CN114787950A - 结构引线框架 - Google Patents
结构引线框架 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114787950A CN114787950A CN202180006941.4A CN202180006941A CN114787950A CN 114787950 A CN114787950 A CN 114787950A CN 202180006941 A CN202180006941 A CN 202180006941A CN 114787950 A CN114787950 A CN 114787950A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- leads
- circuit assembly
- electronic component
- component package
- electronic components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 10
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 9
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 9
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 34
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 34
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 2
- HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N polonium atom Chemical compound [Po] HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016347 CuSn Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010310 metallurgical process Methods 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/08—Cooling arrangements; Heating arrangements; Ventilating arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/10—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0272—Adaptations for fluid transport, e.g. channels, holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/145—Arrangements wherein electric components are disposed between and simultaneously connected to two planar printed circuit boards, e.g. Cordwood modules
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
- H01G13/006—Apparatus or processes for applying terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
- H01G2/04—Mountings specially adapted for mounting on a chassis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/258—Temperature compensation means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
- H05K1/0257—Overvoltage protection
- H05K1/0259—Electrostatic discharge [ESD] protection
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10015—Non-printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10166—Transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10272—Busbars, i.e. thick metal bars mounted on the PCB as high-current conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10424—Frame holders
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10439—Position of a single component
- H05K2201/10454—Vertically mounted
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10507—Involving several components
- H05K2201/10522—Adjacent components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10507—Involving several components
- H05K2201/10537—Attached components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10507—Involving several components
- H05K2201/10545—Related components mounted on both sides of the PCB
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
