于后栅极线的后栅极电极；第二晶体管，响应于第一栅极信号而将数据信号传递到第一晶体管的源极；第三晶体管，响应于第一栅极信号而将第一晶体管二极管连接；第四晶体管，响应于第二栅极信号而将初始化电压传递到栅极节点；以及有机发光二极管，具有阳极及连接于第二电源电压的布线的阴极。第一晶体管在低频率驱动模式下通过后栅极电极接收比第一栅极信号延迟二分之一帧的后栅极电压。

Description

有机发光显示装置的像素及有机发光显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种有机发光显示装置的像素及有机发光显示装置。
背景技术
在诸如智能电话、平板计算机之类的便携式终端中使用的有机发光显示装置需要减小其功耗。近来，为了减小有机发光显示装置的功耗，开发了当有机发光显示装置显示静止图像时降低驱动频率的低频率驱动技术。
然而，在显示面板基于存储的数据信号显示图像期间，所述存储的数据信号可能由于包括在所述显示面板的像素中的晶体管的漏电流等而失真，并且可能发生有机发光显示装置的图像质量降低的问题。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种可以防止或减少低频率驱动时的图像质量降低的有机发光显示装置的像素。
本发明的另一目的在于提供一种可以防止或减少低频率驱动时的图像质量降低的有机发光显示装置。
但是，本发明所要解决的技术问题并不限于上述技术问题，本发明可以在不脱离本发明的思想及构思的范围内实现多种扩展。
为了达成本发明的一目的，根据本发明的实施例的一种有机发光显示装置的像素可以包括：第一电容器，具有连接于第一电源电压的布线的第一电极及连接于栅极节点的第二电极；第一晶体管，具有连接于所述栅极节点的栅极电极及连接于后栅极线的后栅极电极；第二晶体管，响应于第一栅极信号将数据信号传递到所述第一晶体管的源极；第三晶体管，响应于所述第一栅极信号而将所述第一晶体管二极管连接；第四晶体管，响应于第二栅极信号而将初始化电压传递到所述栅极节点；以及有机发光二极管，具有阳极及连接于第二电源电压的布线的阴极。此时，所述第一晶体管可以在低频率驱动模式下通过所述后栅极电极接收比所述第一栅极信号延迟二分之一帧的后栅极电压。
在一实施例中，所述后栅极电极可以布置于所述第一晶体管的所述栅极电极的下部。
在一实施例中，所述后栅极电压的摆动宽度可以被调节。
在一实施例中，所述第三晶体管可以包括在所述栅极节点与所述第一晶体管的漏极之间串联连接的第一子晶体管及第二子晶体管。
在一实施例中，所述第四晶体管可以包括在所述栅极节点与所述初始化电压的布线之间串联连接的第三子晶体管及第四子晶体管。
在一实施例中，有机发光显示装置的像素还可以包括：第五晶体管，包括接收发光信号的栅极电极、连接于所述第一电源电压的所述布线的源极及连接于所述第一晶体管的所述源极的漏极；第六晶体管，包括接收所述发光信号的栅极电极、连接于所述第一晶体管的所述漏极的源极及连接于所述有机发光二极管的所述阳极的漏极；以及第七晶体管，包括接收第三栅极信号的栅极电极、连接于所述有机发光二极管的所述阳极的源极及连接于所述初始化电压的布线的漏极。
为了达成本发明的另一目的，根据本发明的实施例的一种有机发光显示装置的像素可以包括：第一电容器，具有连接于第一电源电压的布线的第一电极及连接于栅极节点的第二电极；第一晶体管，具有连接于所述栅极节点的栅极电极及连接于后栅极线的后栅极电极；第二晶体管，响应于第一栅极信号将数据信号传递到所述第一晶体管的源极；第三晶体管，响应于所述第一栅极信号而将所述第一晶体管二极管连接；第四晶体管，响应于第二栅极信号而将初始化电压传递到所述栅极节点；以及有机发光二极管，具有阳极及连接于第二电源电压的布线的阴极。此时，第一晶体管可以通过所述后栅极电极接收后栅极电压，所述后栅极电压在超低频率驱动模式下被控制为频率随着所述第一栅极信号的频率降低而增加。
在一实施例中，所述后栅极电极可以布置于所述第一晶体管的所述栅极电极的下部。
在一实施例中，所述后栅极电压的摆动宽度可以被调节。
在一实施例中，所述第三晶体管可以包括在所述栅极节点与所述第一晶体管的漏极之间串联连接的第一子晶体管及第二子晶体管。
在一实施例中，所述第四晶体管可以包括在所述栅极节点与所述初始化电压的布线之间串联连接的第三子晶体管及第四子晶体管。
在一实施例中，有机发光显示装置的像素还可以包括：第五晶体管，包括接收发光信号的栅极电极、连接于所述第一电源电压的所述布线的源极及连接于所述第一晶体管的所述源极的漏极；第六晶体管，包括接收所述发光信号的栅极电极、连接于所述第一晶体管的所述漏极的源极及连接于所述有机发光二极管的所述阳极的漏极；以及第七晶体管，包括接收第三栅极信号的栅极电极、连接于所述有机发光二极管的所述阳极的源极及连接于所述初始化电压的布线的漏极。
