CN114784212A

CN114784212A - 有机电致发光器件及包含其的电子装置

Info

Publication number: CN114784212A
Application number: CN202210240782.0A
Authority: CN
Inventors: 马林楠; 张鹤鸣
Original assignee: Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd
Current assignee: Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd
Priority date: 2022-03-10
Filing date: 2022-03-10
Publication date: 2022-07-22

Abstract

本申请提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件的发光层主体材料包括第一主体化合物和第二主体化合物，第一主体化合物具有电子特征相对较强的双极特征，而第二主体化合物为其具有空穴特征相对较强的双极特征，二者搭配应用，增加电荷迁移率和稳定性，从而显著地改良发光效率和寿命特征。该有机电致发光器件的发光层与阳极之间还包括一层空穴调整层，该层可以调整空穴传输层的厚度，并且需要具有与发光层主体材料相匹配的能级，以调整空穴注入及传输，并有效阻止发光层中的电子进入空穴传输层，该层可以调整器件的载流子传输性能，提高电子和空穴结合率，进而提升器件的发光效率。

Description

有机电致发光器件及包含其的电子装置

技术领域

本申请涉及有机电致发光技术领域，具体而言，涉及一种有机电致发光器件及包含其的电子装置。

背景技术

近年来，有机电致发光器件(OLED，Organic electroluminescent device)作为下一代平板显示技术已受到人们的广泛关注。与液晶显示器LCD相比，OLED具有更宽广的色域、更高的对比度、更宽的温度适应范围、更快的响应时间以及可以实现柔性显示等。

有机电致发光器件(OLED)通常包含阳极、阴极和在这两个电极之间形成的有机层。该有机层可以包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层(含有主体和掺杂剂材料)、电子传输层、电子注入层等。若对有机电致发光器件施加电压，则由阳极和阴极分别将空穴与电子注入到发光层。接着在发光层中，所注入的空穴与电子再结合，形成激子。激子处于激发态向外释放能量，进而使得发光层对外发光。

根据电子自旋的统计规则，单重态激子和三重态激子是按照25％：75％的比例生成。而且依据发光原理的分类，荧光发光是利用单重态激子的发光，所以25％是有机电致发光元件内量子效率的极限。而对于磷光发光来说，它是利用三重态激子的发光，因此在由三重态激子有效地进行系间窜越的情况下，理论上内量子效率可以达到100％(即利用所有的单重态和三重态激子)。对于有机电致发光器件，对应于荧光型和磷光型的发光机理来设计性能最优的元件。特别是对于磷光型的有机电致发光器件，由其发光特性已知，单纯地挪用荧光元件技术时，得不到高性能的元件。但是，随着产业化进程的加快，具备低功耗、高效率、长寿命的OLED材料和器件设计方案越来越多的引起人们的关注。目前更为常见的OLED器件结构中，由于空穴型(P)材料的迁移率普遍高于电子型(N)材料，主体材料却通常是单一的N型材料，使用单一的N型主体材料往往具有较低的空穴迁移率甚至具备很强的空穴阻挡作用，因此导致电子与空穴在发光层的复合不充分，能量利用率低，最终导致电流效率低且严重影响器件寿命。

目前，有机电致发光器件的使用过程中仍存在性能较差的问题，例如存在驱动电压过高、发光效率过低或者寿命较短等问题，这些都影响了机电致发光器件的使用领域，因此，仍有必要对该领域进行进一步研究，以改善有机电致发光器件的性能。

发明内容

本申请的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种有机电致发光器件及包含其的电子装置，可提高发光效率，延长器件寿命。

一方面，本申请提供一种有机电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中空穴传输层与有机发光层之间还设有空穴调整层，所述空穴调整层中含有式I所示的化合物：

其中，L选自单键或碳原子数为6-20的取代或未取代的亚芳基；

Ar选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-30的取代或未取代的杂芳基；

各R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆，相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅基或碳原子数为1-5的烷氧基；

R₁～R₆以R_i表示，n₁～n₆以n_i表示，i为变量，表示1、2、3、4、5或6，n₁、n₂、n₃、n₄、n₅和n₆分别表示R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆的个数；

其中，当i为1时，n_i选自0、1、2或者3；当i为2、4、5或6时，n_i选自0、1、2、3或者4；当i为3时，n_i选自0、1、2、3、4或5，任意两个n_i的取值相同或不同；

Ar和L中的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为1-5的烷氧基或碳原子数为5-10的环烷基；任选地，在Ar中，任意两个相邻的取代基形成环；

所述有机发光层由发光层主体和掺杂剂组成，所述发光层主体包含第一主体化合物和第二主体化合物，所述第一主体化合物的结构如式II所示：

式II中，X和Z各自独立地为O、S、—N＝或N(R₇)，且X和Z中有且只有一个为—N＝；

R₇选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-30的取代或未取代的杂芳基；

R₈选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-30的取代或未取代的杂芳基；

各R₉独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为1-5的烷氧基，n₉表示R₉的个数，n₉选自0、1、2、3、4、5、6或7；

Het为6-18元缺电子含氮亚杂芳基；

L₁、L₂和L₃各自独立地选自单键、碳原子数为6-20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5-18的取代或未取代的亚杂芳基；

Ar₁和Ar₂各自独立地为氢、碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基；

R₇、R₈、L₁、L₂、L₃、Ar₁和Ar₂中的取代基各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为1-5的烷氧基或碳原子数为5-10的环烷基；

