CN114775048B - 旋转轴固持装置及薄膜气相沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种旋转轴固持装置及薄膜气相沉积设备,旋转轴固持装置包括第一固持组件、第二固持组件以及联接组件,第一固持组件包括第一固持件,第一固持件位于第二端并与所述反应室相对固定,并包括至少一个第一表面,第一表面可平行于旋转轴位于第一端处的沿径向的横截面;第二固持组件包括第二固持件,第二固持件包括至少一个第二表面,其沿第二端的中心轴可线性运动地连接至第二端;联接组件设置于第一固持件与第二固持件间;第二表面与旋转轴位于第二端处的中心轴垂直,第一固持件与第二固持件相对固定时,第二表面平行于第一表面,第二端的中心轴与第一端的中心轴共线,以解决旋转轴的中心轴相对于竖直方向偏转的技术问题。
Description
技术领域
本申请涉及气相沉积技术领域,具体涉及一种旋转轴固持装置及薄膜气相沉积设备。
背景技术
薄膜气相沉积设备是利用喷嘴装置将反应气体导入反应腔中,使得稀释于载气中的金属有机化合物与V族或VI族元素的氢化物在被加热的外延衬底上进行分解并发生反应,利用反应后的生成物沉积到外延衬底上从而形成外延薄膜。承载晶圆的基座在成膜过程中保持旋转,使得基座的各个区域受热均匀,从而提高成膜精度。
薄膜气相沉积设备还包括用于承载晶圆的基座以及支撑上述基座的旋转轴,旋转轴转动连接至反应室,并且旋转轴的一端伸出至反应腔与驱动电机连接。当旋转轴的中心轴相对于竖直方向偏转时,会导致基座的上表面相对于水平面倾斜,降低了薄膜沉积的精度。因而在安装调试过程中,需要将旋转轴的中心轴调整至竖直方向上。另外,由于装配精度的问题,旋转轴在安装完成后旋转轴可能存在偏离旋转轴的轴线方向的倾斜内应力,在长期使用中,该内应力会大大降低旋转轴的使用寿命。
发明内容
本申请提供一种旋转轴固持装置及薄膜气相沉积设备,以解决旋转轴的中心轴相对于竖直方向偏转的技术问题。
本申请提供一种旋转轴固持装置,用以固持一可安装至反应室的旋转轴,所述旋转轴包括第一端及第二端,所述第一端穿设至反应室内,所述旋转轴固持装置包括第一固持组件、第二固持组件以及联接组件,第一固持组件包括第一固持件,所述第一固持件位于所述第二端并与所述反应室相对固定,所述第一固持件包括至少一个第一表面,所述第一表面可平行于所述旋转轴位于所述第一端处的沿径向的横截面;第二固持组件包括直接或间接连接至所述第二端的第二固持件,所述第二固持件包括至少一个第二表面,所述第二固持件沿所述第二端的中心轴可线性运动地连接至所述旋转轴的第二端;联接组件设置于所述第一固持件与所述第二固持件之间;其中,所述第二固持件的第二表面与所述旋转轴位于所述第二端处的中心轴垂直,所述第一固持件与所述第二固持件相对固定时,所述第二表面平行于所述第一表面,所述第二端的中心轴与所述第一端的中心轴共线。
可选的,所述第二固持组件还包括第一延伸盘以及至少一个线性运动模组,第一延伸盘连接至所述旋转轴的外壁;线性运动模组设置于所述第一延伸盘与所述第二固持件之间,所述线性运动模组可引导所述第一延伸盘相对于所述第二固持件沿所述第二端的轴向做线性往复运动。
可选的,所述线性运动模组包括沿旋转轴的轴向远离所述第二固持件布置的第三固持件、连接所述第三固持件和所述第二固持件的支撑杆及分别保持在所述第二固持件和所述第三固持件上的线性运动的导引件,所述导引件相对于所述第二端的中心轴平行设置;所述第一延伸盘设于所述第二固持件和所述第三固持件之间,所述导引件穿设所述第一延伸盘,以限定所述第二固持件和所述第一延伸盘的相对运动方向。
可选的,所述旋转轴连接有辅助组件,所述辅助组件包括波纹管、第一轴套以及第二轴套,波纹管套设至所述旋转轴的外壁,且其顶端连接至所述反应室的底壁;第一轴套套设至所述波纹管的底端;以及第二轴套设置于所述旋转轴与所述第一延伸盘之间;当所述第一延伸盘沿所述旋转轴的轴向运动时,所述旋转轴与所述第一轴套均沿其轴向移动。
可选的,旋转轴固持装置还包括至少一对压设件及连杆,一所述压设件连接至所述第一轴套,另一所述压设件压设至所述第二轴套,且两所述压设件相对设置;以及连杆的两端分别连接至两所述压设件,使得所述第一轴套、第二轴套以及所述第一延伸盘相对固定。
