CN114803603A - 一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，包括如下步骤，A：光致变色膜基膜制备；a：通过透明基质制成平整透明基膜，再往透明基膜上制成一层平整不可逆光致变涂层形成光致变色膜基膜；或b：在透明基质中添加不可逆光致变涂料制成平整的光致变色膜基膜；并将步骤a或步骤b中的光致变色膜基膜绕制成卷状；B：制成掩膜板；C：通过光致变色装置照射制成光管理膜。与现有技术相比，经过激光照射并通过掩膜板控制的方式使光致变色膜基膜中的不可逆光致变涂料发生不可逆色变形成间隔的色变基质，从而改变光管理膜的光线传播特性。
Description
技术领域
本发明属于光管理膜领域，具体地说，是涉及一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺。
背景技术
目前很多领域都需要用到光管理膜来改变光线传播特性。比如汽车智能设备屏幕上面贴上光管理膜，防止智能设备屏幕夜间在车挡风玻璃上形成投影；又比如商场扶梯的透明玻璃上贴上光管理膜，防止不良分子通过透明玻璃窥视穿裙子女士，防止走光事件发生。然而目前光管理膜生产工艺基本都是在生产时首先在透明基膜上面预制不透明基质填充凹槽，然后再将不透明基质填充于凹槽之内，从而形成改变光线传播特性的光管理膜，采用这种方式制成光管理膜往往会导致透明基膜和不透明基质边界不清晰分辨率不高等，也容易导致不透明基质长期使用后与透明基膜发生剥离等问题。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的技术问题，提供一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺。
为解决上述技术问题提供的一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，包括如下步骤：
A：光致变色膜基膜制备；
a：通过透明基质制成平整透明基膜，再往透明基膜上制成一层平整不可逆光致变涂层形成光致变色膜基膜；
或b：在透明基质中添加不可逆光致变涂料制成平整的光致变色膜基膜；
并将步骤a或步骤b中的光致变色膜基膜绕制成卷状；
B：制成掩膜板；
C：通过光致变色装置照射制成光管理膜。
进一步的，步骤C中光致变色装置包括激光器、能量控制器、光束形成装置、遮光器、掩膜台以及光致变色膜传输装置；激光器发生的激光进行方向调整后通过能量控制器进行能量控制后再经过光束形成装置和遮光器传输至掩膜台，掩膜台上设置掩膜板，激光经过掩膜台上面设置的掩膜板和下面设置的物镜后传输至光致变色膜传输装置位置，并对光致变色膜基膜进行照射制成不可逆光致变色基质的光管理膜。
更进一步的，所述光致变色膜传输装置包括放卷机构和收卷机构，所述放卷机构和收卷机构之间设置若干传动辊，将步骤a或步骤b中的成卷光致变色膜基膜设置在放卷机构上经过若干传动辊后与收卷机构连接，所述放卷机构和收卷机构之间的光致变色膜基膜经过物镜位置。
更进一步的，所述激光器光源波长小于500纳米，分辨率小于1微米。
更进一步的，所述掩膜板设置若干相互间隔透光区域和非透光区域，并且一个周期中透光区域宽度为10-150um，透光区域和非透光区域组合宽度为 20-250um。
更进一步的，步骤a中透明基膜厚度为10-100um，光致变色涂层厚度为 10-150um；步骤b中光致变色膜基膜厚度为20-250um。
本发明涉及为解决上述技术问题提供的一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，包括如下步骤，A：光致变色膜基膜制备；a：通过透明基质制成平整透明基膜，再往透明基膜上制成一层平整不可逆光致变涂层形成光致变色膜基膜；或b：在透明基质中添加不可逆光致变涂料制成平整的光致变色膜基膜；并将步骤a或步骤b中的光致变色膜基膜绕制成卷状；B：制成掩膜板；C：通过光致变色装置照射制成光管理膜。与现有技术相比，经过激光照射并通过掩膜板控制的方式使光致变色膜基膜中的不可逆光致变涂料发生不可逆色变形成间隔的色变基质，从而改变光管理膜的光线传播特性。
附图说明
图1为光管理膜工艺流程图；
图2为光致变色装置结构示意图；
图3为掩膜板结构示意图；
图4和图5为光管理膜结构示意图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包括”为一开放式用语，故应解释成“包括但不限定于”。说明书后续描述为实施本发明的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本发明的一般原则为目的，并非用以限定本发明的范围。本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
以下结合附图对本发明作进一步详细说明，但不作为对发明的限定。
实施例
如图1所示，一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，包括如下步骤：
A：光致变色膜基膜9制备；
a：通过透明基质制成平整透明基膜9a，再往透明基膜9a上制成一层平整不可逆光致变涂层9b形成光致变色膜基膜9；
或b：在透明基质中添加不可逆光致变涂料制成平整的光致变色膜基膜 9；
并将步骤a或步骤b中的光致变色膜基膜绕制成卷状；
B：制成掩膜板5，掩膜板5具体制作包括：
