CN114752381A - 含量子点材料以及包括含量子点材料的组合物和电子装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种含量子点材料以及包括含量子点材料的组合物和电子装置，所述含量子点材料包括：量子点；以及至少一个配体，化学结合到所述量子点的所述表面并用一定的式表示。组合物和电子设备各自包括所述含量子点材料。

Description

含量子点材料以及包括含量子点材料的组合物和电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年1月8日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0002580号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种含量子点材料、以及一种组合物和一种电子设备，各自包括该含量子点材料。

背景技术

量子点是半导体材料的纳米晶体并且表现出量子限制效应。当量子点通过接收来自激发源的光而达到激发能态时，它们会根据相应的能带隙自行发射能量。在这方面，即使在相同的材料中，波长也根据粒径而变化，并且因此，通过调整量子点的尺寸，可以获得具有所需波长范围的光，并且可以获得所需的(例如，优异的)色纯度和高发光效率。因此，量子点可以应用于各种合适的装置。

另外，量子点可以用作在光学构件中执行各种合适的光学功能(例如，光转换功能)的材料。作为纳米尺寸的半导体纳米晶体的量子点通过调整纳米晶体的尺寸和组成可以具有不同的能带隙，并且因此可以发射各种合适的发射波长的光。

包括这种量子点的光学构件可以具有薄膜的形式，例如，用于每个子像素的图案化的薄膜。这种光学构件可以用作包括各种合适光源的装置的颜色转换构件。

发明内容

根据一个或多个实施例的方面涉及一种含量子点材料，所述材料的稳定性通过将引发剂部分引入到化学结合到所述量子点的所述表面的配体而增强。根据一个或多个实施例的方面涉及一种组合物和一种电子设备，所述组合物和电子设备中的每一个通过采用所述含量子点材料增加了量子产率。

另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得明显，或者可以通过本公开的所呈现的实施例的实践而获知。

在一个或多个实施例中，含量子点材料包括量子点和化学结合到所述量子点的所述表面并由式1表示的至少一种配体。

式1

R_a-(Z₁)_a1-(L₁)_b1-(Z₂)_a2-P₁

式2-1

*-N＝N-(Z₃)_a3-R₁

式2-2

在式1、式2-1和式2-2中，

R_a可以是包括由-COOH、-PO₃H、二硫戊环或-SH表示的部分的锚定基团，

L₁可以是*-(CH₂)_n1-*'或*-(O-CH₂-CH₂)_n1-O-*'，

b1可以是从1至5的整数，

P₁可以是由式2-1或式2-2表示的基团，

Z₁至Z₃可以各自独立地选自*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝O)O-*'、*-OC(＝O)-*'、*-O-C(＝O)-O-*'、*-OCH₂-*'、*-SCH₂-*'、*-CH₂S-*'、*-CF₂O-*'、*-OCF₂-*'、*-CF₂S-*'、*-SCF₂-*'、*-(CH₂)_n1-*'、*-CF₂CH₂-*'、*-CH₂CF₂-*'、*-(CF₂)_n1-*'、*-C(CH₃)CN-*'、*-CH＝CH-*'、*-CF＝CF-*'、*-C≡C-*'、*-CH＝CH-C(＝O)O-*'、*-OC(＝O)-CH＝CH-*'、*-C(Q₁)(Q₂)-*'和*-O-(CH₂)-O(C＝O)-(CH₂)_n2-*'，

n1可以是从1至6的整数，并且n2可以是从0至2的整数，

a1至a3可以各自独立地为0至6的整数，

R₁可以是*-(CH₂)_n3-CH₃或*-(O-CH₂-CH₂)_n1-OH，和

n3可以是从0至5的整数，

其中，Q₁和Q₂可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团、硝基团、氨基团、脒基团、肼基团、腙基团、C₁-C₆₀烷基团、C₂-C₆₀烯基团、C₂-C₆₀炔基团、C₁-C₆₀烷氧基团、C₃-C₁₀环烷基团、C₁-C₁₀杂环烷基团、C₃-C₁₀环烯基团、C₁-C₁₀杂环烯基团、C₆-C₆₀芳基团、C₁-C₆₀杂芳基团、一价非芳香稠合多环基团、一价非芳香稠合杂多环基团、联苯基团和三联苯基团，和

*和*'可以各自表示与相邻原子的结合位点。

在一个或多个实施例中，一种组合物包括所述含量子点材料，和

至少一种溶剂。

在一个或多个实施例中，一种电子设备包括所述含量子点材料。

在一个或多个实施例中，所述电子设备还可以包括发光装置，所述发光装置包括：第一电极；第二电极，面向所述第一电极；发射层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，所述含量子点材料可以被包括在所述发射层中。

在一个或多个实施例中，所述电子设备还可以包括光源，并且所述含量子点材料可以位于从所述光源发射的光的路径上(例如，穿过)。

在一个或多个实施例中，所述含量子点材料可以被包括在颜色转换层中。

在一个或多个实施例中，所述光源可以是有机发光装置(OLED)或发光二极管(LED)。

附图说明

通过结合附图进行的以下描述，本公开的一些实施例的上述和其他方面、特征和改进将更加明显，在附图中：

图1是示意性地示出根据实施例的含量子点材料的结构的图；

图2是包括在根据本公开的实施例的电子设备中的发光装置的结构的示意图；

图3是根据本公开的实施例的发光设备的示意性截面图；

图4是根据本公开的实施例的发光设备的示意性截面图；

图5A是示出使用根据比较示例1的含量子点材料形成的薄膜在烘烤之前和之后的光转换效率(PCE)(％)的变化的图表；

图5B是示出使用根据示例1的含量子点材料形成的薄膜在烘烤之前和之后的光转换效率(PCE)(％)的变化的图表；

图6A是示出使用根据比较示例1的含量子点材料形成的薄膜在曝光(例如，暴露于光)之前和之后的PCE(％)的变化的图表；以及

图6B是示出使用根据示例2的含量子点材料形成的薄膜在曝光(例如，暴露于光)之前和之后的PCE(％)的变化的图表。

具体实施方式

现在将更详细地参照在附图中示出的实施例、示例，其中在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。在这方面上，本实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为限于在此阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明的各方面。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，a、b和c的全部，或者它们的变化。

因为本公开可以具有多种修改的实施例，所以在附图中示出了并在详细描述中描述了实施例。当参照参考附图描述的实施例时，本公开的效果和特征以及实现这些的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式体现并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。

下面将参照附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。不管图编号如何，那些相同(或基本上相似)或彼此对应的组件被赋予相同(或基本上相似)的附图标记，并且省略(未提供)多余的解释。