提供了一种改进的电子部件封装件。电子部件封装件包括多个电子部件,其中,每个电子部件包括第一外部接线装置和第二外部接线装置。电子部件封装件还包括结构引线框架,该结构引线框架包括多个引线,其中,每个引线安装至至少一个第一外部接线装置,并且结构引线框架包括在相邻的引线之间的至少一个脱离特征件。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月3日提交的未决美国临时申请第62/969,408号的优先权,该申请通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及由结构引线框架形成的电子部件封装件。电子部件封装件特别适合在包括多个电子部件(优选为无源的电子部件)的电路组件中使用。本发明特别适合在形成多层陶瓷电容器(MLCC)的阵列中使用。
背景技术
本发明特定于结构引线框架,该结构引线框架特别适用于形成包括优选无源电子部件(特别是MLCC)的阵列的电子部件封装件,其中,电子部件封装件特别适用于结合到电路组件中。
在不断减小的电路体积内,对增加的电气功能的需求持续存在。满足这种需求(通常称为小型化)的努力已经增加了对电产品设计的需求,电产品设计在较小的电子封装件中提供改进的电气性能,从而减少电路板上占用的空间而不影响产品性能。使该努力进一步复杂化的是对低成本电子器件的并行需求,这给制造系统和方法带来了额外的负担。
小型化的普遍期望的一部分是在相同体积内或甚至更优选地在更小体积内对更高电压装置的需求。不幸的是,更高电压导致生成的热的增加。这给设计人员带来了增加的负担,以包括能够具体地从单个部件和一般部件的组件中移除热量的结构元件。当使用MLCC或MLCC模块时,对更高电压产品的需求增加是特别令人担忧的,因为MLCC的温度的增加导致电性能的降低。
本文提供了一种使用封装设计来缓解这些问题的方法,该封装设计通过将多个部件集成到单个封装件中而允许降低组装成本。该封装节省了组装时间、成本和印刷电路板空间,同时提高了产品性能。与普通的两个引线框架封装件设计相比,在需要单个引线框架的封装件设计中可以实现额外的成本节约。
发明内容
本发明涉及一种适用于形成电子部件的电子部件封装件的改进的结构引线框架。
本发明的具体特征是能够在电子部件封装件中形成电子部件的大阵列,其中大阵列的子集能够被分离以优化阵列中的电子部件的数量。
本发明的另一个具体特征是能够将辅助电子部件结合到电子部件封装件,其中电子部件和辅助电子部件可以是电并联、电串联或两者的组合。
如将认识到的,这些和其他优点被提供在电子部件封装件中。电子部件封装件包括多个电子部件,其中,每个电子部件包括第一外部接线装置和第二外部接线装置。电子部件封装件还包括结构引线框架,该结构引线框架包括多个引线,其中,每个引线安装至至少一个第一外部接线装置,以及结构引线框架包括在相邻的引线之间的至少一个脱离特征件。
在包括电子部件封装件的电路组件中提供了另一实施例。电子部件封装件包括多个电子部件,其中,每个电子部件包括第一外部接线装置和第二外部接线装置。电子部件封装件进一步包括结构引线框架,该结构引线框架包括多个引线,其中,每个引线安装至至少一个第一外部接线装置。结构引线框架包括在相邻的引线之间的至少一个脱离特征件。提供了一种电路板,其中,该电路板包括第一迹线和第二迹线,以及至少一个引线与第一迹线电接触。
在形成电路组件的方法中提供了另一优点。该方法包括:
形成电子部件封装件,形成电子部件封装件包括:
将多个电子部件布置成阵列,其中,每个电子部件包括第一外部接线装置和第二外部接线装置;
将结构引线框架附接至电子部件阵列以形成电子部件封装件,其中,
结构引线框架包括多个引线,其中,每个引线均安装至至少一个第一外部接线装置,以及其中,结构引线框架包括位于相邻的引线之间的至少一个脱离特征件;以及
将电子部件封装件附接至电路板,其中,电路板包括第一迹线和第二迹线,以及至少一个所述引线与第一迹线电接触。
附图说明
图1是本发明的实施例的立体示意图。
图2是本发明的实施例的分解示意图。
图3是本发明的实施例的横截面示意图。
图4是本发明的实施例的立体示意图。
图5是本发明的实施例的立体示意图。
图6是本发明的实施例的分解示意图。
图7是本发明的实施例的电气示意图。
图8是本发明的实施例的立体示意图。
图9是本发明的实施例的部分分解示意图。
图10是本发明的实施例的立体示意图。
图11是本发明的实施例的立体示意图。
图12是本发明的实施例的立体示意图。
图13是本发明的实施例的立体示意图。
图14是本发明的实施例的立体示意图。
图15是本发明的实施例的立体示意图。
图16是本发明的实施例的立体示意图。
图17是本发明的实施例的立体示意图。
图18是本发明的实施例的立体示意图。
图19是本发明的实施例的立体示意图。
图20是本发明的实施例的部分分解示意图。
图21是本发明的实施例的立体示意图。
具体实施方式
本发明涉及一种用于在电路组件中使用的电子部件封装件,其中,电子部件封装件包括多个(优选地无源)电子部件。特别优选的无源电子部件是多层陶瓷电容器(MLCC)。本发明提供了电子部件阵列的形成,其中电子部件的外部接线装置(termination)与阵列中的相邻的外部接线装置电连接和/或机械连接。这提供了特别适用于形成表面安装技术(SMT)部件封装件的结构引线框架。
结构引线框架允许电子部件封装件中的电子部件在安装至印刷电路板(PCB)时串联、并联或两者的组合来电连接。在实施例中,结构引线框架允许借助于部件封装件的结构引线框架上的脱离特征件来选择电子部件封装件中的电子部件的数量,由此允许电子部件封装件的电容值是可配置的。
在实施例中,电子部件(特别是MLCC)在电子部件封装件内的取向可以改变以增强电子部件封装件在使用应用中的性能。尽管为了方便起见,MLCC装置在本文中作为优选电子部件进行讨论,但是可以应用其他电子部件或电子部件的组合来代替MLCC,并且本文中引用MLCC的任何描述包括其他电子部件,其中优选无源电子部件。
结构引线框架提高了电子部件封装件内的电性能和小型化,从而允许多个电子部件利用单结构引线框架或双结构引线框架被封装为一个电子部件。这减小了板空间要求并且允许电子部件被定向成改进电子部件封装件的电性能并且因此改进电路组件。
单结构引线框架设计通过消除当前引线封装件中的通常两个引线框架之一来降低材料成本。尽管具有引线框架的MLCC部件封装件已经存在,但是没有一种选择将MLCC封装件安装在仅一组MLCC端部接线装置上的印刷电路板(PCB)上或者以引线框架中的脱离为特征来允许从更大的CV封装件中选择电容值(CV)。
本发明的具体优点是能够提供用于形成电串联的无源电子部件阵列的结构引线框架。结构引线框架结合附接至无源部件阵列的一系列更小的引线,以减少相异的配合材料的膨胀系数(COE)的影响,以及通过将引线与电子部件的外部接线装置之间的接触面积最小化来最小化在电子部件封装件中产生的机械应力。
