CN114784217B - 封装层的制作方法及有机发光二极管显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种封装层制作方法及有机发光二极管显示面板，所述封装层制作方法包括：形成第一封装层，第一封装层内包括氮硅化合物及杂质，其中，杂质包括氢原子及氧原子中的至少一者；以及通入氮原子中性束对第一封装层进行轰击，以祛除第一封装层中的杂质。本申请实施方提供的方法在形成包括氮硅化合物及杂质的第一封装层后，通过通入氮原子中性束对第一封装层进行轰击，以祛除第一封装层中可能夹杂的氢原子、氧原子等杂质，从而提高了第一封装层的致密性，并且增强第一封装层的水氧隔绝效果，进一步提高了第一封装层的质量。
Description
技术领域
本申请涉及封装技术领域，具体涉及一种封装层的制作方法及有机发光二极管显示面板。
背景技术
随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器的发展具有广阔的前景。但是由于OLED显示器中的有机发光二极管中的发光层为有机发光材料，该材料对水、氧非常敏感，接触水、氧很容易发生变性，而导致材料发光异常。现在常用的方式为使用封装层，来保护OLED中的有机发光材料。但目前封装层的制作方法易使得封装层内夹杂有杂质，导致封装层的致密性下降、水氧隔绝效果降低。
发明内容
本申请的目的在于提供一种封装层制作方法及有机发光二极管显示面板，以解决目前封装层的制作方法易使得封装层内夹杂有杂质，进而导致封装层的致密性下降、水氧隔绝效果降低的技术问题。
第一方面，本申请提供了一种封装层制作方法，包括：
形成第一封装层，所述第一封装层内包括氮硅化合物及杂质，其中，所述杂质包括氢原子及氧原子中的至少一者；以及
通入氮原子中性束对所述第一封装层进行轰击，以祛除所述第一封装层中的杂质。
其中，所述通入氮原子中性束对所述第一封装层进行轰击，包括：
对氮气进行加速，以形成所述氮原子中性束，其中，所述氮原子中性束中氮原子的能量30～50eV/atom。
其中，形成第一封装层，所述第一封装层内包括氮硅化合物及杂质，包括：
加速第一气体轰击硅靶材以形成纳米硅薄膜，其中，所述第一气体为惰性气体；
通入并加速第二气体，所述第二气体与所述纳米硅薄膜反应以形成所述第一封装层。
其中，所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值为1:0.5～1:4。
其中，在所述通入氮原子中性束对所述第一封装层进行轰击，以祛除所述第一封装层中的杂质之后，所述封装层制作方法还包括：
加热所述第一封装层预设时长；
对加热后的所述第一封装层进行降温。
其中，所述加热所述第一封装层预设时长，包括：
于80℃～120℃下，对所述第一封装层进行加热，并加热时长10～20分钟。
其中，所述对加热后的所述第一封装层进行降温，包括：
对加热后的所述第一封装层进行降温的时长为10～20分钟。
其中，所述封装层制作方法还包括：
在所述第一封装层的表面形成有机层；
在所述有机层背离所述第一封装层的表面形成第二封装层，第二封装层内包括氮硅化合物及杂质，其中，所述杂质包括氢原子及氧原子中的至少一者；
通入氮原子中性束对所述第二封装层进行轰击，以祛除所述第二封装层中的杂质。
其中，在所述通入氮原子中性束对所述第二封装层进行轰击，以祛除所述第二封装层中的杂质之后，所述封装层制作方法还包括：
加热所述第二封装层；
对加热后的所述第二封装层进行降温。
第二方面，本申请提供了一种有机发光二极管显示面板，包括：
基板；
发光层，所述发光层设于所述基板上；及
封装层，所述封装层包括第一封装层、有机层及第二封装层，所述第一封装层围设于所述发光层，所述第一封装层与所述基板形成第一密闭空间，所述发光层位于所述第一密闭空间内，所述第一封装层用于隔离所述发光层与外界气体；所述有机层设于所述第一封装层上；所述第二封装层围设于所述有机层，所述第二封装层与所述第一封装层形成第二密闭空间，所述有机层位于所述第二密闭空间内，其中，所述封装层的水氧透过率小于或等于10-7g/m2/天。