将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种合适的组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些组件仅用于将一个组件与另一组件区分开。

以单数形式使用的表达包括复数的表达，除非它在上下文中具有明显不同的含义。

还将理解的是，如本文所用的术语“包含”和/或“包含有”指定存在所陈述的特征或元件，但是不排除存在或附加一个或多个其它特征或元件的存在或添加。

在以下实施例中，当诸如层、膜、区、板等各种合适的组件被称为“在”另一组件(诸如层、膜、区、板等)“上”时，这可以不仅包括另一组件(诸如层、膜、区、板等)“紧接着在”层、膜、区或板(例如，其间没有任何居间元件)上的情况，而且也包括其他组件(诸如层、膜、区、板等)可以放置在其间的情况。为了便于解释，在附图中的元件的尺寸可能被夸大。换句话说，因为在附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意示出的，所以以下实施例不限于此。

含量子点材料

图1是示意性地示出根据本公开的实施例的含量子点材料的结构的图。

参照图1，含量子点材料1包括：量子点2；以及化学结合到量子点2的表面并由式1表示的至少一个配体3：

式1

R_a-(Z₁)_a1-(L₁)_b1-(Z₂)_a2-P₁

其中，在式1中，

R_a可以是包括由-COOH、-PO₃H、二硫戊环或-SH表示的部分的锚定基团4。

在这方面上，锚定基团4是当配体3结合到量子点2上时允许配体3附着(例如，吸附)到量子点2上的结合基团。

在一个或多个实施例中，R_a可以选自-COOH、-PO₃H、-SH或由式3-1至式3-4中的一个表示的基团：

在式3-1至式3-4中，

*表示与相邻原子的结合位点。

例如，R_a可以是-SH。

式1中的L₁可以是*-(CH2)_n1-*'、或*-(O-CH₂-CH₂)_n1-O-*'。

当L₁为*-(CH₂)_n1-*'时，可能降低含量子点材料的极性，并且当L₁为*-(O-CH₂-CH₂)_n1-O-*'时，可能增加含量子点材料的极性。

式1中的b1可以是从1至5的整数。

b1表示L₁的数量，其中，当b1为2或更多时，两个或多个L₁可以彼此相同或不同。

式1中的P₁可以是由式2-1或式2-2表示的基团。

式2-1

*-N＝N-(Z₃)_a3-R₁

式2-2

P₁是通过曝光(hv)(例如，暴露于光)或热来分解以形成自由基的基团。

例如，由式2-1表示的基团可以在释放N₂的同时通过热来分解以形成两个自由基。

例如，由式2-2表示的基团可以基于以下机制通过曝光(hv)(例如，暴露于光)来分解以形成自由基。

其中，在式1、式2-1和式2-2中，

Z₁至Z₃可以各自独立地选自*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝O)O-*'、*-OC(＝O)-*'、*-O-C(＝O)-O-*'、*-OCH₂-*'、*-SCH₂-*'、*-CH₂S-*'、*-CF₂O-*'、*-OCF₂-*'、*-CF₂S-*'、*-SCF₂-*'、*-(CH₂)_n1-*'、*-CF₂CH₂-*'、*-CH₂CF₂-*'、*-(CF₂)_n1-*'、*-C(CH₃)CN-*'、*-CH＝CH-*'、*-CF＝CF-*'、*-C≡C-*'、*-CH＝CH-C(＝O)O-*'、*-OC(＝O)-CH＝CH-*'、*-C(Q₁)(Q₂)-*'和*-O-(CH₂)-O(C＝O)-(CH₂)_n2-*'。

在一个或多个实施例中，Z₁可以是*-(CH₂)_n1-*'。

在一个或多个实施例中，Z₂和Z₃可以各自独立地为*-O-*'、*-C(＝O)O-*'、*-OC(＝O)-*'、*-(CH₂)_n1-*'或*-C(CH₃)CN-*'。

在一个或多个实施例中，*-(Z₂)_a2-*'和*-(Z₃)_a3-*'可以各自独立地为由式4-1至式4-4中的一个表示的基团：

在式4-1至式4-4中，

*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。

在式1和式2-1至式2-2中，n1可以是从1至6的整数，并且n2可以是从0至2的整数，并且

a1至a3可以各自独立地为从0至6的整数。

a1至a3分别表示Z₁至Z₃的数字，并且当a1为2或更多时，两个或多个Z₁(s)可以彼此相同或不同，当a2为2或更多时，Z₂(s)的两个或多个可以彼此相同或不同，当a3为2或更多时，Z₃(s)的两个或多个可以彼此相同或不同，当a1为0时，-(Z₁)_a1-可以是单键，当a2为0时，-(Z₂)_a2-可以是单键，并且当a3为0时，-(Z₃)_a3-可以是单键。

式2-1中，R₁可以是*-(CH₂)_n3-CH₃，或*-(O-CH₂-CH₂)_n1-OH，并且n3可以是从0至5的整数。

当R₁为*-(CH₂)_n3-CH₃时，可能降低含量子点材料的极性，并且当R₁为*-(O-CH₂-CH₂)_n1-OH时，可能增加含量子点材料的极性。

Q₁和Q₂可以各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团、硝基团、氨基团、脒基团、肼基团、腙基团、C₁-C₆₀烷基团、C₂-C₆₀烯基团、C₂-C₆₀炔基团、C₁-C₆₀烷氧基团、C₃-C₁₀环烷基团、C₁-C₁₀杂环烷基团、C₃-C₁₀环烯基团、C₁-C₁₀杂环烯基团、C₆-C₆₀芳基团、C₁-C₆₀杂芳基团、一价非芳香稠合多环基团、一价非芳香稠合杂多环基团、联苯基团和三联苯基团，并且*和*'可以各自表示与相邻原子的结合位点。

式1中的d1可以是从0至4的整数。

在一个或多个实施例中，配体3可以由式1A或式1B表示：

式1A

式1B

在式1A和式1B中，

R_a、L₁、b1和R₁与上述相同。

在一个或多个实施例中，配体3可以包括两个或多个配体，并且包括在配体3中的两个或多个配体可以彼此相同或不同。

在一些实施例中，配体3可以是通过锚定基团4化学结合到量子点2的表面。

在一个或多个实施例中，量子点2可以是：半导体纳米颗粒；具有核壳结构的颗粒，该核壳结构包括包含第一半导体的核和包含第二半导体的壳；或钙钛矿化合物。

在一些实施例中，量子点2可以是半导体纳米颗粒或核壳结构颗粒。

在一些实施例中，半导体纳米颗粒、第一半导体和第二半导体可以各自独立地包括第10族化合物、第11族化合物、第12-16族化合物、第13-15族化合物、第14-16族化合物、第14族化合物、第11-13-16族化合物、第11-12-13-16族化合物或它们的任意组合。

