CN114755854A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种显示装置,显示装置包括液晶显示面板和位于液晶显示面板入光侧的背光模组,液晶显示面板具有第一显示区域和第二显示区域,显示装置显示时,第一显示区域的亮度小于第二显示区域的亮度,液晶显示面板包括:像素电极;公共电极,与像素电极电性绝缘;以及绝缘层,设置于像素电极与公共电极之间,且位于第一显示区域的绝缘层的至少部分的厚度大于位于第二显示区域的绝缘层的至少部分的厚度。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用,如,液晶电视、移动电话、个人数字助理(Personal DigitalAssistant,PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等,上述优点使得液晶显示器在平板显示领域中占重要地位。
目前,边缘场开关(Fringe Field Switching,FFS)等水平电场型显示模式,具有大视角的优点,然而,边缘场开关等水平电场型显示模式仍然存在透光率需要提高的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示装置,以提高显示装置的透光率。
一方面,本申请提供一种显示装置,所述显示装置包括液晶显示面板和位于所述液晶显示面板入光侧的背光模组,所述液晶显示面板具有第一显示区域和第二显示区域,所述显示装置显示时,所述第一显示区域的亮度小于所述第二显示区域的亮度,所述液晶显示面板包括:
像素电极;
公共电极,与所述像素电极电性绝缘;以及
绝缘层,设置于所述像素电极与所述公共电极之间,且位于所述第一显示区域的所述绝缘层的至少部分的厚度大于位于所述第二显示区域的所述绝缘层的至少部分的厚度。
另一方面,本申请提供一种显示装置,所述显示装置具有第一显示区域和第二显示区域,所述显示装置包括液晶显示面板,所述液晶显示面板包括:
第一基板;
第二基板,与所述第一基板相对设置,且具有靠近所述第一基板的承载面;
液晶层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间,且包括多个液晶分子;
像素电极,设置于所述第二基板的所述承载面上;
公共电极,设置于所述第二基板的所述承载面上,且与所述像素电极电性绝缘,用于与所述像素电极形成驱动多个所述液晶分子偏转的驱动电场,所述驱动电场在所述第一显示区域的水平电场分量小于所述驱动电场在所述第二显示区域的水平电场分量,所述水平电场分量的方向与所述第二基板的所述承载面平行;以及
绝缘层,设置于所述像素电极和所述公共电极之间,位于所述第一显示区域的所述绝缘层的至少部分的厚度大于位于所述第二显示区域的所述绝缘层的至少部分的厚度。
有益效果:本申请提供一种显示装置,驱动电场在第一显示区域的水平电场分量小于驱动电场在第二显示区域的水平电场分量,导致在第一显示区域的液晶分子受的水平电场力小于在第二显示区域的液晶分子受的水平电场力,背光模组发出的光在液晶显示面板的第一显示区域的透光率小于在第二显示区域的透光率,显示装置显示时,第一显示区域的亮度小于第二显示区域的亮度,通过位于第一显示区域的绝缘层的至少部分的厚度大于位于第二显示区域的绝缘层的至少部分的厚度,使像素电极与公共电极在第二显示区域形成的驱动电场的水平分量进一步地大于在第一显示区域形成的驱动电场的水平分量,进一步地增加第二显示区域的透光率,进而提高显示装置显示时整体的亮度。另外,通过位于第一显示区域的绝缘层的至少部分的厚度大于位于第二显示区域的绝缘层的至少部分的厚度,也能减小使液晶显示面板亮度达到最大所需的电压,且还有利于在第二显示区域的像素电极与公共电极之间的间距减小,导致形成的存储电容增大进而使得充电率降低时,第一显示区域的像素电极与公共电极之间形成的存储电容减小使充电率提高,以保证显示装置整体具有合适的存储电容,进而保证合适的充电率。
附图说明
图1为本申请第一实施例显示装置的截面示意图;
图2为图1所示显示装置的像素电极、钝化层、数据线以及扫描线的第一种平面意图;
图3为图1所示显示装置的像素电极、钝化层、数据线以及扫描线的第二种平面示意图;
图4为本申请第二实施例显示装置的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
请参阅图1和图2,图1为本申请第一实施例显示装置的截面示意图,图2为图1所示显示装置的像素电极、钝化层、数据线以及扫描线的第一种平面意图。显示装置100包括液晶显示面板10和背光模组20,背光模组20位于液晶显示面板10的入光侧。
在本实施例中,背光模组20用于发出背光。背光模组20可以为直下式背光模组或侧入式背光模组中的任意一种。
在本实施例中,液晶显示面板10包括第一基板101、第二基板102、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏电极层、平坦化层、公共电极103、钝化层104、多个像素电极105以及液晶层。
其中,第一基板101与第二基板102相对设置。第二基板102具有平坦的承载面102a。第一基板101和第二基板102均为玻璃基板。
液晶层设置于第一基板101和第二基板102之间,液晶层包括多个液晶分子106。
有源层设置于第二基板102的承载面102a上。有源层的制备材料为金属氧化物、低温多晶硅或非晶硅中的任意一种。
栅极绝缘层覆盖有源层和第二基板102的承载面102a。栅极绝缘层的厚度为1500埃-4000埃。栅极绝缘层的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。
