CN111580296B - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基板包括：衬底及位于衬底一侧的像素电路层；触控信号线，位于像素电路层背离衬底一侧；色阻层，位于触控信号线背离衬底一侧；电极层，位于色阻层背离衬底一侧；电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第二电极背离衬底一侧或者第一电极与第二电极同层设置；配向层，位于电极层背离衬底一侧；第一黑矩阵，位于配向层与触控信号线之间，第一黑矩阵包括多个开口；开口所在区域为像素开口区；触控信号线与配向层之间的至少一层膜层，在触控信号线对应的第一黑矩阵所在位置形成有凹槽结构。该阵列基板能够提高配向层的平坦性，改善显示不均。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是一种将阵列基板和彩膜基板对位成盒后，在盒内注入液晶的显示器。随着人们需求的提高，为了提高液晶显示器的显示品质，避免阵列基板和彩膜基板对位成盒时的偏差影响液晶显示器的开口率和出现漏光的问题，出现了将色阻层设置于阵列基板上(Color Filter on Array，COA)技术。
在目前的COA基板中，由于触控信号线具有一定的厚度，触控信号线对应的黑矩阵背离衬底一侧的膜层会出现凸起，从而导致配向层的厚度不均匀，进而在显示时具有明显的亮暗不均现象。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以提高配向层的平坦性，从而改善显示不均。
第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：
衬底及位于所述衬底一侧的像素电路层；
触控信号线，位于所述像素电路层背离所述衬底一侧；
色阻层，位于所述触控信号线背离所述衬底一侧；
电极层，位于所述色阻层背离所述衬底一侧；所述电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第二电极背离所述衬底一侧或者所述第一电极与所述第二电极同层设置；
配向层，位于所述电极层背离所述衬底一侧；
第一黑矩阵，位于所述配向层与所述触控信号线之间，所述第一黑矩阵包括多个开口；
所述触控信号线与所述配向层之间的至少一层膜层，在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置形成有凹槽结构。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括第一方面提供的任一种阵列基板；
还包括对置基板和液晶层；
所述对置基板和所述阵列基板相对设置，所述阵列基板设置有所述配向层的一侧朝向所述对置基板；
所述阵列基板和所述对置基板之间设置有所述液晶层。
第三方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括：第二方面提供的任一种显示面板。
本发明实施例提供的技术方案，通过触控信号线位于像素电路层背离衬底一侧，色阻层位于触控信号线背离衬底一侧，第一黑矩阵位于配向层与触控信号线之间，则第一黑矩阵位于触控信号线背离衬底一侧，电极层，位于色阻层背离衬底一侧；电极层包括第一电极和第二电极，第一电极位于第二电极背离所述衬底一侧或者第一电极与第二电极同层设置；由于触控信号线存在一定的高度，会导致触控信号线所在位置的触控信号线靠近衬底一侧的表面所在的平面与第一电极靠近衬底一侧的表面所在的平面之间的膜层更厚，通过在触控信号线与配向层之间的至少一层膜层，触控信号线对应的第一黑矩阵所在位置形成凹槽结构，能够减小触控信号线所在位置的触控信号线靠近衬底一侧的表面所在的平面与第一电极背离衬底一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，涂布配向液后，减小配向液的流动性，防止触控信号线处的配向液回流至开口处，从而提高配向层厚度的均匀性，进而改善显示不均的现象。
附图说明
为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为图1所示阵列基板沿剖面线AA’方向的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2为图1所示阵列基板沿剖面线AA’方向的剖面结构示意图。结合图1和图2所示，阵列基板100包括：衬底110及位于衬底110一侧的像素电路层120。
触控信号线130，位于像素电路层120背离衬底110一侧。
色阻层140，位于触控信号线130背离衬底110一侧。
电极层150，位于色阻层140背离衬底110一侧；电极层150包括第一电极151和第二电极，第一电极151位于第二电极背离衬底110一侧或者第一电极151与第二电极同层设置。
配向层160，位于电极层150背离衬底110一侧。
第一黑矩阵170，位于配向层160与触控信号线130之间，第一黑矩阵170包括多个开口171。
触控信号线130与配向层160之间的至少一层膜层，在第一黑矩阵170所在位置形成有凹槽结构180。