本申请提供的一种封装层制作方法，形成包括氮硅化合物及杂质的第一封装层后，通过通入氮原子中性束对第一封装层进行轰击，以祛除第一封装层中夹杂的杂质。提高了第一封装层的致密性，并且增强第一封装层的水氧隔绝效果，进一步提高了第一封装层的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施方式提供的一种第一封装层制作方法流程图；
图2为本申请实施方式提供的一种第一封装层中夹杂杂质原子的示意图；
图3为本申请实施方式提供的一种使用氮原子中性束对第一封装层进行轰击的示意图；
图4为本申请实施方式提供的一种祛除所述第一封装层中杂质原子后的结构示意图；
图5是图1中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S100所包括的流程图；
图6是图1中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S200所包括的流程图；
图7是图1中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S200后还包括的方法的流程图；
图8是图7中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S300所包括的流程图；
图9是图7中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S400所包括的流程图；
图10是本申请实施方式提供的一种封装层的结构示意图；
图11是图1中提供一实施方式中的封装层制作方法流程后还包括的方法流程图；
图12是图11中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S700后还包括的方法的流程图；
图13是本申请实施方式提供的一种封装层制作方法流程图；
图14是本申请实施方式提供的一种有机发光二极管显示面板图。
标号说明：有机发光二极管显示面板-100、封装层-10、第一封装层-11、第二封装层-12、有机层-20、发光层-30、基板-40。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本文中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述的构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，搭配薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)的显示器已经越发成熟，像是薄膜晶体管式液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)或是有机发光二极管显示器(Thin FilmTransistor Organic Light-Emitting Diode，TFT-OLED)都已成功量产。在厚度、色彩饱和度、对比度、柔性显示等方面，OLED显示器均具有明显的优势，OLED显示器的发展具有广阔的前景，但是由于OLED显示器中的有机发光二极管中的发光层使用有机发光材料，该材料对水、氧非常敏感，接触水、氧很容易发生变性，而导致材料发光异常，现在常用的方式为使用封装层，来保护OLED中的有机发光材料。对于柔性OLED显示器，目前一般使用薄膜封装(Thin-Film Encapsulation，TFE)形成封装层，封装层一般有三层结构，第一层为无机物层，第二层为有机物层，第三层为无机物层，有机物层主要起到平坦和异物包覆作用，无机物层主要起到隔绝外界空气中的水分和氧气的作用。
封装层中的无机物层一般为氮硅化合物(SiNx)。相关技术中的氮硅化合物的制作一般都使用化学气象沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)的方式，以氨气(NH3)和硅烷(SiH4)为反应气体，但是这种方式形成的氮硅化合物，因为反应气体含有氢原子，所以膜层往往是富氢(H)的，即最终产物中易夹杂有氮氢化合物(SiNx)、氢化物(Hy)，同时反应气体中或是反应容器的腔室中水汽杂质的存在，最终膜层中还会存在少量氧(O)杂质，这些杂质的存在，降低了氮硅化合物薄膜的致密性，使其水氧隔绝效果降低。