在一些实施例中，半导体纳米颗粒、第一半导体和第二半导体可以各自独立地包括：

Au、Pd或Ag；

CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe；CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnS、MgZnSe；CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；

GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb；GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP；GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或InZnP；

SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe；SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe；SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；

Si、Ge、SiC或SiGe；

AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂；或

它们的任意组合。

在一个或多个实施例中，第一半导体可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnS、MgZnSe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或它们的组合，并且

第二半导体可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnS、MgZnSe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或它们的组合。

在一个或多个实施例中，量子点2的平均粒径(D50)可以是从大约2nm至大约10nm。如本文所用，除非另有定义，平均粒径(D50)是指在粒径分布中具有50％体积的累积体积的颗粒的直径。平均粒径(D50)可以通过合适的技术，例如，利用粒径分析仪、透射电子显微镜摄影术和/或扫描电子显微镜摄影术被测量。另一种方法可以通过利用具有动态光散射的测量装置来执行，分析数据以计数相对于每个粒径的颗粒数，并且然后计算以获得平均粒径(D50)。

含量子点材料1的平均直径(D50)可以是从大约40nm至大约1000nm，例如从大约50nm至大约1000nm，或从大约100nm至大约500nm。在一或多个实施例中，含量子点材料1的平均直径(D50)可以是大约100nm至大约200nm。当含量子点材料1的平均直径(D50)满足这些范围时，含量子点材料1可以在具有相对地大量的量子点2的同时具有期望的(例如，优异的)分散度。

在相关技术中，在利用含量子点组合物形成薄膜时，利用含有引发剂、自由基清除剂、反应性单体、分散剂和配体取代的量子点的组合物。在使用这种组合物的薄膜形成工艺中，考虑了引发剂和溶剂的混溶性。在这方面上，当量子点和引发剂的分散状态不均匀时，利用薄膜形成的图案可能是不均匀的(例如，利用这种组合物形成的薄膜图案可能在厚度和/或成分上不均匀)。另外，量子点的效率可能通过自由基被降低。

在含量子点材料1中，将含有引发剂部分的配体3放置在量子点2的表面以诱导在量子点2的表面上的聚合物的生长，并且同时，以保护量子点2免受自由基的攻击。

另外，由于在配体3中包括引发剂部分，不需要清除剂或引发剂(例如，单独的清除剂或引发剂)，这导致在成本降低和工艺上的简化。而且，因为量子点2和引发剂部分被包括在含量子点材料1中，所以量子点2和引发剂部分可以是均匀分布。因此，在所得组合物和薄膜的形成期间中，可以保持含量子点材料1的效率，并且可以改善含量子点材料1的稳定性。

在一些实施例中，钙钛矿化合物是具有与CaTiO₃的晶体结构相关的三维晶体结构的材料。

在一些实施例中，钙钛矿化合物可以由式4表示：

式4

[A][B_m][X]₃

其中，在式4中，

A可以是一价有机阳离子、一价无机阳离子中的至少一种或它们的任意组合，

B可以是至少一种二价无机阳离子。

m是满足0<m≤1条件的实数，并且

X可以是至少一个一价阴离子。

组合物

根据另一实施例，提供了一种包括含量子点材料和至少一种溶剂的组合物。

基于组合物的总重量，组合物中含量子点材料的量可以是从大约0.1wt％或更多至大约20wt％或更少，或从大约0.2wt％或更多至大约10wt％或更少。然而，含量子点材料的量不限于此。在这些范围内，该组合物可以是适用于在可溶工艺(例如，在利用含量子点材料的溶液的工艺中)中制造具有足够发光效率的发光装置。

由于改善的膜均匀性、改善的电荷注入平衡、改善的受传输层影响的量子点效率和/或由于量子点的孔隙(例如，量子点之间的间隙)在阻止电子传输层(例如，电子传输层)和空穴传输层(例如，空穴传输层)之间的直接接触方面的改善，包含含量子点材料的发光装置可以提供足够的发光效率和/或长寿命。

只要溶剂能够适当地(或适当地)分散含量子点材料，溶剂的种类(例如，类型)不受限制。

例如，溶剂可以是有机溶剂。

例如，溶剂可以包括具有大约100℃或更高且大约180℃或更低的沸点的溶剂。

在一个或多个实施例中，溶剂可以选自氯基溶剂、醚基溶剂、酯基溶剂、酮基溶剂、脂肪烃基溶剂和芳香烃基溶剂，但本公开的实施例不限于此。

在一个或多个实施例中，溶剂可以包括二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯、环己基苯、四氢呋喃、二恶烷、苯甲醚、4-甲基苯甲醚、丁基苯基醚、甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙苯、正己基苯、环己基苯、三甲苯、四氢萘、环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、十二烷、十六烷、氧杂癸烷、丙酮、甲乙酮、环己酮、苯乙酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丁酯、3-苯氧基苯甲酸或它们的任意组合，但本公开的实施例不限于此。

基于组合物的总重量，在组合物中溶剂的量可以是从大约80wt％或更多至大约99.9wt％或更少，或从大约90wt％或更多至大约99.8wt％或更少，但本公开的实施例不限于此。在这些范围内，含量子点材料可以适当地分散在组合物(例如，油墨组合物)中，并且可以获得适合于可溶工艺(例如，利用含量子点材料的溶液的工艺)的固体含量浓度。

在一个或多个实施例中，组合物还可以包括含有至少一个双键的单体。

单体可以是丙烯酸单体或苯乙烯单体。

在一个或多个实施例中，单体可以是甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、甲基丙烯酸或它们的组合。

如上所述，在本公开的含量子点材料中，含有引发剂部分的配体结合在(即，锚定在)量子点的表面上，并且因此可以通过曝光(hv)(例如，暴露于光)或加热来在量子点的表面上形成自由基。

通过以这种方式形成的自由基，单体可以是聚合的。结果，可以在量子点的表面上诱导聚合物的生长。

在一些实施例中，组合物可以不包括引发剂。

在一些实施例中，组合物可以不包括清除剂。

组合物还可以包括空穴传输化合物或电子传输化合物。

空穴传输化合物还可以与结合在将在后面描述的空穴传输区中的空穴传输化合物相同。

电子传输化合物可以与结合在将在后面描述的电子传输区的电子传输化合物相同。

基于组合物的总重量，在组合物中空穴传输化合物或电子传输化合物的量可以是从大约0.5wt％或更多至大约20wt％或更少，或从大约0.5wt％或更少至大约15wt％或更少。然而，本公开的实施例不限于此。