为了达成本发明的另一目的，根据本发明的实施例的一种有机发光显示装置可以包括：显示面板，包括多个像素；数据驱动部，向所述多个像素提供数据信号；栅极驱动部，向所述多个像素提供栅极信号；后栅极驱动部，向所述多个像素提供后栅极电压；以及驱动控制部，控制所述数据驱动部、所述栅极驱动部及所述后栅极驱动部。此时，所述多个像素中的每一个可以包括：第一电容器，具有连接于第一电源电压的布线的第一电极及连接于栅极节点的第二电极；第一晶体管，具有连接于所述栅极节点的栅极电极及连接于后栅极线的后栅极电极；第二晶体管，响应于第一栅极信号而将数据信号传递到所述第一晶体管的源极；第三晶体管，响应于所述第一栅极信号而将所述第一晶体管二极管连接；第四晶体管，响应于第二栅极信号而将初始化电压传递到所述栅极节点；以及有机发光二极管，具有阳极及连接于第二电源电压的布线的阴极。此时，所述第一晶体管可以通过所述后栅极电极接收后栅极电压，所述后栅极电极可以布置于所述第一晶体管的所述栅极电极的下部。
在一实施例中，所述后栅极电压可以在低频率驱动模式下比所述第一栅极信号延迟二分之一帧。
在一实施例中，所述后栅极驱动部可以包括调节所述后栅极电压的摆动宽度的后栅极电压控制部。
在一实施例中，所述后栅极电压控制部可以包括：反向二极管，包括接收所述后栅极电压的栅极电极、被施加所述第一电源电压的源极；以及正向二极管，位于所述后栅极线上。
在一实施例中，所述第三晶体管可以包括在所述栅极节点与所述第一晶体管的漏极之间串联连接的第一子晶体管及第二子晶体管。
在一实施例中，所述第四晶体管可以包括在所述栅极节点与所述初始化电压的布线之间串联连接的第三子晶体管及第四子晶体管。
在一实施例中，有机发光显示装置的像素还可以包括：第五晶体管，包括接收发光信号的栅极电极、连接于所述第一电源电压的所述布线的源极及连接于所述第一晶体管的所述源极的漏极；第六晶体管，包括接收所述发光信号的栅极电极、连接于所述第一晶体管的所述漏极的源极及连接于所述有机发光二极管的所述阳极的漏极；以及第七晶体管，包括接收第三栅极信号的栅极电极、连接于所述有机发光二极管的所述阳极的源极及连接于所述初始化电压的布线的漏极。
在一实施例中，所述后栅极电压可以在超低频率驱动模式下被控制为频率随着所述第一栅极信号的频率降低而增加。
本发明的有机发光显示装置的像素及有机发光显示装置可以在低频率驱动时通过第一晶体管的后栅极电极接收后栅极电压，并且基于后栅极电压控制栅极电压的变化量。据此，可以补偿当低频率驱动时的所述栅极节点的电压失真，并且可以提高所述有机发光显示装置的显示质量。
然而，本发明的效果并不限于上述提及的效果，其可以在不脱离本发明的思想及构思的范围内实现多种扩展。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的有机发光显示装置的框图。
图2是示出图1的有机发光显示装置的像素的一示例的电路图。
图3是示出施加到图2的像素的输入信号的时序图。
图4是示出图2的像素中包括的第一晶体管的一示例的剖视图。
图5是示出施加于图2的像素的后栅极(back gate)电压的一示例的时序图。
图6是示出在图5的后栅极电压被施加的情况下像素内部的电压及电流的变化的时序图。
图7是示出施加于图2的像素的后栅极电压的另一示例的时序图。
图8是示出用于调节后栅极电压的摆动宽度的电路的图。
图9是示出通过图8的电路调节后栅极电压的摆动宽度的一示例的时序图。
图10是示出根据本发明的实施例的包括有机发光显示装置的电子设备的框图。
附图标记说明
100：显示面板 200：驱动控制部
300：栅极驱动部 400：伽马基准电压生成部
500：数据驱动部 600：发光驱动部
700：后栅极驱动部
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明进行更详细的说明。
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的框图。
参照图1，显示装置10可以包括显示面板100及显示面板驱动部。显示面板驱动部可以包括驱动控制部200、栅极驱动部300、伽马基准电压生成部400、数据驱动部500、发光驱动部600及后栅极驱动部700。
显示面板100可以包括显示图像的显示部以及与显示部相邻布置的周边部。
显示面板100可以包括多条栅极线GL、多条数据线DL、多条发光线EL、多条后栅极线BL以及分别电连接于栅极线GL、数据线DL、发光线EL及后栅极线BL的多个像素P。栅极线GL可以沿第一方向D1延伸，数据线DL可以沿与第一方向D1交叉的第二方向D2延伸，发光线EL可以沿第一方向D1延伸，后栅极线BL可以沿第一方向D1延伸。
驱动控制部200可以从外部的装置(未图示)接收输入图像数据IMG及输入控制信号CONT。例如，输入图像数据IMG可以包括红色图像数据、绿色图像数据及蓝色图像数据。输入图像数据IMG可以包括白色图像数据。输入图像数据IMG可以包括品红色(magenta)图像数据、黄色(yellow)图像数据及青色(cyan)图像数据。输入控制信号CONT可以包括主时钟信号、数据使能信号。输入控制信号CONT还可以包括垂直同步信号及水平同步信号。
驱动控制部200可以根据输入图像数据IMG及输入控制信号CONT生成第一控制信号CONT1、第二控制信号CONT2、第三控制信号CONT3、第四控制信号CONT4、第五控制信号CONT5及数据信号DATA3。
驱动控制部200可以根据输入控制信号CONT生成用于控制栅极驱动部300的操作的第一控制信号CONT1并将第一控制信号CONT1输出到栅极驱动部300。第一控制信号CONT1可以包括垂直开始信号及栅极时钟信号。