本申请提出一种制作方法，来制作封装层，以改善上述问题。
本申请提供一种封装层制作方法，主要应用于有机发光二极管显示面板。
请参阅图1，图1是本申请实施方式提供的一种第一封装层制作方法流程图。所述封装层制作方法包括但不限于步骤S100及S200，关于步骤S100和S200的详细描述如下。
S100：形成第一封装层11，所述第一封装层11内包括氮硅化合物及杂质，其中，所述杂质包括氢原子及氧原子中的至少一者。
其中，在本实施方式中，形成的所述第一封装层11厚度为100～500nm。在其他实施方式中，形成的所述第一封装层11厚度可以根据OLED显示器的规格进行调整，本申请对此不作限定。
其中，在本实施方式中，所述氮硅化合物包括但不限于为四氮化三硅(Si3N4)。
需要说明的是，在反应容器内形成所述第一封装层11时，反应气体中或是所述反应容器的腔室中水汽杂质的存在，形成的所述第一封装层11中还会存在少量氢(H)、氧(O)杂质，这些杂质的存在，降低了氮硅化合物薄膜的致密性，使其水氧隔绝效果降低。
具体的，请参阅图2，图2为本申请实施方式提供的一种第一封装层中夹杂杂质原子的示意图。所述第一封装层11中包括有氮原子N，硅原子Si，氢原子H，氧原子O。可以理解地，为了方便示意，在本实施方式的示意图中，以氢原子H及氧原子O位于第一封装层11的表面为例进行示意，不应当理解为对本申请实施方式的限定，所述氢原子H及氧原子O也可位于第一封装层11的内部。
S200：通入氮原子中性束对所述第一封装层11进行轰击，以祛除所述第一封装层11中的杂质。
具体的，请参阅图3，图3为本申请实施方式提供的一种使用氮原子中性束对第一封装层进行轰击的示意图。其中，所述氮原子中性束为中性的多个氮原子N。
请参阅图4，图4为本申请实施方式提供的一种祛除所述第一封装层中杂质原子后的结构示意图。所述第一封装层11中只剩下氮原子N和硅原子Si。需要说明的是，所述氮原子中性束对所述第一封装层11进行轰击，所述氮原子中性束中的多个氮原子N与所述第一封装层11中的氢原子H和氧原子O进行结合，以形成气体脱离所述第一封装层11。具体的，在本实施方式中，氮原子N和氢原子H结合形成氨气(NH3)，氮原子N和氧原子O形成氮氧化合物，在其他实施方式中，氮原子N与所述第一封装层11中的氢原子H和氧原子O也可以结合为其他气体，本申请对此不做限定。
其中，所述氮原子中性束中的多个氮原子N与所述第一封装层11中的氢原子H和氧原子O进行结合，以形成气体脱离所述第一封装层11，同时所述氮原子中性束中的氮原子N填充至所述第一封装层11内。
本申请提供的一种封装层10制作方法，通过通入所述氮原子中性束对所述第一封装层11进行轰击，以祛除所述第一封装层11中可能夹杂的氢(H)、氧(O)杂质，并将所述氮原子中性束中的氮原子N填充至所述第一封装层11内。提高了所述第一封装层11的致密性，并且增强所述第一封装层11的水氧隔绝效果，进一步提高了所述第一封装层11的质量。
请参阅图5，图5是图1中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S100所包括的流程图。S100所述“形成第一封装层11，所述第一封装层11内包括氮硅化合物及杂质，其中，所述杂质包括氢原子及氧原子中的至少一者”中还包括：
S110：加速第一气体轰击硅靶材以形成纳米硅薄膜。
其中，所述第一气体为惰性气体。在本实施方式中，所述第一气体为氩气Ar，在其他实施方式中，所述第一气体还可以为其他惰性气体，例如氦气He、氪气Kr、氙气Xe等，本申请对此不作限定。
在本实施方式中，所述硅靶材经磁控溅射的方式形成所述纳米硅薄膜，在其他实施方式中，所述纳米硅薄膜还可以通过其他方式形成，本申请对此不作限定。以下以所述硅靶材经磁控溅射的方式形成所述纳米硅薄膜为例进行举例说明。
具体的，磁控溅射的设备中，正极上连接设置有发光层的基板，负极上连接所述硅靶材，所述基板与所述硅靶材相对设置，从所述基板至所述硅靶材的方向上设有电场且所述电场的方向与所述基板至所述硅靶材的方向相同，所述硅靶材周围设有磁场。设备中的电子在所述电场的作用下飞向所述基板的过程中与氩原子Ar发生碰撞，使其电离产生出极性为正的Ar离子和新的电子；新的电子飞向所述基板，Ar离子在所述电场作用下加速飞向阴极的所述硅靶材，并以高能量轰击所述硅靶材的表面，使所述硅靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的所述硅原子Si沉积在所述基板上形成薄膜，且所述薄膜达到预设厚度后即为所述纳米硅薄膜。