示例性的，如图1和图2所示，第一电极151为像素电极，第二电极为公共电极(图中未示出)，衬底110上设置有缓冲层，像素电路层120设置于缓冲层背离衬底110一侧，包括栅极(图中未示出)、源极121和漏极122，栅极与栅极驱动信号电连接(图中未示出)，用于导通源极121和漏极122；源极121与数据信号电连接(图中未示出)，用于向像素电路层120提供数据电压信号；漏极122与第一电极151电连接，用于向像素电极提供数据电压信号，像素电极与公共电极之间产生电场，用来驱动液晶分子偏转以进行画面显示。在第一电极151背离衬底110一侧涂布配向液，经过固化后形成配向层160，配向层160用于给液晶分子提供一个预倾角，使液晶分子的旋转方向一致。第一黑矩阵170设置于配向层160与触控信号线130之间的任意一层膜层上，第一黑矩阵170的开口171用于透过光束，透过开口171的光束用于画面显示，即开口171所在区域为像素开口区。需要说明的是，第一电极151和第二电极152可以同层设置，如图5和图6所示；第一电极151和第二电极152还可以异层设置，如图7和图8所示。在其他实施方式中，还可以是第一电极151为公共电极，且公共电极与漏极绝缘，第二电极为像素电极。
现有技术中，触控信号线130存在一定的高度，会导致触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层更厚，，涂覆配向液后，触控信号线130处的配向液由于所处位置较高，会回流至开口171处，并在开口171处的部分区域堆积，因此，增加了部分开口171处的配向层160的膜面厚度，造成配向层160的厚度不均，从而在显示时会有明显的亮暗不均的现象。
本发明实施例，通过触控信号线130与配向层160之间的至少一层膜层，在触控信号线130对应的第一黑矩阵170所在位置形成凹槽结构180，凹槽结构180能够降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度涂布配向液后，减小配向液的流动性，防止触控信号线130处的配向液回流至开口171处，避免配向液在开口区堆积，从而提高配向层160厚度的均匀性，进而改善显示不均的现象。
需要说明的是，图2为了清楚的展示凹槽结构180，仅示例性画出了凹槽结构180后触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，小于未设置触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度；实际上设置凹槽结构180后，触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，还可以等于大于未设置触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度。只要可以降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度即可。
可选的，继续参见图1和图2，第一黑矩阵170位于色阻层140背离衬底110的一侧表面；色阻层140在第一黑矩阵170所在位置设置有凹槽结构180。
示例性的，如图1和图2所示，色阻层140背离衬底110一侧设置有凹槽结构180，触控信号线130对应的第一黑矩阵170位于凹槽结构180内，能够降低触控信号线130对应的第一黑矩阵170的高度，进而降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，在涂布配向液后，能够减小配向液的流动性，防止触控信号线130处的配向液回流至开口171处，避免配向液在开口区堆积，提高配向层160的平坦性。进一步，将触控信号线130之外的区域对应的第一黑矩阵170所在位置也设置凹槽结构180，能够进一步降低未设置触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，减小配向液的流动性，防止第一黑矩阵170处的配向液回流至开口171处，避免配向液在开口区堆积，提高配向层160厚度的均匀性。
可选的，图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。结合图3和图4，阵列基板100还包括第一绝缘层191；第一绝缘层191位于电极层150与色阻层140之间；第一绝缘层191在触控信号线130对应的第一黑矩阵170所在位置设置有凹槽结构180。
示例性的，首先在色阻层140背离衬底110一侧形成第一黑矩阵170，然后在第一黑矩阵170的开口处以及第一黑矩阵170背离衬底110一侧形成第一绝缘层191，由于触控信号线130对应的第一黑矩阵170的与其他区域的第一黑矩阵170之间存在高度差，第一绝缘层191在触控信号线130对应的第一黑矩阵170所在位置形成凸起，在该凸起位置设置凹槽结构180，如图3所示，凹槽结构180能够降低触控信号线130对应的第一绝缘层191的高度，进而降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，还能够容纳配向液，在涂布配向液后，触控信号线130处的配向液难以回流至开口处，避免配向液在开口处的堆积，因此，形成的配向层160的厚度均匀，能够提高配向层160的平坦性。