驱动控制部200可以根据输入控制信号CONT生成用于控制数据驱动部500的操作的第二控制信号CONT2并将第二控制信号CONT2输出到数据驱动部500。第二控制信号CONT2可以包括水平开始信号及负载信号。
驱动控制部200可以根据输入图像数据IMG生成数据信号DATA3。驱动控制部200可以将数据信号DATA3输出到数据驱动部500。
驱动控制部200可以根据输入控制信号CONT生成用于控制伽马基准电压生成部400的操作的第三控制信号CONT3并将第三控制信号CONT3输出到伽马基准电压生成部400。
驱动控制部200可以根据输入控制信号CONT生成用于控制发光驱动部600的操作的第四控制信号CONT4并将第四控制信号CONT4输出到发光驱动部600。
栅极驱动部300可以响应于从驱动控制部200接收的第一控制信号CONT1而生成用于驱动栅极线GL的栅极信号。栅极驱动部300可以将栅极信号输出到栅极线GL。
伽马基准电压生成部400可以响应于从驱动控制部200接收的第三控制信号CONT3而生成伽马基准电压VGREF。伽马基准电压生成部400可以将伽马基准电压VGREF提供至数据驱动部500。伽马基准电压VGREF可以具有与各个数据信号DATA3对应的值。
例如，伽马基准电压生成部400可以布置于驱动控制部200内，或者布置于数据驱动部500内。
数据驱动部500可以从驱动控制部200接收第二控制信号CONT2及数据信号DATA3，从伽马基准电压生成部400接收伽马基准电压VGREF。数据驱动部500可以利用伽马基准电压VGREF将数据信号DATA3转换为模拟形态的数据信号DATA(参照图2)。数据驱动部500可以将数据信号DATA(参照图2)输出到数据线DL。
发光驱动部600可以响应于从驱动控制部200接收的第四控制信号CONT4而生成用于驱动发光线EL的发光信号。发光驱动部600可以将发光信号输出到发光线EL。
后栅极驱动部700可以响应于从驱动控制部200接收的第五控制信号CONT5而生成用于驱动后栅极线BL的后栅极电压VBML(参照图2)。后栅极驱动部700可以将后栅极电压VBML输出到后栅极线BL。
图2是示出图1的显示面板的像素的一示例的电路图，图3是示出施加到图2的像素的输入信号的时序图，图4是示出图2的像素中包括的第一晶体管T1的一示例的剖视图。
参照图1至图4，显示面板100可以包括多个像素P，像素P可以分别包括有机发光二极管OLED。根据本发明的一实施例的像素P可以包括第一电容器CST、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及有机发光二极管OLED。在一实施例中，像素P还可以包括第五晶体管T5、第六晶体管T6及第七晶体管T7。
第一电容器CST可以存储通过第二晶体管T2以及二极管连接的第一晶体管T1传递的数据信号DATA。在一实施例中，第一电容器CST可以具有连接于第一电源电压ELVDD的布线的第一电极以及连接于栅极节点的第二电极。
第一晶体管T1可以基于存储于第一电容器CST的数据信号DATA(即，栅极节点的电压)生成驱动电流。第一晶体管T1可以被称为驱动晶体管。在一实施例中，第一晶体管T1可以具有连接于第一电容器CST的第二电极(即，栅极节点)的栅极电极、(例如，经由第五晶体管T5)连接于第一电源电压ELVDD的布线的源极以及连接于第六晶体管T6的源极的漏极。第一晶体管T1可以具有连接于后栅极线BL的后栅极电极BML。第一晶体管T1可以通过后栅极电极BML接收后栅极电压VBML。
第二晶体管T2可以响应于第一栅极信号GW而将数据信号DATA传递到第一晶体管T1的源极。第二晶体管T2可以被称为开关晶体管或扫描晶体管。在一实施例中，第二晶体管T2可以具有接收第一栅极信号GW的栅极电极、接收数据信号DATA的源极以及连接于第一晶体管T1的源极的漏极。
第三晶体管T3可以响应于第一栅极信号GW而将第一晶体管T1二极管连接。第三晶体管T3可以被称为阈值电压补偿晶体管。在一实施例中，第三晶体管T3可以具有接收第一栅极信号GW的栅极电极、连接于第一晶体管T1的漏极的漏极(或第二子晶体管T3-2的第二漏极)以及连接于第一晶体管T1的栅极电极(即，栅极节点)的源极(或第一子晶体管T3-1的第一源极)。在第一栅极信号GW被施加期间，由第二晶体管T2传递的数据信号DATA可以通过由第三晶体管T3二极管连接的第一晶体管T1而存储于第一电容器CST。据此，在第一电容器CST可以存储第一晶体管T1的阈值电压得到补偿的数据信号DATA。
第四晶体管T4可以响应于第二栅极信号GI而将初始化电压VINIT传输到栅极节点。第四晶体管T4可以被称为栅极初始化晶体管。在一实施例中，第四晶体管T4可以具有接收第二栅极信号GI的栅极电极、连接于栅极节点的源极(或第三子晶体管T4-1的第一源极)以及连接于初始化电压VINIT的布线的漏极(或第四子晶体管T4-2的第二漏极)。在第二栅极信号GI被施加期间，第四晶体管T4可以利用初始化电压VINIT将栅极节点(即，第一电容器CST及第一晶体管T1的栅极电极)初始化。
第五晶体管T5可以响应于发光信号EM而将第一电源电压ELVDD的布线连接于第一晶体管T1的源极。第五晶体管T5可以被称为第一发光晶体管。在一实施例中，第五晶体管T5可以包括接收发光信号EM的栅极电极、连接于第一电源电压ELVDD的布线的源极以及连接于第一晶体管T1的源极的漏极。
