CN114796875A - 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 - Google Patents
电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114796875A CN114796875A CN202210754796.4A CN202210754796A CN114796875A CN 114796875 A CN114796875 A CN 114796875A CN 202210754796 A CN202210754796 A CN 202210754796A CN 114796875 A CN114796875 A CN 114796875A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- stimulation
- tes
- tms
- current
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 title claims abstract description 684
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 48
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 238000011491 transcranial magnetic stimulation Methods 0.000 description 207
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 43
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 210000003710 cerebral cortex Anatomy 0.000 description 7
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 6
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 5
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 description 5
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 210000001175 cerebrospinal fluid Anatomy 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 210000004884 grey matter Anatomy 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 3
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 2
- 210000000170 cell membrane Anatomy 0.000 description 2
- 230000002490 cerebral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 2
- 230000004007 neuromodulation Effects 0.000 description 2
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 2
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 2
- CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-(2,6-diethylphenyl)-n-(methoxymethyl)acetamide;2,6-dinitro-n,n-dipropyl-4-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1N(COC)C(=O)CCl.CCCN(CCC)C1=C([N+]([O-])=O)C=C(C(F)(F)F)C=C1[N+]([O-])=O CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010003805 Autism Diseases 0.000 description 1
- 208000020706 Autistic disease Diseases 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 206010033372 Pain and discomfort Diseases 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 210000005013 brain tissue Anatomy 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 206010008129 cerebral palsy Diseases 0.000 description 1
- 230000001054 cortical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 230000003183 myoelectrical effect Effects 0.000 description 1
- 210000000653 nervous system Anatomy 0.000 description 1
- 230000003557 neuropsychological effect Effects 0.000 description 1
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000007903 penetration ability Effects 0.000 description 1
- 210000000578 peripheral nerve Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 208000011580 syndromic disease Diseases 0.000 description 1
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61N—ELECTROTHERAPY; MAGNETOTHERAPY; RADIATION THERAPY; ULTRASOUND THERAPY
- A61N2/00—Magnetotherapy
- A61N2/02—Magnetotherapy using magnetic fields produced by coils, including single turn loops or electromagnets
Abstract
本发明提供一种电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质。该方法应用于医疗技术领域，该方法能够解决现有技术中通过电刺激或磁刺激对目标区域进行刺激时，聚焦性较差的问题。该方法包括：接收用户输入的操作指令；在操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的TES器件在目标区域内的电流方向，和TMS器件在目标区域内的电流方向相同，在操作指令用于指示对目标区域进行浅度刺激的情况下，控制TES器件在目标区域内的电流方向，和TMS器件在目标区域内的电流方向相反，以通过TES器件和TMS在目标区域内产生的电流信号对目标区域进行电磁刺激。本发明可以提高电磁刺激在目标区域的空间聚焦性。
Description
技术领域
本发明涉及医疗技术领域，尤其涉及一种电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质。
背景技术
经颅电刺激(Transcranial Electrical Stimulation，TES)和经颅磁刺激（Transcranial Magnetic Stimulation，TMS）是非常成熟的非侵入神经调控技术，可用于经颅神经调控，也可用于外周神经和肌肉的刺激，并且已经在临床和研究中大量应用，并证明了其有效性。
图1是现有技术中TES的使用方式示意图，如图1所示，在进行TES时，可以将正电极片和负电极片贴于目标对象的目标区域，通过将特定模式的低强度电流作用于目标区域，从而引起细胞膜电位的微小变化，进而调节自发放电率，属于阈下刺激。TES的优点是体积小、功耗低，但存在刺激强度弱、空间聚焦性差的缺点。
图2是现有技术中TMS的使用方式示意图，TMS通过其强大的交变磁场来透过颅骨，并在大脑皮层感应出电流而刺激大脑神经，由于皮肤、颅骨对磁场的阻碍作用很小，大脑皮层中可以感应出足够大的电流来直接激活神经元，属于阈上刺激。TMS优势在于刺激强度大，引发的不适感小，效果显著，其缺点是：虽然TMS的空间聚焦性好于TES，但依然无法满足精准神经调控的需要，难以进一步提高聚焦性。
因此，不论是TES还是TMS，都存在空间聚焦性较差的问题。
发明内容
本发明提供一种电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质，用以解决现有技术中TMS和TES的空间聚焦性不够高的缺陷。
本发明提供一种电磁刺激方法，包括：
接收用户输入的操作指令；
响应于所述操作指令，在所述操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述电磁刺激设备中的脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相同，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述深度刺激对应的刺激强度大于第一预设值；
在所述操作指令用于指示对所述目标区域进行浅度刺激的情况下，控制所述脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相反，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述浅度刺激对应的刺激强度小于或等于所述第一预设值。