组合物的粘度可以是从大约1厘泊(cP)至大约10cPs。满足该粘度范围的组合物可以适用于通过利用可溶工艺(例如，利用含量子点材料的溶液的工艺)制造发光装置的含量子点层。

组合物的表面张力可以是从大约10达因/厘米至大约40达因/厘米。满足该表面张力范围的组合物可以适用于通过利用可溶工艺(例如，在利用含量子点材料的溶液的工艺中)制造发光装置的含量子点层。

发光装置

图2示意性地示出了包括在根据实施例的电子设备中的发光装置10的截面图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

在下文中，将结合图2描述根据实施例的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图2中，基底可以额外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为基底，可以使用玻璃基底或塑料基底。在一个或多个实施例中，基底可以是柔性基底，并且可以包括具有期望的(例如，优异的)耐热性和耐久性的塑料，诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，polyethylene terephthalate)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR，polyarylate)、聚醚酰亚胺或它们的任意组合。

第一电极110可以通过例如在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。

第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或它们的任意组合。在一个或多个实施例中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任意组合可以被用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可以具有由单层结构组成的单层或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

中间层130

中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层133。

中间层130还可以包括位于第一电极110和发射层133之间的空穴传输区131和位于发射层133和第二电极150之间的电子传输区135。

除各种合适的有机材料之外，中间层130还可以包括含金属的化合物诸如有机金属化合物和/或诸如量子点的无机材料等。

在一个或多个实施例中，中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或多个发射单元，和ii)位于两个发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如上所述的发光单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。

中间层130中的空穴传输区131

空穴传输区131可以具有：i)由由单一材料组成的单层组成的单层结构，ii)包括(例如，由单层组成)单层的单层结构，该单层包括(例如，由多种不同的材料组成)多种不同的材料，或iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

空穴传输区131可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射辅助层、电子阻挡层(EBL)或它们的任意组合。

例如，空穴传输区131可以具有多层结构，该多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，在每个结构中，各个层从第一电极110以各自所陈述的顺序依次堆叠。

空穴传输区131可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任意组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C1-C60杂环基团，

xa1至xa4可以各自独立地为0至5的整数，

xa5可以是从1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基团彼此连接以形成未被取代或被至少一个R_10a(例如，化合物HT16)取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团和/或类似基团等)。

R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地通过单键、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基团彼此连接以形成未被取代或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可以是从1至4的整数。

在一个或多个实施例中，式201和式202中的每一个可以包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个。

式CY201至CY217中的R_10b和R_10c与结合R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地为C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且在式CY201至CY217中的至少一个氢可以未被取代或被R_10a取代。

在一个或多个实施例中，式CY201至CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地为苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在一个或多个实施例中，式201和式202中的每一个可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施例中，式201可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施例中，式201中的xa1可以是1，R₂₀₁可以是由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由式CY204至CY207中的一个表示的基团。

在一个或多个实施例中，式201和式202中的每一个可以不包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施例中，式201和式202中的每一个可以不包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个，并且可以包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施例中，式201和式202中的每一个可以不包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施例中，空穴传输区131可以包括化合物HT1至HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、Spiro-TPD、Spiro-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)中的一个或它们的任意组合：

空穴传输区131的厚度可以在大约50埃至大约10,000埃的范围内，例如，大约100埃至大约4,000埃。当空穴传输区131包括空穴注入层、空穴传输层或它们的任意组合时，空穴注入层的厚度可以在大约100埃至大约9,000埃的范围内，例如，大约100埃至大约1,000埃，并且空穴传输层的厚度可以在大约50埃至大约2,000埃的范围内，例如，大约100埃至大约1,500埃。当空穴传输区131、空穴注入层和空穴传输层的厚度在它们各自的范围内时，可以在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的空穴传输特性。

发射辅助层可以通过根据由发射层133发射的光的波长补偿光学共振距离来提高发光效率，并且电子阻挡层可以阻挡或减少来自电子传输区135的电子流。发射辅助层和电子阻挡层可以包括如上所述的材料。

p掺杂剂

除上述材料之外，空穴传输区131还可以包括用于改善导电性能的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀或不均匀地分散在空穴传输区131(例如，以包括(例如，由电荷产生材料组成)电荷产生材料的单层形式)中。

电荷产生材料可以是，例如，p掺杂剂。

在一个或多个实施例中，p掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以是大约-3.5eV或更小。

在一个或多个实施例中，p掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基团的化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物或它们的任意组合。

醌衍生物的示例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基团的化合物的示例可以包括HAT-CN和由以下式221表示的化合物。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，以及

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以各自独立地为：各自被氰基团、-F、-Cl、-Br、-I取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团；被氰基团、-F、-Cl、-Br、-I或它们的任意组合取代的C₁-C₂₀烷基团；或它们的任意组合。

在含有元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或它们的组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或它们的组合。

金属的示例可以包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的示例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的示例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在一个或多个实施例中，包含元素EL1和元素EL2的化合物的示例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或它们的任意组合。

金属氧化物的示例可以包括氧化钨(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、氧化钒(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、氧化钼(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和氧化铼(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的示例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的示例可以包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的示例可以包括卤化钛(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、卤化锆(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、卤化铪(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、卤化钒(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、卤化铌(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、卤化钽(例如TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、卤化铬(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、卤化钼(例如MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、卤化钨(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、卤化锰(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、卤化锝(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、卤化铼(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、卤化亚铁(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、卤化钌(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、卤化铑(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、卤化铱(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、卤化镍(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、卤化钯(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、卤化铂(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、卤化亚铜(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、卤化银(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和卤化金(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的示例可以包括卤化锌(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、卤化铟(例如，InI₃等)和卤化锡(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的示例可以包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

准金属卤化物的示例可以包括卤化锑(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

中间层130中的发射层133

当发光装置10是全色发光装置时，发射层133可以根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施例中，发射层133可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的两层或更多层的堆叠结构，在该结构中，两层或更多层彼此接触或彼此分离。在一个或多个实施例中，发射层可以包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，在该发射层中，两种或更多种材料彼此混合在单层中以发射白光。

发射层133可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或它们的任意组合。

基于100重量份的主体，发射层133中掺杂剂的量可以是从大约0.01至大约15重量份。

在一个或多个实施例中，发射层133可以包括量子点。

在一个或多个实施例中，发射层133可以包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层133中的主体或掺杂剂。