因为所述硅靶材设于负极上，经Ar离子的撞击易产生二次电子，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在所述硅靶材的表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击所述硅靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离所述硅靶材的表面，并在电场E的作用下最终沉积在所述基板上。由于能量消耗殆尽的二次电子的能量很低，传递给所述基板的能量很小，致使所述基板温升较低，从而避免设置有发光层的所述基板温度过高导致发光层被破坏。
可选的，在本实施方式中，形成所述纳米硅薄膜所需磁控溅射的时间为1分钟左右，在其他实施方式中，所述纳米硅薄膜形成的时间还和所需要的纳米硅薄膜的厚度、磁控溅射设备的功率有关，本申请对此不作限制。
例如，在需要制备的纳米硅薄膜的厚度一定的情况下，磁控溅射的功率越大，则所述纳米硅薄膜形成的时间越短；相应地，磁控溅射的功率越小，则所述纳米硅薄膜形成的时间越长。
S120：通入并加速第二气体，所述第二气体与所述纳米硅薄膜反应以形成所述第一封装层11。
在本实施方式中，所述第二气体为氮气N2，在其他实施方式中，也可以根据所述第一封装层11所需的成分对所述第二气体进行调整，本申请对此不作限制。
其中，所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值为1:0.5～1:4。
举例而言，所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值为1:0.5，或1:1，或1:1.5，或1:2，或1:2.5，或1:3，或1:3.5，或1:4。
具体的，所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值在此范围内时，所述硅原子Si和所述氮原子N的原子比例更接近3:4，可提高所述第一封装层11内的氮硅化合物Si3N4的含量，进而提高所述第一封装层11的致密性。若所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值小于1:4或大于1:0.5，则会使得所述硅原子Si和所述氮原子N的原子比例偏离3:4，进而降低所述第一封装层11的致密性。
相较于现有技术中以氨气(NH3)和硅烷(SiH4)为反应气体的化学气象沉积方式，本申请中用磁控溅射和加速氮气的方法形成所述第一封装层11，有效得降低了所述第一封装层11中氢元素等杂质的含量，进而提高了所述第一封装层11中所述氮硅化合物的致密性，使所述第一封装层11的水氧隔绝效果更好。
请参阅图6，图6是图1中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S200所包括的流程图。S200步骤中所述“通入氮原子中性束对所述第一封装层11进行轰击，以祛除所述第一封装层11中的杂质”包括：
S210：对氮气进行加速，以形成所述氮原子中性束。
可选的，对氮气进行加速的方式包括但不限于为使用上述磁控溅射的原理对其进行加速。具体的，若形成的所述氮原子中性束中氮原子N的能量小于30eV/atom，则可能祛除杂质所耗费时间较长，或可能剩余较多杂质无法祛除，或甚至不能将杂质祛除；若形成的所述氮原子中性束中氮原子N的能量大于50eV/atom，则可能导致对所述发光层造成破坏。因此本案将加速后所述氮原子中性束中氮原子N的能量控制在30～50eV/atom，使其能够最大效率的祛除所述第一封装层11中的杂质且减小甚至避免对发光层造成破坏。
举例而言，形成的所述氮原子中性束中氮原子N的能量为30eV/atom、或35eV/atom、或40eV/atom、或45eV/atom、或50eV/atom。
所述氮原子中性束中氮原子N与所述第一封装层11中的杂质结合形成气体溢出，具体的，所述氮原子N与氢原子H形成氨气或其他气态氮氢化合物溢出，所述氮原子N与氧原子O形成气态氮氧化物溢出。