在其他实施方式中，还可以是首先在色阻层140背离衬底110一侧形成第一绝缘层191，通过在第一绝缘层191上刻蚀形成凹槽结构180，凹槽结构180容纳触控信号线130对应的第一黑矩阵170，如图4所示，能够降低触控信号线130对应的第一黑矩阵170的高度，进而降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，在涂布配向液后，减小配向液的流动性，触控信号线130处的配向液难以回流至开口处，避免配向液在开口处的堆积，因此，形成的配向层160的厚度均匀，能够提高配向层160的平坦性。需要说明的是，本发明实施例对凹槽结构180的设置方式不做具体限制。
可选的，图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。结合图5和图6，电极层150包括像素电极和公共电极；公共电极位于第一绝缘层191背离衬底110一侧；像素电极为第一电极151，公共电极为第二电极152。
公共电极以及第一绝缘层191在触控信号线130对应的第一黑矩阵170所在位置设置有凹槽结构180。
凹槽结构180贯穿公共电极，且凹槽结构180的深度小于等于公共电极和第一绝缘层191的厚度之和。
示例性的，首先在色阻层140背离衬底110一侧形成第一黑矩阵170，然后在第一黑矩阵170的开口处以及第一黑矩阵170背离衬底110一侧形成第一绝缘层191，在第一绝缘层191背离衬底110一侧的表面设置第二电极152(公共电极)和第一电极151(像素电极)，由于触控信号线130对应的第一黑矩阵170的与其他区域的第一黑矩阵170之间存在高度差，第一绝缘层191和第二电极152的膜面在触控信号线130对应的第一黑矩阵170所在位置形成凸起，在该凸起位置设置凹槽结构180，凹槽结构180贯穿第二电极152，凹槽结构180的深度h等于第二电极152的厚度h1和第一绝缘层191的厚度h2之和，例如，凹槽结构180贯穿第二电极152和第一绝缘层191，如图5所示；或者凹槽结构180的深度h小于第二电极152的厚度h1和第一绝缘层191的厚度h2之和，例如，凹槽结构180贯穿第二电极152和部分第一绝缘层191，如图6所示，或者凹槽结构180贯穿部分第二电极152和第一绝缘层191，或者凹槽结构180贯穿部分第二电极152和部分第一绝缘层191。本发明实施例凹槽结构180能够减小触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第二电极152靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，即减小触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，还能够容纳配向液，在涂布配向液后，减小配向液的流动性，触控信号线130处的配向液难以回流至开口处，避免配向液在开口处的堆积，因此，形成的配向层160的厚度均匀，能够提高配向层160的平坦性。
在其他实施方式中，还可以是首先在色阻层140背离衬底110一侧依次形成第一绝缘层191和第二电极152，通过刻蚀在第一绝缘层191和第二电极152上形成凹槽结构180，凹槽结构180贯穿第二电极152，凹槽结构180的深度h小于第二电极152的厚度h1和第一绝缘层191的厚度h2之和，如图6所示，凹槽结构180容纳触控信号线130对应的第一黑矩阵170，能够降低触控信号线130对应的第一黑矩阵170的高度，进而降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，在涂布配向液后，减小配向液的流动性，触控信号线130处的配向液难以回流至开口处，避免配向液在开口处的堆积，因此，形成的配向层160的厚度均匀，能够提高配向层160的平坦性。需要说明的是，本发明实施例对凹槽结构的设置方式不做具体限制。
可选的，继续参见图5和图6，像素电极和公共电极同层设置。
示例性的，如图5和图6所示，第一电极151为像素电极，第二电极152为公共电极，第一电极151和第二电极152同层设置，且第一电极151和第二电极152之间相互绝缘，以使第二电极152和第一电极151之间能够形成电场，从而驱动液晶分子旋转。本发明实施例通过将像素电极和公共电极同层设置，无需对像素电极和公共电极分别制作掩膜板，节省了成本，减少了制程数量，提高了生产效率。在其他实施方式中，像素电极还可以与公共电极异层设置，如图7和图8所示。下面对像素电极与公共电极异层设置进行说明。
可选的，图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。结合图7和图8，阵列基板100还包括第二绝缘层192；第二绝缘层192位于像素电极和公共电极之间。
第一绝缘层191、第二绝缘层192以及公共电极在触控信号线130对应的第一黑矩阵170所在位置设置有凹槽结构180；且凹槽结构180的深度小于等于第一绝缘层191、第二绝缘层192以及公共电极的厚度之和。