第六晶体管T6可以响应于发光信号EM而将第一晶体管T1的漏极连接于有机发光二极管OLED的阳极。第六晶体管T6可以被称为第二发光晶体管。在一实施例中，第六晶体管T6可以包括接收发光信号EM的栅极电极、连接于第一晶体管T1的漏极的源极以及连接于有机发光二极管OLED的阳极的漏极。在发光信号EM被施加期间，第五晶体管T5及第六晶体管T6可以导通，并且形成从第一电源电压ELVDD的布线到第二电源电压ELVSS的布线的驱动电流的路径。
第七晶体管T7可以响应于第三栅极信号GB而将初始化电压VINIT传递到有机发光二极管OLED的阳极。第七晶体管T7可以被称为二极管初始化晶体管。在一实施例中，第七晶体管T7可以包括接收第三栅极信号GB的栅极电极、连接于有机发光二极管OLED的阳极的源极以及连接于初始化电压VINIT的布线的漏极。在第三栅极信号GB被施加期间，第七晶体管T7可以利用初始化电压VINIT将有机发光二极管OLED初始化。
有机发光二极管OLED可以基于由第一晶体管T1生成的驱动电流来发光。在一实施例中，有机发光二极管OLED可以具有连接于第六晶体管T6的漏极的阳极以及连接于第二电源电压ELVSS的布线的阴极。在发光信号EM被施加期间，由第一晶体管T1生成的驱动电流可以被提供至有机发光二极管OLED，并且有机发光二极管OLED可以基于驱动电流而发光。
如图3所示，像素P可以包括第一晶体管T1的栅极电极被初始化的第一时间段DU1、阈值电压得到补偿的数据信号DATA被写入的第二时间段DU2、有机发光二极管OLED的阳极被初始化的第三时间段DU3以及有机发光二极管OLED发光的第四时间段DU4。像素P可以接收第一栅极信号GW、第二栅极信号GI、第三栅极信号GB、数据信号DATA及发光信号EM而根据数据信号DATA的电平使有机发光二极管OLED发光，从而显示图像。具体而言，在第一时间段DU1期间，第四晶体管T4可以导通，并且初始化电压VINIT被施加到栅极节点，从而第一晶体管T1的栅极电极被初始化。在第二时间段DU2期间，第二晶体管T2及第三晶体管T3可以导通。随着第二晶体管T2导通，数据信号DATA(即，第一晶体管T1的阈值电压得到补偿的数据信号DATA)可以被供应到栅极节点，并且随着第三晶体管T3导通，第一晶体管T1可以二极管连接。因此，第一晶体管T1的阈值电压得到补偿的数据信号DATA可以存储于第一电容器CST。在第三时间段DU3期间，第七晶体管T7可以导通，并且初始化电压VINIT被施加到有机发光二极管OLED的阳极，从而有机发光二极管OLED的阳极被初始化。在第四时间段DU4期间，第五晶体管T5及第六晶体管T6可以导通，从而在第一晶体管T1生成的驱动电流向有机发光二极管OLED流动。
包括像素P的有机发光显示装置可以执行低频率驱动，从而减小功耗。当低频率驱动时，各个像素P可以在多个帧时间段中的至少一部分不接收第二栅极信号GI、第一栅极信号GW及数据信号DATA，并且可以基于在先前帧时间段存储于第一电容器CST的数据信号DATA而发光。在这种情况下，存储于第一电容器CST的数据信号DATA(即，栅极节点的电压)可能由于像素P的晶体管T1至T7的漏电流(尤其，第三晶体管T3及第四晶体管T4的漏电流)而失真，并且有机发光显示装置的图像质量可能降低。
在一实施例中，第三晶体管T3及第四晶体管T4中的每一个可以具有双晶体管结构，以减小这样的第三晶体管T3及第四晶体管T4的漏电流。例如，如图2所示，第三晶体管T3可以包括在栅极节点与第一晶体管T1的漏极之间串联连接的第一子晶体管T3-1及第二子晶体管T3-2，第四晶体管T4可以包括在栅极节点与初始化电压VINIT的布线之间串联连接的第三子晶体管T4-1及第四子晶体管T4-2。在第三晶体管T3包括第一子晶体管T3-1及第二子晶体管T3-2的情况下，从第一晶体管T1的漏极到栅极节点的第三晶体管T3的漏电流可以减小。并且，在第四晶体管T4包括第三子晶体管T4-1及第四子晶体管T4-2的情况下，从初始化电压VINIT的布线到栅极节点的第四晶体管T4的漏电流可减小。
然而，即使第三晶体管T3包括第一子晶体管T3-1及第二子晶体管T3-2，在第一子晶体管T3-1及第二子晶体管T3-2之间的节点与像素P的布线(例如，第一栅极信号GW的布线)之间也可以形成寄生电容器，并且发生从第一子晶体管T3-1及第二子晶体管T3-2之间的节点到栅极节点的第一子晶体管T3-1的漏电流。并且，即使第四晶体管T4包括第三子晶体管T4-1及第四子晶体管T4-2，在第三子晶体管T4-1及第四子晶体管T4-2之间的节点与像素P的布线(例如，第二栅极信号GI的布线)之间也可以形成寄生电容器，并且发生从第三子晶体管T4-1及第四子晶体管T4-2之间的节点到栅极节点的第三子晶体管T4-1的漏电流。据此，栅极节点的电压可以增加，驱动晶体管T1的驱动电流可以减小，并且有机发光二极管OLED的亮度可以减小。
在根据本发明的一实施例的有机发光显示装置的像素P中，第一晶体管T1可以在栅极电极的下部包括后栅极电极BML，以补偿由第一子晶体管T3-1及第三子晶体管T4-1的漏电流引起的栅极节点的电压失真。在一实施例中，后栅极电极BML可以被称为底部金属层(BML：Bottom Metal Layer)。