请参阅图7，图7是图1中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S200后还包括的方法的流程图。S200步骤中在所述“通入氮原子中性束对所述第一封装层11进行轰击，以祛除所述第一封装层11中的杂质”之后，所述封装层制作方法还包括：
S300：加热所述第一封装层11；
S400：对加热后的所述第一封装层11进行降温。
其中，S300和S400的方法主要是对所述第一封装层11进行热处理，具体为去应力退火。具体的，先加热所述第一封装层11，在对加热后的所述第一封装层11进行降温，使所述第一封装层11内的所述氮硅化合物损伤后其化学键进行重排，并释放出所述第一封装层11的膜材应力，最终提高所述第一封装层11的质量以及致密性。
具体的，若加热所述第一封装层11小于80℃或加热时长小于10分钟，则可能无法对所述第一封装层11中所述氮硅化合物的化学键进行损伤重排，导致无法有效的释放所述第一封装层11内的膜材应力；若加热所述第一封装层11大于120℃或加热时长大于20分钟，则可能对所述第一封装层11中所述氮硅化合物造成损坏，使其正常的功能受到影响，降低其致密性和水氧隔绝的性能。
请参阅图8，图8是图7中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S300所包括的流程图。S300步骤中所述加热所述第一封装层11预设时长，包括：
S310：于80℃～120℃下，对所述第一封装层11进行加热，并加热时长10～20分钟。
举例而言，可以在以下几个温度中的任意温度对所述第一封装层11进行加热，例如80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、115℃、120℃。且加热时长可以为10分钟、12分钟、15分钟、17分钟、19分钟或20分钟。
在对所述第一封装层11进行加热时，若对所述第一封装层11进行加热的温度越高，则所需的时间相应的越短；若对所述第一封装层加热的温度越低，则所需的时间对应的越长。
需要说明的是，在本实施方式中，加热所述第一封装层11的预设温度为80℃～120℃，在其他实施方式中，可以根据所述第一封装层11的规格和成分进行调整，本申请对此不作限定。同样的，在本实施方式中，加热所述第一封装层11的时长为10～20分钟，在其他实施方式中，加热时长也可以根据所述第一封装层11的规格和成分进行调整，本申请对此不作限定。
请参阅图9，图9是图7中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S400所包括的流程图。S400步骤中所述对加热后的所述第一封装层11进行降温，包括：
S410：对加热后的所述第一封装层11进行降温的时长为10～20分钟。
具体的，若对所述第一封装层11进行降温的时间小于10分钟，可能导致无法有效的释放所述第一封装层11内的膜材应力；若对所述第一封装层11进行降温的时间大20分钟，对所述第一封装层11中所述氮硅化合物造成损坏，使其正常的功能受到影响，降低其致密性和水氧隔绝的性能。
举例而言，对所述第一封装层11进行降温的时间可以为10分钟、12分钟、15分钟、17分钟、19分钟或20分钟。
可选的，本申请对所述第一封装层11进行降温的温度不作限定。
请参阅图10，图10是本申请实施方式提供的一种封装层的结构示意图。所述封装层10包括两层子封装层10以及夹设在所述两层子封装层10之间的有机层20，所述第一封装层11为所述两层子封装层10中的任意一者。
具体的，所述有机层20作为缓冲层，可用于缓释所述子封装层10内的应力，增强所述封装层10整体的柔性，进而提高OLED器件的柔性。
所述第一封装层11为所述两层所述子封装层10中的任意一者，可以说明的是，在本申请中，两层所述子封装层10的制作方法和组成材质成分相同，在其他实施方式中，也可以为其中一层所述子封装层10为第一封装层11，另一层所述子封装层10为采用其他实施方式或其他材质制成的子封装层10。
请参阅图11，图11是图1中提供一实施方式中的封装层制作方法流程后还包括的方法流程图。所述封装层10制作方法还包括：