可选的,所述第一固持组件还包括连接杆以及至少两个第一调节件,连接杆连接所述第一固持件和所述反应室,或其连接所述第一固持件和所述反应室的框架结构,以使所述第一固持件与所述反应室直接或间接保持相对固定;所述旋转轴的第一端沿竖直方向排布,每一所述第一调节件可独立调整所述第一固持件与所述反应室的距离,所述第一固持件的第一表面可被调节至水平状态,以使所述第一表面平行于所述旋转轴位于所述第一端处的沿径向的横截面。
可选的,所述第一固持组件包括第四固持件及第二连杆,所述第一固持件连接所述第二连杆和所述第四固持件,并通过所述第四固持件间接连接到所述反应室或所述反应室的框架结构;所述第一固持件与所述第四固持件均为环形,且该环形包括一缺口。
可选的,所述联接组件包括第二调节件以及锁定件,第二调节件设于所述第一固持件和所述第二固持件之一,并可与所述第一固持件和所述第二固持件的另一干涉,以调节所述第二固持件与所述第一固持件的相对位置;锁定件沿所述旋转轴的轴向连接所述第一固持件与所述第二固持件;所述第一固持件和/或所述第二固持件开设有通孔,所述锁定件包括能够穿过所述通孔的锁定杆,至少一个所述通孔的尺寸大于所述锁定杆的尺寸。
可选的,所述第二调节件包括两组,不同组的所述第二调节件的调节方向垂直;每一组中包括两个所述第二调节件,同一组中两个所述第二调节件的调节方向相反。
相应的,本申请还提供一种薄膜气相沉积设备,其包括反应室、基座、旋转轴以及旋转轴固持装置,所述基座设置于所述反应室内部;旋转轴的包括第一端及第二端,所述第一端连接至所述基座,所述第二端伸出至所述反应室外部;所述旋转轴固持装置为上述任一项所述的旋转轴固持装置,所述旋转轴固持装置的第一固持组件连接至所述反应室,所述第一固持组件的第一固持件的第一表面平行于所述基座的上表面。
本申请提供一种旋转轴固持装置及薄膜气相沉积设备,旋转轴固持装置中第二固持件的第二表面与旋转轴位于所述第二端处的中心轴垂直,并且第一固持件与第二固持件相对固定时,第二表面平行于第一表面,第二端的中心轴与第一端的中心轴共线,从而提高了薄膜沉积的精度;也能够减小旋转轴转动过程中的磨损,延长了薄膜气相沉积设备的使用寿命。
在装配过程中第二固持件沿第二端的中心轴可线性运动地连接到旋转轴的第二端,使得装配中第二固持件沿第二端中心轴的方向具有一定的自由度,旋转轴在装配中可以自由舒展,不会因装配产生内应力,从而降低第二固持件与旋转轴配合位置处的精度要求,以减小制造以及装配难度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的薄膜气相沉积设备的示意图;
图2是本申请提供的旋转轴固持装置的示意图;
图3a-3c是本申请提供的旋转轴调整示意图。
附图标记说明:
110、第一固持件;111、锁定件;120、第四固持件;130、第二连杆;200、第二固持件;210、通孔;310、第一调节件;320、第二调节件;400、第一延伸盘;410、导引件;411、第一保持部;412、第二保持部;500、第三固持件;510、支撑杆;520、压设件;530、连杆;600、旋转轴;610、波纹管;620、第一轴套;630、第二轴套;700、基座;800、反应室;810、反应腔。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”、“下”、“左”、“右”通常是指装置实际使用或工作状态下的上、下、左和右,具体为附图中的图面方向。
本申请提供一种旋转轴固持装置及薄膜气相沉积设备,以下分别进行详细说明。需要说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。且在以下实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
请参阅图1和图2,本申请提供一种薄膜气相沉积设备,其包括反应室800、基座700、旋转轴600以及旋转轴固持装置,反应室800包括一反应腔810,基座700设置于反应腔810的内部,上述基座700用于承载晶圆。旋转轴600的包括第一端及第二端,上述第一端穿设至反应腔810内部,并固定连接至基座700的下表面,用以支撑上述基座700;旋转轴600的第二端从反应室800内伸出至外部。在满足薄膜气相沉积设备的使用要求的情况下,基座700的上表面沿水平方向设置,此时旋转轴600的中心轴沿竖直方向设置。在安装以及维修时,需要通过旋转轴固持装置锁定支撑旋转轴600,并同时保证旋转轴600的中心轴沿竖直方向设置,满足薄膜气相沉积设备的使用要求。