发射层133的厚度可以在大约100埃至大约1000埃的范围内，例如大约200埃至大约600埃。当发射层133的厚度在这些范围内时，可以在驱动电压没有显著增加的情况下获得期望的(例如，优异的)发光特性。

主体

在一个或多个实施例中，主体可以包括由以下式301表示的化合物。

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可以各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是从0至5的整数，

R₃₀₁可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团、硝基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基团，未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基团，未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可以是从1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃与结合Q₁描述的相同。

在一个或多个实施例中，当式301中的xb11为2或更多时，两个或多个Ar₃₀₁(s)可以经由单键彼此连接。

在一个或多个实施例中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或它们的任意组合：

式301-1

式301-2

在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可以各自独立地为未被取代或被至少一个R10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可以是O、S、N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可以各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁与本说明书中描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可以各自独立地与结合L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可以各自独立地与结合xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可以各自独立地与结合R₃₀₁描述的相同。

在一个或多个实施例中，主体可以包括碱土金属络合物、过渡后金属络合物或它们的组合。在一个或多个实施例中，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或它们的组合。

在一个或多个实施例中，主体可以包括化合物H1至H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑基-9-基)苯(TCP)、3,3-二(9H-咔唑基-9-基)联苯(mCBP)，或它们的任意组合：

磷光掺杂剂

在一个或多个实施例中，磷光掺杂剂可以包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可以包括单齿配体、双齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或它们的任意组合。

磷光掺杂剂可以是电中性的。

在一个或多个实施例中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中，当xc1是2或更多时，两个或多个L₄₀₁(s)可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，并且当xc2是2或更多时，两个或多个L₄₀₂(s)可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地为C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'、或*＝C＝*',

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄与结合Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团、硝基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃与结合Q₁描述的相同，

xc11和xc12可以各自独立地为从0至10的整数，并且

式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

在一个或多个实施例中，在式402中，i)X₄₀₁是氮，并且X₄₀₂是碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个是氮。

在一个或多个实施例中，当式401中的xc1为2或更多时，两个或多个L₄₀₁(s)的两个环A₄₀₁可以任选地经由T₄₀₂彼此连接，T₄₀₂是连接基团，并且两个环A₄₀₂可以任选地通过T₄₀₃彼此连接，T₄₀₃是连接基团(参见化合物PD1至PD4和PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃与结合T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可以是有机配体。在一个或多个实施例中，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮化物基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN基团、磷基团(例如，膦基团、亚磷酸盐基团等)或它们的任意组合。

磷光掺杂剂可以包括例如化合物PD1至PD25中的一种或它们的任意组合：

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基团的化合物或它们的任意组合。

在一个或多个实施例中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xd1至xd3可以各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

在一个或多个实施例中，式501中的Ar₅₀₁可以是其中三个或多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基团、

基团或芘基团)。

在一个或多个实施例中，式501中的xd4可以是2。

在一个或多个实施例中，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至FD36中的一个；DPVBi；DPAVBi；或其任何组合：

延迟荧光材料

发射层133可以包括延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可以选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。

取决于包括在发射层133中的其他材料的种类(例如，类型)，包括在发射层133中的延迟荧光材料可以用作主体或掺杂剂。

在一个或多个实施例中，延迟荧光材料的三线态能级(eV)与延迟荧光材料的单线态能级(eV)之间的差异可以大于或等于0eV并且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三线态能级(eV)与延迟荧光材料的单线态能级(eV)之间的差异满足上述范围时，可以有效地产生从三线态的延迟荧光材料向上转换为单线态的延迟荧光材料，并且因此可以改善发光装置10的发射效率。

在一个或多个实施例中，延迟荧光材料可以包括：i)一种材料，该材料包括至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，诸如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基团和/或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)，和ii)包括C₈-C₆₀多环基团的材料，在该C₈-C₆₀多环基团中，两个或多个环状基团在共享硼(B)的同时稠合。

在一个或多个实施例中，延迟荧光材料可以包括以下化合物DF1至DF9中的至少一种：

量子点

在一个或多个实施例中，发射层133可以包括量子点。

在本说明书中，量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种合适发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可以在例如大约1nm至大约10nm的范围内。

量子点可以通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺被合成。

根据湿化学工艺，前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地用作配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，使得可以通过比蒸汽沉积方法更容易进行的工艺来控制量子点颗粒的生长，诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和/或分子束外延(MBE)，并且这需要的成本低。

量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物、或它们的任意组合。

II-VI族半导体化合物的示例可以包括二元化合物，诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，诸如，CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或它们的任意组合。

III-V族半导体化合物的示例可以包括二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb等；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb等；四元化合物，诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb等；或它们的任意组合。在一个或多个实施例中，III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。还包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

III-VI族半导体化合物的示例可以包括二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃和/或InTe；三元化合物，诸如，InGaS₃和/或InGaSe₃；或它们的任意组合。

I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括三元化合物，诸如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和/或AgAlO₂；或它们的任意组合。

IV-VI族半导体化合物的示例可以包括二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe等；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe等；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe等；或其任何组合。

IV族元素或化合物可以包括单元素化合物，诸如Si和/或Ge；二元化合物，诸如SiC和/或SiGe；或它们的任意组合。

包括在多元素化合物诸如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物中的每个元素可以以均匀浓度或不均匀浓度存在于颗粒中。

在一个或多个实施例中，量子点可以具有单一结构或双核-壳结构。在量子点具有单一结构的情况下，包括在相应量子点中的每种元素的浓度是均匀的。在一个或多个实施例中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以用作保护层以防止或减少核的化学退化以维持半导体特性和/或用作充电层以赋予量子点电泳特性。壳可以是单层或多层。存在于核与壳之间的界面处的元素可以具有朝向量子点的中心减小的浓度梯度。

量子点的壳的示例可以是金属、准金属和/或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的任意组合。金属、准金属和/或非金属的氧化物的示例可以包括二元化合物，诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO；三元化合物，诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄；或它们的任意组合。半导体化合物的示例可以包括如本文所述的II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；或它们的任意组合。在一个或多个实施例中，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或它们的任意组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是大约45nm或更小，例如，大约40nm或更小，例如，大约30nm或更小，并且在这些范围内，色纯度和/或色域(例如，颜色再现性)可以被增加。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以改善广视角。

在一个或多个实施例中，量子点可以是球形颗粒、锥形颗粒、多臂颗粒、立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米片。