所述第二主体化合物的结构由式III和式III-2构成：

在式III中的*所示位置与式III-2中任意两个相邻的*位置稠合连接；

环A和环B各自独立地选自苯环或萘环；

L₄选自单键、碳原子数为6-20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5-18的取代或未取代的亚杂芳基；

Ar₃选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3-30的取代或未取代的杂芳基；

Y选自O、S或N(R₁₁)，R₁₁选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基或碳原子数为12-30的取代或未取代的杂芳基；

各R_a、R_b和R₁₀分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基或碳原子数为1-5的烷氧基；

n_a表示R_a的个数，n_a选自0、1、2、3、4、5或6，当n_a大于1时，任意两个R_a相同或不同；

n_b表示R_b的个数，n_b选自0、1、2、3、4、5或6，当n_b大于1时，任意两个R_b相同或不同；

n₁₀表示R₁₀的个数，n₁₀选自0、1或2，当n₁₀大于1时，任意两个R₁₀相同或不同；任选地，任意两个相邻的R₁₀相互连接形成6～10元芳环；

Ar₃、L₄和R₁₁中的取代基各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为1-5的烷氧基或碳原子数为5-10的环烷基；任选地，在Ar₃和R₁₁中，任意两个相邻的取代基形成环。

本申请提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件的发光层主体材料包括发光层第一主体化合物(式II化合物)和第二主体化合物(式III和式III-2构成的化合物)，第一主体化合物其具有电子特征相对较强的双极特征，而第二主体化合物为其具有空穴特征相对较强的双极特征，两种化合物搭配应用，增加电荷迁移率和稳定性，从而显著地改良发光效率和寿命特征。本申请提供的有机电致发光器件的有机发光层与空穴传输层还包括一层空穴调整层，该层可以调整空穴传输层的厚度，并且需要具有与发光层主体材料相匹配的LUMO能级，以有效阻止发光层中的电子进入空穴传输层，该层可以调整器件的载流子传输性能，提高电子和空穴结合率，进而提升器件的发光效率。

在本申请中，GH-N为电子型主体材料，GH-P为空穴型主体材料。

具体地，有机电致发光器件的发光层第一主体化合物(GH-N型材料)包括具有高电子传输特性的含氮六元环(Het基团)和稠合含氮杂芳环，以稳定且有效的传输电子，第二主体化合物(GH-P型材料)包含具有高T1的吲哚咔唑结构，其有效地注入和传输空穴。两种主体材料合理搭配，从而降低驱动电压、提高电流效率。有机电致发光器件的空穴调整层化合物(式I所示化合物)为具有双芴基的三芳胺结构，该化合物的LUMO值恰好与第一主体和第二主体化合物相匹配，通过大量实验验证，在发光层的相邻功能层增加该空穴调整化合物，最终能够实现对器件功能层内的电子和空穴传输特性的调节，以实现空穴和电子传输的最佳平衡，最大限度的提升器件的发光效率并降低器件工作电压，延长器件寿命。

另一方面，本申请提供一种电子装置，其包括上述的有机电致发光器件。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。

图1是本申请一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。

图2是本申请一实施方式的电子装置的结构示意图。

附图标记说明

100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；321、空穴传输层；322、空穴调整层；330、有机发光层；340、空穴阻挡层；350、电子传输层；360、电子注入层；400、电子装置。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。

在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

本申请提供一种有机电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中空穴传输层与有机发光层之间还设有空穴调整层，所述空穴调整层中含有式I所示的化合物：

各R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅基或碳原子数为1-5的烷氧基；

其中，当i为1时，n_i选自0、1、2或者3；当i为2、4、5或6时，n_i选自0、1、2、3或4；当i为3时，n_i选自0、1、2、3、4或5，任意两个n_i的取值相同或不同；

即：在上述式II中，虚线表示，当X为—N＝时，则X-C(R₈)之间为双键，Z-C(R₈)之间为单键，反之，若Z为—N＝，则Z-C(R₈)之间为双键，C(R₈)-X之间为单键；R₇选自碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基、碳原子数为12-30的取代或未取代的杂芳基；

Het为6-18元缺电子含氮亚杂芳基；

所述第二主体化合物的结构由式III和式III-2构成：

环A和环B各自独立地选自苯环或萘环；

n₁₀表示R₁₀的个数，n₁₀选自0、1或2，当n₁₀大于1时，任意两个R₁₀相同或不同；任选地，任意两个相邻的R₁₀相互连接形成6-10元芳环；

Ar₃、L₄、R₁₁中的取代基各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为1-5的烷氧基或碳原子数为5-10的环烷基任选地，在Ar₃和R₁₁中，任意两个相邻的取代基形成环。

在本申请中，所采用的描述方式“各……独立地为”与“……分别独立地为”和“……独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，“

其中，各q独立地为0、1、2或3，各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式Q-1表示苯环上有q个取代基R”，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响；式Q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”，两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响。

本申请中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以发生也可以不发生。例如，“任选地，任意两个相邻的取代基形成环”意味着这两个取代基可以形成环也可以不形成环，即包括：两个相邻的取代基形成环的情景和两个相邻的取代基不形成环的情景。再比如，“任选地，任意两个相邻的Ra形成环”是指任意两个相邻的取代基Ra可以相互连接形成环，或者任意两个相邻的取代基Ra也可以各自独立的存在。在本申请中，“两个相邻的取代基形成环”中，“相邻”可以包括同一个原子上具有两个取代基，还可以包括两个相邻的原子上分别具有一个取代基；其中，当同一个原子上具有两个取代基时，两个取代基可以与其共同连接的该原子形成饱和或不饱和的环；当两个相邻的原子上分别具有一个取代基时，这两个取代基可以稠合成环。举例而言，两个相邻的R₁₀相互连接形成6-10元芳环，指相邻的取代基形成环时，可以形成6-10元芳环，例如：苯环、萘环。