S500：在所述第一封装层11的表面形成有机层20；
S600：在所述有机层20背离所述第一封装层11的表面形成第二封装层12，第二封装层12内包括氮硅化合物及杂质，其中，所述杂质包括氢原子及氧原子中的至少一者；
S700：通入氮原子中性束对所述第二封装层12进行轰击，以祛除所述第二封装层12中的杂质。
需要说明的是，本实施方式中，所述第二封装层12的制作方法与上述所述第一封装层11的制作方法与材质成分相同，本申请对此不在赘述。在其他实施方式中，所述第二封装层12的制作方法与所述第一封装层11的制作方法与材质成分也可以不同，本申请对此不作限定。
可选的，所述第一封装层11与所述第二封装层12的厚度可以为相同也可以为不相同，本申请对此不作限定。
请参阅图12，图12是图11中提供一实施方式中的封装层制作方法流程S700后还包括的方法的流程图。S700步骤在所述“通入氮原子中性束对所述第二封装层12进行轰击，以祛除所述第二封装层12中的杂质”之后，所述封装层10制作方法还包括：
S800：在所述加热所述第二封装层12；
S900：对加热后的所述第二封装层12进行降温。
S800和S900的方法主要是对所述第二封装层12进行热处理，具体为去应力退火。需要说明的是，本实施方式中，所述第二封装层12的退火温度与时间与所述第一封装层11的退火时间和温度完全相同，于80℃～120℃下，对所述第二封装层11进行加热，并加热时长10～20分钟。举例而言，可以在以下几个温度中的任意温度对所述第二封装层11进行加热，例如80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、115℃、120℃。加热时长可以为10分钟、12分钟、15分钟、17分钟、19分钟或20分钟。对加热后的所述第二封装层11进行降温的时长为10～20分钟。举例而言，对所述第二封装层11进行降温的时间可以为10分钟、12分钟、15分钟、17分钟、19分钟或20分钟。
在其他实施方式中，所述第二封装层12的退火温度与时间的范围和所述第一封装层11的退火时间与时间的范围相同，但具体所述第二封装层12的退火温度与时间和所述第一封装层11的退火时间与时间可以不相同，亦或者所述第二封装层12的退火温度与时间的范围也可以根据其材质相对于所述第一封装层11的退火温度与时间的范围作出调整，本申请对此不作限定。
具体的，请参阅图13，图13是本申请实施方式提供的一种封装层制作方法流程图。
请参阅图14，图14是本申请实施方式提供的一种有机发光二极管显示面板图。所述有机发光二极管显示面板100包括基板40、发光层30、第一封装层11、有机层20及第二封装层12，所述发光层30设于所述基板40上；所述第一封装层11围设于所述发光层30，所述第一封装层11与所述基板40形成第一密闭空间，所述发光层30位于所述第一密闭空间内，所述第一封装层11用于隔离所述发光层30与外界气体；所述有机层20设于所述第一封装层11上；所述第二封装层12围设于所述有机层20，所述第二封装层12与所述第一封装层11形成第二密闭空间，所述有机层20位于所述第二密闭空间内，所述第二封装层12用于隔离所述有机层20与外界气体。
其中，所述第一封装层11、所述有机层20及所述第二封装层12组合形成封装层10，所述第一封装层11和所述第二封装层12可以隔绝所述发光层30与外界水汽的接触，避免所述发光层30发光异常；所述有机层20可以作为缓冲层，可用于缓释所述第一封装层11内和所述第二封装层12内的应力，增强所述封装层10整体的柔性，进而提高整个所述有机发光二极管显示面板100的柔性。
其中，所述封装层10的水氧透过率(Water Vapor Transmission Rate，WVTR)小于或等于10-7g/m2/天。
有机发光二极管显示面板100的封装层10的封装性能，通常用水氧透过率来表示，通常来讲，相关技术中的水氧通过率为10-6g/m2/天，而本申请实施方式中提供的有机发光二极管显示面板100的封装层10在相同的厚度下，更小。具体为，所述封装层10的水氧透过率小于或等于10-7g/m2/天。