根据本发明提供的一种电磁刺激方法，所述方法还包括：
根据所述目标区域以及刺激强度，确定所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件的排布方式，其中，所述刺激强度包括深度刺激和浅度刺激；
显示所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件的排布方式。
根据本发明提供的一种电磁刺激方法，脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度之间的差值小于第一预设值，所述脉冲电刺激TES的脉冲宽度和所述脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度均小于第二预设值，所述脉冲电刺激TES的脉冲和所述脉冲磁刺激TMS的脉冲之间的重复频率小于第三预设值，所述脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS在时间上同步或者两者时间上相差预设值。
根据本发明提供的一种电磁刺激方法，所述脉冲电刺激TES和所述脉冲磁刺激TMS波形的相位同步且波形相同，所述脉冲电刺激TES和所述脉冲磁刺激TMS的幅值指数衰减均小于第四预设值。
根据本发明提供的一种电磁刺激方法，在所述脉冲磁刺激TMS的波形为双极性波形的情况下，所述脉冲电刺激TES的波形为双极方波或双极三角波；在所述脉冲磁刺激TMS的波形为单极性波形的情况下，所述脉冲电刺激TES的波形为单极方波或单极三角波。
根据本发明提供的一种电磁刺激方法，所述方法还包括：
获取在对所述目标区域进行电磁刺激的过程中所述目标对象的刺激信号；
将所述刺激信号的强度和第二预设值进行比对，得到比对结果；
根据所述比对结果，调整所述脉冲电刺激TES器件和/或所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，以使所述刺激信号的强度和所述第二预设值之间的差值小于预设差值。
根据本发明提供的一种电磁刺激方法，所述根据所述比对结果，调整所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，包括：
在所述比对结果为所述刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于所述预设差值，且所述刺激信号的强度小于所述第二预设值的情况下，增大所述脉冲电刺激TES器件中的电流，在所述脉冲电刺激TES器件中的电流大小大于第三预设值，且所述刺激信号的强度小于所述第二预设值的情况下，增大所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，直至所述刺激信号的强度和所述第二预设值之间的差值小于预设差值。
根据本发明提供的一种电磁刺激方法，所述根据所述比对结果，调整所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，包括：
在所述比对结果为所述刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于所述预设差值的情况下，按照预设比例，分别调整所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小。
本发明还提供一种电磁刺激装置，包括：
接收模块，用于接收用户输入的操作指令；
控制模块，用于响应于所述操作指令，在所述操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述电磁刺激设备中的脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相同，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述深度刺激对应的刺激强度大于第一预设值；
所述控制模块，还用于在所述操作指令用于指示对所述目标区域进行浅度刺激的情况下，控制所述脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相反，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述浅度刺激对应的刺激强度小于或等于所述第一预设值。
本发明还提供一种电磁刺激设备，包括脉冲电刺激TES器件、脉冲磁刺激TMS器件和控制器，所述控制器分别与所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件连接，所述控制器用于执行如上任一种实施方式中所述的电磁刺激方法。
根据本发明提供的电磁刺激设备，所述脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、数模转换模块、电流源、多个电极对，每个电极对中包括正电极和负电极；
所述数模转换模块分别与所述TES控制器和所述电流源的第一端连接；所述数模转换模块用于将所述TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至所述电流源；
所述电流源的第二端与每个电极对中的正电极连接，所述电流源的第三端与每个电极对中的负电极连接，所述电流源用于根据所述模拟信号向所述电极对中输出电流。
根据本发明提供的电磁刺激设备，所述电流源的第二端通过第一电阻与每个电极对中的正电极连接，所述电流源的第三端通过第二电阻与每个电极对中的负电极连接，其中，与同一个电极对中的正电极连接的第一电阻和与负电极连接的第二电阻的阻值相同，不同电极对对应的第一电阻或第二电阻的阻值不全相同。
根据本发明提供的电磁刺激设备，所述脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、多个电源隔离模块、多个数模转换模块、多个电流源和多个电极对，每个电极对中包括正电极和负电极，电源隔离模块、数模转换模块、电流源和电极对一一对应；
所述TES控制器分别和各电源隔离模块的第一端连接，各电源隔离模块的第二端和对应的数模转换模块的第一端连接，所述数模转换模块的第二端和对应的电流源的第一端连接；每个电流源的第二端与对应的电极对中的正电极连接，电流源的第三端与对应的电极对中的负电极连接；
所述数模转换模块用于将所述TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至对应的所述电流源；
所述电流源用于根据所述模拟信号向对应的所述电极对中输出电流。
根据本发明提供的电磁刺激设备，所述脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、多个数模转换模块、多个电流源、地电极和多个电极，所述数模转换模块、所述电流源和电极一一对应；
所述TES控制器分别和各数模转换模块的第一端连接，各数模转换模块的第二端和对应的电流源的第一端连接，每个电流源的第二端与对应的电极连接，所有电流源的第三端均与所述地电极连接；
所述数模转换模块用于将所述TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至对应的所述电流源；
所述电流源用于根据所述模拟信号向对应的所述电极中输出电流。
本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种电磁刺激方法。
本发明提供的电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质，该方法通过接收用户输入的操作指令，并在操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的脉冲电刺激TES器件在目标区域内的电流方向，和电磁刺激设备中的脉冲磁刺激TMS器件在目标区域内的电流方向相同，在操作指令用于指示对目标区域进行浅度刺激的情况下，控制脉冲电刺激TES器件在目标区域内的电流方向，和脉冲磁刺激TMS器件在目标区域内的电流方向相反，以通过脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS在目标区域内产生的电流信号对目标区域进行电磁刺激，由于在目标区域同时叠加了脉冲电刺激TES器件产生的电流和脉冲磁刺激TMS器件感生的电流，而且可以基于深度刺激或者浅度刺激等不同的需求，调整TES器件和TMS器件在目标区域内的电流方向，可以增大或者减弱目标区域内的电磁刺激强度，由此可以提高电磁刺激在目标区域内的空间聚焦性，满足了精准神经调控的需要。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中TES的使用方式示意图；
图2是现有技术中TMS的使用方式示意图；
图3是现有技术中直流电刺激的电流密度曲线图；
图4为交流电刺激的电流密度曲线图；
图5a为O型线圈在目标对象上方位置示意图；
图5b为O型线圈在目标对象上感生的涡流示意图；
图6a为8字线圈在目标对象上方位置示意图；
图6b为8字线圈在目标对象上感生的涡流示意图；
图7a为锥形线圈在目标对象上方位置示意图；
图7b为锥形线圈在目标对象上感生的涡流示意图；
图8是本发明提供的电磁刺激方法流程示意图；
图9是电磁感应涡流示意图；
图10为TES电场分布图；
图11为TES电场在人脑中的分布图；
图12为本发明在二维平面中的电磁叠加原理示意图；
图13是TES的电场分布图；
图14是TMS感生电场分布图；
图15是电磁叠加电场分布图；
图16是本发明提供的圆形线圈单侧与1对电极的排布图；
图17是本发明提供的圆形线圈中线与1对电极的排布图；
图18是本发明提供的圆形线圈双侧与2对电极的排布图；
图19是本发明提供的8字线圈或锥形线圈中线与1对电极的排布图；
图20是在图19的电极排布方式下的电场分布图；
图21是本发明提供的8字线圈或锥形线圈中线与2对电极的排布图；
图22是本发明提供的8字线圈或锥形线圈与3对电极的排布图；
图23为主控制器与脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件的结构框图；
图24是脉冲磁刺激TMS的脉冲波形图；
图25a为脉冲电刺激TES器件与脉冲磁刺激TMS器件的脉冲电流波形示意图之一；
图25b为脉冲电刺激TES器件与脉冲磁刺激TMS器件的脉冲电流波形示意图之二；
图25c为脉冲电刺激TES器件与脉冲磁刺激TMS器件的脉冲电流波形示意图之三；
图26为本发明提供的脉冲电刺激TES器件结构示意图之一；