结构引线框架优选地经由瞬态液相烧结(TLPS)材料或其他高熔点互连材料附接至电子部件的外部接线装置,该瞬态液相烧结(TLPS)材料或其他高熔点互连材料允许电子部件封装件在电子部件封装件被组装在电路组件中时经受随后的回流循环。
结构引线框架优选地由导电铁材料或非铁材料(诸如磷青铜或合金42等)形成,其中优选地用于使相异的配合材料的热膨胀系数的影响最小化。
当与MLCC的结构引线框架一起使用时,该结构引线框架有助于选择电容值(CV)的选项,其中包括允许选择电容器的数量并且因此选择所期望的CV的脱离特征件。可以使用其他电子部件或电子部件的组合来实现类似的优点,以从较大尺寸的部件封装件中选择。
结构引线框架允许多个电子部件在公共电子部件封装件内被配置成电串联、电并联或两者的组合。还已知的是,电子部件的取向可以对电路组件中的电性能具有影响。借助于非限制性示例,MLCC在阵列中的彼此相对取向可以对等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)产生影响。
在实施例中,结构引线框架允许电子部件封装件内的电子部件取向改变以改进该电子部件封装件的电性能。包括无源电子部件的电子部件封装件可设置有其他无源电子部件的附接件,该其他无源电子部件的附接件特别是选自连接至结构引线框架的MLCC、电阻器、变阻器、二极管、保险丝、电感器、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器以及集成电路。电子部件封装件允许印刷电路板(PCB)的布局在尺寸上显著减小超过以用于以电串联和/或电并联的电布局取向的分立电子部件的所需空间,同时还对在电路组件的建立或电路组件的使用期间可能产生的机械应力提供隔离。
将参考形成本公开的整体但非限制性部件的附图来描述本发明。贯穿各个附图,相似的元件可以被相应地编号。
将参照图1描述本发明的实施例,其中以立体图示意性地展示了电子部件封装件10。在图1中,以阵列展示了多个电子部件12,其中,阵列中的电子部件的数量在本文中不受限制。电子部件中的每个电子部件包括外部接线装置14,其中电子部件的外部接线装置具有相反的电极性。每个外部接线装置被限定为具有侧面和单个端面,其中,电子部件的每个端面彼此大致平行,侧面垂直于端面并且通常共同环绕电子部件。相邻的电子部件的外部接线装置附接到结构引线框架16,其中,结构引线框架包括引线20以及可选但优选的包覆模具(over mold)18,如本文将进一步描述的。相邻的电子部件的外部接线装置通过导电粘合剂独立地安装到相邻的引线,如本文将进一步描述的。附接至单个结构引线框架的电子部件的数量可以非常大,以便于制造、运输和处理。通过在脱离特征件22处将所安装的电子部件的子集与大阵列分离,可以容易地减少电子部件的数量,从而允许在电路组件的组装期间使用所选数量的所安装的电子部件。为了说明的目的,在每组两个电子部件之后展示了脱离特征件,但不限于此。如图1所展示的,结构引线框架可仅位于阵列的一侧上,其中相对侧可直接安装至电路迹线、安装至第二结构引线框架或安装至一些其他附接特征件,诸如球阵列、常规引线框架、柔性接线装置或相关接线装置部件或技术等,但不限于此。在图1的实施例中,电子部件可以全部电串联安装,或电子部件的组合可以电并联安装,如本文将进一步描述的。在图1中,每个外部接线装置连接至专用引线,并且每个引线仅机械地附接至单个电子部件的一个外部接线装置。
将参照图2和图3对结构引线框架的实施例进行描述。图2是分解立体图,其中示意性地展示了结构引线框架。图3是结构导线框架的截面示意图。在图2和图3中,相邻的引线20通过引线连接器24电连接,并且引线连接器和可选的引线的一小部分可选地并且优选地被包裹在包覆模具18中。如上所述,脱离特征件22允许选择数量的电子部件从阵列中分离,其中一旦分离,脱离工件23就可以是可见的,其中脱离工件是脱离特征件的余留部分。
将参照图4来描述本发明的实施例,其中,安装至结构引线框架16的电子部件阵列12被示意性地展示为安装至包括迹线28的印刷电路板26的电子部件封装件10,其中,印刷电路板是电路组件21的一部分。在图4所展示的实施例中,每对相邻的电容器是电串联的,其中,如箭头所示,电流流向相反的方向,从而降低了电感。图4中的电子部件的取向定义为竖直取向,其中电子部件的最大面近似垂直于印刷电路板。
将参照图5来描述本发明的实施例。在图5中,以立体图示意性地展示了电子部件封装件10。在图5中,一系列电子部件12的每个电子部件的外部接线装置的端部安装到结构引线框架16的引线20并与之电接触,其中示出结构引线框架没有可选的包覆模具。每个引线20通过引线连接器24与至少一个相邻的引线电连接,其中引线连接器具有与其成一体的脱离特征件22。图5中展示的实施例可安装在印刷电路板之间,其中,结构引线框架16将与未示出的上电路板上的电路迹线电接触。可替代地,结构引线框架可通过电线、跳线、柔性接线装置或本领域已知的任何电连接方法与印刷电路板26的电路迹线电接触。如将认识到的,电子部组件封装件中的电子部件的数量不受附图的限制,并且任何数量的电子部件可以通过在适当的脱离特征件处分离而从电子部件封装件分离以形成更小的电子部件封装件。
将参照图6描述本发明的实施例,其中,电路组件21以分解视图展示,该分解视图包括电子部件封装件10以用于说明的目的,该电子部件封装件10包括三个电子部件。如将要实现的,与第一电子部件的外部接线装置电接触的输入迹线30和与一对电子部件的一对外部接线装置电接触的输出迹线32允许形成如图7所展示的电路图,其中每个电子部件表示为电容器是为了说明的目的而不限于此。
将参照图8描述本发明的实施例,其中,在立体图中示意性展示了电子部件封装件10。在图8中,结构引线框架16的选择引线20包括稳定器支脚34,其中稳定器支脚可安装到电路迹线,该电路迹线或者是有源迹线或者是机械垫,其中机械垫不向电路提供导电性。出于讨论的目的,图8的部件封装组件在每一侧包括结构引线框架。如将认识到的,相邻的电容器可以是电串联的、电并联的,或者电子部件的集合可以是电串联和电并联的组合。图8的实施例的优点在图9中以分解视图展示,其中每个稳定器支脚34与垫36接触,其中至少一个垫是输入垫,至少一个垫是输出垫,并且垫的电连接和相邻的引线的连接可以提供大量或可能的电气功能。在一个实施例中,相邻的电子部件与作为输入垫的第一垫电串联,为了结构完整性,离输入垫最远的垫是输出垫并且其余垫是机械垫,或者提供用于串联电连接的电连接。在图8和图9中展示了8个电子部件,但不限于此。
在图10中展示出了本发明的实施例,其中,示意性地展示了电子部件封装件10。在图10中,结构引线16包括引线20,该引线20连接到相反极性的外部接线装置的平行边缘。公共电子部件12上的引线通过绝缘连接器38连接。绝缘连接器允许电子部件的阵列与电并联的相邻的电子部件组装,如本文在别处所讨论的。图11中展示了图10的实施例的优点,其中,图10的电子部件封装件安装至包括迹线28的基板26,其中,电子部件是电并联的。图10的实施例用三个电子部件展示,并且图11的实施例用四个电子部件展示,其中应当理解,可以形成电子部件的大阵列,并且在脱离特征件22处从大阵列分离选定数量的电子部件,如本文在别处所讨论的。在图10和图11所展示的实施例中,未展示可选的包覆模具,但如果需要,可以结合该可选的包覆模具。