可选的，所述柔性基板40可以采用下述材料中的任意一种或多种制成：聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneglycolterephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalatetwoformicacidglycolester，PEN)、环烯烃聚合物(Cyclo-olefinpolymer，COP)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)。在其他实现方式中，基板40也可以选用非柔性基板40，本发明对此不做限制。
以上所述是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
Claims (8)
1.一种封装层制作方法，其特征在于，包括：
形成第一封装层，所述第一封装层内包括氮硅化合物及杂质，其中，所述杂质包括氢原子及氧原子，其中，形成第一封装层，包括：
加速第一气体轰击硅靶材以形成纳米硅薄膜，其中，所述第一气体为惰性气体；
通入并加速第二气体，所述第二气体与所述纳米硅薄膜反应以形成所述第一封装层，所述第一封装层厚度为100~500nm；
通入氮原子中性束对所述第一封装层进行轰击，其中，所述氮原子中性束为多个氮原子，所述氮原子和所述氢原子结合形成氨气，所述氮原子和所述氧原子形成氮氧化合物，所述氮原子中性束与杂质结合形成气体并从所述第一封装层中溢出，以祛除所述第一封装层中的杂质；其中，所述通入氮原子中性束对所述第一封装层进行轰击，包括：对氮气进行加速，以形成所述氮原子中性束，其中，所述氮原子中性束中氮原子的能量30~50eV/atom；
在所述第一封装层的表面形成有机层；以及
在所述有机层背离所述第一封装层的表面形成第二封装层，所述第二封装层厚度为100~500nm，所述封装层包括所述第一封装层、所述有机层及所述第二封装层，其中，所述封装层的水氧透过率小于或等于10-7g/m2/天。
2.根据权利要求1所述的封装层制作方法，其特征在于，所述第一气体和所述第二气体的气体流量比值为1:0.5~1:4。
3.根据权利要求1所述的封装层制作方法，其特征在于，在所述通入氮原子中性束对所述第一封装层进行轰击，以祛除所述第一封装层中的杂质之后，所述封装层制作方法还包括：
加热所述第一封装层预设时长；
对加热后的所述第一封装层进行降温。
4.根据权利要求3所述的封装层制作方法，其特征在于，所述加热所述第一封装层预设时长，包括：
于80℃~120℃下，对所述第一封装层进行加热，并加热时长10~20分钟。
5.根据权利要求3所述的封装层制作方法，其特征在于，所述对加热后的所述第一封装层进行降温，包括：
对加热后的所述第一封装层进行降温的时长为10~20分钟。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的封装层制作方法，其特征在于，所述封装层制作方法还包括：
通入氮原子中性束对所述第二封装层进行轰击，以祛除所述第二封装层中的杂质。
7.根据权利要求6所述的封装层制作方法，其特征在于，在所述通入氮原子中性束对所述第二封装层进行轰击，以祛除所述第二封装层中的杂质之后，所述封装层制作方法还包括：
加热所述第二封装层；
对加热后的所述第二封装层进行降温。
8.一种有机发光二极管显示面板，其特征在于，由权利要求1-7任意一项所述的封装层制作方法制备而成，包括：
基板；
发光层，所述发光层设于所述基板上；及
封装层，所述封装层包括第一封装层、有机层及第二封装层，所述第一封装层围设于所述发光层，所述第一封装层与所述基板形成第一密闭空间，所述发光层位于所述第一密闭空间内，所述第一封装层用于隔离所述发光层与外界气体；所述有机层设于所述第一封装层上；所述第二封装层围设于所述有机层，所述第二封装层与所述第一封装层形成第二密闭空间，所述有机层位于所述第二密闭空间内，其中，所述第一封装层的厚度为100~500nm，所述第二封装层厚度为100~500nm，所述封装层的水氧透过率小于或等于10-7g/m2/天。
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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