参照图1-图3c所示,旋转轴固持装置安装至反应室800的底壁,并且连接至旋转轴600的外部,用以调整旋转轴600中心轴的方向。旋转轴固持装置包括第一固持组件、第二固持组件、以及联接组件。其中,第一固持组件包括第一固持件110,上述第一固持件110位于第二端并与反应室800相对固定,第一固持件110包括至少一个第一表面,并且第一表面可平行于旋转轴600位于第一端处的沿径向的横截面。第二固持组件包括直接或间接连接至第二端的第二固持件200,上述第二固持件200包括至少一个第二表面,并且第二固持件200沿第二端的中心轴可线性运动地连接至旋转轴600的第二端。联接组件设置于第一固持件110与第二固持件200之间。第二固持件200的第二表面与旋转轴600位于第二端处的中心轴垂直,第一固持件110与第二固持件200相对固定时,第二表面平行于第一表面,第二端的中心轴与第一端的中心轴共线。
由于第一固持组件通过第一固持件110连接至旋转轴600的第二端,第二固持组件通过第二固持件200连接至旋转轴600的第二端,从而可以利用第一固持组件与第二固持组件的配合支撑旋转轴600从反应室800内伸出的第二端,以提高薄膜气相沉积设备运行中旋转轴的稳定性。
第一固持件110的第一表面平行于旋转轴600处于第一端处沿径向的横截面,即其平行于反应室800的底壁,第二固持件200位于第一固持件110的上表面,并且第二固持件200沿第二端的中心轴可线性运动地连接至旋转轴600的第二端,第二固持件200的第二表面与旋转轴600位于第二端处的中心轴垂直。当第一固持件110与第二固持件200相对固定时,需要保持第二固持件200的第二表面平行于第一固持件110的第一表面,同时利用第二固持件200将旋转轴600的中心轴调整至垂直于第一表面的位置,使得旋转轴600第二端的中心轴与其第一端的中心轴共线。由于反应室800的底壁为一水平面,因而通过限定第一固持件110的第一表面、第二固持件200的第二表面以及反应室800的底壁平行,可以保证第二固持件200的第二表面以及第一固持件110的第一表面均位于水平面内。通过将旋转轴600的中心轴调整至垂直于第一表面的位置处,保持旋转轴600第二端的中心轴与其第一端的中心轴共线,使得旋转轴600的中心轴沿竖直方向,以满足薄膜气相沉积设备的使用要求。
同时联接组件设置于第一固持件110与第二固持件200之间,通过上述联接组件保持第一固持件110与第二固持件200之间的相对位置,使得当第一固持件110与第二固持件200相对固定时,第二固持件200的第二表面平行于第一固持件110的第一表面。
在装配过程中第二固持件200沿第二端的中心轴可线性运动地连接到旋转轴600的第二端,使得装配中第二固持件200沿第二端中心轴的方向具有一定的自由度,旋转轴在装配中可以自由舒展,不会因装配产生内应力,从而降低第二固持件200与旋转轴600配合位置处的精度要求,以减小制造以及装配难度。
进一步的,第二固持组件还包括第一延伸盘400以及至少一个线性运动模组,第一延伸盘400连接至旋转轴600的外壁,且其沿旋转轴600的轴向可滑动式连接至第二固持件200。线性运动模组设置于第一延伸盘400与第二固持件200之间,并且上述线性运动模组可引导第一延伸盘400相对于第二固持件200沿第二端的轴向做线性往复运动。
第一延伸盘400连接至旋转轴600的外壁,并且第一延伸盘400沿其轴向可滑动式连接至第二固持件200,使得旋转轴600在第一延伸盘400的驱动下沿其轴向运动。线性运动模组设置于第一延伸盘400与第二固持件200之间,从而驱动第一延伸盘400沿旋转轴600的轴向运动。
本申请中第二固持件200的第二表面平行于第一固持件110的第一表面,旋转轴600的第二端的中心轴与其第一端的中心轴共线,从而利用第二固持件200将旋转轴600的中心轴调整至竖直方向上,通过第一延伸盘400带动第二固持件200沿竖直方向运动,从而实现旋转轴600以及基座700的升降,以增加薄膜气相沉积设备的适用场景。