因为可以通过控制量子点的尺寸来调节能带隙，所以可以从量子点发射层获得具有各种合适波段的光。因此，通过利用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种合适波长的光的发光装置。在一个或多个实施例中，可以选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。在一个或多个实施例中，量子点的尺寸可以被配置为通过组合各种合适颜色的光来发射白光。

中间层130中的电子传输区135

电子传输区135可以具有：i)由由单一材料组成的单层组成的单层结构，ii)包括(例如，由单层组成)单层的单层结构，该单层包括(例如，由多种不同的材料组成)多种不同的材料，或iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

电子传输区135可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任意组合。

在一个或多个实施例中，电子传输区135可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每个结构，组成层从发射层133以各自所陈述的顺序依次堆叠。

在一个或多个实施例中，电子传输区135(例如，电子传输区135中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可以包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在一个或多个实施例中，电子传输区135可以包括由以下式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可以各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃与结合Q₁描述的相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，

Ar₆₀₁、L₆₀₁或R₆₀₁中的至少一个可以各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在一个或多个实施例中，当式601中的xe11为2或更多时，两个或多个Ar₆₀₁(s)可以经由单键连接。

在一个或多个实施例中，式601中的Ar₆₀₁可以是取代或未被取代的蒽基团。

在一个或多个实施例中，电子传输区135可以包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃与结合L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613与结合xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃与结合R₆₀₁描述的相同，

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团、硝基团、C₁-C₂₀烷基团、C₁-C₂₀烷氧基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

在一个或多个实施例中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地为0、1或2。

电子传输区135可以包括化合物ET1至ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-氧化膦(TSPO1)中的一种或它们的任意组合：

电子传输区135的厚度可以是从大约100埃至大约5,000埃，例如，大约160埃至大约4,000埃。当电子传输区135包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层中的每一个的厚度可以独立地为从大约20埃至大约1000埃，例如大约30埃至大约300埃，并且电子传输层的厚度可以是从大约100埃至大约1000埃，例如，大约150埃至大约500埃。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可以在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的电子传输特性。

除上述材料之外，电子传输区135(例如，电子传输区135中的电子传输层)还可以包括含金属材料。

含金属材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基恶唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基恶二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任意组合。

在一个或多个实施例中，含金属材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如，化合物ET-D1(LiQ)或ET-D2：

电子传输区135可以包括促进来自第二电极150的电子注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。

电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单层组成的单层结构，ii)包括(例如，由单层组成)单层的单层结构，该单层包括(例如，由多种不同的材料组成)多种不同的材料，或iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或它们的任意组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或它们的任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或它们的任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或它们的任意组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可以是一种或多种氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)，和/或碱金属、碱土金属和稀土金属的碲化物。

含碱金属化合物可以包括一种或多种碱金属氧化物，诸如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O，碱金属卤化物，诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI或它们的任意组合。含碱土金属化合物可以包括碱土金属化合物(例如，氧化物)，诸如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x是满足0<x<1条件的实数)和/或Ba_xCa_1-xO(x是满足0<x<1条件的实数)等。含稀土金属化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或它们的任意组合。在一个或多个实施例中，含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一个，和ii)作为配体结合到金属离子，诸如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基恶唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基恶二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任意组合。

如上所述，电子注入层可以包括(例如，由...组成)碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或它们的任意组合。在一个或多个实施例中，电子注入层还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一个或多个实施例中，电子注入层可以包括(例如，由...组成)i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的任意组合组成。在一个或多个实施例中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层和/或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或它们的任意组合可以均匀或非均匀地分散在包括有机材料的矩阵中。

电子注入层的厚度可以在大约1埃至大约100埃的范围内，并且，例如，大约3埃至大约90埃。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可以在不显著增加驱动电压的情况下具有令人满意的电子注入特性。

第二电极150

第二电极150可以位于具有根据本公开的实施例的结构的中间层130上。第二电极150可以是电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函数的金属、合金、导电化合物或它们的任意组合作为用于第二电极150的材料。

在一个或多个实施例中，第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或它们的组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可以具有单层结构或包括两层或更多层的多层结构。

覆盖层

第一覆盖层可以位于第一电极110的外部，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150的外部。在一个或多个实施例中，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以所陈述的顺序依次地堆叠的结构、其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以所陈述的顺序依次堆叠的结构或其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以所陈述的顺序依次地堆叠的结构。

在发光装置10的中间层130的发射层133中产生的光可以通过为半透射电极或透射电极的第一电极110以及第一覆盖层被提取(例如，发射)到外部，和/或在发光装置10的中间层130的发射层133中产生的光可以通过为半透射电极或透射电极的第二电极150以及第二覆盖层被提取(例如，发射)到外部。

根据相长干涉原理，第一覆盖层和第二覆盖层可以增加外部发射效率。因此，发光装置10的光提取效率被增加，使得可以改善发光装置10的发射效率。

第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包括具有1.6或更多的折射率(在589nm处)的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。

选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基团化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任意组合。碳环化合物、杂环化合物和/或含胺基团化合物可以任选地被包含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任意组合的取代基取代。在一个或多个实施例中，第一覆盖层或第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包括含胺基团化合物。

在一个或多个实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任意组合。

在一个或多个实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包括化合物HT28至HT33中的一种、化合物CP1至CP6中的一种、β-NPB或它们的任意组合：

电子设备

发光装置可以包括在各种合适的电子设备中。在一个或多个实施例中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备和/或认证设备等。

除发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)还可以包括i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在一个或多个实施例中，从发光装置发射的光可以是蓝光或白光。发光装置可以与上述相同。在一个或多个实施例中，颜色转换层可以包括量子点。量子点可以是例如，本文所述的含量子点材料。

电子设备可以包括第一基底。第一基底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定膜可以位于子像素区域间(例如，之间)以限定子像素区域中的每一个。

滤色器还可以包括多个滤色器区域和位于滤色器区域间(例如，之间)的遮光图案，并且颜色转换层可以包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域间(例如，之间)的遮光图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在一个或多个实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光并且第三颜色光可以是蓝光。在一个或多个实施例中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括量子点。例如，第一区域可以包括红色量子点，第二区域可以包括绿色量子点，并且第三区域可以不包括量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域还可以各自包括散射体(例如，散射体)。

在一个或多个实施例中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发出第三-第一颜色光。在这方面，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝光，第一-第一颜色光可以是红光，第二-第一颜色光可以是绿光并且第三-第一颜色光可以是蓝光。

除如上所述的发光装置之外，电子设备还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源极电极、漏极电极和有源层，其中，源极电极和漏极电极中的一个可以电连接到发光装置的相对应的第一电极或第二电极的中的一个。