栅极层设置于栅极绝缘层远离有源层的表面上。栅极层包括栅极和扫描线107,栅极对应有源层设置,扫描线107沿第一方向延伸。栅极层的制备材料选自钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。
层间绝缘层覆盖栅极层和栅极绝缘层。层间绝缘层的厚度为2000埃-5000埃。层间绝缘层的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。
源漏电极层设置于层间绝缘层远离栅极层的一侧。源漏电极层包括源极、漏极以及数据线108,数据线108与源极连接,且数据线108沿第二方向延伸,数据线108的宽度小于扫描线107的宽度,第二方向与第一方向交叉。具体地,第一方向与第二方向垂直。源漏电极层的制备材料选自钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。
平坦化层覆盖源漏电极层和层间绝缘层。平坦化层的厚度为0.5微米-2微米。平坦化层的制备材料可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸酯中的任意一种。
公共电极103整面地设置于平坦化层上。公共电极103的制备材料选自氧化铟锡或氧化铟锌中的任意一种。
多个像素电极105设置于公共电极103远离第二基板102的一侧,多个像素电极105与漏极电性连接且与公共电极103电性绝缘。像素电极105的制备材料为氧化铟锡或氧化铟锌中的任意一种。
每个像素电极105的形状为矩形,且像素电极105为单畴像素电极,即像素电极105的多个狭缝(未示意出)沿同一个方向延伸。
多个像素电极105沿第一方向和第二方向阵列排布。在第一方向上的相邻两个像素电极105之间具有间隙,数据线108设置于在第一方向上相邻设置的两排像素电极105之间。在第二方向上的相邻两个像素电极105之间具有间隙,扫描线107设置于在第二方向上相邻设置的两排像素电极105之间。
可以理解的是,像素电极105也可以为双畴像素电极,像素电极105的形状也可以呈V型,多个像素电极105与公共电极103的位置可以互换。
液晶显示面板10具有第一显示区域10a和第二显示区域10b,第一显示区域10a包括第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2,第二显示区域10b为显示亮区。一个第一显示暗区10a1对应一个像素电极105在第一方向上的中间区域,一个第二显示暗区10a2对应在第一方向上相邻两个像素电极105之间的间隙处的中间区域。
在第一方向上,多个第一显示暗区10a1与多个第二显示暗区10a2一对一地交替设置,且一个第一显示暗区10a1设置于相邻两个第二显示区域10b之间,一个第二显示暗区10a2设置于相邻两个第二显示区域10b之间。
需要说明的是,像素电极105在第一方向上的中间区域可以为线A所在位置处,也可以为线A所在位置及其附近位置处;在第一方向上相邻两个像素电极105之间的间隙处的中间区域可以为线B所在位置处,也可以为线B所在位置处及其附近位置处。
多个像素电极105与公共电极103之间形成驱动多个液晶分子106偏转的驱动电场E。其中,驱动电场E在第一显示区域10a的水平电场分量小于驱动电场E在第二显示区域10b的水平电场分量,水平电场分量的方向与第二基板102的承载面102a平行。
具体地,由于像素电极105为对称的矩形,第一显示暗区10a1的驱动电场为0或趋于0,第二显示暗区10a2的驱动电场的水平分量相消而为0或趋于0,导致第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2的多个液晶分子106几乎不偏转,而第二显示区域10b的液晶分子106在较大驱动电场的作用下偏转。显示装置100显示时,第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2的亮度小于第二显示区域10b的亮度,且第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2均呈现暗态,而第二显示区域10b呈现亮态。
需要说明的是,像素电极105的形状为矩形之外的其他图形时,液晶显示面板10显示时仍然会存在显示暗区和显示亮区,显示装置显示时,显示暗区的亮度小于显示暗区的亮度,显示暗区可以偏离像素电极105在第一方向上的中间区域,也可以偏离在第一方向上相邻两个像素电极105之间的间隙的中间区域。另外,显示装置100显示时,第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2呈现的暗态和第二显示区域10b呈现的亮态均可以在显微镜中观察到。
钝化层104设置于多个像素电极105与公共电极103之间,且钝化层104整面设置。钝化层104的厚度为3000埃-4000埃。钝化层104的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。
需要说明的是,像素电极105、公共电极103以及钝化层104组成存储电容,钝化层104的厚度越大,则存储电容越小,液晶显示面板10的充电率越大,反之,钝化层104的厚度越小,则存储电容越大,液晶显示面板10的充电率越小。另外,钝化层104的厚度越大,则像素电极105与公共电极103之间的间距越大,达到液晶显示面板10的最大显示亮度所需的最大电压值越大,且像素电极105与公共电极103之间形成的驱动电场的水平分量越小。