图27为本发明提供的脉冲电刺激TES器件结构示意图之二；
图28为本发明提供的脉冲电刺激TES器件结构示意图之三；
图29为本发明提供的电磁刺激装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了能够更好的理解本发明的技术方案，在对本发明的技术方案进行介绍之前，先对TES的工作原理和TMS的工作原理进行说明。
其中，TES可以将特定模式的低强度电流作用于目标区域，从而引起细胞膜电位的微小变化，进而调节自发放电率，属于阈下刺激。对于TES而言，大动物的颅骨厚，而颅骨的导电性较差，导致流经头皮的电流多，同时，脑脊液的导电性好，其包围脑组织，有较强的电屏蔽作用，导致穿过颅骨的电流又会被脑脊液分流一部分，而真正进入大脑皮层的电流只占一小部分，因此，TES的刺激强度弱。虽然后期又发展出了高分辨率经颅电刺激、时频干涉电刺激，但刺激其强度弱、聚焦性差的缺点依然没有本质的改善。而高压经颅电刺激可以非侵入的激活神经系统，但是会在头皮诱发痛觉，不舒服的问题。因此后来提出了微电流经颅电刺激，就是通常所指TES。TES可分为直流电刺激（transcranial direct currentstimulation，tDCS）、交流电刺激（transcranial alternating-current stimulation，tACS）、随机噪声刺激（Transcranial Random Noise Stimulation，tRNS），刺激电流在100uA-5mA左右。其中，图3是现有技术中直流电刺激的电流密度曲线图，如图3所示，直流电刺激的电流密度通常为1.0mA。图4为交流电刺激的电流密度曲线图，如图4所示，交流电刺激的电流密度的幅值大约在1.0mA左右。另外，TES还包括高分辨率经颅电刺激（HighDefinition- transcranial Alternating Current Stimulation，HD-tACS）、时频干涉电刺激等，但是，上述的各种TES，均存在刺激强度弱、聚焦性差的缺点。
TMS是利用电磁感应原理，通过线圈中的交变电流产生交变磁场，交变磁场进而在人体中产生感应电场，即涡流（该涡流基本平行于线圈平面），通过该涡流来刺激大脑神经。TMS是一种无痛、无创的绿色治疗方法，由于皮肤、颅骨对磁场的阻碍作用很小，大脑皮层中可以感应出足够大的电流来直接激活神经元，属于阈上刺激。鉴于经颅磁刺激的刺激强度大，引发的不适感小，效果显著，在神经心理科（抑郁症、精分症）、康复科、儿科（脑瘫，自闭症等）等各个方面都得到了应用。
TMS的空间聚焦性虽然好于TES，但依然无法满足精准神经调控的需要，难以进一步提高聚焦性。通常情况下TMS的空间分辨率在0.5~1cm，刺激深度局限于大脑皮质下2-3cm。提高TMS的空间聚焦性和穿透深度一直是用户的追求目标，从圆形型线圈，到8字线圈，再到锥形线圈，但一直没有突破性进展。其中，图5a为O型线圈在目标对象上方位置示意图，图5b为O型线圈在目标对象上感生的涡流示意图；图6a为8字线圈在目标对象上方位置示意图，图6b为8字线圈在目标对象上感生的涡流示意图；图7a为锥形线圈在目标对象上方位置示意图，图7b为锥形线圈在目标对象上感生的涡流示意图。从图5a-图7b可以看出，8字线圈更具聚焦性，8字线圈使用一对相反电流的圆形线圈，在大脑中感生出2组涡流，2组涡流在相切处的电流方向相同，从而使得靶区电流密度是其它区域处的电流密度高2-3倍。8字线圈的焦点范围是一个椭圆形的，2个线圈的圆心连线方向聚焦性较好，而在2个线圈相切的切线方向的聚焦性较差，迫切需要提高切线方向的聚焦性。
同时，TMS功耗巨大，难以实现便携和可穿戴。在TMS的单脉冲周期约为350us的情况下，其电流峰值可达5000A，10Hz的TMS的短时功率可达数Kw，大部份能量都以热的形式浪费掉，而且也增加了线圈散热的负担。因此降低TMS的功耗也是业界追求的目标。
考虑到上述问题，本发明实施例中，可以将TES和TMS在空间和时间上进行叠加，以通过叠加区域产生的电流信号，对目标对象的目标区域进行电磁刺激，从而可以提高电磁刺激的空间聚焦性。另外，可以通过改变叠加区域内TES和TMS中电流的方向，以加强或者减弱电磁刺激的强度，从而可以满足用户不同的刺激强度的需求。
下面结合图8描述本发明的电磁刺激方法，图8是本发明提供的电磁刺激方法流程示意图，如图8所示，该方法包括：
步骤801：接收用户输入的操作指令。
具体地，本发明的执行主体为电磁刺激设备，也可以理解为电磁刺激设备中的控制器，该控制器可以对电磁刺激设备中的脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件进行控制。
其中，操作指令可以为用户通过点选电磁刺激设备中的不同控件输入的，也可以为通过语音或者文字等方式输入的。例如，可以输入“对经颅进行深度刺激”等。
步骤802：响应于操作指令，在操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的TES器件在目标区域内的电流方向，和电磁刺激设备中的TMS器件在目标区域内的电流方向相同，以通过TES器件和TMS在目标区域内产生的电流信号对目标区域进行电磁刺激。
其中，深度刺激对应的刺激强度大于第一预设值，另外，深度刺激也可以理解为增强刺激。
具体地，在需要对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，需要保证在目标区域的电磁刺激的强度大于第一预设值。为了达到深度刺激的目的，就需要加强对目标区域的电磁刺激。由于TES的穿透能力有限，大部分电流从浅层皮层流过，深部电流较小，通过在目标区域叠加TMS，使得TES器件中的电流和TMS器件中的电流在目标区域内的方向相同，据此就可以加强目标区域电磁刺激的强度，从而达到深度刺激的目的。
具体地，电磁刺激设备通过TES器件在目标对象的目标区域产生电流，同时通过TMS器件在目标对象的目标区域产生感应电流，通过使TES器件产生的电流和TMS器件产生的感应电流在靶区叠加，并基于叠加的电流对目标区域进行电磁刺激。其中，电磁叠加的原理介绍如下：
图9是电磁感应涡流示意图，如图9所示，TMS利用电磁感应原理，线圈中的交变电流产生交变磁场，交变磁场进而在人体中产生感应电场，即涡流，其属于一种无源有旋场，是环型流动，没有起点和终点，且涡流基本平行于线圈平面。TMS常用的8字型线圈具有较好的空间聚焦性能，是因为2个圆形线圈所感生的2组涡流在两线圈的中间下方同向相加，从而获得较好的刺激强度和空间聚焦性。
图10为TES电场分布图，如图10所示，TES通过电极传递电场，属于有源无旋场，电流单向流动，其总是从正极流向负极，有起点和终点。图11为TES电场在人脑中的分布图，如图11所示，TES电极下方的电场主要垂直于皮层表面，而电极之间的电场主要与皮层相切。
需要进行说明的是，上述的电极可以为侵入式电极，也可以为非侵入式电极。
应理解，TMS的感生电场和TES的电流源产生的电场是2种独立的源，符合叠加定理，在本发明中，将TMS感生的有旋场和TES的无旋场在时间和空间上进行叠加，从而使合成电场具有更高的强度和空间聚焦性。下面先在二维平面中展示电磁叠加的原理，再介绍三维空间中电磁叠加的原理。
在二维平面中，使用TMS和TES刺激导电平面，TMS 8字线圈紧贴导电平面，电极贴在导电平面上，位于8字线圈的下方，沿8字线圈的两圆的切线方向布置。图12为本发明在二维平面中的电磁叠加原理示意图，如图12所示，实线圆环代表TMS 8字线圈在导电平面内的感应电场，虚线圆环表示TES电刺激电场，“+”“-”表示正负电极，在由TES的“+”到“-”之间构成的靶区，TES的电流方向为从正极到负极，在该靶区同时叠加TMS的情况下，由于TMS感生的电流方向与TES的电流方向相同，从而使得靶区的电流变大，再将靶区叠加的电流刺激目标对象的目标区域时，就可以使目标区域的电磁刺激得到加强。而在正负电极两端之外，TMS与TES的电场方向相反，从而非靶区的电场强度得到削弱。
在三维空间中，当TMS、TES刺激大脑的情况下，TMS的电场方向主要与大脑皮层相切，TES电极之间的电场方向也主要是与大脑皮层相切，因此也具备同向加强、反向削弱的叠加条件，从而提高了脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在目标区域的刺激强度和空间聚焦性。
使用Simnibs软件和球模型进行仿真，电极尺寸2cm*2cm，电流5mA，线圈为Magstim70mm 8字线圈，di/dt为1.00x1e6 A/s。图13是TES的电场分布图；图14是TMS感生电场分布图，图15是电磁叠加电场分布图。如图13-15所示，单独使用TES作用时，灰质表面的最大电场强度为1.23v/m，单独使用TMS作用时，灰质表面的最大电场强度为1.28v/m，TMS与TES叠加后，灰质表面的最大电场强度达到了2.5v/m，因而可以大幅提高刺激强度，同时提高了聚焦性（远离靶区的场强大幅衰减），特别是沿TMS两线圈切线方向上焦斑长度更小。
本发明提供的电磁刺激方法，通过TES在正负电极之间形成的靶区的电场方向与TMS感生电场相同，从而使得刺激加强，在TES的正负电极两端之外，电场方向与TMS感生电场相反，刺激削弱，提高了靶区的电场强度，削弱了非靶区的电场强度，从而达到提高聚焦性的目的。另外，通过将靶区产生的叠加电流作用于目标对象的目标区域进行电磁刺激的方式实现了对神经的精准调控。
步骤803：在操作指令用于指示对目标区域进行浅度刺激的情况下，控制TES器件在目标区域内的电流方向，和TMS器件在目标区域内的电流方向相反，以通过TES器件和TMS在目标区域内产生的电流信号对目标区域进行电磁刺激。
其中，浅度刺激对应的刺激强度小于或等于第一预设值，另外，浅度刺激也可以理解为削弱刺激。
具体地，在需要对目标对象的目标区域进行浅度刺激的情况下，需要保证在目标区域的电磁刺激的强度小于或等于第一预设值。为了达到浅度刺激的目的，就需要削弱对目标区域的电磁刺激。在目标区域将TES和TMS进行叠加，使得TES器件中的电流和TMS器件中的电流在目标区域内的方向相反，据此就可以削弱目标区域电磁刺激的强度，从而达到浅度刺激的目的。
其中，对于TES器件中的电流和TMS器件中的电流在目标区域内的方向相反时，电磁叠加的原理与前述TES器件中的电流和TMS器件中的电流在目标区域内的方向相同时类似，此处不再赘述。
综上，在深度刺激的情况下，目标区域的刺激得到了加强，刺激区域比较集中；而浅度刺激的刺激区域比较广泛，且可以削弱表层刺激，保留深层刺激。