在图12中展示了本发明的实施例,其中,展示了包括堆叠形式的多个竖直取向的电子部件12的电子部件封装件。结构引线框架16被附接到外部接线装置14的侧面。在图12中,每个相邻的引线20具有在其之间的脱离特征件22。如图13所展示的,图12的部件组装封装件安装到电路板26,其中,与结构引线框架相对的侧面安装到公共电路迹线28,从而提供电并联的电子部件堆叠。
在图14中展示了本发明的实施例,其中展示了电子部件封装件10,该电子部件封装件10包括多个水平取向的电子部件12。在图14中,每个外部接线装置连接至多个引线20,并且每个引线机械地附接至多个电子部件的多于一个的外部接线装置。相邻的引线通过引线连接器24连接,其中引线连接器具有与其成一体的脱离特征件22。稳定器支脚34提供用于附接到电路迹线或机械垫的表面,以及为安装的组件提供附加的机械应力鲁棒性。图14中的电子部件的取向被定义为水平取向,其中电子部件的最大面大致平行于印刷电路板。
在图15中示意性地展示了本发明的实施例。在图15中,展示了包括多个竖直取向的电子部件12的电子部件封装件10,其中,外部接线装置14的每个端面安装至专用引线20。引线连接器24(在它们之间具有脱离特征件22)允许将电子部件的子集分离成更小的电子部件封装件,如本文别处讨论的。每个与引线成一体的稳定器支脚34允许安装到电路迹线或机械垫,以及为安装的组件提供附加的机械应力鲁棒性。
特定特征是通过并入辅助电子部件来扩展电子部件封装件的电气性能的能力,该辅助电子部件不在电子部件的堆叠中,但是相对于由其他排列的电子部件表示的空间而言是域外的。辅助电子部件被安装到结构引线框架的与电子部件相反的表面。辅助电子部件可以与阵列中的电子部件相同或不同,并且辅助电子部件优选地选自:MLCC、电阻器、变阻器、二极管、保险丝、电感器、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器和集成电路。
本发明的实施例示意性地展示在图16和图17中,其中外部接线装置14、电子部件阵列12被附接到结构引线框架16,如本文别处所描述的。辅助电子部件112的外部接线装置114安装到结构引线框架的引线20,由此提供除了由电子部件以其他方式提供的电气功能之外的电气功能。作为非限制性示例,辅助电子部件可以是允许电阻器与一组电子部件电并联的电阻器。在图18和图19中展示了相关的实施例,其中辅助电子部件112的外部接线装置114与结构引线框架16的引线连接器24电接触。
在包括冷却部件(特别是静态冷却部件)的电子部件封装件中提供了本发明的具体优点,以减轻温度升高。冷却部件优选地将模块的结构引线框架与电绝缘的、导热的接口附接,该接口可以是垫或分配材料的形式。
本发明的实施例在图20中以分解视图以及在图21中以组装视图示意性地展示。在图20和图21中展示了电子部件封装件10,如本文别处所描述的。电绝缘的(优选为导热的)垫40附接到结构引线框架16的导热部件,诸如引线或引线连接器等。散热元件42附接至垫。散热元件优选为高表面面积元件(诸如散热片等),其允许热量消散至介质,诸如流动的空气等。
优选地,结构引线框架通过导电粘合剂结合至外部接线装置。导电粘合剂在本文中不特别限于焊料、包含金属或合金的聚合物,特别是在特定温度范围内固化或交联的聚合物和TLPS代表适用于说明本发明的示例性导电粘合剂。优选的是,组装后的电子部件封装件中的导电粘合剂的熔点高于用于将组装后的电子部件封装件附接至电路板的导电粘合剂的熔点。因此,TLPS粘合剂特别适用于本发明的示范。
瞬态液相烧结结合与焊料是可区别开的。TLPS材料是两种或更多种金属或金属合金在暴露于升高的温度之前的混合物,由此区分材料的热历史。TLPS材料在暴露于升高的温度之前表现出低熔点,并且在暴露于这些温度之后表现出更高的熔点。初始熔点是低温金属或两种低温金属的合金的结果。第二熔化温度是当低温金属或合金与高温熔点金属形成新合金从而形成具有较高熔点的金属间化合物时形成的金属间化合物的熔化温度。TLPS材料在待接合的金属表面之间形成冶金结合。与锡/铅或无铅(Pb)焊料不同,TLPS不会在它们形成金属间接合件时扩散。由于二次回流温度高,TLPS系统的再工作非常困难。瞬时液相烧结是一种给定的工艺术语,用于描述当两种或更多种TLPS相容材料彼此接触并升高到足以熔化低温金属的温度时所产生的冶金条件。为了创建TLPS工艺或互连,这些金属中的至少一种金属来自具有低熔点的金属族,诸如锡(Sn)或铟(In)等,并且第二金属来自具有高熔点的族,诸如铜(Cu)或银(Ag)等。在使Sn和Cu结合在一起并且升温时,Sn和Cu形成CuSn金属间化合物,其熔点比低熔点金属的熔点高。在In和Ag的情况下,当将足够的热量施加到In以引起其熔化时,它实际上扩散到Ag中形成固溶体,该固溶体进而具有比In本身更高的熔点。TLPS将用于泛指用于在两种或更多种TLPS相容金属之间创建冶金结合的工艺和TLPS相容材料。TLPS提供电互连和机械互连,该电互连和机械互连可在相对低的温度(<300℃)下形成并具有更高的二次重熔温度。这些温度由TLPS相容金属的不同组合确定。TLPS将用于一般地涉及用于创建TLPS冶金结合或互连的工艺和材料。
TLPS结合可以在相对低的初始工艺温度(低至157℃)下形成。一旦TLPS结合工艺完成,所得的接合件具有比其初始工艺温度高得多的熔点温度,通常大于300℃,其中较高的二次熔化(诸如高于450℃等),对于许多材料组是常见的。TLPS与传统焊料的不同之处在于,通过将两种或更多种金属熔化在一起以形成具有特定特性的合金来形成焊料。这些特性可以通过向合金中添加额外的金属或通过改变合金中金属的组成百分比来简单地改变。然后可以使焊料合金再熔化并固化以接合两个或更多个表面。TLPS最初不是像焊料合金那样的合金材料。TLPS是基于两种或更多种金属扩散或烧结到彼此中的冶金工艺并且具体地发生在两个表面之间的界面处。一旦创建了TLPS界面,它就不能在低温下再熔化。一旦烧结或扩散工艺已经完成,TLPS的更高的再熔化温度在许多情况下阻止组件的再工作,因为这些组件将在这些高温下遭受不可修复的损坏。TLPS工艺通过使低温熔化金属(诸如铟或锡等)与高温熔化金属(诸如银或铜等)接触,并将温度升高至低温金属熔化并且与高熔化温度材料一起扩散或烧结的点来实现。扩散或烧结的速率是时间温度函数并且对于金属的不同组合是不同的。结果是具有接近高温熔化金属的熔化温度的新熔体温度的固溶体。