本申请中的“环”包含饱和环(即脂肪环)、不饱和环；饱和环即环烷基、杂环烷基，不饱和环，即环烯基、杂环烯基、芳基和杂芳基。在本申请中，n个原子形成的环体系，即为n元环。例如，苯基为6元芳基。本申请中的5-13元环例如但不限于：环戊烷、环己烷、苯环、茚环、金刚烷、芴环、萘环等。5-13元环是指由5-13个环原子形成的环体系。例如芴环属于13元环，环己烷属于6元环，金刚烷属于10元环。

进一步地，6-10元芳环选自苯环或萘环。

在本申请中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为Rc)。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者非取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、氰基、氟、碳原子数为1-5的烷基、碳原子数为1-5的卤代烷基、碳原子数为1-5的氘代烷基、碳原子数为6-12的芳基、碳原子数为5-12的杂芳基、碳原子数为3-12的三烷基硅基、碳原子数为1-5的烷氧基或碳原子数为5-10的环烷基。在本申请中，“取代的”官能团可以被上述Rc中的1个或2个以上的取代基取代；当同一个原子上连接有两个取代基Rc时，这两个取代基Rc可以独立地存在或者相互连接以与所述原子形成环；当官能团上存在两个相邻的取代基Rc时，相邻的两个取代基Rc可以独立地存在或者与其所连接的官能团稠合成环。

本申请中，“多个”是指2个以上，例如2个、3个、4个、5个、6个，等。

在本申请中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若L选自取代的碳原子数为12的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。例如：L为

其碳原子数为12。

本申请中，碳原子数为1-5的烷基可以包括碳原子数1至5的直链烷基和碳原子数3至5的支链烷基。烷基的碳原子数例如可以为1、2、3、4、5，烷基的具体实例包括但不限于，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基等。

在本申请中，环烷基指的是含有脂环结构的饱和烃，包含单环和稠环结构。环烷基可具有5-10个碳原子，诸如“5至10”的数值范围是指给定范围中的各个整数；例如，“5至10个碳原子”是指可包含5个碳原子、6个碳原子、7个碳原子、8个碳原子、9个碳原子或10个碳原子的环烷基，例如但不限于，环己基、环戊基、金刚烷基。

本申请中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有B、N、O、S、P、Se和Si等杂原子。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、三亚苯基、苯并荧蒽基、

基等。

本申请中，芴基可以被1个、2个或更多个取代基取代，其中，任意相邻的2个取代基还可以彼此结合而形成取代或未取代的螺环结构。在上述芴基被取代的情况下，取代的芴基可以为：

等，但并不限定于此。

本申请中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。

本申请中，三联苯基包括

本申请中，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基和取代基的总碳原子数为18。

本申请中，取代或未取代的芳基的碳原子数可以为6、10、12、13、14、15、16、17、18、20、25或30。在一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6-30的取代或未取代的芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6-25的取代或未取代的芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6-18的取代或未取代的芳基，又一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6-15的取代或未取代的芳基。

本申请中，作为取代基的芳基例如为，但不限于，苯基、萘基、蒽基、菲基、联苯基、芴基等。

在本申请中，杂芳基是指环中可以包含1、2、3、4、5或6个杂原子的一价芳香环或其衍生物，杂原子可以是B、O、N、P、Si、Se和S中的至少一种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及N-苯基咔唑基、N-吡啶基咔唑基、N-甲基咔唑基等，而不限于此。

本申请中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个或多个氢原子所形成的二价或更高价基团。

本申请中，取代或未取代的杂芳基的碳原子数可以选自3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30。在一些实施方案中，取代或未取代的杂芳基是碳原子数为5-30的取代或未取代的杂芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的杂芳基是碳原子数为12-18的取代或未取代的杂芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的杂芳基是碳原子数为5-18的取代或未取代的杂芳基，又一些实施方式中，取代或未取代的杂芳基是碳原子数为5-12的取代或未取代的杂芳基。

本申请中，作为取代基的杂芳基例如但不限于，吡啶基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基。

本申请中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、-CN、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、卤代烷基等基团取代。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。

本申请中，6-18元缺电子含氮亚杂芳基指的是包含至少一个sp²杂化氮原子的杂芳基，这类杂芳基中的氮原子中孤对电子不参与共轭，因此整体电子密度较低。“6-18元缺电子含氮亚杂芳基”就是由6-18个环原子形成的、含有sp2杂化氮原子的杂芳环失去二个以上氢原子形成的基团，例如但不限于，亚嘧啶基、亚三嗪基、亚哒嗪基、亚吡嗪基、亚喹唑啉基、亚喹喔啉基、亚吡啶并嘧啶基、亚吡啶并吡嗪基、亚吡嗪并吡嗪基、亚菲咯啉基、亚二氮杂二苯并噻吩基、亚二氮杂二苯并呋喃基等。

进一步地，6-18元缺电子含氮亚杂芳基中至少包含两个氮原子。

在本申请中，卤素基团可以包括氟、碘、溴、氯等。

本申请中，三烷基硅基是指

其中，R^G1、R^G2、R^G3分别独立地为烷基，三烷基硅基的具体实例，包括但不限于，三甲基硅基、三乙基硅基、叔丁基二甲基硅基、丙基二甲基硅基。

本申请中，“卤代烷基”表示烷基基团被一个或多个卤素原子所取代，其中烷基基团具有如本申请所述的含义。在一种实施方案中，碳原子数为1-5的卤代烷基包含碳原子数为1-5的氟取代的烷基，这样的实例包含，但并不限于，三氟甲基、二氟甲基、1-氟-2-氯乙基等。