本发明提供的电磁刺激方法，通过控制脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件产生的电流在靶区内在空间和时间上得到叠加，通过叠加后的电流对目标区域进行电磁刺激，从而提高了电磁刺激在目标区域的空间聚焦性；并且，控制脉冲磁刺激TMS器件和脉冲电刺激TES器件在目标区域内的产生的电流方向相同或者相反，在提高电磁刺激在目标区域的空间聚焦性外，还加强或削弱了电磁刺激的强度，从而实现了对目标区域进行深度刺激或者浅度刺激的目的，进一步提高了对神经调控的精确性。
而且，本发明提供的电磁刺激方法，当脉冲磁刺激TMS器件和电刺激器在目标区域内的产生的电流方向相同的情况下，由于总刺激强度得到了加强，因此可以适当降低TMS的刺激强度，如果TMS电流可以降至1/2，则功耗可降至1/4。因此，本发明通过将脉冲磁刺激TMS器件和电刺激器产生的电流在目标区域叠加且方向相同的方式，可以大幅降低TMS的功耗，从而实现了TMS设备的便携式和可穿戴式，大幅扩展了TMS的应用场景。
进一步地，在上述实施例的基础上，电磁刺激设备还可以根据目标区域以及刺激强度，确定脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件的排布方式，其中，刺激强度包括深度刺激和浅度刺激；并显示脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件的排布方式。
具体地，电磁刺激设备接收的操作指令中，包括对目标对象需要进行电磁刺激的目标区域以及该目标区域需要达到的刺激强度，其中，刺激强度包括深度刺激和浅度刺激。在实现对目标区域进行深度刺激或浅度刺激的过程中，电磁刺激设备通过接收的该操作指令将脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件的排布方式进行显示。这样，可以方便用户根据显示的排布方式，将TES器件和TMS器件放置到目标对象的目标区域内，以达到深度刺激或浅度刺激的目的，从而可以提高用户的体验。
下面对脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件的排布方式进行具体的介绍：
图16是本发明提供的圆形线圈单侧与1对电极的排布图，如图16所示，传统圆形线圈的刺激点为线圈下的环形部分，将TES电极位于圆环的一侧，则可以加强圆环一侧的刺激强度，削弱圆环另一侧的刺激强度，且两侧是非对等的，一侧加强或削弱的比另一侧更多。
图17是本发明提供的圆形线圈中线与1对电极的排布图，如图17所示，将TES电极位于圆环的中线，可以加强圆环一侧的刺激强度，削弱圆环另一侧的刺激强度，且是对等叠加和削弱。
图18是本发明提供的圆形线圈双侧与2对电极的排布图，如图18所示，2对TES电极分别位于圆环的两侧，通过调整正负电极的极性，实现1侧加强，另1侧削弱，或者2侧都加强或削弱。
图19是本发明提供的8字线圈或锥形线圈中线与1对电极的排布图，图20是在图19的电极排布方式下的电场分布图，如图19和图20所示，中线1对电极削弱表层刺激，实现深部聚焦：正负电极间的TES电场方向与TMS感应电场相反，削弱表层刺激，但由于TES电场随深度衰减更快，TMS深部感应电场受电磁叠加的影响小，从而实现深部聚焦的目的。另外，双锥型线圈是8字线圈的一种特殊情况，是将2个圆形线圈折一个角度，从而产生更深，更宽的磁场，相比较其他TMS线圈，双锥线圈磁场随距离的衰减速度慢，以刺激深部脑区，但双锥型线圈在激活深部皮层的同时，也会激活线圈下的浅层皮层。
图21是本发明提供的8字线圈或锥形线圈中线与2对电极的排布图，如图21所示，中线2对电极，增强削弱靶区外电场强度的能力。在中线电极的外侧分别增加1个极性相反的电极，在电极1+与电极1-间TES电场与TMS感应电场相同，强度加强，而在电极1+与电极2-间，电极1-与电极2+间，TES电场与TMS感生电场方向相反，强度削弱。
图22是本发明提供的8字线圈或锥形线圈与3对电极的排布图，如图22所示，通过3对电极，可以加强靶区刺激，削弱副边刺激。
需要说明的是：本发明除了上述电极的排布的方式外，还有多种TES电极排布来实现不同的叠加效果，本发明在此不再例举。
进一步地，上述的脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度之间的差值小于第一预设值，脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度均小于第二预设值，且脉冲电刺激TES的脉冲和脉冲磁刺激TMS的脉冲之间的重复频率小于第三预设值。
具体地，图23为主控制器与脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件连接的结构框图，如图23所示，脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度以及重复频率可以通过与其电连接的主控制器进行控制。而主控制器在控制脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度之间的差值小于第一预设值的情况下，可以保证两者输出的脉冲宽度相同或者相近；而控制脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度均小于第二预设值、以及控制脉冲电刺激TES的脉冲和脉冲磁刺激TMS的脉冲之间的重复频率小于第三预设值，可以保证脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件两者在目标区域叠加的电流的波形相同或相近、还可以保证两者的脉冲宽度能够达到对目标区域进行有效刺激的目的。通常，脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度非常短，一般小于500微秒。
本发明提供的电磁刺激方法，通过脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度之间的差值小于第一预设值，脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度均小于第二预设值，脉冲电刺激TES的脉冲和脉冲磁刺激TMS的脉冲之间的重复频率小于第三预设值，脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS在时间上同步或者两者时间上相差预设值，可以使脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件两者在目标区域叠加的电流的波形相同或相近，从而据此实现提高电磁刺激在目标区域的刺激强度和空间聚焦性的目的。此外，由于脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度小于第一预设值（小于500微秒），因此人体可承受的脉冲电刺激TES的电流峰值可以大幅提高，从传统连续TES的5mA提高至50mA，而由于脉冲电刺激TES的电流峰值可以提高，就进一步减小了脉冲磁刺激TMS器件的体积，使得脉冲磁刺激TMS更加方便携带。
进一步地，脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS波形的相位可以同步且波形相同，脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS的幅值指数衰减均小于第四预设值。
具体地，要实现使脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件在目标区域的电流得到有效叠加，就需要保证两者具有相同或相近的波形，而保证两者具有相同或者相近的波形的措施为：脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS的相位相同，且脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS的幅值指数衰减均小于第四预设值。而调整TMS与TES产生的电流波形则是通过脉冲电流源来实现的，即：通过脉冲电流源使TMS产生的电流与TES产生的电流具有相同或相近的波形。
示例性的，上述的波形可以包括正弦波和余弦波等。
进一步地，在脉冲磁刺激TMS的波形为双极性波形的情况下，脉冲电刺激TES的波形为双极方波或双极三角波；在脉冲磁刺激TMS的波形为单极性波形的情况下，脉冲电刺激TES的波形为单极方波或单极三角波。
具体地，可以将TES的波形设置为双极方波、双极三角波、单极方波或单极三角波，以近似TMS的波形，避免了脉冲磁刺激TMS和脉冲电刺激TES的波形必须一致的情况，从而使得电磁刺激的应用范围更广泛。
图24是脉冲磁刺激TMS的脉冲波形图，如图24所示，脉冲磁刺激TMS可以是双极性脉冲Biphasic（实线所示），也可以是单极性脉冲Monophasic（虚线所示），从图24中可以看出，余弦脉冲的TES波形与TMS感应电流具有相同的幅值指数衰减，当TES与TMS具有相同或相似的波形、幅值、衰减度的情况下，两者对目标区域的电磁刺激效果最佳。
下面以常用的双极性脉冲Biphasic为例说明脉冲磁刺激TMS和脉冲电刺激TES如何同步。
脉冲电刺激TES器件采用脉冲电流源，电流源可以避免脉冲磁刺激TMS感生电压的影响，其波形、相位可以与脉冲磁刺激TMS感生电场完全相同，也可以有所不同。
双极性脉冲磁刺激TMS线圈电流函数为：
其中，
为初始电容电压，
为角频率，L为电感值，
为衰减速度，t为时
间。
脉冲磁刺激TMS在人体中感生的电流
的简化表达式为：
其中，
为TMS感应电流
的峰值，与线圈距离、线圈强度、被试组织
特性有关。
主控制器通过控制脉冲电刺激TES器件电流的以上参数，使得该参数与脉冲磁刺激TMS器件的电流对应参数一致，就可以实现脉冲磁刺激TMS和脉冲电刺激TES的同步。
图25a为脉冲电刺激TES器件与脉冲磁刺激TMS器件的脉冲电流波形示意图之一，图25b为脉冲电刺激TES器件与脉冲磁刺激TMS器件的脉冲电流波形示意图之二，图25c为脉冲电刺激TES器件与脉冲磁刺激TMS器件的脉冲电流波形示意图之三。其中，实线为双极性TMS线圈电流所感生出的电压波形，为幅值按指数衰减的单脉冲余弦波形。脉冲电刺激TES器件与脉冲磁刺激TMS器件之间通过同步触发，实现严格的时间同步。脉冲电刺激TES的波形数据预先存储在主控制器中，当接收到触发信号后可以输出电流波形。
本发明提供的电磁刺激方法，通过使脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS的相位相同；且脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS的幅值指数衰减均小于第四预设值，实现了脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件产生的电流在目标区域有效叠加的目的，从而最终实现了提高电磁刺激在目标区域的刺激强度和空间聚焦性的目的。