位于第一显示区域10a(第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2)的钝化层104的至少部分的厚度大于位于第二显示区域10b的钝化层104的至少部分的厚度,使得第一显示区域10a的至少部分像素电极105与公共电极103之间的间距大于位于第二显示区域10b的至少部分像素电极105与公共电极103之间的间距,进而使得第一显示区域10a的至少部分像素电极105与公共电极103之间形成的驱动电场的水平分量,进一步地小于第二显示区域10b的至少部分像素电极105与公共电极103之间形成的驱动电场的水平分量,第一显示区域10a的至少部分液晶分子106继续保持不偏转状态,第二显示区域10b的至少部分液晶分子106在平行于承载面102a的水平面内更充分地偏转,第一显示区域10a的透光率继续保持较低,而第二显示区域10b的透光率进一步地提高,第一显示区域10a继续保持暗态,第二显示区域10b亮度进一步地提高,进而提高显示装置100整体的透光率和亮度。
另外,通过位于第一显示区域10a的钝化层104的至少部分的厚度大于位于第二显示区域10b的钝化层104的至少部分的厚度,也能减小液晶显示面板亮度达到最大所需的电压,且还有利于在第二显示区域10b的存储电容增大进而使得充电率降低时,第一显示区域10a的存储电容减小使充电率提高,进而对第二显示区域10b较大的存储电容起到平衡作用,以保证显示装置100整体具有合适的存储电容,进而保证合适的充电率。
钝化层104包括位于第二显示区域10b的至少一个凹槽1041,像素电极105的一部分设置于凹槽1041内,和/或,在第一方向上相邻两个像素电极105之间的间隙的至少一部分与凹槽1041的至少一部分重叠,使得第二显示区域10b的钝化层104的厚度小于第一显示区域10a的钝化层104的厚度,进而使得多个像素电极105与公共电极103之间形成的驱动电场E在第二显示区域10b的水平分量进一步地增大,有利于进一步地提高第二显示区域10b的透光率。凹槽1041的深度小于钝化层104的厚度。
具体地,一个凹槽1041与一个像素电极105的部分以及在第一方向上相邻两个像素电极105之间的间隙的部分均重叠,一个像素电极105的中间区域的相对两侧设置有两个凹槽1041,在第一方向上相邻两个像素电极105之间的间隙的中间区域的相对两侧设置有两个凹槽1041。
一个凹槽1041在第二方向上的尺寸小于或等于像素电极105在第二方向上的尺寸。具体地,凹槽1041在第二方向上的尺寸等于像素电极105在第二方向上的尺寸,最大化地提高第二显示区域10b的透光率。
钝化层104包括第一凸起1042和第二凸起1043,一个第一凸起1042位于在第一方向上相邻的两个凹槽1041之间,一个第二凸起1043位于在第一方向上相邻的两个凹槽1041之间,像素电极105在第一方向上的中间部分设置于第一凸起1042上,在第一方向上相邻的两个像素电极105之间的间隙的中间部分设置于第二凸起1043上,使得第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2的钝化层104的厚度大于第二显示区域10b的钝化层的厚度。
需要说明的是,通过对钝化层104进行薄化以制备得到多个凹槽1041,在第一方向上相邻两个凹槽1041之间的钝化层104未薄化而形成第一凸起1042或一个第二凸起1043。也可以通过在第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2的钝化层104上形成绝缘层,以使得第一显示暗区10a1和第二显示暗区10a2的像素电极105和公共电极103之间的绝缘层厚度变厚。
第一凸起1042在第一方向上的尺寸与像素电极105在第一方向上的尺寸的比值大于0且小于或等于1/2,例如为1/6、1/5、1/4、1/3或1/2。第一凸起1042在第二方向上的尺寸等于像素电极105在第二方向上的尺寸相等。
第二凸起1043在第一方向上的尺寸与在第一方向上相邻两个像素电极105之间的间隙在第一方向上的尺寸的比值大于0且小于或等于1/2,例如为1/6、1/5、1/4、1/3或1/2。第二凸起1043在第二方向上的尺寸等于像素电极105在第二方向上的尺寸相等。
在第二方向上的相邻两个凹槽1041位于扫描线107的相对两侧,钝化层104包括第三凸起1044,一个第三凸起1044位于在第二方向上相邻两个凹槽1041之间。
需要说明的是,公共电极103位于像素电极105远离第二基板102的一侧时,在第二方向上的相邻两个凹槽1041位于扫描线107的相对两侧,且一个第三凸起1044位于在第二方向上的相邻两个凹槽1041之间,第三凸起1044位于扫描线107的上方,使得公共电极103与扫描线107之间的间距较大,两者正面交叠形成的寄生电容较小。
请参阅图3,其为图1所示显示装置的像素电极、钝化层、数据线以及扫描线的第二种平面示意图。在图3中,在第二方向上的相邻两个凹槽1041连通,即一个凹槽1041与在第二方向上的并排设置的一排像素电极105对应设置。
当公共电极103位于像素电极105远离第二基板102的一侧时,在第二方向上的相邻两个凹槽1041连通,公共电极103与扫描线107之间的间距较小,导致两者之间的寄生电容较大。
请参阅图4,其为本申请第二实施例显示装置的示意图。图4所示显示装置100与图1所示显示装置100基本相似,不同之处包括,公共电极103与多个像素电极105之间设置有栅极绝缘层109和钝化层104,栅极绝缘层109位于钝化层104和公共电极103之间,多个像素电极105设置于钝化层104远离第二基板102的一侧。