本申请中，不定位连接键是指从环体系中伸出的单键

或

其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f-1)～式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。

再举例而言，如下式(X')中所示地，式(X')所表示的芴基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(X'-1)～式(X'-5)所示出的任一可能的连接方式。

本申请中的不定位取代基，指的是通过一个从环体系中央伸出的单键连接的取代基，其表示该取代基可以连接在该环体系中的任何可能位置。例如，如下式(Y)中所示地，式(Y)所表示的取代基R'通过一个不定位连接键与喹啉环连接，其所表示的含义，包括如式(Y-1)～式(Y-7)所示出的任一可能的连接方式。

本申请中，式I所示的化合物具体具有如下式I-1至I-4所示结构：

在一些实施方案中，式I中，各R₁、R₂、R₃、R₄、R₅和R₆分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、三氟甲基、三氘代甲基或三甲基硅基。

在一些实施方案中，式I中，n₄为0或1，R₄选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、三氟甲基或三氘代甲基。

在一些实施方案中，式I中，Ar选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。

可选地，Ar中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基；任选地，Ar中，任意两个相邻的取代基形成苯环

或芴环

可选地，Ar选自以下基团所组成的组：

进一步可选地，Ar选自以下基团：

在一些实施方案中，式I中，L选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基。

可选地，L中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或苯基。

在一些更具体的实施方案中，式I中，L选自单键或以下基团：

在一些更具体的实施方案中，式I化合物选自如下化合物所构成的组：

在本申请的一些实施方案中，式II中，Het基团选自以下基团所构成的组：

其中，-*表示与L₃连接的键，其余两个连接键

分别连接L₁和L₂。

其中，

表示Het与L₃基团连接的位置，

表示Het与-L₁-Ar₁连接的位置，

表示Het与-L₂-Ar₂连接的位置；不含有

的结构，则表示在该结构中L₂为单键，Ar₂为氢。

在本申请中，式II中的所述Het基团为三嗪基时，化合物的空穴迁移率和电子迁移率之间达到更好的平衡，用于器件中的发光层时，器件的效率较好。

在本申请的一些实施方案中，式II中，X和Z各自独立地为O、S或—N＝。

在本申请的一些实施方案中，式II中，L₃为单键或亚苯基。

可选地，式II中，

选自以下结构所组成的组：

在本申请的一些实施方案中，式II化合物具有以下结构式II-1：

Z选自O或S。

进一步地，式II化合物具有以下式II-2～II-5所示的结构：

在本申请的一些实施方案中，式II中，R₈选自以下基团所构成的组：

进一步可选地，式II中，R₈选自以下基团所构成的组：

在一些实施方案中，式II中，各R₉独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基。

在一些实施方案中，式II中，L₁、L₂和L₃各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基。

可选地，L₁、L₂和L₃中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或苯基。

在一些更具体的实施方案中，式II中，L₁、L₂和L₃各自独立地选自单键或以下基团所构成的组：

在一些实施方案中，Ar₁选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。

Ar₂选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。

可选地，Ar₁、Ar₂中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基。

在一些实施方案中，Ar₁选自以下基团，Ar₂选自氢或以下基团所构成的组：

在一些更具体的实施方案中，Ar₁选自以下基团，Ar₂选自氢或以下基团所构成的组：

在一些更具体的实施方案中，式II化合物选自如下化合物所构成的组：

在一些实施方案中，所述第二主体化合物中，n_a、n_b均为0。

在一些实施方案中，所述第二主体化合物选自如下结构III-3～III-21：

在一些实施方案中，所述第二主体化合物中，R_a、R_b和R₁₀各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基、三氟甲基、三氘代甲基或三甲基硅基，任选地，任意两个相邻的R₁₀相互连接形成苯环或萘环。

在一些实施方案中，所述第二主体化合物中，L₄选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基。

可选地，L₄中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或苯基。

在一些更具体的实施方案中，所述第二主体化合物中，L₄选自单键或以下基团所构成的组：

在一些实施方案中，所述第二主体化合物中，Ar₃和R₁₁各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。

可选地，Ar₃和R₁₁中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基；任选地，Ar₃和R₁₁中，任意两个相邻的取代基形成芴环

可选地，所述第二主体化合物中，Ar₃选自以下基团所组成的组：

可选地，R₁₁选自以下基团所组成的组：

进一步可选地，Ar₃选自以下基团：

可选地，所述第二主体化合物中，R₁₁选自以下基团所组成的组：

在一些更具体的实施方案中，所述第二主体化合物选自如下化合物构成的组：

本申请中，有机电致发光器件的发光层包含主体材料和掺杂剂。主体材料包含第一主体化合物以及第二主体化合物。第一主体化合物与第二主体化合物的质量比为1∶99至99∶1，优选10∶90至90∶10，更优选30∶70至70∶30，甚至更优选40∶60至60∶40。

在一些实施方案中，有机电致发光器件的发光层主体中第一主体化合物(式II化合物)和第二主体化合物(式III与式III-2稠合连接形成的化合物)的质量比为30:70～70:30。

可选地，发光层主体中第一主体化合物(式II化合物)和第二主体化合物(式III化合物)的质量比为35:60、40:60、45:55、50:50、55:45、60:40、65:35。

第一主体化合物和第二主体化合物可以通过将它们放置在振荡器中并且然后将它们混合；通过借助于加热将它们放置在玻璃管中将它们溶解、并且然后收集所得物，或通过将它们溶解在溶剂中等来以所希望的比率的量组合。

本申请不仅提供包含由式II表示的化合物和由式III表示的化合物用作发光层并且由式I化合物作为器件的空穴调整层的有机电致发光器件。本申请还提供了包含本公开的有机电致发光器件的电子装置。

本申请的有机电致发光器件包括第一电极；第二电极；以及至少一个在第一电极与第二电极之间的有机层。第一电极和第二电极中的一个可以是阳极，并且另一个可以是阴极。有机层包含有机发光层，并且进一步包含至少一个选自以下的层：空穴注入层、空穴传输层、空穴调整层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层。每个层可以进一步由多个层组成或者由多种材料混合形成。

根据形成第一电极和第二电极的材料的种类，有机电致发光装置可以是顶部发光型、底部发光型、或两侧发光型。

为了形成构成本申请的有机电致发光装置的每个层，可以使用干法成膜方法，如真空沉积、溅射、等离子体、离子镀方法等，或湿法成膜方法，如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝式涂布、旋涂、浸涂、流涂方法等。当使用湿法成膜方法时，通过将构成每个层的材料溶解或分散在合适溶剂如乙醇、氯仿、四氢呋喃、二噁烷等中来形成薄膜。所述溶剂不受特别限制，只要构成每个层的材料在成膜能力方面没有问题的溶剂中是可溶的或可分散的。

另外，第一主体化合物和第二主体化合物可以在以上列出的方法中进行膜形成，通常通过共蒸发方法或混合蒸发方法。共蒸发是其中将两种或更多种材料放置在相应的单个坩埚源中并且同时向两个小室施加电流以蒸发材料的混合沉积方法。混合蒸发是其中将两种或更多种材料在蒸发之前在一个坩埚源中混合并且向小室施加电流以蒸发材料的混合沉积方法。

按照一种实施方式，如图1所示，有机电致发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、空穴注入层310、空穴传输层321、空穴调整层322、有机发光层330、电子传输层350、电子注入层360和阴极200。

任选地，在所述有机发光层330与所述电子传输层350之间设置有空穴阻挡层340。

可选地，阳极100包括以下阳极材料，其可选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料具体实例包括：金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)；组合的金属和氧化物如ZnO∶Al或SnO₂∶Sb；或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。可选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ITO)作为阳极的透明电极。

本申请中，空穴传输层321可以包括一种或者多种空穴传输材料，空穴传输材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物，具体可以选自如下所示的化合物或者其任意组合：

在一种实施方式中，空穴传输层321包含化合物HT-17。

可选地，空穴调整层322(也称第二空穴传输层或电子阻挡层)还可以包含其他三芳胺类化合物，本申请对此不做特殊的限制。在一种实施方式中，空穴调整层322为本申请的式I化合物。

本申请提供的化合物具有很高的空穴传输效率，可以提高空穴传输层整体的空穴传输效率；本申请提供的有机化合物为三芳胺化合物，具有较大的带隙宽度。具有较浅的LUMO，使得该空穴调整层322可以实现电子阻挡效果，提高有机电致发光器件的寿命。再一方面，本申请提供的有机化合物能够具有适宜的HOMO能级，使得空穴调整层322与空穴传输层321之间的HOMO能级均较小，进而可以提高空穴传输层321的空穴注入效率，并降低有机电致发光器件的工作电压。

本申请中，在阳极100和空穴传输层321之间还设置有空穴注入层310，以增强向空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。所述空穴注入层310的材料例如可以选自如下化合物或者其任意组合；

在本申请的一种实施方式中，空穴注入层310包含HAT-CN。

在本申请中，有机发光层是光从中发射出的层，并且可以是单层或其中堆叠了两个或更多个层的多层。根据本申请的实施例，在发光层中相对于主体化合物而言，掺杂剂化合物的掺杂浓度可以是小于20％(重量百分比)。

有机发光层330由主体材料和掺杂剂组成，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给掺杂剂，进而使得掺杂剂能够发光。

所述掺杂剂是至少一种磷光掺杂剂或荧光掺杂剂，优选为至少一种磷光掺杂剂。掺杂剂可以选自红光磷光掺杂剂、绿光磷光掺杂剂或蓝光掺杂剂。应用于本申请的磷光掺杂剂材料不受特别限制，但可以优选地选自金属化的铱(Ir)、锇(Os)、铜(Cu)、和铂(Pt)的络合化合物，更优选地选自邻位金属化的铱(Ir)、锇(Os)、铜(Cu)、和铂(Pt)的络合化合物，并且甚至更优选地邻位金属化的铱络合化合物。

所述磷光掺杂剂的具体实例包括但不限于，

在一种实施方式中，所述掺杂剂为Ir(dmpq)₂(acac)。

电子传输层350可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料通常可以包含金属络合物和/或含氮杂环衍生物，其中，所述金属络合物材料例如可以选自LiQ、Alq₃、Bepq₂等；所述含氮杂环衍生物可以为具有含氮六元环或五元环骨架的芳香族环、具有含氮六元环或五元环骨架的稠合芳香族环化合物等，具体实例包括但不限于，BCP、Bphen、NBphen、DBimiBphen、BimiBphen等1,10-菲咯啉类化合物，或者结构如下所示的含杂氮芳基的蒽类化合物、三嗪类或嘧啶类化合物。

在一种具体的实施方式中，所述电子传输层350包含LiQ和ET-17。

可选地，阴极200包括以下阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括：金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如LiF/Al、Liq/Al、LiO₂/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF₂/Ca，但不限于此。优选包括包含镁和银的金属电极作为阴极。

可选地，所述有机电致发光器件还包括空穴阻挡层340，空穴阻挡层340位于所述有机发光层330与所述电子传输层350之间，空穴阻挡层可以调整电子传输速率且可以阻挡空穴从发光层中流出。

空穴阻挡层的具体实例包括但不限于，如下所示的三嗪类或嘧啶类化合物。在一种具体的实施方式中，所述空穴阻挡层340包含a-ET-1。

可选地，如图1所示，在阴极200和电子传输层350之间还设置有电子注入层360，以增强向电子传输层350注入电子的能力。电子注入层360可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。例如，电子注入层360的材料可以选自LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO、LiQ、NaCl、CsF、Cs₂CO₃、Na、Li、Ca、Al、Yb中的一种或两种以上。在一种具体的实施方式中，所述电子注入层360的材料可以包括Yb。

第二方面，本申请提供一种电子装置，该电子装置包括上述有机电致发光器件。

如图2所示，所述电子装置为电子装置400，电子装置400可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置，例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。

下面将结合实施例详细描述本申请，但是，以下描述是用于解释本申请，而不是以任意方式限制本申请的范围。

合成实施例

所属领域的专业人员应该认识到，本申请所描述的化学反应可以用来合适地制备许多本申请的其他化合物，且用于制备本申请的化合物的其它方法都被认为是在本申请的范围之内。例如，根据本申请那些非例证的化合物的合成可以成功地被所属领域的技术人员通过修饰方法完成，如适当的保护干扰基团，通过利用其他已知的试剂除了本申请所描述的，或将反应条件做一些常规的修改。另外，本申请所公开的反化合物合成。

(一)式I化合物均可按照类似合成过程制备，以下列化合物的制备为例进行示例。

中间体A的合成

在N₂保护下，将9-(3-溴苯基)-9-苯基芴(0.056mol，22.2g)、4-氨基二甲基芴(0.056mol，11.7g)、甲苯(160mL)加入至250mL三口圆底烧瓶中，回流搅拌30min，降温至70℃-80℃，加入t-BuONa(0.084mol，8.07g)、x-Phos(0.001mol，0.53g)、Pd₂(dba)₃(0.0005mol，0.4576g)，待体系温度稳定后，回流反应4小时，停止反应，待反应液冷却至室温，加入100mL去离子水，用甲苯/水进行萃取，并水洗有机相至中性，加入无水硫酸镁除水30min，过滤后浓缩，以EA(乙酸乙酯):正庚烷(正庚烷)＝1:10(体积比)为淋洗剂过硅胶柱，得到白色固体状的中间体MA-1(23.5g，收率79.9％)。

参考中间体MA-1的合成过程，以原料2代替4-氨基二甲基芴，原料3代替9-(3-溴苯基)-9-苯基芴，制备中间体MA-1X、MB-X、MC-X、MD-1，其中中间体的编号，对应的原料，结构及合成收率示于表1中：

表1

化合物1的合成

在N₂的保护下，将中间体MA-1(15.98g，30.4mmol)、溴苯(4.77g，30.4mmol)、甲苯(100mL)于250mL三口圆底烧瓶中，回流搅拌，溶液溶解至澄清，降温至70-80℃，加入叔丁醇钠(4.4g，45.7mmol)、s-Phos(0.25g，0.61mmol)、Pd₂(dba)₃(0.28g，0.330mmol)，回流反应6小时，停止反应，待反应温度冷却至室温，用甲苯，去离子水萃取反应液，并水洗至中性后，加入无水硫酸镁除水，用DCM：正庚烷＝1：4作为淋洗剂过柱，浓缩柱后液，用甲苯和正庚烷进行重结晶，过滤后得白色产物，即化合物A-1(15.5g，收率84.7％)。LC-MS(ESI，pos.ion)，m/z:602.28[M+H]⁺。

参考化合物A-1的合成过程，以中间体X代替中间体MA-1，原料4替代溴苯制备化合物，其中化合物的编号，原料，结构，合成收率及质谱表征示于表2中。

表2

化合物A-131的合成

在氮气的保护下，称取2-溴-联苯(123g,530mmol)、THF(852mL)于2L三口圆底烧瓶内，溶解至澄清后，降温至-80℃～-90℃，量取n-BuLi(2.5M,254.75mL)逐滴缓慢滴加至反应体系中，在-80℃～-90℃下恒温反应50min后，称取(3-氯-5-甲苯基)苯基甲酮(122.2g,530mmol)，用THF(260mL)将(3-氯-5-甲苯基)苯基甲酮溶解后，逐滴缓慢滴加至反应体系中，在-80℃～-90℃下恒温反应1h。待反应结束后，自然升温至室温，向反应液倒入5％盐酸至pH<7，充分搅拌后，加入DCM进行萃取，合并有机相，水洗至中性，用无水硫酸镁进行干燥，过滤后减压除去溶剂，将所得油状物，加入至有正庚烷的烧瓶内，加热回流至澄清溶液，置于-20℃下重结晶，得到白色固体中间体M-1(79.4g,收率39％)。

在氮气的保护下，称取中间体M-1(138.6g,360mmol),并量取冰乙酸(1.5L)，在50℃-60℃下搅拌，待反应液完全澄清后，滴入浓硫酸(3.08mL)，继续升温至70℃-80℃，搅拌30min后，待反应液自然降温至室温，倒入去离子水(2L)，充分搅拌后过滤，将滤饼用去离子水淋洗至中性，放入真空干燥箱内烘料1h，用DCM将其溶解，加入无水硫酸钠干燥30min，过滤后减压除去溶剂，加入正庚烷和DCM，将粗产物置于-20℃重结晶，过滤后于真空干燥箱内烘料，得白色固体中间体M-2(120g，产率91％)。

在N₂的保护下，将中间体M-2(11.15g，30.4mmol)、N-[1,1'-联苯-4-基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(10.98g，30.4mmol)、甲苯(100mL)加入到250mL三口圆底烧瓶中，回流搅拌，溶液溶解至澄清，调整温度至70-80℃，加入叔丁醇钠(4.4g，45.7mmol)、s-Phos(0.25g，0.61mmol)、Pd₂(dba)₃(0.28g，0.330mmol)，回流反应6h，停止反应，待反应温度冷却至室温，用甲苯和去离子水萃取反应液，有机相水洗至中性后，加入无水硫酸镁除水，用DCM：正庚烷(v/v)＝1：4作为淋洗剂过硅胶柱纯化，浓缩洗脱液，用甲苯和正庚烷进行重结晶，过滤后得白色产物，即化合物A-131(17.8g，收率84.7％)。LC-MS(ESI，pos.ion)，m/z:692.32[M+H]⁺。

部分化合物的核磁数据如下表3：

表3：

(2)第二主体化合物均可按照类似合成过程制备，以下列化合物的制备为例进行示例。

中间体D-1-a合成：

将2-溴咔唑(30.0g，121.8mmol)、碘苯(24.8g，78.03mmol)、CuI(4.64g，24.3mmol)，K₂CO₃(37.0g，268.1mmol)、18-冠醚-6(3.2g，12.1mmol)加入三口烧瓶中，并加入干燥过的DMF(300mL)溶剂，氮气保护下，升温至150℃，保持温度搅拌17h；冷却至室温，停止搅拌，反应液水洗后分离有机相，使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体D-1-a(26.3g，67％)。

中间体MD-1-b的制备

将中间体D-1-a(26.0g，80.6mmol)、邻氯苯胺(11.3g，88.7mmol)、Pd₂(dba)₃(0.73g，0.8mmol)，x-phos(0.76g，1.6mmol)，叔丁醇钠(11.6g，121.0mmol)加入三口烧瓶中，并加入甲苯(300mL)溶剂，氮气保护下，升温至110℃，保持温度搅拌15小时；冷却至室温，停止搅拌，反应液水洗后分离有机相，使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体MD-1-b(15.7g，收率53％)。

中间体MD-1的制备

将中间体MD-1-b(15.0g，46.5mmol)，碳酸铯(37.9g，116.3mmol)，三环己基磷氟硼酸盐(8.5g，23.2mmol)，Pd₂(dba)₃(0.52g，2.3mmol)，加入三口烧瓶中，并加入甲苯(150mL)溶剂，氮气保护下，升温至110℃，保持温度搅拌10小时；冷却至室温，停止搅拌，反应液水洗后分离有机相，使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物中间体MD-1(9.43g，收率61％)。

参考中间体MD-1的合成过程，将原料5替代2-溴咔唑，原料6代替碘苯，原料7代替邻氯苯胺制备中间体D-X,其中中间体D-X的编号，原料，中间体结构及合成收率等展示在表4中：

表4

化合物B-81合成

将中间体MD-7(12.76g，27.0mmol)、4-溴联苯(6.32g，27.0mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.2g，0.3mmol)、2-二环己基膦-2′,6′-二甲氧基-联苯(0.2g，0.5mmol)、叔丁醇钠(5.2g，154.1mmol)加入三口烧瓶中，并加入甲苯(300mL)溶剂，氮气保护下，升温至110℃，保持温度搅拌15小时；冷却至室温，停止搅拌，反应液水洗后分离有机相，使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体产物B-81(10.98g，收率64％)；质谱：m/z＝625.22[M+H]⁺。

参考化合物B-81的合成化合物，以中间体MD-X代替中间体MD-7，原料8代替4-溴联苯，其中原料，化合物的编号及其结构，合成收率及表征等展示在表5中：

表5

(3)式II化合物均可按照类似合成过程制备，以下列化合物的制备为例进行示例。

化合物C-1的合成

在N₂保护下，称取原料R-1(CAS:2085325-18-2)(12.6g,0.03mol)，原料R-2(CAS:1883265-32-4)(10.7g,0.03mol)，碳酸钾(8.29,0.06mol)，TBAB(0.97g,0.003mol)，Pd(PPh₃)₄(0.35g，0.0003mol),甲苯(60mol)，无水乙醇(30mL)，去离子水(10mL)，于250mL三口圆底烧瓶中，回流搅拌反应4h后，TLC检测反应已完成，停止反应，待反应冷却至室温，用水和甲苯萃取反应液，水洗有机相至中性，加入无水硫酸钠除水，过滤后浓缩，用DCM:正庚烷(v/v)＝1:3进行柱层析纯化，得白色固体产物化合物C-1(12.7g，收率69％)，质谱：m/z＝617.19M+H]⁺。

按照化合物C-1的反应路线合成化合物，将原料9代替R-1，原料10代替原料R-2，其中化合物的编号，原料，结构、合成收率及表征等展示在表6中。

表6

有机电致发光器件的制作及评估实施例

实施例1：红色有机电致发光器件

先通过以下过程进行阳极预处理：在厚度依次为

的ITO/Ag/ITO基板上，利用紫外臭氧以及O2:N2等离子进行表面处理，以增加阳极的功函数，采用有机溶剂清洗ITO基板表面，以清除ITO基板表面的杂质及油污。