进一步地，在对目标对象的目标区域进行电磁刺激的过程中，可以基于刺激过程中的刺激信号调整脉冲电刺激TES器件和/或脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，从而使得电磁刺激的强度与实际需要的强度更加接近。
示例性的，可以获取在对目标区域进行电磁刺激的过程中目标对象的刺激信号，将刺激信号的强度和第二预设值进行比对，得到比对结果，并根据比对结果，调整脉冲电刺激TES器件和/或脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，以使刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值。
具体地，本发明通过刺激信号来衡量电磁刺激对目标对象的作用，在刺激信号的强度与第二预设值之间的差值小于预设差值的情况下，说明电磁刺激对目标对象的刺激强度与预设的刺激强度相近。因此，电磁刺激设备通过获取刺激信号的强度，并将刺激信号的强度和第二预设值进行比对，来判断当前的电磁刺激的强度是否合适，如果刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于预设差值，说明电磁刺激的强度过大或过小，此时，需要调整脉冲电刺激TES器件在目标区域的电流大小、或者调整脉冲磁刺激TMS器件在目标区域的电流大小、或者共同调整脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件在目标区域的电流大小，从而调整电磁刺激的强度。
应理解，上述的刺激信号例如可以为肌电信号、脑电信号或脑血氧信号等。
本发明提供的电磁刺激方法，通过调整脉冲电刺激TES器件和/或脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，使刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值，使得调整后的电磁刺激的强度与预设的刺激强度相近，避免了刺激强度过小，对目标区域的刺激没有产生实质的刺激作用，或者刺激强度过大，导致用户体验不好的现象。另外，由于在对目标区域进行电磁刺激的过程中，可以实时调整刺激强度，从而提高了对目标对象的目标区域进行电磁刺激的精确性。
进一步地，本发明在上述实施例的基础上，在根据比对结果，调整脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小时，在一种可能的实现方式中，在比对结果为刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于预设差值，且刺激信号的强度小于第二预设值的情况下，增大脉冲电刺激TES器件中的电流，在脉冲电刺激TES器件中的电流大小大于第三预设值，且刺激信号的强度小于第二预设值的情况下，增大脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，直至刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值。
具体地，在刺激信号的强度小于第二预设值的情况下，说明电磁刺激的强度不够大，不能对目标对象产生实质的作用。因此，需要加大刺激，直到加大到刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值的情况下，电磁刺激才能够对目标对象产生实质的作用。在加大刺激强度时，由于磁刺激相比电刺激消耗的功耗更大，因此为了降低功耗，本发明首先通过调节脉冲电刺激TES器件中的电流的方式来使刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值。由于当脉冲电刺激TES器件中的电流大于第三预设值的情况下，目标对象会出现不适的现象，因此，在脉冲电刺激TES器件的电流大小小于第三预设值的情况下，优先调节脉冲电刺激TES器件中的电流大小，只有当脉冲电刺激TES器件中的电流大小大于第三预设值的情况下，再增大脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，以使刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值。
本发明提供的电磁刺激方法，通过比对刺激信号与第二预设值之间的差值、以及刺激信号与第二预设值大小的方式，来优先增大脉冲电刺激TES器件中的电流大小的调整方式实现对目标对象的有效刺激，能够保证在对目标对象实施有效刺激的情况下，使电磁刺激设备的功耗尽可能地降低。
在另一种可能的实现方式中，在比对结果为刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于预设差值，且刺激信号的强度大于第二预设值的情况下，减小脉冲磁刺激TMS器件中的电流，在脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小小于第四预设值，且刺激信号的强度大于第二预设值的情况下，减小脉冲电刺激TES器件中的电流大小，直至刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值。
具体地，该调整方式与上一种调整方式相反，上一种调整方式为通过加强刺激来实现对目标对象的有效刺激。而本调节方式是通过减小刺激来实现对目标对象的有效刺激。在刺激信号的强度大于第二预设值的情况下，说明对目标对象的电磁刺激强度过大，需要降低电磁刺激的强度，当降低到比对结果为刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值的情况下，说明电磁刺激能够对目标对象实施有效刺激。而在降低刺激强度的过程中，为了保证对目标对象实施有效刺激的情况下，通过优先减小脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小的方式来使刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值，然而，在脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小小于第四预设值的情况下，说明脉冲磁刺激TMS器件无法实现对目标对象的有效刺激，则就需要通过调整脉冲电刺激TES器件中的电流大小的方式，来保证脉冲磁刺激TMS器件对目标对象的有效刺激，而当脉冲电刺激TES器件中的电流大小调节到刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值的情况下，说明电磁刺激的强度能够达到对目标对象的有效刺激，则停止减小脉冲电刺激TES器件中的电流大小。
本发明提供的电磁刺激方法，通过比对结果为刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于预设差值，且刺激信号的强度大于第二预设值的方式，来优先减小脉冲电刺激TES器件中的电流大小的实现对目标对象的有效刺激，能够在保证对目标对象实施有效刺激的情况下，使电磁刺激设备的功耗尽可能地降低。
在再一种实现方式中，在比对结果为刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于预设差值的情况下，可以按照预设比例，分别调整脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小。
具体地，在比对结果为刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于预设差值的情况下，通过同时调整脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小的方式，来使刺激信号的强度和第二预设值之间的差值小于预设差值。而调整的方式可以包括按照预设比例，分别调整脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，实现对目标对象的有效刺激。举例来说，该预设比例可以为1:4、3:7、4:6等，本发明对此不作限制，只要能够最快、最有效地对目标对象实施有效刺激的目的即可。
本发明实施例提供的电磁刺激方法，通过预设比例来同时分别调整脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，能够使刺激信号的强度和第二预设值之间的差值在最短的时间内达到小于预设差值的目的，从而提高了对目标对象实施有效电磁刺激的效率。
在再一种可能的实现方式中，在比对结果为刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于预设差值的情况下，输出提示信息，该提示信息用于提醒用户调整脉冲电刺激TES器件和/或脉冲磁刺激TMS器件的放置位置。
具体地，在脉冲电刺激TES器件、或脉冲磁刺激TMS器件的在目标区域的放置位置由于误差范围比较大的情况下，通过优先调整脉冲电刺激TES器件和/或脉冲磁刺激TMS器件的放置位置来实现对目标对象的有效刺激，从而实现对目标对象实施有效电磁刺激的效率。而调整脉冲电刺激TES器件和/或脉冲磁刺激TMS器件的放置位置可以参考图16-图22的电极排布的方式来实现，在此不再赘述。
本发明还提供一种电磁刺激设备，图23为主控制器与脉冲电刺激TES器件和脉冲磁刺激TMS器件的结构框图，如图23所示，该电磁刺激设备包括脉冲电刺激TES器件232、脉冲磁刺激TMS器件233和控制器231，控制器231分别与脉冲电刺激TES器件232和脉冲磁刺激TMS器件233电连接，控制器231可以执行上述任一实施例中所述的电磁刺激方法。
进一步地，本发明在图23实施例的基础上，提供了3种脉冲电刺激TES器件的结构图，分别为单通道电流源多电极式,隔离多通道电流源式和非隔离多通道电流源式。该3种电流源均可产生与TMS感生电压波形相同的电场，且多个通道电流源波形相同，幅值可以不同，以实现更好的叠加效果。
图26为本发明提供的脉冲电刺激TES器件结构示意图之一，如图26所示，脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、数模转换模块、电流源、多个电极对，每个电极对中包括正电极和负电极。