薄膜晶体管还可以包括栅极电极、栅极绝缘膜等。

有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备还可以包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分和/或颜色转换层可以放置在滤色器和发光装置之间。密封部分允许将来自发光装置的光被提取到外部，同时(或当时)防止或减少环境空气和湿气渗透到发光装置内。密封部分可以是包括透明玻璃基底和/或塑料基底的密封基底。密封部分可以是包括有机层和/或无机层中的至少一层的薄膜封装层。当密封部分是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

除滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子设备的用途，各种合适的功能层可以额外地位于密封部分上。功能层可以包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外触摸屏层。认证设备可以是例如，通过利用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物信息来认证个体的生物认证装置。

除发光装置之外，认证设备还可以包括生物信息收集器。

电子设备可以应用于各种合适的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗器械(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声波诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼器、各种合适的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和/或船只的仪表)和投影仪等。

图3和图4的描述

图3是示出根据实施例的发光设备的截面图。

图3的发光设备包括基底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基底100可以是柔性基底、玻璃基底或金属基底。缓冲层210可以形成在基底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质通过基底100的渗透并且可以在基底100上提供平坦的表面。

薄膜晶体管(TFT)可以位于缓冲层210上。薄膜晶体管(TFT)可以包括有源层220、栅极电极240、源极电极260和漏极电极270。

有源层220可以包括诸如硅和/或多晶硅的无机半导体、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可以包括源极区、漏极区和沟道区。

用于使有源层220与栅极电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅极电极240可以位于栅极绝缘膜230上。

层间绝缘膜250位于栅极电极240上。层间绝缘膜250可以放置在栅极电极240和源极电极260之间以使栅极电极240与源极电极260绝缘并且在栅极电极240和漏极电极270之间以使栅极电极240与漏极电极270绝缘。

源极电极260和漏极电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源极区和漏极区，并且源极电极260和漏极电极270可以与有源层220的源极区和漏极区的暴露部分接触。

薄膜晶体管(TFT)电连接到发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的组合。发光装置被提供在钝化层280上。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以被形成在钝化层280上。钝化层280没有完全覆盖漏极电极270并且暴露了漏极电极270的一部分，并且第一电极110连接到漏极电极270的暴露的部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且中间层130可以形成在第一电极110的暴露的区中。像素限定层290可以是聚酰亚胺和/或聚丙烯酸有机膜。在一个或多个实施例中，中间层130的至少一些层可以延伸超出像素限定层290的上部并且因此可以以公共层的形式定位。

第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。

封装部分300可以位于覆盖层170上。封装部分300可以位于发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气的影响。封装部分300可以包括：包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的任意组合的无机膜；包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧基树脂(例如，和/或脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或它们的组合的有机膜；或者无机膜和有机膜的组合。

图4是示出根据本公开的实施例的发光设备的截面图。

除了额外地位于封装部分300上的遮光图案500和功能区400，图4的发光设备与图3的发光设备相同，。功能区400可以是i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施例中，包括在图4的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。

包括在空穴传输区、发射层和电子传输区中的各个层可以通过利用一种或多种选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布吉特(LB)沉积、喷墨打印、激光打印和激光诱导热成像(LITI)的合适方法在特定区中被形成。

当构成空穴传输区131、发射层133的层和构成电子传输区135的层通过真空沉积被形成时，取决于将形成的层中包括的材料和将形成的层的结构，沉积可以在大约100℃至大约500℃的沉积温度下，以大约10^-8托至大约10^-3托的真空度以及大约0.01埃/秒至大约100埃/秒的沉积速度进行。

术语限定

如本文所用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”是指仅由作为成环原子的碳原子组成并具有三至六十个碳原子的环状基团，并且如本文所用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指具有一至六十个碳原子并且除碳之外还具有至少一个杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可以各自独立地为单环基团，该单环基团包括(例如，由一个环或两个或多个环彼此稠合的多环基团组成)一个环或两个或多个环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基团的成环原子数可以是从3至61。

如本文所用的“环状基团”可以包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文所用，术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”是指具有三至六十个碳原子且不包括*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文所用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”是指具有一至六十个碳原子并且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

例如，

C₃-C₆₀碳环基团可以是i)基团T1或ii)其中两个或多个基团T1彼此(例如，C₃-C₆₀碳环基团可以是环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、并环戊二烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、

基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄团、卵苯基团，茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团和/或茚并蒽基团)稠合的稠环基团，

C₁-C₆₀杂环基团可以是i)基团T2，ii)其中两个或多个基团T2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合(例如，C1-C60杂环基团可以是吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、恶唑基团、异恶唑基团、恶二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并恶唑基团、苯并异恶唑基团、苯并噻咯基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并哌嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)的稠环基团，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是i)基团T1，ii)其中两个或多个基团T1彼此稠合的稠环基团，iii)基团T3，iv)其中两个或多个基团T3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是C₃-C₆₀碳环基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团，苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团，苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃二苯并呋喃基、苯并呋喃二苯并噻吩基团、苯并噻吩二苯并噻吩基团等)的稠环基团，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可以是i)基团T4，ii)其中两个或多个基团T4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团(例如，缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可以是吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、恶唑基团、异恶唑基团、恶二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并恶唑基团、苯并异恶唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等等。)

基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚基团、环辛基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团(或双环[2.2.1]庚烷)、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛基团或苯基团，

基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、恶唑基团、异恶唑基团、恶二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，

基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，并且

基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、恶唑基团、异恶唑基团、恶二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

取决于与使用的术语结合的式的结构，如本文所用的术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基团”、“C₁-C₆₀杂环基团”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”和/或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”可以指稠合到任何合适的环状基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)的基团。在一个或多个实施例中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基团和/或亚苯基团等，本领域普通技术人员可以根据包括“苯基团”的式的结构容易地理解这些。

一价C₃-C₆₀碳环基团和一价C₁-C₆₀杂环基团的示例可以包括C₃-C₁₀环烷基团、C₁-C₁₀杂环烷基团、C₃-C₁₀环烯基团、C₁-C₁₀杂环烯基团、C₆-C₆₀芳基团、C₁-C₆₀杂芳基团、一价非芳香稠合多环基团和一价非芳香稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的示例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基团、C₁-C₁₀杂环亚烷基团、C₃-C₁₀亚环烯基团、C₁-C₁₀杂亚环烯基团、C₆-C₆₀亚芳基团、C₁-C₆₀杂亚芳基团、二价非芳香稠合多环基团和二价非芳香稠合杂多环基团。