在一实施例中，如图2所示，第一晶体管T1可以包括连接于第一电容器CST的第二电极(即，栅极节点)的栅极电极、(例如，经由第五晶体管T5)连接于第一电源电压ELVDD的布线的源极、连接于第六晶体管T6的源极的漏极以及布置于栅极电极的下部的后栅极电极BML(参照图4)。
例如，如图4所示，在诸如有机基板或聚酰亚胺(PI)基板之类的基板SUB上可以以与栅极电极重叠的方式形成有后栅极电极BML。在一实施例中，后栅极电极BML可以包括钼(Mo)，但不限于此。在另一实施例中，后栅极电极BML可以包括诸如铝(Al)、铝合金(Alalloy)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)等低电阻不透明导电物质。在后栅极电极BML上可以形成有用于防止基板SUB的杂质的缓冲层BUF。在缓冲层BUF上可以形成有第一晶体管T1的源极S、有源区ACT及漏极D。在有源区ACT上可以形成有栅极绝缘层GATI。在栅极绝缘层GATI上可以形成有栅极电极GAT。栅极电极GAT可以形成为与后栅极电极BML重叠。在缓冲层BUF上可以形成有层间绝缘层ILD。
在根据本发明的一实施例的有机发光显示装置的像素P中，这样的第一晶体管T1的后栅极电极BML可以在低频率驱动模式下通过后栅极线BL接收后栅极电压VBML，并且基于后栅极电压VBML控制栅极电压的变化量。在栅极电压的变化量减小的情况下，可以防止根据在第一晶体管T1流动的驱动电流IOLED的变化引起的闪烁现象。以下，将参照图5至图9对根据本发明的实施例的第一晶体管T1的具体操作进行说明。
图5是示出施加于图2的像素的后栅极电压VBML的一示例的时序图，图6是示出在图5的后栅极电压VBML被施加的情况下像素内部的电压及电流的变化的时序图。
参照图5及图6，根据本发明的有机发光显示装置的像素可以包括第一晶体管T1，所述第一晶体管T1具有连接于栅极节点的栅极电极以及连接于后栅极线BL的后栅极电极BML。第一晶体管T1可以在栅极电极的下部包括后栅极电极BML，以在低频率驱动时补偿由第一子晶体管T3-1及第三子晶体管T4-1的漏电流引起的栅极节点的电压失真。此时，第一晶体管T1可以在低频率驱动模式下通过后栅极电极BML接收比第一栅极信号GW延迟二分之一帧的后栅极电压VBML。
在一实施例中，有机发光显示装置可以以低频率驱动模式操作。低频率驱动模式可以是有机发光显示装置的驱动信号以30Hz以下的频率驱动的模式。虽然图5举例示出第一栅极信号GW及后栅极电压VBML为30Hz的情况，但是低频率驱动模式的频率不限于此。在后栅极电压VBML比第一栅极信号GW延迟二分之一帧的情况下，可以在有机发光显示装置的像素的发光时间段的中间点向第一晶体管T1的后栅极电极BML施加后栅极电压VBML。例如，当有机发光显示装置的发光时间段的时间为33.4ms时，可以在从发光时间段起始点经过16.7ms的时间点向第一晶体管T1的后栅极电极BML施加后栅极电压VBML。
在一实施例中，施加于第一晶体管T1的栅极电压的变化可以通过[数学式
Figure BDA0003333568960000121
]计算。在此，Ioff可以表示流向第三晶体管T3及第三晶体管T4的截止电流，Cst表示第一电容器CST的电容。并且，流过有机发光二极管OLED的电流IOLED的变化借由流过第一晶体管T1的驱动电流IDS的变化可以通过[数学式
Figure BDA0003333568960000122
]计算。在此，Io可以表示根据像素的特性的基准截止电流。并且，Vth可以表示第一晶体管T1的阈值电压。并且，m可以是表示第一晶体管T1的特性的比例常数，K可以是玻尔兹曼常数，T可以是温度比例常数。此时，可以通过后栅极电压VBML减小施加到第一晶体管T1的栅极电压的变化。即，在后栅极电压VBML比第一栅极信号GW延迟二分之一帧的情况下，栅极电压的变化可以减半(例如，
Figure BDA0003333568960000123
)。在栅极电压的变化减半的情况下，流过第一晶体管T1的驱动电流IOLED的变化可以减小(例如，
Figure BDA0003333568960000124
)。如上所述，根据本发明的实施例的有机发光显示装置可以通过减小流过像素内部的第一晶体管T1的驱动电流IOLED的变化来防止闪烁现象。
图7是示出施加于图2的像素的后栅极电压VBML的另一示例的时序图。
参照图7，根据本发明的有机发光显示装置的像素可以包括第一晶体管T1，所述第一晶体管T1具有连接于栅极节点的栅极电极以及连接于后栅极线BL的后栅极电极BML。第一晶体管T1可以在栅极电极的下部包括后栅极电极BML，以在超低频率驱动时补偿由第一子晶体管T3-1及第三子晶体管T4-1的漏电流引起的栅极节点的电压失真。此时，第一晶体管T1可以在超低频率驱动模式下控制后栅极电压VBML的频率随着第一栅极信号GW的频率降低而增加。
在一实施例中，有机发光显示装置可以以超低频率驱动模式操作。超低频率驱动模式可以是有机发光显示装置的驱动信号以15Hz以下的频率驱动的模式。虽然图7举例示出第一栅极信号GW为15Hz的情况，但是超低频率驱动模式的频率不限于此。在后栅极电压VBML的频率被控制为随着第一栅极信号GW的频率降低而增加的情况下，可以通过后栅极电压VBML的施加来使在有机发光显示装置的像素的发光时间段中栅极电压的变化最小化。例如，当有机发光显示装置的第一栅极信号GW为15Hz时，后栅极电压VBML的频率可以为60Hz。在这种情况下，可以在有机发光显示装置的像素的发光时间段施加四次后栅极电压VBML。