TLPS技术特别适合于在相对平的两个配合表面之间提供机械和导电冶金结合。通常用于TLPS工艺的金属选自两类金属族。一类金属族由低熔化温度金属(诸如铟、锡、铅、锑、铋、镉、锌、镓、碲、汞、铊、硒或钋等)组成,并且第二类金属族由高温熔化温度金属(诸如银、铜、铝、金、铂、钯、铍、铑、镍、钴、铁和钼等)组成,以创建扩散的固溶体。
非常期望使用无焊剂工艺来消除接合件内的任何潜在空隙。由于TLPS是基于烧结的工艺,因此结合线是均匀的且无空隙的。焊料所必需的焊剂被截留在接合件中并且随后被烧掉,因此留下空隙。在半导体行业中,特别是管芯附接工艺的情况下,这些空隙可在集成电路(I/C)内产生热点,这可导致过早失效和可靠性问题。TLPS解决了这个问题,因为TLPS是烧结工艺并且不含焊剂。当两种金属配合在一起并施加热量时,低熔点金属扩散到高熔点金属中以在配合表面区域上产生固溶体。为了产生牢固均匀的结合线,必须使配合表面是平的且共面的以确保在整个配合表面的紧密接触。配合表面所需的平整度还限制了这种技术的应用,因为存在许多平面度不足以产生良好接合件的表面。
与液体载体材料组合以形成糊状物的TLPS相容的金属颗粒芯可以施加在具有混合表面制备技术(诸如电镀、烧结厚膜和/或电镀烧结厚膜等)的两个非平面非均匀表面之间,并且然后加热至具有最低熔点的金属的熔化温度并且保持该温度持续足够的时间量以形成接合件。单个金属颗粒芯消除了糊状物中对多种金属的需求,从而使得金属的比例不再是问题。还可以通过使用银(具有大约960℃的高熔点的金属)作为芯颗粒,然后用具有低温金属(诸如具有157℃熔点的铟等)的金属壳涂覆该颗粒来产生单个颗粒。使用铟的优点是当它熔化时,它会扩散到银中。如果将银和铟的双金属颗粒放置在各自涂覆有银的两个表面之间,则铟将扩散到银表面以及银芯中,从而产生固溶体接合件。可以考虑用于这种双金属单颗粒的具有低熔点的其他金属(诸如铟等)包括锡、锑、铋、镉、锌、镓、碲、汞、铊、硒、钋或铅,并且具有高熔点的金属(诸如银等)是铜、铝、金、铂、钯、铍、铑、镍、钴、铁和钼,也可以被认为是可能的组合。
可以施加与焊剂和溶剂混合以形成糊状物的铟粉以在两个试样之间产生TLPS冶金结合,该两个试样具有覆镀有镍并且再覆镀有约5微米的银的铜的基底金属。可以如下制备样品:将铟糊状物分配到具有所提及的镀覆表面的试样上,然后将两个试样彼此接触放置并加热至150℃持续5秒,随后将温度升高至约320℃持续约60秒。如此制备的样品的接合强度可以表现出在85磅至94磅范围内的、等于4,177psi的剪切应力的拉动重量并且可以实现在5磅至9磅范围内的、平均7磅的拉动剥离重量。这些结果与具有约3000psi的剪切强度和7磅至10磅范围内的拉动剥离强度的SnPb焊料的结果相当。一个主要区别是AgIn接合件可以承受超过600℃的第二熔化温度。这些结果表明,用于结合两个镀银试样的In糊状物至少与当前焊料SnPb焊料相当,而且具有高得多的第二熔化温度,从而产生适合于高温互连应用并且也无铅的材料。
示例
如图4所展示的,电子部件封装件被组装并安装至基板。电子部件是14个匹配的MLCC,其中结构引线框架附接至MLCC的一个端面以形成电串联连接的MLCC的模块。模块中的每个MLCC的额定电容值(CV)为12,000pF,并且模块中的14个MLCC的串联电路具有在1kHz下测量的882pF的CV。测量值在MLCC模块的额定值的容差内。每个离散MLCC的额定电压为250VDC,并且模块中的14个MLCC的串联电路的额定电压为3,500VDC。
已经参照优选实施例对本发明进行了描述,但并不限于此。本领域技术人员将认识到在所附权利要求中描述和阐述的附加实施例。
Claims (71)
1.一种电子部件封装件,包括:
多个电子部件,其中,所述电子部件中的每个电子部件包括第一外部接线装置和第二外部接线装置;
结构引线框架,所述结构引线框架包括多个引线,其中,所述多个引线中的每个引线均安装至至少一个所述第一外部接线装置;以及
其中,所述结构引线框架包括在相邻的所述引线之间的至少一个脱离特征件。
2.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,至少两个所述电子部件串联地电连接。
3.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,至少两个所述电子部件并联地电连接。
4.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,每个所述第一外部接线装置均包括端面和侧面。
5.根据权利要求4所述的电子部件封装件,其中,所述多个引线中的至少一个引线在所述端面处或在所述侧面的一个侧面处连接至所述第一外部接线装置。
6.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,所述结构引线框架包括位于相邻的所述引线之间的至少一个引线连接器。
7.根据权利要求6所述的电子部件封装件,其中,所述脱离特征件与至少一个所述引线连接器是一体的。
8.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,所述引线包括铁材料或非铁材料。
9.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,每个所述电子部件独立地选自:MLCC、电阻器、变阻器、二极管、保险丝、电感器、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器以及集成电路。
10.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,每个所述电子部件是MLCC。
11.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,所述多个引线中的至少一个所述引线通过从焊料、包括金属或合金的聚合物、以及瞬态液相烧结材料中选择的导电粘合剂,来被安装至所述至少一个第一外部接线装置。
12.根据权利要求11所述的电子部件封装件,其中,所述多个引线中的至少一个所述引线通过瞬态液相烧结材料安装至所述至少一个第一外部接线装置。
13.根据权利要求1所述的电子部件封装件,进一步包括在所述结构引线框架的至少一部分上的包覆模具。
14.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,所述多个电子部件沿选自竖直取向和水平取向的取向来安装。
15.根据权利要求1所述的电子部件封装件,进一步包括第二结构引线框架,所述第二结构引线框架包括多个第二引线,其中,所述第二引线中的每个第二引线均安装至至少一个第二外部接线装置。
16.根据权利要求1所述的电子部件封装件,进一步包括至少一个辅助电子部件,所述至少一个辅助电子部件安装至所述结构引线框架。
17.根据权利要求16所述的电子部件封装件,其中,每个所述辅助电子部件独立地选自:MLCC、电阻器、变阻器、二极管、保险丝、电感器、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器以及集成电路。