数模转换模块分别与TES控制器和所述电流源的第一端连接；数模转换模块用于将TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至所述电流源；电流源的第二端与每个电极对中的正电极连接，电流源的第三端与每个电极对中的负电极连接，所述电流源用于根据所述模拟信号向电极对中输出电流。
具体地，本发明提供的脉冲电刺激TES器件为单通道电流源多电极式，其使用1个电流源推动多个电极，每个电极对可以串联不同阻值的电阻，该电阻用于调节电流在不同电极对间的分配比例，从而可以根据目标对象的实际情况灵活取用并排布该电极对。
本发明提供的电磁刺激设备，由于该单通道电流源多电极式的脉冲电刺激TES器件包括多个电流大小不同的电极对，从而可以根据目标对象的实际情况灵活取用并排布该电极对，提高了对目标区域的刺激效率。
进一步地，本发明提供的电磁刺激设备，如图26所示，电流源的第二端通过第一电阻与每个电极对中的正电极连接，电流源的第三端通过第二电阻与每个电极对中的负电极连接，其中，与同一个电极对中的正电极连接的第一电阻和与负电极连接的第二电阻的阻值相同，不同电极对对应的第一电阻或第二电阻的阻值不全相同。
本发明提供的电磁刺激设备，由于不同电极对对应的第一电阻或第二电阻的阻值不全相同，从而不同的电极对可以输出不同的电流，以提供不同刺激强度的电磁刺激，为用户提供了多个选择，增加了使用的灵活性。
图27为本发明提供的脉冲电刺激TES器件结构示意图之二，如图27所示，脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、多个电源隔离模块、多个数模转换模块、多个电流源和多个电极对，每个电极对中包括正电极和负电极，电源隔离模块、数模转换模块、电流源和电极对一一对应；TES控制器分别和各电源隔离模块的第一端连接，各电源隔离模块的第二端和对应的数模转换模块的第一端连接，数模转换模块的第二端和对应的电流源的第一端连接；每个电流源的第二端与对应的电极对中的正电极连接，电流源的第三端与对应的电极对中的负电极连接；所述数模转换模块用于将TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至对应的所述电流源；电流源用于根据模拟信号向对应的所述电极对中输出电流。
本发明提供的电磁刺激设备，由于脉冲电刺激TES器件为隔离多通道电流源式，其每对电极均由1个隔离式电流源推动，由于通道间是电气隔离的，因此可以精确控制每对电极的电流，且不受其它通道的干扰，从而提高了电磁刺激的精确度。
图28为本发明提供的脉冲电刺激TES器件结构示意图之三，如图28所示，脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、多个数模转换模块、多个电流源、多个电极和地电极，多个电极中包括正电极和负电极，数模转换模块、电流源和电极一一对应；TES控制器分别和各数模转换模块的第一端连接，各数模转换模块的第二端和对应的电流源的第一端连接，每个电流源的第二端与对应的电极连接，所有电流源的第三端均与所述地电极连接；数模转换模块用于将TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至对应的电流源；电流源用于根据所述模拟信号向对应的电极中输出电流。
本发明提供的电磁刺激设备，由于每个电极均由1个非隔离电流源推动，多个电流源共用地电极或者称作为平衡电极。通过精确配置每个电流源的幅值，使所有电流源的总和为0，从而实现精确分配每个电极电流的目的。地电极用于平衡因电流误差导致的电流源的总和不为0的额外电流。以2通道为例，电流源1设置为5mA，接电极1+，电流源2设置为-5mA，接电极1-，此时，地电极上没有电流通过，电极1+的电流完全通道电极1-流过。
图29为本发明提供的电磁刺激装置的结构示意图，如图29所示，该装置包括：
接收模块11，用于接收用户输入的操作指令；
控制模块12，用于响应于所述操作指令，在所述操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述电磁刺激设备中的脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相同，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述深度刺激对应的刺激强度大于第一预设值；
所述控制模块12，还用于在所述操作指令用于指示对所述目标区域进行浅度刺激的情况下，控制所述脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相反，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述浅度刺激对应的刺激强度小于或等于所述第一预设值。
可选地，所述装置还包括：
确定模块，用于根据所述目标区域以及刺激强度，确定所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件的排布方式，其中，所述刺激强度包括深度刺激和浅度刺激；
显示模块，用于显示所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件的排布方式。
可选地，脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度之间的差值小于第一预设值，所述脉冲电刺激TES的脉冲宽度和所述脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度均小于第二预设值，且所述脉冲电刺激TES的脉冲和所述脉冲磁刺激TMS的脉冲之间的重复频率小于第三预设值，所述脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS在时间上同步或者两者时间上相差预设值。
可选地，所述脉冲电刺激TES和所述脉冲磁刺激TMS波形的相位同步且波形相同，所述脉冲电刺激TES和所述脉冲磁刺激TMS的幅值指数衰减均小于第四预设值。
可选地，在所述脉冲磁刺激TMS的波形为双极性波形的情况下，所述脉冲电刺激TES的波形为双极方波或双极三角波；在所述脉冲磁刺激TMS的波形为单极性波形的情况下，所述脉冲电刺激TES的波形为单极方波或单极三角波。
可选地，所述装置还包括：
获取模块，用于获取在对所述目标区域进行电磁刺激的过程中所述目标对象的刺激信号；
比对模块，用于将所述刺激信号的强度和第二预设值进行比对，得到比对结果；
调整模块，用于根据所述比对结果，调整所述脉冲电刺激TES器件和/或所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，以使所述刺激信号的强度和所述第二预设值之间的差值小于预设差值。
可选地，所述调整模块，具体用于：
在所述比对结果为所述刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于所述预设差值，且所述刺激信号的强度小于所述第二预设值的情况下，增大所述脉冲电刺激TES器件中的电流，在所述脉冲电刺激TES器件中的电流大小大于第三预设值，且所述刺激信号的强度小于所述第二预设值的情况下，增大所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，直至所述刺激信号的强度和所述第二预设值之间的差值小于预设差值。
可选地，所述调整模块，具体用于：
在所述比对结果为所述刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于所述预设差值的情况下，按照预设比例，分别调整所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小。
本实施例的装置，可以用于执行前述电磁刺激设备侧方法实施例中任一实施例的方法，其具体实现过程与技术效果与电磁刺激设备侧方法实施例中类似，具体可以参见电磁刺激设备侧方法实施例中的详细介绍，此处不再赘述。
又一方面，本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的电磁刺激方法，该方法包括：
接收用户输入的操作指令；响应于所述操作指令，在所述操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述电磁刺激设备中的脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相同，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述深度刺激对应的刺激强度大于第一预设值；在所述操作指令用于指示对所述目标区域进行浅度刺激的情况下，控制所述脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相反，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述浅度刺激对应的刺激强度小于或等于所述第一预设值。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (15)
1.一种电磁刺激方法，其特征在于，包括：
接收用户输入的操作指令；
响应于所述操作指令，在所述操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述电磁刺激设备中的脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相同，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述深度刺激对应的刺激强度大于第一预设值；
在所述操作指令用于指示对所述目标区域进行浅度刺激的情况下，控制所述脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相反，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述浅度刺激对应的刺激强度小于或等于所述第一预设值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所述目标区域以及刺激强度，确定所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件的排布方式，其中，所述刺激强度包括深度刺激和浅度刺激；