1)选择一个一定大小的熔融石英板；
2)在熔融石英板上溅射一层铬层，溅射铬层时，边溅射边进行旋转涂抹，使熔融石英板上形成一定厚度的铬层；
3)在铬层上旋涂一层电子束光刻胶；
4)通过电子束对步骤3)上的熔融石英板进行照射，使熔融石英板上形成多个横向或横向排列的竖条；
5)通过曝光、显影后利用干法刻蚀去掉铬薄层；
6)去除电子束光刻胶并在熔融石英板上粘保护膜；
C：通过光致变色装置照射制成光管理膜。
优选的，如图2所示，步骤C中光致变色装置包括激光器1、能量控制器2、光束形成装置3、遮光器4、掩膜台6以及光致变色膜传输装置8；激光器1发生的激光进行方向调整后通过能量控制器2进行能量控制后在经过光束形成装置3和遮光器4传输至掩膜台6，掩膜台6上设置掩膜板5，激光经过掩膜台6上面设置的掩膜板5和下面设置的物镜7后传输至光致变色膜传输装置8位置，并对光致变色膜基膜进行照射制成不可逆光致变色基质的光管理膜。
更优选的，所述光致变色膜传输装置8包括放卷机构8a和收卷机构8b，所述放卷机构8a和收卷机构8b之间设置若干传动辊8c，将步骤a或步骤b 中的成卷光致变色膜基膜设置在放卷机构8a上经过若干传动辊8c后与收卷机构8b连接，所述放卷机构8a和收卷机构8b之间的光致变色膜基膜经过物镜7位置。
如图2所示，光致变色装置工作过程及原理为：
激光器1发生的激光(紫外光)进行方向调整后通过能量控制器2进行能量控制后再经过光束形成装置3和遮光器4传输至掩膜台6，掩膜台6上设置掩膜板5，激光经过掩膜台6上面设置的掩膜板5和下面设置的物镜7 后传输至光致变色膜传输装置8位置，成卷光致变色膜基膜9设置在放卷机构8a上，光致变色膜基膜9自由端经过若干传动辊8c后固定在收卷机构8b 上，设定收卷机构8b收卷速度，保证激光对光致变色膜基膜9每个周期照射时间在2min到15分钟之间，最后制成不可逆光致变色基质的光管理膜。
更优选的，所述激光器1一般采用紫外光光源，优选其光源波长小于500 纳米，分辨率小于1微米。
更优选的，如图3所示，所述掩膜板5设置若干相互间隔透光区域和非透光区域，并且一个周期中透光区域宽度a1为10-150um，透光区域和非透光区域组合宽度a2为20-250um。
更优选的，如图4和图5所示，步骤a中透明基膜(9a)厚度为10-100um，光致变色涂层厚度为10-150um；步骤b中光致变色膜基膜(9)厚度为 20-250um。
不可逆光致变色涂层/膜有如下特点：1、色变不可逆；2、自然日常环境不触发变色，在特定激光照射下发生不可逆色变；3、边界清晰分辨率高；4、未出发变色时为无色透明状态，透光率大于70％，经过激光照射色变以后其透光率降低为小于10％。因此本申请利用不可逆光致变色涂层/膜的色变不可逆特点将其使用在光管理膜生产制造领域，将具有一定厚度的光致变色膜基膜经过激光照射的方式形成间隔色变基质，从而改变光管理膜的光线传播特性。如图4所示，步骤a中光致变色膜基膜9的不可逆光致变涂层9b经过激光照射，形成光致变色部9b1与透明部9b2相互间隔的状态，其中光致变色部9b1宽度与掩膜板5的透光区域宽度a1宽度一致，光致变色部9b1与透明部9b2组合宽度与掩膜板5的透光区域和非透光区域组合宽度a2一致，由此透明部9b2与掩膜板5的非透光区域一致。同理如图5所示，光致变色基质 9d与掩膜板5的透光区域宽度a1宽度一致，透明基质9c的宽度与掩膜板5 的非透光区域一致。当光线照射到透明部9b2和透明基质9c时可以正常通过，照射到光致变色部9b1和光致变色基质9d上时便会改变光线传播特性，从而达到光线管理的目的。
本发明涉及为解决上述技术问题提供的一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，包括如下步骤，A：光致变色膜基膜制备；a：通过透明基质制成平整透明基膜，再往透明基膜上制成一层平整不可逆光致变涂层形成光致变色膜基膜；或b：在透明基质中添加不可逆光致变涂料制成平整的光致变色膜基膜；并将步骤a或步骤b中的光致变色膜基膜绕制成卷状；B：制成掩膜板；C：通过光致变色装置照射制成光管理膜。与现有技术相比，经过激光照射并通过掩膜板控制的方式使光致变色膜基膜中的不可逆光致变涂料发生不可逆色变形成间隔的色变基质，从而改变光管理膜的光线传播特性。
上述说明示出并描述了本发明的优选实施例，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (6)
1.一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，其特征在于包括如下步骤：
A：光致变色膜基膜(9)制备；
a：通过透明基质制成平整透明基膜(9a)，再往透明基膜(9a)上制成一层平整不可逆光致变涂层(9b)形成光致变色膜基膜(9)；
或b：在透明基质中添加不可逆光致变涂料制成平整的光致变色膜基膜(9)；
并将步骤a或步骤b中的光致变色膜基膜绕制成卷状；
B：制成掩膜板(5)；
C：通过光致变色装置照射制成光管理膜。
2.根据权利要求1所述的一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，其特征在于：步骤C中光致变色装置包括激光器(1)、能量控制器(2)、光束形成装置(3)、遮光器(4)、掩膜台(6)以及光致变色膜传输装置(8)；激光器(1)发生的激光进行方向调整后通过能量控制器(2)进行能量控制后再经过光束形成装置(3)和遮光器(4)传输至掩膜台(6)，掩膜台(6)上设置掩膜板(5)，激光经过掩膜台(6)上面设置的掩膜板(5)和下面设置的物镜(7)后传输至光致变色膜传输装置(8)位置，并对光致变色膜基膜进行照射制成不可逆光致变色基质的光管理膜。