18.根据权利要求1所述的电子部件封装件,进一步包括安装至所述结构引线框架的至少一个散热元件。
19.根据权利要求18所述的电子部件封装件,进一步包括位于所述散热元件与所述结构引线框架之间的电绝缘体。
20.根据权利要求1所述的电子部件封装件,进一步包括附接至所述结构引线框架的至少一个稳定器支脚。
21.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,所述结构引线框架包括在相邻的引线之间的绝缘连接器。
22.根据权利要求1所述的电子部件封装件,其中,所述引线的至少一个所述引线安装至多个第一外部接线装置。
23.一种电路组件,包括:
电子部件封装件,所述电子部件封装件包括:
多个电子部件,其中,所述电子部件中的每个电子部件包括第一外部接线装置和第二外部接线装置;
结构引线框架,所述结构引线框架包括多个引线,其中,所述多个引线中的每个引线均安装至至少一个所述第一外部接线装置;以及
其中,所述结构引线框架包括在相邻的所述引线之间的至少一个脱离特征件;以及
电路板,其中,所述电路板包括第一迹线和第二迹线,以及至少一个所述引线与所述第一迹线电接触。
24.根据权利要求23所述的电路组件,其中,至少两个所述电子部件串联地电连接。
25.根据权利要求24所述的电路组件,其中,在所述至少两个所述电子部件中的电流流动的方向相反。
26.根据权利要求23所述的电路组件,其中,至少两个所述电子部件并联地电连接。
27.根据权利要求23所述的电路组件,其中,每个所述第一外部接线装置均包括端面和侧面。
28.根据权利要求27所述的电路组件,其中,所述多个引线中的至少一个引线在所述端面处或在所述侧面的一个侧面处连接到所述第一外部接线装置。
29.根据权利要求23所述的电路组件,其中,所述结构引线框架包括位于相邻的所述引线之间的至少一个引线连接器。
30.根据权利要求29所述的电路组件,其中,所述脱离特征件与至少一个所述引线连接器是一体的。
31.根据权利要求23所述的电路组件,其中,所述引线包括铁材料或非铁材料。
32.根据权利要求23所述的电路组件,其中,每个所述电子部件独立地选自:MLCC、电阻器、变阻器、二极管、保险丝、电感器、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器以及集成电路。
33.根据权利要求23所述的电路组件,其中,每个所述电子部件是MLCC。
34.根据权利要求23所述的电路组件,其中,所述多个引线中的至少一个所述引线通过从焊料、包括金属或合金的聚合物、以及瞬态液相烧结材料中选择的导电粘合剂,来被安装到所述至少一个第一外部接线装置。
35.根据权利要求34所述的电路组件,其中,所述多个引线中的至少一个所述引线通过瞬态液相烧结材料安装到所述至少一个第一外部接线装置。
36.根据权利要求23所述的电路组件,进一步包括在所述结构引线框架的至少一部分上的包覆模具。
37.根据权利要求23所述的电路组件,其中,所述多个电子部件沿选自竖直取向和水平取向的取向来安装。
38.根据权利要求23所述的电路组件,进一步包括第二结构引线框架,所述第二结构引线框架包括多个第二引线,其中,所述第二引线中的每个第二引线均安装至至少一个第二外部接线装置。
39.根据权利要求23所述的电路组件,进一步包括安装至所述结构引线框架的至少一个辅助电子部件。
40.根据权利要求39所述的电路组件,其中,每个所述辅助电子部件独立地选自MLCC、电阻器、变阻器、二极管、保险丝、电感器、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器以及集成电路。
41.根据权利要求23所述的电路组件,进一步包括安装到所述结构引线框架的至少一个散热元件。
42.根据权利要求41所述的电路组件,进一步包括在所述散热元件和所述结构引线框架之间的电绝缘体。
43.根据权利要求23所述的电路组件,进一步包括附接至所述结构引线框架的至少一个稳定器支脚。
44.根据权利要求43所述的电路组件,其中,所述电路板包括机械垫,以及至少一个所述稳定器支脚安装到所述机械垫。
45.根据权利要求23所述的电路组件,其中,所述结构引线框架包括在相邻的引线之间的绝缘连接器。
46.根据权利要求23所述的电路组件,其中,所述引线中的至少一个所述引线安装至多个第一外部接线装置。
47.一种形成电路组件的方法,包括:
形成电子部件封装件,所述的形成电子部件封装件包括:
将多个电子部件布置成阵列,其中,所述电子部件中的每个电子部件包括第一外部接线装置和第二外部接线装置;
将结构引线框架附接至所述电子部件阵列以形成电子部件封装件,其中,所述结构引线框架包括多个引线,其中,所述多个引线中的每个引线均安装至至少一个所述第一外部接线装置,以及其中,所述结构引线框架包括位于相邻的所述引线之间的至少一个脱离特征件;以及
将所述电子部件封装件附接至电路板,其中,所述电路板包括第一迹线和第二迹线,以及至少一个所述引线与所述第一迹线电接触。
48.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,进一步包括在所述至少一个脱离特征件处将所述电子部件封装件分离成第一电子部件封装件和第二电子部件封装件。
49.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,至少两个所述电子部件串联地电连接。
50.根据权利要求49所述的形成电路组件的方法,其中,在所述至少两个所述电子部件中的电流流动的方向相反。
51.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,至少两个所述电子部件并联地电连接。
52.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,每个所述第一外部接线装置均包括端面和侧面。
53.根据权利要求52所述的形成电路组件的方法,进一步包括在所述端面处或在所述侧面的一个侧面处将所述多个引线中的至少一个引线连接到所述第一外部接线装置。
54.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,所述结构引线框架包括位于相邻的所述引线之间的至少一个引线连接器。
55.根据权利要求54所述的形成电路组件的方法,其中,所述脱离特征件与至少一个所述引线连接器是一体的。
56.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,所述引线包括铁材料或非铁材料。