示例性的，首先在色阻层150背离衬底110一侧形成第一黑矩阵170，然后在第一黑矩阵170的开口处以及第一黑矩阵170背离衬底110一侧形成第一绝缘层191，在第一绝缘层191背离衬底110一侧的表面依次形成公共电极(第二电极152)背离衬底110、第二绝缘层192和像素电极(第一电极151)。由于触控信号线130对应的第一黑矩阵170的与其他区域的第一黑矩阵170之间存在高度差，第一绝缘层191、第二电极152和第二绝缘层192的膜面在触控信号线130对应的第一黑矩阵170所在位置形成凸起，在该凸起位置设置凹槽结构180，凹槽结构180的深度h等于第二电极152的厚度h1、第一绝缘层191的厚度h2和第三绝缘层192的厚度h3之和，例如，凹槽结构180贯穿第二绝缘层192、第二电极152和第一绝缘层191，如图7所示，或者凹槽结构180的深度h小于第二电极152的厚度h1、第一绝缘层191的厚度h2和第三绝缘层192的厚度h3之和，例如，凹槽结构180贯穿第二绝缘层192和第二电极152和部分第一绝缘层191，如图8所示，或者凹槽结构180贯穿部分第二绝缘层192、第二电极152和部分第一绝缘层191，或者凹槽结构180贯穿部分第二绝缘层192、第二电极152和第一绝缘层191。本发明实施例中凹槽结构180能够减小触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，还能够容纳配向液，在涂布配向液后，减小配向液的流动性，触控信号线130处的配向液难以回流至开口处，避免配向液在开口处的堆积，因此，形成的配向层160的厚度均匀，能够提高配向层160的平坦性。
在其他实施方式中，还可以是首先在色阻层140背离衬底110一侧依次形成第一绝缘层191、公共电极152和第二绝缘层192，通过刻蚀在第一绝缘层191、公共电极152和第二绝缘层192上形成凹槽结构180，凹槽结构180的深度h等于公共电极(第二电极152)的厚度h1、第一绝缘层191的厚度h2和第二绝缘层192的厚度h3之和，如图8所示；凹槽结构180容纳触控信号线130对应的第一黑矩阵170，能够降低触控信号线130对应的第一黑矩阵170的高度，进而降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，在涂布配向液后，减小配向液的流动性，触控信号线130处的配向液难以回流至开口处，避免配向液在开口处的堆积，因此，形成的配向层160的厚度均匀，能够提高配向层160的平坦性。需要说明的是，本发明实施例对凹槽结构的设置方式不做具体限制。
还需要说明的是，图7和图8仅示例性展示了第一电极151为像素电极，第二电极152为公共电极，在其他像素电极与公共电极异层设置的实施方式中，还可以是第二电极152为像素电极，第一电极151为公共电极152，本发明对此不作具体限制。
可选的，继续参见图5，阵列基板100还包括凸起结构210，凸起结构210围绕像素电极与像素电路层120的连接处。
具体的，如图5所示，第一电极151为像素电极，第一电极151通过过孔与漏极122电连接。第一电极151与过孔对应的区域有凹陷，进行配向液涂布后，开口处部分区域的配向液可能会回流至凹陷区域，造成开口处配向层160的膜面厚度不均，通过围绕凹陷区域设置凸起结构210，能够阻断开口处配向液的流动，防止开口处的配向液流入凹陷区域，从而提高了配向层160厚度的均匀性。
可选的，继续参见图5，配向层160背离衬底110一侧的表面位于凸起结构210背离衬底110的一侧。
示例性的，如图5所示，配向层160背离衬底110一侧的表面位于凸起结构210背离衬底110的一侧，即配向层160背离衬底110一侧的表面高于凸起结构210背离衬底110一侧的表面，如此配向层160才能够覆盖凸起结构210从而形成平整的膜面。
可选的，继续参见图5，凹槽结构180沿背离衬底110的方向，凹槽宽度呈阶梯式增加。
示例性的，如图5所示，第二电极152为公共电极，凹槽结构180贯穿第二电极152延伸至第一绝缘层191，其中，凹槽结构180在第二电极152的部分的宽度为W1，凹槽结构180在第一绝缘层191的部分的宽度为W2，且W1<W2；该结构能够在降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度的同时，进一步容纳更多的配向液，防止配向液流入开口处。
可选的，继续参见图2，触控信号线130对应的第一黑矩阵170在衬底110上的垂直投影位于凹槽结构180在衬底110上的垂直投影内。
示例性的，由于触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层更厚，在膜层更厚的区域设置凹槽结构180，才能够有效降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度，，也就是说，触控信号线130对应的第一黑矩阵170在衬底110上的垂直投影位于第一黑矩阵170在衬底110上的垂直投影内，才能够有效降低触控信号线130所在位置的触控信号线130靠近衬底110一侧的表面所在的平面与第一电极151靠近衬底110一侧的表面所在的平面之间的膜层厚度。
可选的，图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。如图9所示，阵列基板100还包括第二黑矩阵172；第二黑矩阵172位于第一黑矩阵170背离衬底110的一侧表面；在触控信号线130对应的第二黑矩阵172设置有凹槽结构180。