在一实施例中，施加于第一晶体管T1的栅极电压的变化可以通过[数学式
Figure BDA0003333568960000131
]计算。在此，Ioff可以表示流向第三晶体管T3及第四晶体管T4的截止电流，Cst表示第一电容器CST的电容。并且，流过有机发光二极管OLED的电流IOLED的变化借由流过第一晶体管T1的驱动电流IDS的变化可以通过[数学式
Figure BDA0003333568960000132
]计算。在此，Io可以表示根据像素的特性的基准截止电流。并且，Vth可以表示第一晶体管T1的阈值电压。并且，m可以是表示第一晶体管T1的特性的比例常数，K可以是玻尔兹曼常数，T可以是温度比例常数。此时，可以通过后栅极电压VBML减小施加到第一晶体管T1的栅极电压的变化。即，在后栅极电压VBML的频率被控制为随着第一栅极信号GW的频率降低而增加的情况下，栅极电压的变化可以多次减半(例如，四次减半)。在栅极电压的变化多次减半(例如，
Figure BDA0003333568960000133
)的情况下，流过有机发光显示装置所包括的第一晶体管T1的驱动电流IOLED的变化可以减小(例如，
Figure BDA0003333568960000134
Figure BDA0003333568960000135
)。如此，根据本发明的实施例的有机发光显示装置可以通过减小流过像素内部的第一晶体管T1的驱动电流IOLED的变化来防止闪烁现象。
图8是示出用于调节后栅极电压VBML的摆动宽度的电路的图，图9是示出通过图8的电路调节后栅极电压VBML的摆动宽度的一示例的时序图。
参照图8及图9，根据本发明的有机发光显示装置的像素可以包括第一晶体管T1，所述第一晶体管T1具有连接于栅极节点的栅极电极以及连接于后栅极线BL的后栅极电极BML。第一晶体管T1可以在栅极电极的下部包括后栅极电极BML，以在低频率驱动时补偿由第一子晶体管T3-1及第三子晶体管T4-1的漏电流引起的栅极节点的电压失真。后栅极驱动部700可以通过后栅极线BL向后栅极电极BML施加后栅极电压VBML。此时，可以调节后栅极电压VBML的摆动宽度。
在一实施例中，后栅极驱动部700可以包括调节后栅极电压VBML的摆动宽度的后栅极电压控制部。后栅极电压控制部可以包括反向二极管M2，所述反向二极管M2包括接收后栅极电压VBML的栅极电极、被施加第一电源电压ELVDD的源极。后栅极电压控制部可以包括位于后栅极线BL上的正向二极管M1。后栅极电压控制部可以利用反向二极管M2及正向二极管M1来调节后栅极电压VBML的摆动宽度。如图9所示，一般的后栅极电压VBML的摆动宽度可以是从栅极高电压GW_H减去栅极低电压GW_L的值。根据情况，可能需要变更后栅极电压VBML的摆动宽度。例如，后栅极电压控制部可以利用反向二极管M2及正向二极管M1将后栅极电压VBML的摆动宽度调节为从栅极高电压GW_H减去第一电源电压ELVDD的值。在如此调节后栅极电压VBML的摆动宽度的情况下，有机发光显示装置的像素可以在低频率驱动模式及超低频率驱动模式下使栅极电压的变化最小化而减小在第一晶体管T1流动的驱动电流IOLED的变化，从而防止闪烁现象。
图10是示出根据本发明的实施例的包括有机发光显示装置的电子设备的框图。
参照图10，电子设备1100可以包括处理器1110、存储器装置1120、存储装置1130、输入/输出装置1140、电源1150及有机发光显示装置1160。电子设备1100还可以包括能够与视频卡、声卡、存储卡、USB装置等进行通信或者与其他系统进行通信的多个端口(port)。
处理器1110可以执行特定计算或任务(task)。根据实施例，处理器1110可以是微处理器(microprocessor)、中央处理装置(CPU)等。处理器1110可以通过地址总线(addressbus)、控制总线(control bus)及数据总线(data bus)等连接于其他构成要素。根据实施例，处理器1110还可以连接于诸如外围构成要素互连(PCI：Peripheral ComponentInterconnect)总线之类的扩展总线。
存储器装置1120可以存储电子设备1100的操作所需的数据。例如，存储器装置1120可以包括诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM：Erasable Programmable Read-OnlyMemory)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM：Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory)、闪存(Flash Memory)、相变随机存取存储器(PRAM：Phase ChangeRandom Access Memory)、电阻随机存取存储器(RRAM：Resistance Random AccessMemory)、纳米浮栅存储器(NFGM：Nano Floating Gate Memory)、聚合物随机存取存储器(PoRAM：Polymer Random Access Memory)、磁随机存取存储器(MRAM：Magnetic RandomAccess Memory)、铁电随机存取存储器(FRAM：Ferroelectric Random Access Memory)等非易失性存储器装置和/或诸如动态随机存取存储器(DRAM：Dynamic Random AccessMemory)、静态随机存取存储器(SRAM：Static Random Access Memory)、移动DRAM等易失性存储器装置。
存储装置1130可以包括固态驱动器(SSD：Solid State Drive)、硬盘驱动器(HDD：Hard Disk Drive)、紧凑盘只读存储器(CD-ROM)等。输入/输出装置1140可以包括诸如键盘、小键盘、触摸板、触摸屏、鼠标等输入结构以及诸如扬声器、打印机等输出结构。电源1150可以供应电子设备1100的操作所需的电源。有机发光显示装置1160可以通过所述总线或其他通信链路连接于其他构成要素。
在有机发光显示装置1160的各个像素中，如图2所示，第一晶体管可以包括连接于第一电容器的第二电极(即，栅极节点)的栅极电极、连接于第一电源电压的布线的源极、连接于第六晶体管的源极的漏极以及布置于栅极电极的下部的后栅极电极。在一实施例中，在低频率驱动模式下，第一晶体管的后栅极电极可以通过后栅极线接收后栅极电压，并基于后栅极电压控制栅极电压的变化量。据此，可以补偿低频率驱动时的栅极节点的电压失真，并且可以提高有机发光显示装置1160的显示质量。
根据实施例，电子设备1100可以是诸如移动电话(Mobile Phone)、智能电话(Smart Phone)、平板计算机(Tablet Computer)、笔记本计算机(Laptop Computer)、个人计算机(PC：Personal Computer)、数字电视(Digital Television)、3D电视、家用电子设备、个人数字助理(PDA：personal digital assistant)、便携式多媒体播放器(PMP：portable multimedia player)、数码相机(Digital Camera)、音乐播放器(MusicPlayer)、便携式游戏主机(portable game console)、导航仪(Navigation)等包括有机发光显示装置1160的任意的电子设备。
产业上的可利用性
本发明可以应用于任意的有机发光显示装置及包括该有机发光显示装置的电子设备。例如，本发明可以应用于移动电话、智能电话、平板计算机、笔记本计算机、个人计算机、电视、数字电视、3D电视、家用电子设备、个人数字助理、便携式多媒体播放器、数码相机、音乐播放器、便携式游戏主机、导航仪等。
以上，虽然参照本发明的实施例进行了说明，但只要是本技术领域的熟练的技术人员，则应当能够理解在不脱离记载于权利要求书的本发明的思想及构思的范围内可以对本发明进行多种修改以及变更。

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置的像素，其特征在于，包括：
第一电容器，具有连接于第一电源电压的布线的第一电极及连接于栅极节点的第二电极；
第一晶体管，具有连接于所述栅极节点的栅极电极及连接于后栅极线的后栅极电极；
第二晶体管，响应于第一栅极信号而将数据信号传递到所述第一晶体管的源极；
第三晶体管，响应于所述第一栅极信号而将所述第一晶体管二级管连接；
第四晶体管，响应于第二栅极信号而将初始化电压传递到所述栅极节点；以及
有机发光二极管，具有阳极及连接于第二电源电压的布线的阴极，
其中，所述第一晶体管在低频率驱动模式下通过所述后栅极电极接收比所述第一栅极信号延迟二分之一帧的后栅极电压。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，
所述后栅极电极布置于所述第一晶体管的所述栅极电极的下部。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，
所述后栅极电压的摆动宽度能够被调节。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，
所述第三晶体管包括在所述栅极节点与所述第一晶体管的漏极之间串联连接的第一子晶体管及第二子晶体管。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，
所述第四晶体管包括在所述栅极节点与所述初始化电压的布线之间串联连接的第三子晶体管及第四子晶体管。
6.根据权利要求2所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，还包括：
第五晶体管，包括接收发光信号的栅极电极、连接于所述第一电源电压的所述布线的源极及连接于所述第一晶体管的所述源极的漏极；
第六晶体管，包括接收所述发光信号的栅极电极、连接于所述第一晶体管的所述漏极的源极及连接于所述有机发光二极管的所述阳极的漏极；以及
第七晶体管，包括接收第三栅极信号的栅极电极、连接于所述有机发光二极管的所述阳极的源极及连接于所述初始化电压的布线的漏极。