显示所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件的排布方式。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，脉冲电刺激TES的脉冲宽度和脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度之间的差值小于第一预设值，所述脉冲电刺激TES的脉冲宽度和所述脉冲磁刺激TMS的脉冲宽度均小于第二预设值，所述脉冲电刺激TES的脉冲和所述脉冲磁刺激TMS的脉冲之间的重复频率小于第三预设值，所述脉冲电刺激TES和脉冲磁刺激TMS在时间上同步或者两者时间上相差预设值。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述脉冲电刺激TES和所述脉冲磁刺激TMS波形的相位同步且波形相同，所述脉冲电刺激TES和所述脉冲磁刺激TMS的幅值指数衰减均小于第四预设值。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述脉冲磁刺激TMS的波形为双极性波形的情况下，所述脉冲电刺激TES的波形为双极方波或双极三角波；在所述脉冲磁刺激TMS的波形为单极性波形的情况下，所述脉冲电刺激TES的波形为单极方波或单极三角波。
6.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取在对所述目标区域进行电磁刺激的过程中所述目标对象的刺激信号；
将所述刺激信号的强度和第二预设值进行比对，得到比对结果；
根据所述比对结果，调整所述脉冲电刺激TES器件和/或所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，以使所述刺激信号的强度和所述第二预设值之间的差值小于预设差值。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述比对结果，调整所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，包括：
在所述比对结果为所述刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于所述预设差值，且所述刺激信号的强度小于所述第二预设值的情况下，增大所述脉冲电刺激TES器件中的电流，在所述脉冲电刺激TES器件中的电流大小大于第三预设值，且所述刺激信号的强度小于所述第二预设值的情况下，增大所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，直至所述刺激信号的强度和所述第二预设值之间的差值小于预设差值。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述比对结果，调整所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小，包括：
在所述比对结果为所述刺激信号的强度和第二预设值之间的差值大于所述预设差值的情况下，按照预设比例，分别调整所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件中的电流大小。
9.一种电磁刺激装置，其特征在于，包括：
接收模块，用于接收用户输入的操作指令；
控制模块，用于响应于所述操作指令，在所述操作指令用于指示对目标对象的目标区域进行深度刺激的情况下，控制电磁刺激设备中的脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述电磁刺激设备中的脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相同，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述深度刺激对应的刺激强度大于第一预设值；
所述控制模块，还用于在所述操作指令用于指示对所述目标区域进行浅度刺激的情况下，控制所述脉冲电刺激TES器件在所述目标区域内的电流方向，和所述脉冲磁刺激TMS器件在所述目标区域内的电流方向相反，以通过所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS在所述目标区域内产生的电流信号对所述目标区域进行电磁刺激，所述浅度刺激对应的刺激强度小于或等于所述第一预设值。
10.一种电磁刺激设备，其特征在于，包括脉冲电刺激TES器件、脉冲磁刺激TMS器件和控制器，所述控制器分别与所述脉冲电刺激TES器件和所述脉冲磁刺激TMS器件连接，所述控制器用于执行如权利要求1至8任一项所述电磁刺激方法。
11.根据权利要求10所述的电磁刺激设备，其特征在于，所述脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、数模转换模块、电流源、多个电极对，每个电极对中包括正电极和负电极；
所述数模转换模块分别与所述TES控制器和所述电流源的第一端连接；所述数模转换模块用于将所述TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至所述电流源；
所述电流源的第二端与每个电极对中的正电极连接，所述电流源的第三端与每个电极对中的负电极连接，所述电流源用于根据所述模拟信号向所述电极对中输出电流。
12.根据权利要求11所述的电磁刺激设备，其特征在于，所述电流源的第二端通过第一电阻与每个电极对中的正电极连接，所述电流源的第三端通过第二电阻与每个电极对中的负电极连接，其中，与同一个电极对中的正电极连接的第一电阻和与负电极连接的第二电阻的阻值相同，不同电极对对应的第一电阻或第二电阻的阻值不全相同。
13.根据权利要求10所述的电磁刺激设备，其特征在于，所述脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、多个电源隔离模块、多个数模转换模块、多个电流源和多个电极对，每个电极对中包括正电极和负电极，电源隔离模块、数模转换模块、电流源和电极对一一对应；
所述TES控制器分别和各电源隔离模块的第一端连接，各电源隔离模块的第二端和对应的数模转换模块的第一端连接，所述数模转换模块的第二端和对应的电流源的第一端连接；每个电流源的第二端与对应的电极对中的正电极连接，电流源的第三端与对应的电极对中的负电极连接；
所述数模转换模块用于将所述TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至对应的所述电流源；
所述电流源用于根据所述模拟信号向对应的所述电极对中输出电流。
14.根据权利要求10所述的电磁刺激设备，其特征在于，所述脉冲电刺激TES器件包括TES控制器、多个数模转换模块、多个电流源、地电极和多个电极，所述数模转换模块、所述电流源和电极一一对应；
所述TES控制器分别和各数模转换模块的第一端连接，各数模转换模块的第二端和对应的电流源的第一端连接，每个电流源的第二端与对应的电极连接，所有电流源的第三端均与所述地电极连接；
所述数模转换模块用于将所述TES控制器发送的控制信号进行数模转换，并将转换后的模拟信号发送至对应的所述电流源；
所述电流源用于根据所述模拟信号向对应的所述电极中输出电流。
15.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至8任一项所述电磁刺激方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210754796.4A CN114796875B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 |
| PCT/CN2022/125020 WO2024000924A1 (zh) | 2022-06-30 | 2022-10-13 | 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210754796.4A CN114796875B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114796875A true CN114796875A (zh) | 2022-07-29 |
| CN114796875B CN114796875B (zh) | 2022-09-27 |
Family
ID=82522782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210754796.4A Active CN114796875B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114796875B (zh) |
| WO (1) | WO2024000924A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116269733A (zh) * | 2023-03-20 | 2023-06-23 | 成都飞云科技有限公司 | 一种脉冲消融导管、装置及脉冲消融方法 |
| WO2024000924A1 (zh) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 中国科学院自动化研究所 | 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090156884A1 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-18 | Schneider M Bret | Transcranial magnet stimulation of deep brain targets |
| CN202096603U (zh) * | 2011-05-26 | 2012-01-04 | 沈阳助邦科技有限公司 | 多功能抑郁焦虑治疗仪 |
| CN107530549A (zh) * | 2015-04-03 | 2018-01-02 | 国立大学法人东京大学 | 经颅磁刺激装置用线圈装置 |
| CN107929938A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-04-20 | 首都医科大学宣武医院 | 一种经颅电磁同步刺激系统 |
| CN110975153A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-10 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 一种深度脑刺激的配置方法及系统、电子设备、存储介质 |