示例性的，如图9所示，第二黑矩阵172设置于第一黑矩阵170背离衬底110的一侧表面，在触控信号线130对应的第二黑矩阵172背离衬底110一侧的表面设置凹槽结构180。凹槽结构180能够容纳配向液，使得原本堆积在触控信号线130处的配向液流入凹槽结构180内，防止触控信号线130处的配向液回流至开口处，提高配向层160厚度的均匀性。
可选的，继续参见图9，第一黑矩阵170位于配向层160朝向衬底110一侧的表面。
示例性的，如图9所示，第一黑矩阵170位于电极层150背离衬底110一侧表面，即位于配向层160朝向衬底110一侧的表面，在第一黑矩阵170背离衬底110一侧表面设置第二黑矩阵172，阵列基板其他膜层采用原有方式进行设置，即在现有的工艺工序上额外设置第二黑矩阵172，工艺变动比较小，成本比较低。在其他实施方式中，还可以是第一黑矩阵170和第二黑矩阵172同时设置，在电极层150背离衬底110一侧设置黑矩阵，通过刻蚀形成凹槽结构180，凹槽结构180靠近衬底110一侧的黑矩阵为第一黑矩阵170，凹槽结构180两侧的黑矩阵为第二黑矩阵172，本申请对第一黑矩阵170和第二黑矩阵172的形成方式不做具体限制。
可选的，图10为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。如图10所示，阵列基板100还包括触控电极220；触控电极220与触控信号线130电连接。
触控信号线130在衬底110上的垂直投影位于第一黑矩阵170在衬底110上的垂直投影内。
示例性的，如图10所示，第二电极152为公共电极，公共电极复用为触控电极220，触控信号线130与触控电极220电连接(图中未示出)；触控信号线130在衬底110上的垂直投影位于第一黑矩阵170在衬底110上的垂直投影内，因此，触控信号线130的反射光会被第一黑矩阵170遮挡，能够防止阵列基板内金属可见。本发明实施例中，公共电极复用为触控电极220，无需对触控电极单独制作掩膜板，节省了成本，减少了制程工序，提高了生产效率。
需要说明的是，触控电极220还可以是在阵列基板100中单独形成膜层，单独形成的膜层作为触控电极220不会影响阵列基板的开口率。当单独设置膜层以形成触控电极220时，触控电极220为条状电极，相邻触控电极220之间存在间隙，因此触控电极220也可能导致配向层160厚度不均匀，其解决方式与上述实施例中解决触控信号线130的配向层160厚度不均匀的方式相同，在此不做赘述。本发明实施例对触控电极220的设置不作具体限制。
可选的，继续参见图10，阵列基板100还包括平坦化层230；平坦化层230位于色阻层140靠近衬底110一侧。
示例性的，如图10所示，平坦化层230位于色阻层140靠近衬底110一侧，用于平坦化像素电路层120造成的膜面凹凸不平。在其他实施方式中，平坦化层230还可以设置于色阻层140背离衬底110一侧。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述申请实施例中提供的任一阵列基板。
图11为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图11所示，显示面板200包括上述实施例中的任一阵列基板100，还包括对置基板240和液晶层250。
对置基板240和阵列基板250相对设置，阵列基板240设置有配向层160的一侧朝向对置基板240；阵列基板100和对置基板240之间设置有液晶层250。
具体的，如图11所示，对置基板240靠近阵列基板100一侧设置有配向层241，配向层241与配向层160一起向液晶层250中的液晶分子提供预倾角，阵列基板100和对置基板240之间还设置有支撑柱260，用于支撑对置基板240和阵列基板250维持盒厚，支撑柱260既可以设置在阵列基板100上，也可以设置在对置基板240上，本发明对此不作具体限制。
本发明实施例提供的显示面板具备上述任一阵列基板所具备的有益效果，在此不进行赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述申请实施例中提供的任一显示面板。
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图12所示，显示装置300包括上述实施例中的任一显示面板200。
本发明实施例提供的显示装置300，具备上述实施例中显示面板200所具有的有益效果，此处不再赘述。在具体实施时，显示装置300可以为手机、平板电脑、笔记本电脑，也可以为电视机、显示区、数码相框、导航仪、智能穿戴显示装置等任何具有显示功能的产品或部件，本发明实施例对此不作特殊限定。
上述为本发明的较佳实施例及所运用的技术原理。本发明不限于这里的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行的各种明显变化、重新调整及替代均不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由权利要求的范围决定。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底及位于所述衬底一侧的像素电路层；
触控信号线，位于所述像素电路层背离所述衬底一侧；
色阻层，位于所述触控信号线背离所述衬底一侧；
电极层，位于所述色阻层背离所述衬底一侧；所述电极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第二电极背离所述衬底一侧或者所述第一电极与所述第二电极同层设置；
配向层，位于所述电极层背离所述衬底一侧；
第一黑矩阵，位于所述配向层与所述触控信号线之间，所述第一黑矩阵包括多个开口；
所述触控信号线与所述配向层之间的至少一层膜层，在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置形成有凹槽结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一黑矩阵位于所述色阻层背离所述衬底的一侧表面；所述色阻层在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置设置有所述凹槽结构。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一绝缘层；所述第一绝缘层位于所述电极层与所述色阻层之间；所述第一绝缘层在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置设置有所述凹槽结构。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层包括像素电极和公共电极；所述公共电极位于所述第一绝缘层背离所述衬底一侧；所述像素电极为所述第一电极，所述公共电极为所述第二电极；
所述公共电极以及所述第一绝缘层在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置设置有所述凹槽结构；
所述凹槽结构贯穿所述公共电极，且所述凹槽结构的深度小于等于所述公共电极和所述第一绝缘层的厚度之和。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二绝缘层；
所述第二绝缘层位于所述像素电极和公共电极之间；
所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述公共电极在所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵所在位置设置有所述凹槽结构；且所述凹槽结构的深度小于等于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述公共电极的厚度之和。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括凸起结构；
所述凸起结构围绕所述像素电极与所述像素电路层的连接处。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述配向层背离所述衬底一侧的表面位于所述凸起结构背离所述衬底的一侧。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述公共电极同层设置。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽结构沿背离所述衬底的方向，凹槽宽度呈阶梯式增加。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控信号线对应的所述第一黑矩阵在所述衬底上的垂直投影位于所述凹槽结构在所述衬底上的垂直投影内。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二黑矩阵；所述第二黑矩阵位于所述第一黑矩阵背离所述衬底的一侧表面；在所述触控信号线对应的所述第二黑矩阵设置有所述凹槽结构。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一黑矩阵位于所述配向层朝向所述衬底一侧的表面。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括触控电极；所述触控电极与所述触控信号线电连接；
所述触控信号线在所述衬底上的垂直投影位于所述第一黑矩阵在所述衬底上的垂直投影内。
14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括平坦化层；
所述平坦化层位于所述色阻层背离所述衬底一侧；
或者，所述平坦化层位于所述色阻层靠近所述衬底一侧。
15.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-14中任一项所述的阵列基板；
还包括对置基板和液晶层；
所述对置基板和所述阵列基板相对设置，所述阵列基板设置有所述配向层的一侧朝向所述对置基板；
所述阵列基板和所述对置基板之间设置有所述液晶层。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求15所述的显示面板。
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