进一步的,上述线性运动模组包括沿旋转轴600的轴向远离第二固持件200布置的第三固持件500、连接第三固持件500和第二固持件200的支撑杆510及分别保持在第二固持件200和第三固持件500上的线性运动的导引件410;导引件410相对于旋转轴600第二端的中心轴平行设置。第一延伸盘400设于第二固持件200和第三固持件500之间,导引件410穿设第一延伸盘400,以限定第二固持件200和第一延伸盘400的相对运动方向。其中第三固持件500位于第一延伸盘400的上方,并连接至第二固持件200上。每一个支撑杆510的一端连接至第三固持件500,其另一端连接至第二固持件200。同时上述导引件410包括第一保持部411及第二保持部412,第一保持部411设于第二固持件200上,并且第二保持部412设于第三固持件500上,使得第一延伸盘400始终沿旋转轴600的轴向运动。本申请中第一保持部411为螺母,第二保持部412为螺杆。
第三固持件500位于第一延伸盘400的上方,并且通过多个平行的支撑杆510固定连接至第二固持件200上,使得第三固持件500相对于第二固持件200固定,因而当第二固持件200利用第一调节件310与第二调节件320调整时,第三固持件500也能够同步运动。由于第三固持件500位于第一延伸盘400的上方,因而在第一延伸盘400沿旋转轴600的轴向运动时,第三固持件500能够限制第一延伸盘400的极限运动位置,从而限定基座700在反应腔810内上移的最大距离。
第二固持件200能够通过线性运动模组可线性运动地连接至旋转轴600的第二端,在装配的过程中先装配第三固持件500、第一延伸盘400、导引件410、第二固持件200以及旋转轴600,此时第二固持件200能够通过线性运动模组与旋转轴600滑动连接;然后再装配第一固持件110与第二固持件200。在装配第一固持件110与第二固持件200的过程中,线性运动模组不限制第二固持件200沿第二端中心轴方向的运动,因而旋转轴600在转配时能够自由舒展,使得旋转轴600不会因装配误差产生内应力,进而降低了旋转轴600位于装配位置处的精度要求。同时当第一固持件110与第二固持件200完成装配后,线性运动模组中的导引件才会产生扭力,从而限制线性运动模组沿旋转轴600轴向的上下升降。
进一步的,旋转轴600连接有辅助组件,上述辅助组件包括波纹管610、第一轴套620以及第二轴套630,波纹管610套设至旋转轴600的外壁,且其顶端连接至反应室800的底壁。第一轴套620套设至波纹管610的底端;第二轴套630设置于旋转轴600的外壁与第一延伸盘400之间。当第一延伸盘400沿旋转轴600的轴向运动时,第二轴套630与旋转轴600同步地沿旋转轴600的轴向移动。
波纹管610的一端连接至反应室800的底壁,其另一端通过第一轴套620连接至旋转轴600,使得穿设在波纹管610内部的旋转轴600能够相对于波纹管610转动。第二轴套630连接至第一延伸盘400,使得穿设过第一延伸盘400的旋转轴600能够相对于第一延伸盘400旋转,因而本申请中第一延伸盘400进能够在导引件410的驱动下带动旋转轴600沿轴向运动,同时旋转轴600的转矩不会传递至第一延伸盘400上,因而第一延伸盘400仅具有沿旋转轴600轴向的自由度,不具有其他的自由度。
第一轴套620设置于波纹管610与旋转轴600之间,当第一延伸盘400通过第二轴套630带动旋转轴600沿其轴向运动时,第二轴套630在旋转轴600的驱动下沿旋转轴600的轴向运动,并且能够压缩波纹管610。因而利用第一轴套620与第二轴套630的组合可以辅助旋转轴600沿竖直方向运动,从而减小旋转轴600移动时位置的偏移,提高旋转轴600和基座700位置的准确性。
进一步的,旋转轴固持装置还包括至少一对压设件520以及对应的连杆530,一压设件520连接至第一轴套620,另一压设件520压设至第二轴套630,且两压设件520相对设置。连杆530的两端分别连接至两压设件520,使得第一轴套620、第二轴套630以及第一延伸盘400相对锁定。利用两压设件520分别压接于第一轴套620以及第二轴套630的边缘,进一步增加了第一轴套620与第二轴套630连接处的紧固性,以保证第一延伸盘400带动旋转轴600运动时的可靠性。
进一步的,联接组件包括第二调节件320,上述第二调节件320设于第一固持件110和第二固持件200之一,并可与第一固持件110和第二固持件220的另一干涉,以调节第二固持件200与第一固持件110的相对位置。
本申请中第二固持件200套设至旋转轴600的外壁上,使得第二固持件200和旋转轴600同步调整。当利用多个第二调节件320分别抵接至第二固持件200侧壁的不同位置时,第二调节件320可以驱动第二固持件200在第二表面所在的平面内移动,直至旋转轴600的中心轴运动至垂直于第一表面的位置,从而将旋转轴600的中心轴调整至竖直方向,如图3b所示。当利用第一调节件310将第二固持件200与第一固持件110锁定时,使得第二固持件200的第二表面与第一固持件110的第一表面平行设置,此时第二固持件200的第二表面与旋转轴600位于所述第二端处的中心轴垂直,以将第二固持件200的第二表面调整至水平面内,如图3c所示。在安装调试结束后,第一固持组件和第二固持组件均支撑旋转轴600的第二端,从而保证旋转轴600在使用过程中的稳定性;此外旋转轴600的中心轴沿竖直方向,使得位于旋转轴600端部的基座700保持在水平面内,从而提高了薄膜沉积的精度;同时也能够减小旋转轴600转动过程中的磨损,延长了薄膜气相沉积设备的使用寿命。本申请中当调整结束后可以利用水平计以及测距仪等工具检测旋转轴600的位置,从而保证旋转轴固持装置调整的精度。
本申请中每一个第二调节件320抵接至第二固持件200的侧壁,并驱动第二固持件200沿径向运动,使得旋转轴600的中心轴垂直于第一固持件110的第一表面。多个第二调节件320沿第二固持件200的周向排布,从而能够沿不同的方向驱动第二固持件200沿其径向运动。由于第二固持件200套设至旋转轴600的外壁,因而利用第二调节件320驱动第二固持件200沿径向运动时,旋转轴600的伸出端也会随之沿第二固持件200的径向运动,从而利用多个第二调节件320的协同配合,将旋转轴600的中心轴调整至垂直于第二固持件200中心面的状态,即旋转轴600的中心轴垂直于第一表面,如图3c所示。
本申请中第二调节件320包括螺杆和固定座,其中,固定座设置于第一固持件110的上表面,螺杆穿设至固定座并抵接至第二固持件200的外侧壁。由于螺杆的轴向与第二固持件200的径向方向一致,当旋转螺杆时,螺杆能够沿第二固持件200的径向推动第二固持件200运动,从而实现第二固持件200位置的调节。
进一步的,第一固持组件还包括连接杆以及至少两个第一调节件310,其中连接杆连接第一固持件110和反应室800,或者上述连接杆连接第一固持件110和反应室800的框架结构,以使第一固持件110与反应室800直接或间接保持相对固定。旋转轴600的第一端沿竖直方向排布,每一第一调节件310可独立调整第一固持件110与反应室800的距离,第一固持件110的第一表面可被调节至水平状态,以使第一表面平行于旋转轴600位于第一端处的沿径向的横截面。
多个第一调节件310将第二固持件200连接至第一固持件110上,使得第二固持件200的第二表面平行于第一固持件110的第一表面,如图3c所示。其中,第一调节件310可以设置在第二固持件200上,也可以设置在第一固持件110上,本申请中第一调节件310为一螺栓,该第一调节件310的一端穿设过第二固持件200,并且连接至第一固持件110。当旋转第一调节件310时,可以实现第一固持件110与第二固持件200的固定连接,从而将第二固持件200的第二表面调整至平行于第一固持件110第一表面的状态。
连接杆连接第一固持件110和反应室800,或者上述连接杆连接第一固持件110和反应室800的框架结构,以使第一固持件110与反应室800直接或间接保持相对固定,以避免第二固持件200调整过程中,第一固持件110的位置发生偏移。
进一步的,所述联接组件还包括锁定件111,该锁定件111沿旋转轴600的轴向连接第一固持件110与第二固持件200;第一固持件110和/或第二固持件200开设有通孔210,锁定件111包括能够穿过通孔210的锁定杆,至少一个通孔210的尺寸大于锁定杆111的尺寸。