57.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,每个所述电子部件独立地选自:MLCC、电阻器、变阻器、二极管、保险丝、电感器、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器以及集成电路。
58.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,每个所述电子部件是MLCC。
59.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,所述多个引线中的至少一个所述引线通过从焊料、包括金属或合金的聚合物、以及瞬态液相烧结材料中选择的导电粘合剂,来被安装到所述至少一个第一外部接线装置。
60.根据权利要求59所述的形成电路组件的方法,其中,所述多个引线中的至少一个所述引线通过瞬态液相烧结材料安装到所述至少一个第一外部接线装置。
61.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,进一步包括在所述结构引线框架的至少一部分上的包覆模具。
62.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,所述多个电子部件沿选自竖直取向和水平取向的取向来安装。
63.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,进一步包括第二结构引线框架,所述第二结构引线框架包括多个第二引线,其中,所述第二引线中的每个第二引线均安装至至少一个第二外部接线装置。
64.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,进一步包括安装至所述结构引线框架的至少一个辅助电子部件。
65.根据权利要求64所述的形成电路组件的方法,其中,每个所述辅助电子部件独立地选自:MLCC、电阻器、变阻器、二极管、保险丝、电感器、过电压放电装置、传感器、开关、静电放电抑制器以及集成电路。
66.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,进一步包括安装至所述结构引线框架的至少一个散热元件。
67.根据权利要求66所述的形成电路组件的方法,进一步包括在所述散热元件和所述结构引线框架之间的电绝缘体。
68.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,进一步包括附接至所述结构引线框架的至少一个稳定器支脚。
69.根据权利要求68所述的形成电路组件的方法,其中,所述电路板包括机械垫,以及至少一个所述稳定器支脚安装至所述机械垫。
70.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,所述结构引线框架包括在相邻的引线之间的绝缘连接器。
71.根据权利要求47所述的形成电路组件的方法,其中,所述引线的至少一个所述引线安装至多个第一外部接线装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202062969408P | 2020-02-03 | 2020-02-03 | |
US62/969,408 | 2020-02-03 | ||
PCT/US2021/013238 WO2021146284A1 (en) | 2020-01-17 | 2021-01-13 | Structural lead frame |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114787950A true CN114787950A (zh) | 2022-07-22 |
Family
ID=77062319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180006941.4A Pending CN114787950A (zh) | 2020-02-03 | 2021-01-13 | 结构引线框架 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11923151B2 (zh) |
EP (1) | EP4100975A1 (zh) |
CN (1) | CN114787950A (zh) |
WO (1) | WO2021146284A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115360017B (zh) * | 2022-08-25 | 2023-06-16 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种可调节容量的框架式电容器制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6827611B1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-12-07 | Teradyne, Inc. | Electrical connector with multi-beam contact |
US7144259B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-12-05 | Finisar Corporation | Optical transceiver module having a dual segment molded lead frame connector |
CN1906986B (zh) | 2004-10-29 | 2010-05-12 | 株式会社村田制作所 | 内装片状电子元器件的多层基板及其制造方法 |
US7816772B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-10-19 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for multi-stage molding of integrated circuit package |
EP2411988B1 (en) | 2009-03-26 | 2013-10-02 | Kemet Electronics Corporation | Leaded multi-layer ceramic capacitor with low esl and low esr |
US10381162B2 (en) | 2010-05-26 | 2019-08-13 | Kemet Electronics Corporation | Leadless stack comprising multiple components |