在本实施例中,凹槽1041位于钝化层104上,且凹槽1041的深度小于或等于钝化层104的厚度。
在其他实施例中,凹槽1041也可以位于钝化层104和栅极绝缘层109上,凹槽1041的深度小于钝化层104和栅极绝缘层109的厚度之和。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括液晶显示面板和位于所述液晶显示面板入光侧的背光模组,所述液晶显示面板具有第一显示区域和第二显示区域,所述显示装置显示时,所述第一显示区域的亮度小于所述第二显示区域的亮度,所述液晶显示面板包括:
像素电极;
公共电极,与所述像素电极电性绝缘;以及
绝缘层,设置于所述像素电极与所述公共电极之间,且位于所述第一显示区域的所述绝缘层的至少部分的厚度大于位于所述第二显示区域的所述绝缘层的至少部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,多个所述像素电极沿第一方向和第二方向阵列排布,所述第一方向与所述第二方向交叉;
所述液晶显示面板还包括沿所述第一方向延伸的扫描线和沿所述第二方向延伸的数据线,所述扫描线设置于在所述第二方向上相邻的两排所述像素电极之间;
所述绝缘层包括位于所述第二显示区域的至少一个凹槽,所述像素电极的一部分设置于所述凹槽内,和/或,在所述第一方向上相邻两个所述像素电极之间的间隙的至少一部分与所述凹槽的至少一部分重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,一个所述凹槽与一个所述像素电极的部分以及在所述第一方向上相邻两个所述像素电极之间的间隙的部分均重叠。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述像素电极的形状为矩形,所述第一方向与所述第二方向垂直;
所述绝缘层包括第一凸起和第二凸起,所述第一凸起位于在所述第一方向上相邻的所述两个所述凹槽之间,所述第二凸起位于在所述第一方向上相邻的所述两个所述凹槽之间;
所述像素电极在所述第一方向上的中间部分设置于所述第一凸起上,在所述第一方向上相邻的两个所述像素电极之间的间隙的中间部分设置于所述第二凸起上。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述第一凸起在所述第一方向上的尺寸与所述像素电极在所述第一方向上的尺寸的比值大于0且小于或等于1/2,所述第二凸起在所述第一方向上的尺寸与在所述第一方向上相邻两个所述像素电极之间的间隙在所述第一方向上的尺寸的比值大于0且小于或等于1/2。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,在所述第二方向上的相邻两个所述凹槽位于所述扫描线的相对两侧,所述绝缘层还包括第三凸起,所述第三凸起位于在所述第二方向上的相邻两个所述凹槽之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述凹槽在所述第二方向上的尺寸小于或等于所述像素电极在所述第二方向上的尺寸。
8.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,在所述第二方向上的相邻两个所述凹槽连通。
9.根据权利要求2-8任一项所述的显示装置,其特征在于,所述绝缘层包括钝化层,所述凹槽位于所述钝化层上,所述凹槽的深度小于所述钝化层的厚度;或,
所述绝缘层包括钝化层和栅极绝缘层,所述凹槽位于所述钝化层上,所述凹槽的深度小于或等于所述钝化层的厚度;或,
所述绝缘层包括钝化层和栅极绝缘层,所述凹槽位于所述钝化层和所述栅极绝缘层上,所述凹槽的深度小于所述钝化层和所述栅极绝缘层的厚度之和。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置具有第一显示区域和第二显示区域,所述显示装置包括液晶显示面板,所述液晶显示面板包括:
第一基板;
第二基板,与所述第一基板相对设置,且具有靠近所述第一基板的承载面;
液晶层,设置于所述第一基板与所述第二基板之间,且包括多个液晶分子;
像素电极,设置于所述第二基板的所述承载面上;
公共电极,设置于所述第二基板的所述承载面上,且与所述像素电极电性绝缘,用于与所述像素电极形成驱动多个所述液晶分子偏转的驱动电场,所述驱动电场在所述第一显示区域的水平电场分量小于所述驱动电场在所述第二显示区域的水平电场分量,所述水平电场分量的方向与所述第二基板的所述承载面平行;以及
绝缘层,设置于所述像素电极和所述公共电极之间,位于所述第一显示区域的所述绝缘层的至少部分的厚度大于位于所述第二显示区域的所述绝缘层的至少部分的厚度。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115202118A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-10-18 | 惠科股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
CN115598890A (zh) * | 2022-10-12 | 2023-01-13 | 武汉华星光电技术有限公司(Cn) | 阵列基板及显示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020017316A (ko) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN101211072A (zh) * | 2006-12-25 | 2008-07-02 | 索尼株式会社 | 液晶显示装置和显示设备 |