| CN111686374A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-22 | 天津泰姆斯医疗科技有限责任公司 | 一种重复经颅磁刺激与电刺激一体化的方法和系统 |
| CN113440731A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-09-28 | 成都理工大学 | 用于颅脑电磁刺激的不对称异型线圈及颅脑电磁刺激系统 |
| CN114129901A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-04 | 成都理工大学 | 一种随动型深部聚焦电磁刺激系统及其刺激方法 |
| CN114191720A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-18 | 天津工业大学 | 一种用于深度经颅磁刺激的交叉型线圈 |
| CN114377296A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-22 | 首都医科大学宣武医院 | 无创脑深部电磁耦合神经调控装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9533168B2 (en) * | 2013-02-21 | 2017-01-03 | Brainsway, Ltd. | Unilateral coils for deep transcranial magnetic stimulation |
| CN114042251B (zh) * | 2021-11-17 | 2022-08-09 | 国家康复辅具研究中心 | 多靶点光磁电耦合神经调控装置及方法 |
| CN114796875B (zh) * | 2022-06-30 | 2022-09-27 | 中国科学院自动化研究所 | 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 |
-
2022
- 2022-06-30 CN CN202210754796.4A patent/CN114796875B/zh active Active
- 2022-10-13 WO PCT/CN2022/125020 patent/WO2024000924A1/zh unknown
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090156884A1 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-18 | Schneider M Bret | Transcranial magnet stimulation of deep brain targets |
| CN202096603U (zh) * | 2011-05-26 | 2012-01-04 | 沈阳助邦科技有限公司 | 多功能抑郁焦虑治疗仪 |
| CN107530549A (zh) * | 2015-04-03 | 2018-01-02 | 国立大学法人东京大学 | 经颅磁刺激装置用线圈装置 |
| CN107929938A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-04-20 | 首都医科大学宣武医院 | 一种经颅电磁同步刺激系统 |
| CN110975153A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-10 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 一种深度脑刺激的配置方法及系统、电子设备、存储介质 |
| CN111686374A (zh) * | 2020-06-17 | 2020-09-22 | 天津泰姆斯医疗科技有限责任公司 | 一种重复经颅磁刺激与电刺激一体化的方法和系统 |
| CN113440731A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-09-28 | 成都理工大学 | 用于颅脑电磁刺激的不对称异型线圈及颅脑电磁刺激系统 |
| CN114129901A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-04 | 成都理工大学 | 一种随动型深部聚焦电磁刺激系统及其刺激方法 |
| CN114191720A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-18 | 天津工业大学 | 一种用于深度经颅磁刺激的交叉型线圈 |
| CN114377296A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-22 | 首都医科大学宣武医院 | 无创脑深部电磁耦合神经调控装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024000924A1 (zh) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 中国科学院自动化研究所 | 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 |
| CN116269733A (zh) * | 2023-03-20 | 2023-06-23 | 成都飞云科技有限公司 | 一种脉冲消融导管、装置及脉冲消融方法 |
| CN116269733B (zh) * | 2023-03-20 | 2024-05-03 | 成都飞云科技有限公司 | 一种脉冲消融导管、装置及脉冲消融方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024000924A1 (zh) | 2024-01-04 |
| CN114796875B (zh) | 2022-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sommer et al. | TMS of primary motor cortex with a biphasic pulse activates two independent sets of excitable neurones | |
| CN114796875B (zh) | 电磁刺激方法、装置、设备及可读存储介质 | |
| US7228178B2 (en) | Surface stimulation for tremor control | |
| Chaieb et al. | Transcranial alternating current stimulation in the low kHz range increases motor cortex excitability | |
| US20170001030A1 (en) | Magnetic stimulation device and methods | |
| KR101755657B1 (ko) | 강한 자기장을 이용한 저주파 전기자극시 발생되는 피부의 통증을 완화시키는 자기장 인가장치 | |
| JP2018527066A (ja) | 干渉電流での脊髄刺激 | |
| WO2014107624A1 (en) | Multiplex electrodes for applying transcutaneous interferential current | |
| JP2014510586A (ja) | 非侵襲的容量性電気刺激のためのデバイスおよび方法、ならびに患者の頸部の迷走神経刺激のためのそれらの使用 | |
| JP7162225B2 (ja) | 脳の交差短パルス電気刺激 | |
| WO2019184904A1 (zh) | 中枢神经磁刺激装置及具有其的保健或医疗器械 | |
| KR20160018660A (ko) | 경두개 펄스 전류 자극 | |
| US10874846B2 (en) | Transcutaneous electrical nerve stimulation electrode needle and transcutaneous electrical nerve stimulation device | |
| Kesikburun | Non-invasive brain stimulation in rehabilitation | |
| Zewdie et al. | TMS basics: single and paired pulse neurophysiology | |
| EP4025294A1 (en) | Apparatus and method | |
| CN109260588A (zh) | 一种用于精准刺激人体深部神经的体表多电极系统 | |
| Barker et al. | Transcranial magnetic stimulation | |
| Grasin et al. | Realistic sham TMS | |
| Bounyong et al. | Controlling interfered area in interferential current stimulation by electrode-area patterning | |
| RU89958U1 (ru) | Устройство для сочетанной транскраниальной физиотерапии | |
| Julien et al. | Transcranial focused ultrasonic stimulation to modulate the human primary somatosensory cortex | |
| JP7189594B2 (ja) | 非侵襲的ヒト優位半球の大脳運動性言語野判定装置 | |
| Madhavan | Magnetic and direct current stimulation for stroke | |
| CN212491159U (zh) | 一种重复经颅磁刺激与电刺激一体化的系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |