CN114815402A - 显示面板及其阵列基板 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板及阵列基板，其中，阵列基板包括像素电极、缓冲层以及第一配向膜。像素电极上开设有多条狭缝。缓冲层贴合于所述像素电极的一面，所述缓冲层与所述像素电极贴合的一面开设有多条沟槽，各所述沟槽正对各所述狭缝设置。第一配向膜设置于所述像素电极背离所述缓冲层的一侧，与所述像素电极贴合，并将所述沟槽和所述狭缝填充。本申请在缓冲层上正对像素电极狭缝的区域开设沟槽，以容纳对应区域的配向膜增加配向膜的厚度，配向膜厚度增加，对对应区域液晶分子的锚定力也增加，使得对应区域的液晶分子更容易偏转，解决了现有技术中狭缝正对的区域电场相对较弱，导致液晶偏转角度不足，导致该区域穿透力不足的技术问题。

Description

显示面板及其阵列基板

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其阵列基板。

背景技术

液晶显示器中包含液晶分子的液晶层、产生电场以控制液晶层内液晶分子取向的像素电极、公共电极以及控制液晶形成预倾角的配向膜。在像素电极、公共电极产生的电场作用下，液晶发生偏转改变光的传播路径实现显示发光。根据电压大小以及电场强弱不同，液晶发生偏转的角度也不同，从而显示出不同的画面。

目前，为控制各液晶分子的预倾角，会在像素电极上开设狭缝，在狭缝正对的区域电场相对较弱，对液晶偏转的控制力也相对较弱，易导致液晶偏转角度不足，导致该区域穿透力不足，形成暗斑暗纹，影响显示面板的显示效果。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其阵列基板，可以解决现有技术中在像素电极上狭缝正对的区域电场相对较弱，导致穿透力不足的技术问题。

本申请实施例提供一种阵列基板，包括：

缓冲层，所述缓冲层的一面开设有多条沟槽；

像素电极，设置于所述缓冲层开设有沟槽的一面，所述像素电极开设有多条狭缝，多条所述狭缝与多条所述沟槽一一对应设置；

第一配向膜，设置于所述像素电极背离所述缓冲层的一侧，并将所述沟槽和所述狭缝填充，所述第一配向膜背离所述像素电极的一面为平坦面。在本申请的一些实施例中，所述沟槽的宽度不小于所述狭缝的宽度。

在本申请的一些实施例中，所述沟槽的槽深不超过所述第一配向膜最大厚度的10％。

在本申请的一些实施例中，所述沟槽的槽深不超过0.01微米。

在本申请的一些实施例中，所述沟槽的两相对侧的槽壁之间的距离沿着由朝向所述像素电极的一侧向背离像素电极的方向逐渐减小。

在本申请的一些实施例中，所述沟槽的两相对侧的槽壁倾斜设置。

在本申请的一些实施例中，所述像素电极包括主体部和多个延展部；所述主体部上开设有所述狭缝；所述延展部与所述狭缝对应设置，与所述狭缝的侧壁连接，并向所述沟槽内突伸，所述延展部与所述沟槽的槽壁贴合。

在本申请的一些实施例中，所述延展部背离所述缓冲层的一面倾斜设置，与所述沟槽的槽壁平行。

在本申请的一些实施例中，所述狭缝两相对侧的侧壁倾斜设置，所述狭缝的宽度沿着由与所述第一配向膜贴合的一侧向与所述缓冲层贴合的一侧逐渐缩窄。

相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，包括：

如上所述的阵列基板；

液晶层，设置于所述阵列基板的一侧，与所述第一配向膜层贴合；

彩膜基板，设置于所述液晶层背离所述阵列基板的一侧，与所述液晶层贴合。

本申请实施例中，在缓冲层上正对像素电极狭缝的区域开设沟槽，以容纳对应区域的配向膜，增加配向膜的厚度，通过配向膜厚度的增加，增加对对应区域的液晶分子的锚定力，使得对应区域的液晶分子更容易偏转，解决了现有技术中狭缝正对的区域电场相对较弱，导致液晶偏转角度不足，导致该区域穿透力不足的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。

图2是本申请实施例提供的像素电极的结构示意图。

图3是本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图。

图4是本申请第二实施例提供的阵列基板的结构示意图。

图5是本申请第三实施例提供的阵列基板的结构示意图。

图6是本申请第四实施例提供的阵列基板的结构示意图。

附图标记说明：

100、阵列基板；110、第一衬底；120、缓冲层；121、沟槽；130、像素电极；131、主体部；132、延展部；133、开缝区域；134、狭缝；140、第一配向膜；141、主体膜层；142、增厚膜层；200、液晶层；300、彩膜基板；310、第二衬底；320、公共电极；330、第二配向膜。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种显示面板及其阵列基板100。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

本申请提供一种显示面板，该显示面板可以安装于各种具有显示功能的产品中。例如，电子产品可以是智能终端、笔记本电脑、摄影设备、可穿戴设备、电子秤、车载显示器以及电视机等。

请参阅图1，该显示面板包括阵列基板100、液晶层200以及彩膜基板300。阵列基板100和彩膜基板300相对设置，液晶层200设置于阵列基板100和彩膜基板300之间，一侧与阵列基板100贴合设置，另一侧与彩膜基板300贴合设置。

其中，阵列基板100包括第一衬底110、缓冲层120、像素电极130以及第一配向膜140。

第一衬底110为一层平板，用于承载缓冲层120、像素电极130以及第一配向膜140。

缓冲层120设置于第一衬底110的一侧，由可溶性聚四氟乙烯(Polyfluoroalkoxy,PFA)树脂等树脂材料制成，其厚度一般在1微米至1.5微米之间，在本申请的实施例中，为1.3微米。

像素电极130贴合于缓冲层120背离第一衬底110的一面，与显示面板像素结构中的子像素对应设置，用于形成电场控制液晶层200中的液晶分子偏转，其一般采用氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)等透明导电材料制成。

第一配向膜140贴合于像素电极130背离所述缓冲层120的一面，并与液晶层200贴合。第一配向膜140与像素电极130贴合的一面为平坦面，第一配向膜140一般由聚酰亚胺(Polyimide,PI)等材料制成，为一层薄膜状的膜层，用于对液晶层200中的液晶分子提供锚定力，形成一定的预倾角。

在本申请的实施例中，上述的像素电极130上开设由多条狭缝134，狭缝134的开设位置以及形状可以根据实际需求设置。在本申请的一个实施例中，请结合参阅图2，该像素电极130上包括分布在四角的四个开缝区域133，每个开缝区域133内的狭缝134均相互平行设置，且均由像素电极130的中部指向该开缝区域133所处的一角，以确保该像素电极130正对的液晶分子具有四个不同方向的预倾角，进而保证该显示面板具有最大的视角。

一般地，各狭缝134与像素电极130的侧边呈45度夹角，以保证其与两个垂直方向的偏振光均夹45度角，使得显示面板本身的穿透率达到最大。

对应地，缓冲层120与像素电极130贴合的一面也对应开设有多条沟槽121，各沟槽121正对各狭缝134设置。沟槽121和对应的狭缝134共同组成一个容纳槽，用于容纳第一配向膜140。

在本申请的实施例中，请结合参阅图3至5，第一配向膜140包括一体成型的主体膜层141和增厚膜层142。主体膜层141与像素电极130贴合，增厚膜层142设置于主体膜层141朝向像素电极130的一侧，将沟槽121和狭缝134填充，使得狭缝134正对区域的配向膜的膜厚增加，通过在增加像素电极130的狭缝134正对区域增加配向膜的厚度，增加对液晶分子的锚定力，使得对应区域的液晶分子更容易偏转，解决了现有技术中狭缝134正对的区域电场相对较弱，导致液晶偏转角度不足，导致该区域穿透力不足的技术问题。

在本申请的实施例中，沟槽121的宽度不小于狭缝134的宽度，如图1和图3所示。在本申请的一些实施例中，如图1所示，沟槽121的宽度与狭缝134的宽度相等，此时，第一配向膜140的增厚膜层142的宽度和狭缝134宽度相等，处于因像素电极130开设狭缝134而产生的弱电场区域的液晶分子所受到的锚定力均有所增加，也就更容易偏转，即可以刚好解决各狭缝134正对的区域电场相对较弱，导致液晶偏转角度不足，导致该区域穿透力不足的技术问题，可以节省较多的材料。

在本申请的另一些实施例中，如图3所示，沟槽121的宽度相对狭缝134的宽度更宽，以保证增厚膜层142可以将像素电极130开设狭缝134正对的区域能够被完全覆盖，避免出现因为加工误差等工艺因素导致正对狭缝134边缘处的液晶分子所受锚定力不够的情况。

在本申请的一些实施例中，沟槽121的深度约在第一配向膜140总厚度的10％以内，以保证第一配向膜140中增厚膜层142的厚度不超过第一配向膜140总厚度的10％，若增厚膜层142的厚度过大，会导致对其正对区域的液晶分子的锚定力过大，影响像素电极130对于液晶分子偏转的控制。在本申请的一个实施例中，第一配向膜140的主体膜层141厚度为0.09微米，增厚膜层142厚度为0.01微米，第一配向膜140的总体厚度为0.1微米。一般地，第一配向膜140的总体厚度在0.1微米左右，故在本申请的一些实施例中，沟槽121的槽深不超过0.01微米。

在本申请的实施例中，上述的沟槽121的横截面的形状可以有多种，例如矩形、梯形、三角形以及弧形等。

在本申请的一些实施例中，请结合参阅图4，上述的沟槽121的横截面呈矩形，狭缝134两侧侧壁倾斜设置，狭缝134的宽度由与第一配向膜140贴合的一面向与所述缓冲层120贴合的一面逐渐缩窄，以使第一配向膜140的增厚膜层142由两边向中间逐渐增厚，同时控制沟槽121正对区域两侧的电场缓慢下降，使得第一配向膜140对液晶层200内液晶分子的锚定力由沟槽121两侧向沟槽121逐渐增强，像素电极130对液晶层200内液晶分子的电场力由沟槽121两侧向沟槽121逐渐减弱，在一定程度上可以消弭加工工艺带来的公差，使各处液晶分子实现偏转的容易程度保持一致。

在本申请的一些实施例中，请结合参阅图5，上述的沟槽121两侧的槽壁倾斜设置，使沟槽121的横截面形成一个等腰梯形。狭缝134两侧侧壁倾斜设置，与同侧的槽壁位于同一斜侧面上，狭缝134的宽度由与第一配向膜140贴合的一面向与所述缓冲层120贴合的一面逐渐缩窄，以使第一配向膜140的增厚膜层142由两边向中间逐渐增厚，同时控制沟槽121正对区域两侧的电场向沟槽121中心缓慢下降，使得第一配向膜140对液晶层200内液晶分子的锚定力由沟槽121两侧向沟槽121中心逐渐增强，像素电极130对液晶层200内液晶分子的电场力由沟槽121两侧向沟槽121中心逐渐减弱，在一定程度上可以消弭加工工艺带来的公差，使各处液晶分子实现偏转的容易程度保持一致。

在本申请的一些实施例中，请结合参阅图6，上述的沟槽121自槽口向槽底呈收缩状，其横截面形成梯形、三角形以及弧形等形状，使增厚膜层142的厚度由两边向中间逐渐增厚，则对液晶层200中液晶分子的锚定力也由狭缝134正对区域的两边向中间逐渐增加，而狭缝134正对区域的电场是越远离电极板越小，故该沟槽121结构能够使各处液晶分子实现偏转的容易程度保持一致，避免出现狭缝134正对区域的边缘的液晶分子实现偏转更容易亮度更高的情况。同时，也节省了制作配向膜的成本。

在本申请的一个实施例中，上述的沟槽121两侧的槽壁倾斜设置，使沟槽121的横截面形成一个等腰梯形。同时，像素电极130包括主体部131和多个延展部132，主体部131上开设有上述的狭缝134，延展部132与狭缝134对应设置，与狭缝134的侧壁连接，并向沟槽121内突伸，延展部132与沟槽121的槽壁贴合。该延展部132背离缓冲层120的一面也倾斜设置，与沟槽121的槽壁平行，以使第一配向膜140的增厚膜层142由两边向中间逐渐增厚，同时控制沟槽121正对区域的电场缓慢下降，使得第一配向膜140对液晶层200内液晶分子的锚定力由沟槽121两侧槽壁向中心线处逐渐增强，像素电极130对液晶层200内液晶分子的电场力由沟槽121两侧槽壁向中心线处逐渐减弱，使各处液晶分子实现偏转的容易程度保持一致。

彩膜基板300包括第二衬底310、公共电极320以及第二配向膜330。

其中，第二衬底310为一层平板，与第一衬底110相对设置用于承载公共电极320以及第二配向膜330。公共电极320以及第二配向膜330均设置于第二衬底310朝向第一衬底的一侧。

第二配向膜330与液晶层200贴合。其一般也由聚酰亚胺(Polyimide,PI)等材料制成，为一层薄膜状的膜层，用于和第一配向膜140配合，对液晶层200中的液晶分子提供锚定力，形成一定的预倾角。

公共电极320设置于所述第二配向膜330背离所述液晶层200的一层，与所述第二配向膜330层贴合，用于和像素电极130共同形成电场，其一般采用氧化铟锡(Indium tinoxide,ITO)等透明导电材料制成。在本申请的一些实施例中公共电极320上也可以对应开设狭缝134以控制液晶层200中液晶分子的倾角。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其阵列基板100进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板至少包括：

缓冲层，所述缓冲层的一面开设有多条沟槽；

像素电极，设置于所述缓冲层开设有沟槽的一面，所述像素电极开设有多条狭缝，多条所述狭缝与多条所述沟槽一一对应设置；

第一配向膜，设置于所述像素电极背离所述缓冲层的一侧，并将所述沟槽和所述狭缝填充，所述第一配向膜背离所述像素电极的一面为平坦面。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟槽的宽度不小于所述狭缝的宽度。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟槽的槽深不超过所述第一配向膜最大厚度的10％。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟槽的槽深不超过0.01微米。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟槽的两相对侧的槽壁之间的距离沿着由朝向所述像素电极的一侧向背离像素电极的方向逐渐减小。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述沟槽的两相对侧的槽壁倾斜设置。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括主体部和多个延展部；所述主体部上开设有所述狭缝；所述延展部与所述狭缝对应设置，与所述狭缝的侧壁连接，并向所述沟槽内突伸，所述延展部与所述沟槽的槽壁贴合。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述延展部背离所述缓冲层的一面倾斜设置，与所述沟槽的槽壁平行。

9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述狭缝两相对侧的侧壁倾斜设置，所述狭缝的宽度沿着由与所述第一配向膜贴合的一侧向与所述缓冲层贴合的一侧逐渐缩窄。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板至少包括：

如权利要求1至9任意一项所述的阵列基板；

液晶层，设置于所述阵列基板的一侧，与所述第一配向膜层贴合；

彩膜基板，设置于所述液晶层背离所述阵列基板的一侧，与所述液晶层贴合。

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