CN102402039A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-04-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法 |
CN104882448A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-09-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、平面显示面板及阵列基板的制造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010230744A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Videocon Global Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US8547513B2 (en) * | 2010-08-10 | 2013-10-01 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
CN101995707B (zh) * | 2010-08-30 | 2013-01-09 | 昆山龙腾光电有限公司 | 边缘场开关型液晶显示面板、其制造方法及液晶显示器 |
CN103295959B (zh) * | 2012-09-14 | 2015-11-25 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板 |
CN103869558B (zh) * | 2014-03-31 | 2017-02-15 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法 |
CN104122701A (zh) * | 2014-07-28 | 2014-10-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制造方法、阵列基板 |
CN105842939B (zh) * | 2016-06-17 | 2019-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于薄膜晶体管的显示器件及其具有该显示器件的显示装置 |
CN107507838A (zh) * | 2017-08-24 | 2017-12-22 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示面板的制备方法 |
CN209674155U (zh) * | 2019-03-28 | 2019-11-22 | 昆山龙腾光电有限公司 | 阵列基板及液晶显示装置 |
CN113504681A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-15 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020017316A (ko) * | 2000-08-29 | 2002-03-07 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN101211072A (zh) * | 2006-12-25 | 2008-07-02 | 索尼株式会社 | 液晶显示装置和显示设备 |
CN102402039A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-04-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法 |
CN104882448A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-09-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、平面显示面板及阵列基板的制造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115202118A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-10-18 | 惠科股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
US11860498B1 (en) | 2022-07-29 | 2024-01-02 | HKC Corporation Limited | Display panel and method for manufacturing the same, and display device |
CN115598890A (zh) * | 2022-10-12 | 2023-01-13 | 武汉华星光电技术有限公司(Cn) | 阵列基板及显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20240201530A1 (en) | 2024-06-20 |
CN114755854B (zh) | 2024-03-22 |
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