7.一种有机发光显示装置的像素，其特征在于，包括：
第一电容器，具有连接于第一电源电压的布线的第一电极及连接于栅极节点的第二电极；
第一晶体管，具有连接于所述栅极节点的栅极电极及连接于后栅极线的后栅极电极；
第二晶体管，响应于第一栅极信号而将数据信号传递到所述第一晶体管的源极；
第三晶体管，响应于所述第一栅极信号而将所述第一晶体管二极管连接；
第四晶体管，响应于第二栅极信号而将初始化电压传递到所述栅极节点；以及
有机发光二极管，具有阳极及连接于第二电源电压的布线的阴极，
其中，所述第一晶体管通过所述后栅极电极接收后栅极电压，
所述后栅极电压在超低频率驱动模式下被控制为频率随着所述第一栅极信号的频率降低而增加。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，
所述后栅极电极布置于所述第一晶体管的所述栅极电极的下部。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，
所述后栅极电压的摆动宽度能够被调节。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，
所述第三晶体管包括在所述栅极节点与所述第一晶体管的漏极之间串联连接的第一子晶体管及第二子晶体管。
11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，
所述第四晶体管包括在所述栅极节点与所述初始化电压的布线之间串联连接的第三子晶体管及第四子晶体管。
12.根据权利要求8所述的有机发光显示装置的像素，其特征在于，还包括：
第五晶体管，包括接收发光信号的栅极电极、连接于所述第一电源电压的所述布线的源极及连接于所述第一晶体管的所述源极的漏极；
第六晶体管，包括接收所述发光信号的栅极电极、连接于所述第一晶体管的所述漏极的源极及连接于所述有机发光二极管的所述阳极的漏极；以及
第七晶体管，包括接收第三栅极信号的栅极电极、连接于所述有机发光二极管的所述阳极的源极及连接于所述初始化电压的布线的漏极。
13.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括：
显示面板，包括多个像素；
数据驱动部，向所述多个像素提供数据信号；
栅极驱动部，向所述多个像素提供栅极信号；
后栅极驱动部，向所述多个像素提供后栅极电压；以及
驱动控制部，控制所述数据驱动部、所述栅极驱动部及所述后栅极驱动部，
其中，所述多个像素中的每一个包括：
第一电容器，具有连接于第一电源电压的布线的第一电极及连接于栅极节点的第二电极；
第一晶体管，具有连接于所述栅极节点的栅极电极及连接于后栅极线的后栅极电极；
第二晶体管，响应于第一栅极信号而将数据信号传递到所述第一晶体管的源极；
第三晶体管，响应于所述第一栅极信号而将所述第一晶体管二极管连接；
第四晶体管，响应于第二栅极信号而将初始化电压传递到所述栅极节点；以及
有机发光二极管，具有阳极及连接于第二电源电压的布线的阴极，
所述第一晶体管通过所述后栅极电极接收后栅极电压，
所述后栅极电极布置于所述第一晶体管的所述栅极电极的下部。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述后栅极电压在低频率驱动模式下比所述第一栅极信号延迟二分之一帧。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述后栅极驱动部包括调节所述后栅极电压的摆动宽度的后栅极电压控制部。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述后栅极电压控制部包括：
反向二极管，包括接收所述后栅极电压的栅极电极、被施加所述第一电源电压的源极；以及
正向二极管，位于所述后栅极线上。
17.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第三晶体管包括在所述栅极节点与所述第一晶体管的漏极之间串联连接的第一子晶体管及第二子晶体管。
18.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述第四晶体管包括在所述栅极节点与所述初始化电压的布线之间串联连接的第三子晶体管及第四子晶体管。
19.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述多个像素中的每一个还包括：
第五晶体管，包括接收发光信号的栅极电极、连接于所述第一电源电压的所述布线的源极及连接于所述第一晶体管的所述源极的漏极；
第六晶体管，包括接收所述发光信号的栅极电极、连接于所述第一晶体管的所述漏极的源极及连接于所述有机发光二极管的所述阳极的漏极；以及
第七晶体管，包括接收第三栅极信号的栅极电极、连接于所述有机发光二极管的所述阳极的源极及连接于所述初始化电压的布线的漏极。
20.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述后栅极电压在超低频率驱动模式下被控制为频率随着所述第一栅极信号的频率降低而增加。
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