US9472342B2 (en) | 2010-05-26 | 2016-10-18 | Kemet Electronics Corporation | Leadless multi-layered ceramic capacitor stacks |
US9171672B2 (en) * | 2011-06-27 | 2015-10-27 | Kemet Electronics Corporation | Stacked leaded array |
DE102012104033A1 (de) | 2012-05-08 | 2013-11-14 | Epcos Ag | Keramischer Vielschichtkondensator |
DE102013102278A1 (de) | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Epcos Ag | Kondensatoranordnung |
US10056320B2 (en) * | 2013-10-29 | 2018-08-21 | Kemet Electronics Corporation | Ceramic capacitors with improved lead designs |
US9693488B2 (en) * | 2015-02-13 | 2017-06-27 | Deere & Company | Electronic assembly with one or more heat sinks |
DE102015102866B4 (de) | 2015-02-27 | 2023-02-02 | Tdk Electronics Ag | Keramisches Bauelement, Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Bauelements |
CN107027238B (zh) | 2016-01-29 | 2020-08-18 | 奥特斯(中国)有限公司 | 包括铜填充多径激光钻孔的元件载体 |
JP6604926B2 (ja) | 2016-09-27 | 2019-11-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
US10178770B1 (en) * | 2017-12-22 | 2019-01-08 | Kemet Electronics Corporation | Higher density multi-component and serial packages |
KR102211743B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2021-02-03 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 |
-
2021
- 2021-01-13 WO PCT/US2021/013238 patent/WO2021146284A1/en unknown
- 2021-01-13 EP EP21741869.8A patent/EP4100975A1/en active Pending
- 2021-01-13 US US17/148,038 patent/US11923151B2/en active Active
- 2021-01-13 CN CN202180006941.4A patent/CN114787950A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021146284A1 (en) | 2021-07-22 |
US11923151B2 (en) | 2024-03-05 |
WO2021146284A8 (en) | 2022-06-09 |
EP4100975A1 (en) | 2022-12-14 |
US20210241977A1 (en) | 2021-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10381162B2 (en) | Leadless stack comprising multiple components | |
JP7250517B2 (ja) | バルクmlccコンデンサモジュール | |
EP2577694B1 (en) | Electronic component termination and assembly by means of transient liquid phase sintering and polymer solder pastes | |
JP6091639B2 (ja) | リードレスの多層セラミックコンデンサスタック | |
US9793057B2 (en) | Electronic component termination and assembly by means of transient liquid phase sintering metallurgical bond | |
US10707145B2 (en) | High density multi-component packages | |
US9805872B2 (en) | Multiple MLCC modules | |
US10757810B2 (en) | High density multi-component packages | |
CN1206887C (zh) | 印刷电路组件及其制造方法 | |
US10757811B2 (en) | Higher density multi-component and serial packages | |
JP7334285B2 (ja) | マルチコンポーネントからなるリードレススタック | |
US11923151B2 (en) | Structural lead frame | |
CN111052347B (zh) | 高密度多组件且串联的封装件 | |
JPH0637438A (ja) | 混成集積回路 | |
JP2931940B2 (ja) | プリント回路基板の接続構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 5th floor, 1 East Broward Avenue, Fort Lauderdale, Florida, USA Applicant after: Jimei Electronics Co.,Ltd. Address before: Fla Applicant before: KEMET ELECTRONICS Corp. |
|
CB02 | Change of applicant information |