在实验基板(阳极)上真空蒸镀HAT-CN以形成厚度为

的空穴注入层(HIL)，并且在空穴注入层上真空蒸镀化合物HT-17，形成厚度为

的空穴传输层。

在空穴传输层上真空蒸镀化合物A-1，形成厚度为

的空穴调整层。

然后，将化合物C-3作为第一主体，化合物B-33作为第二主体，二者以6:4的重量比混合形成混合主体，在空穴调整层上，将混合主体与掺杂剂Ir(dmpq)₂(acac)按照95％：5％的蒸镀速率比共同真空蒸镀，形成厚度为

的有机发光层(EML)。

接着，在有机发光层上真空蒸镀化合物a-ET-1，以形成厚度为

的空穴阻挡层；并在空穴阻挡层上，将化合物ET-17和LiQ以50％：50％的重量比共同蒸镀，形成厚度为

的电子传输层(ETL)，将Yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为

的电子注入层(EIL)，然后将镁(Mg)和银(Ag)以1：9的蒸镀速率混合，真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为

的阴极。

此外，在上述阴极上蒸镀CP-1，形成厚度为

的覆盖层(CPL)，从而完成红色有机发光器件的制作。

实施例2～67

除了在形成空穴调整层与发光层混合主体时，以下表7中的化合物替代实施例1中所使用的化合物外，利用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。

对比例1

除了在形成发光层主体时，以下表7中的化合物S-RH-1替代实施例1中所使用的混合主体外，利用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。

对比例2

除了在形成发光层的混合主体时，以下表7中的化合物C-39搭配化合物RP-1替代实施例1中所使用的化合物外，利用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。

对比例3

除了在形成空穴调整层时，以下表7中的化合物EB-1替代实施例1中所使用的化合物A-1外，利用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。

对比例4

除了在形成空穴调整层时，以下表7中的化合物EB-2替代实施例1中所使用的化合物A-1外，利用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。

对比例5

除了器件中不设置空穴调整层外，利用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。

对比例6

除了在形成发光层主体时，以化合物C-3替代实施例1中所使用的混合主体外，利用与实施例1相同的方法制作红色有机电致发光器件。

对比例中的化合物结构如下：

对实施例1～67和比较例1～6制备所得的红色有机电致发光器件进行性能测试，具体在10mA/cm²的条件下测试了器件的IVL性能，T95器件寿命在20mA/cm²的条件下进行测试，测试结果展示在下表7中。

表7

由上表7可见，实施例1～67与对比例1～6比较，整体而言器件的发光效率至少提高16％，T₉₅寿命至少提高14％。

对比例1中，器件的发光层主体材料采用化合物SRH-1作为单一主体，与实施例1～67相比，器件的发光效率和T95寿命都有下降，其中发光效率下降至少30％，使用寿命下降至少28％。对比例2中，器件的发光层主体依然采用混合主体，将其中P-型主体替换为化合物RP-1，与实施例1～67相比，器件的发光效率和T95寿命都有下降，其中发光效率下降至少16％，使用寿命下降至少14％。因此可以看出，在器件中空穴调整层为式I化合物时，发光层主体材料搭配本申请式II和式III化合物，可以显著的提高器件发光效率和使用寿命。

在对比例3～5中，器件发光层主体材料采用式II和式III化合物混合，替换空穴调整层材料之后，器件的发光性能也有显著下降。由此可验证，本申请式I化合物作为空穴调整层，本申请式II和式III化合物作为发光层混合主体材料，这样的搭配可以显著提高有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。

Claims

1.有机电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中空穴传输层与有机发光层之间还设有空穴调整层，所述空穴调整层中含有式I所示的化合物：

Het为6-18元缺电子含氮亚杂芳基；

所述第二主体化合物的结构由式III和式III-2构成：

式III中的*所示位置与式III-2中任意两个相邻的*位置稠合连接；

环A和环B各自独立地选自苯环或萘环；

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，Ar选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；

可选地，Ar中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基；任选地，Ar中，任意两个相邻的取代基形成苯环或芴环。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，Ar选自以下基团所组成的组：

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，L选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基；

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式I所示的化合物选自如下化合物所构成组：

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，Het基团选自以下基团所构成的组：

其中，

表示Het与L₃基团连接的位置，

表示Het与-L₁-Ar₁连接的位置，

表示Het与-L₂-Ar₂连接的位置；不含有

的结构，则表示在该结构中L₂为单键，Ar₂为氢。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式II化合物具有以下结构式II-1所示结构：

Z选自O或S。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，R₈选自以下基团构成的组：

9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，L₁、L₂和L₃各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基；

10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，Ar₁选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；

Ar₂选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；

可选地，Ar₁和Ar₂中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基。

11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，Ar₁选自以下基团，Ar₂选自氢或以下基团所构成的组：

12.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，第一主体化合物选自如下化合物所构成的组：

13.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二主体化合物选自如下结构III-3～III-21：

14.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，L₄选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基；

15.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，Ar₃和R₁₁各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；

可选地，Ar₃和R₁₁中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基；任选地，Ar₃和R₁₁中，任意两个相邻的取代基形成芴环。

16.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，Ar₃选自以下基团所组成的组：

可选地，R₁₁选自以下基团所组成的组：

17.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，第二主体化合物选自如下所示化合物：

18.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机发光层中，所述第一主体化合物和所述第二主体化合物的质量比为30:70～70:30。

19.电子装置，其特征在于，包括权利要求1～18任一项所述的有机电致发光器件。