在第二固持件200调整的过程中,锁定件111的锁定杆嵌设至通孔210内,并且该锁定杆连接至第一固持件110上,使得锁定件111将第一固持件110与第二固持件200固定。本申请中至少一个通孔210的尺寸大于锁定杆111的尺寸,因而既能够利用通孔210与锁定件111的配合限定第二固持件200调整后的位移,同时也避免锁定件111与第二固持件200干涉。当第二固持件200调整到所需位置后,利用锁定件111将第二固持件200与第一固持件110固定连接。本申请中锁定件为螺栓,旋转螺栓使得螺栓头部贴合至第二固持件200的表面,即可实现第二固持件200与第一固持件110的相对锁定。
进一步的,第二调节件320包括两组,不同组的第二调节件320的调节方向垂直;每一组中包括两个第二调节件320,同一组中两个第二调节件320的调节方向相反。
本申请通过限定多个第二调节件320的排布使得其能够沿多个方向调整第二固持件的位置,以提高调整的便捷性。
进一步的,第一固持组件包括第四固持件120及第二连杆130,第一固持件110连接第二连杆130和第四固持件120,并通过第四固持件120间接连接到反应室800或反应室800的框架结构。
第四固持件120连接至反应室800的底壁,同时第一固持件110与第四固持件120通过第二连杆130相对固定,从而实现第一固持件110相对于反应室800锁定,以避免第二固持件200调整过程中,第一固持件110的位置发生偏移。本申请中第二连杆130可以为多个平行设置的连接杆,第二连杆130沿竖直方向设置,并且每一个第二连杆130的一端固定至第一固持件110,其另一端固定至第四固持件120,从而实现第一固持件110和第四固持件120的固定连接。
进一步的,第一固持件110与第四固持件120均为环形,且该环形包括一缺口,该缺口约为环形的1/4周长。利用环形的第一固持件110以便于第二固持件200位置的调节,同时环形的第一固持件110包括一缺口,以增加操作空间,从而便于旋转轴固持装置的装配。利用环形的第四固持件120以便于其与反应腔810固定连接,同时环形的第四固持件120包括一缺口,以便于后续部件的装配。
以上对本申请提供一种旋转轴固持装置及薄膜气相沉积设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种旋转轴固持装置,用以固持一可安装至反应室的旋转轴,所述反应室内设有用于承载晶圆的基座,所述旋转轴包括第一端及第二端,所述第一端穿设至反应室内并固定连接至所述基座的下表面,其特征在于,
所述旋转轴固持装置包括:
第一固持组件,其包括第一固持件,所述第一固持件位于所述第二端并与所述反应室相对固定,所述第一固持件包括至少一个第一表面,所述第一表面平行于反应室的底壁;所述第一固持组件还包括:连接杆,其连接所述第一固持件和所述反应室,或其连接所述第一固持件和所述反应室的框架结构,以使所述第一固持件与所述反应室直接或间接保持相对固定;以及至少两个第一调节件,所述旋转轴的第一端沿竖直方向排布,每一所述第一调节件可独立调整所述第一固持件与所述反应室的距离;
第二固持组件,其包括直接或间接连接至所述第二端的第二固持件,所述第二固持件包括至少一个第二表面,所述第二固持件沿所述第二端的中心轴可线性运动地连接至所述旋转轴的第二端;以及
联接组件,其设置于所述第一固持件与所述第二固持件之间,所述联接组件包括第二调节件及锁定件,其设于所述第一固持件和所述第二固持件之一,并可与所述第一固持件和所述第二固持件的另一干涉,以调节所述第二固持件与所述第一固持件的相对位置;所述锁定件其沿所述旋转轴的轴向连接所述第一固持件与所述第二固持件;
旋转轴固持装置中第二固持件的第二表面与旋转轴位于所述第二端处的中心轴垂直,并且第一固持件与第二固持件相对固定时,第二表面平行于第一表面,第二端的中心轴与第一端的中心轴共线。
2.根据权利要求1所述的旋转轴固持装置,其特征在于,
所述第二固持组件还包括:
第一延伸盘,其连接至所述旋转轴的外壁;以及
至少一个线性运动模组,其设置于所述第一延伸盘与所述第二固持件之间,所述线性运动模组可引导所述第一延伸盘相对于所述第二固持件沿所述第二端的轴向做线性往复运动。
3.根据权利要求2所述的旋转轴固持装置,其特征在于,
所述线性运动模组包括:
沿旋转轴的轴向远离所述第二固持件布置的第三固持件、连接所述第三固持件和所述第二固持件的支撑杆及分别保持在所述第二固持件和所述第三固持件上的线性运动的导引件,所述导引件相对于所述第二端的中心轴平行设置;所述第一延伸盘设于所述第二固持件和所述第三固持件之间,所述导引件穿设所述第一延伸盘,以限定所述第二固持件和所述第一延伸盘的相对运动方向。
4.根据权利要求2所述的旋转轴固持装置,其特征在于,
所述旋转轴连接有辅助组件,所述辅助组件包括:
波纹管,其套设至所述旋转轴的外壁,且其顶端连接至所述反应室的底壁;
第一轴套,其套设至所述波纹管的底端;以及
第二轴套,其设置于所述旋转轴与所述第一延伸盘之间;
当所述第一延伸盘沿所述旋转轴的轴向运动时,所述旋转轴与所述第一轴套均沿其轴向移动。
5.根据权利要求4所述的旋转轴固持装置,其特征在于,
还包括:
至少一对压设件,一所述压设件连接至所述第一轴套,另一所述压设件压设至所述第二轴套,且两所述压设件相对设置;
以及
连杆,其两端分别连接至两所述压设件,使得所述第一轴套、所述第二轴套以及所述第一延伸盘相对固定。
6.根据权利要求1所述的旋转轴固持装置,其特征在于,
所述第一固持组件包括第四固持件及第二连杆,所述第一固持件连接所述第二连杆和所述第四固持件,并通过所述第四固持件间接连接到所述反应室或所述反应室的框架结构;
所述第一固持件与所述第四固持件均为环形,且该环形包括一缺口。
7.根据权利要求1所述的旋转轴固持装置,其特征在于,
所述第一固持件和/或所述第二固持件开设有通孔,所述锁定件包括能够穿过所述通孔的锁定杆,至少一个所述通孔的尺寸大于所述锁定杆的尺寸。
8.根据权利要求7所述的旋转轴固持装置,其特征在于,
所述第二调节件包括两组,不同组的所述第二调节件的调节方向垂直;
每一组中包括两个所述第二调节件,同一组中两个所述第二调节件的调节方向相反。
9.一种薄膜气相沉积设备,其特征在于,
其包括:
反应室;
基座,其设置于所述反应室内部;
旋转轴,其包括第一端及第二端,所述第一端连接至所述基座,所述第二端伸出至所述反应室外部;以及
权利要求1-8中任一项所述的旋转轴固持装置,所述旋转轴固持装置的第一固持组件连接至所述反应室,所述第一固持组件的第一固持件的第一表面平行于所述基座的上表面。
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Citations (1)
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---|---|---|---|---|
DE102017105374A1 (de) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat sowie Verfahren zum Einrichten der Vorrichtung |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002305399A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 回転位置調節装置 |
US10186450B2 (en) * | 2014-07-21 | 2019-01-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for adjusting a pedestal assembly for a reactor |
US9960072B2 (en) * | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
-
2022
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017105374A1 (de) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat sowie Verfahren zum Einrichten der Vorrichtung |
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