3.根据权利要求2所述的一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，其特征在于：所述光致变色膜传输装置(8)包括放卷机构(8a)和收卷机构(8b)，所述放卷机构(8a)和收卷机构(8b)之间设置若干传动辊(8c)，将步骤a或步骤b中的成卷光致变色膜基膜设置在放卷机构(8a)上经过若干传动辊(8c)后与收卷机构(8b)连接，所述放卷机构(8a)和收卷机构(8b)之间的光致变色膜基膜经过物镜(7)位置。
4.根据权利要求2或3所述的一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，其特征在于：所述激光器(1)光源波长小于500纳米，分辨率小于1微米。
5.根据权利要求4所述的一种采用不可逆光致变色基质的管理膜制备工艺，其特征在于：所述掩膜板(5)设置若干相互间隔透光区域和非透光区域，并且一个周期中透光区域宽度(a1)为10-150um，透光区域和非透光区域组合宽度(a2)为20-250um。
6.根据权利要求1或2或3或5所述的一种采用不可逆光致变色基质的光管理膜制备工艺，其特征在于：步骤a中透明基膜(9a)厚度为10-100um，光致变色涂层厚度为10-150um；步骤b中光致变色膜基膜(9)厚度为20-250um。
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|---|---|
| CN (1) | CN114803603A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115863520A (zh) * | 2023-02-27 | 2023-03-28 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012162458A2 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | 3M Innovative Properties Company | Light control film |
| WO2016140996A1 (en) * | 2015-03-03 | 2016-09-09 | Corning Incorporated | Privacy filter |
| CN111913369A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-10 | 福建安芯半导体科技有限公司 | 一种步进式高精度光刻机 |
| CN113625376A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-09 | 苏州莱科光学科技有限公司 | 一种车内光线管理膜及其制备工艺 |
| CN215442826U (zh) * | 2021-08-27 | 2022-01-07 | 苏州莱科光学科技有限公司 | 一种室内装饰光线管理膜 |
-
2022
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012162458A2 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | 3M Innovative Properties Company | Light control film |
| WO2016140996A1 (en) * | 2015-03-03 | 2016-09-09 | Corning Incorporated | Privacy filter |
| CN111913369A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-10 | 福建安芯半导体科技有限公司 | 一种步进式高精度光刻机 |
| CN113625376A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-11-09 | 苏州莱科光学科技有限公司 | 一种车内光线管理膜及其制备工艺 |
| CN215442826U (zh) * | 2021-08-27 | 2022-01-07 | 苏州莱科光学科技有限公司 | 一种室内装饰光线管理膜 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 肖国玲等: "《微电子制造工艺技术（第一版）》", 30 September 2008, 西安电子科技大学出版社, pages: 139 - 143 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115863520A (zh) * | 2023-02-27 | 2023-03-28 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
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