如本文所用的术语“C₁-C₆₀烷基团”是指具有一至六十个碳原子的直链或支链脂族烃一价基团，并且该基团的示例可以包括甲基团、乙基团、正丙基团、异丙基团、正丁基团、仲丁基团、异丁基团、叔丁基团、正戊基团、叔戊基团、新戊基团、异戊基团、仲戊基团、3-戊基团、仲异戊基团、正己基团、异己基团、仲己基团、叔己基团、正庚基团、异庚基团、仲庚基团、叔庚基团、正辛基团、异辛基团、仲辛基团、叔辛基团、正壬基团、异壬基团、仲壬基团、叔壬基团、正癸基团、异癸基团、仲癸基团和叔癸基团。如本文所用的术语“C₁-C₆₀亚烷基团”是指具有与C₁-C₆₀烷基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“C₂-C₆₀烯基团”是指在C₂-C₆₀烷基团的中间和/或末端具有至少一个碳-碳双键的一价烃基团，并且该基团的示例可以包括乙烯基团、丙烯基团和丁烯基团。如本文所用的术语“C₂-C₆₀亚烯基团”是指具有与C₂-C₆₀烯基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“C₂-C₆₀炔基团”是指在C₂-C₆₀烷基团的中间和/或末端具有至少一个碳-碳三键的一价烃基团，并且该基团的示例可以包括乙炔基团和丙炔基团。如本文所用的术语“C₂-C₆₀亚炔基团”是指具有与C₂-C₆₀炔基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“C₁-C₆₀烷氧基团”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基团)表示的一价基团，并且该基团的示例可以包括甲氧基团、乙氧基团和异丙氧基团。

如本文所用的术语“C₃-C₁₀环烷基团”是指具有3至10个碳原子的一价饱和烃环基团，该基团的示例可以包括环丙基团、环丁基团、环戊基团、环己基团、环庚基团、环辛基团、金刚烷基团、降冰片烷基团(或双环[2.2.1]庚基团)、双环[1.1.1]戊基团、双环[2.1.1]己基团和双环[2.2.2]辛基团。如本文所用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”是指具有与C₃-C₁₀环烷基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基团”是指除碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子并且具有1至10个碳原子的一价环状基团原子，并且该基团的示例可以包括1,2,3,4-噁三唑啶基团、四氢呋喃基团和四氢噻吩基团。如本文所用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“C₃-C₁₀环烯基团”是指在该基团的环中具有三至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且无芳香性的一价环状基团，该基团的示例可以包括环戊烯基团、环己烯基团和环庚烯基团。如本文所用，术语“C₃-C₁₀亚环烯基团”是指具有与C₃-C₁₀环烯基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基团”是指除碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子且在该基团的环状结构中至少有一个双键(例如碳-碳双键)的一价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基团的示例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-恶三唑基团、2,3-二氢呋喃基团和2,3-二氢噻吩基团。如本文所用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“C₆-C₆₀芳基团”是指具有六至六十个碳原子的碳环芳香体系的一价基团，并且如本文所用的术语“C₆-C₆₀亚芳基团”是指具有具有六至六十个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例可以包括苯基团、并环戊二烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、

基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团和卵苯基团。当C₆-C₆₀芳基团和C₆-C₆₀亚芳基团各自独立地包括两个或多个环时，这些环可以彼此稠合。

如本文所用的术语“C₁-C₆₀杂芳基团”是指具有杂环芳香体系的一价基团，除碳原子之外该杂环芳香体系还具有至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。如本文所用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基团”是指具有杂环芳香体系的二价基团，除一个或多个碳原子之外该杂环芳香体系还具有至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例可以包括吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、苯并喹啉基团、异喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、噌啉基团、菲咯啉基团、酞嗪基团和萘啶基团。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自独立地包括两个或多个环时，这些环可以彼此稠合。

如本文所用的术语“一价非芳香稠合多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多个环，仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环的一价基团原子，并且当整体考虑时，整个分子结构中没有芳香性。一价非芳香稠合多环基团的示例可以包括茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团和茚并蒽基团。如本文所用的术语“二价非芳香稠合多环基团”是指具有与一价非芳香稠合多环基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“一价非芳香稠合杂多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多个环、除碳原子(例如，具有1至60个碳原子)之外的至少一个杂原子作为一个成环原子，并且当作为一个整体考虑时，该基团的整个分子结构中的非芳香性的一价基团。一价非芳香稠合杂多环基团的示例可以包括吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并甲硅烷基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并甲硅烷基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并甲硅烷基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、四唑基团、恶唑基团、异恶唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、恶二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并恶唑基团、苯并噻唑基团、苯并恶二唑基团、苯并噻二唑基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并甲硅烷基团、苯并呋喃二苯并呋喃基团、苯并呋喃二苯并噻吩基团和苯并噻吩二苯并噻吩基团。如本文所用的术语“二价非芳香稠合杂多环基团”是指具有与一价非芳香稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。

如本文所用的术语“C₆-C₆₀芳氧基团”是指由-OA₁₀₂(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基团)表示的一价基团，并且如本文所用的术语“C₆-C₆₀芳硫基团”是指至由-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基团)表示的一价基团。

如本文所用的术语“R_10a”是指：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团或硝基团；

C₁-C₆₀烷基团、C₂-C₆₀烯基团、C₂-C₆₀炔基团或C₁-C₆₀烷氧基团，各自未被取代或被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团、硝基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基团、C₆-C₆₀芳硫基团、-Si(Q₁₁₎(Q₁₂)(Q₁₃),-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁))(Q₁₂)或它们的任意组合取代，

C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基团或C₆-C₆₀芳硫基团，各自未被取代或被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团、硝基团、C₁-C₆₀烷基团、C₂-C₆₀烯基团、C₂-C₆₀炔基团、C₁-C₆₀烷氧基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基团、C₆-C₆₀芳硫基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任意组合取代，或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

如本文所用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基团；氰基团；硝基团；C₁-C₆₀烷基团；C₂-C₆₀烯基团；C₂-C₆₀炔基团；C₁-C₆₀烷氧基团；或C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，各自未被取代或被氘、-F、氰基团、C₁-C₆₀烷基团、C₁-C₆₀烷氧基团、苯基团、联苯基团或它们的任意组合取代。

如本文所用的术语“杂原子”是指除碳原子之外的任何原子。杂原子的示例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及它们的任意组合。

如本文所用的术语“Ph”是指苯基团，如本文所用的术语“Me”是指甲基团，如本文所用的术语“Et”是指乙基团，如本文所用的术语“ter-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基团，如本文所用的术语“OMe”是指甲氧基团。

如本文所用的术语“联苯基团”可以指“被苯基团取代的苯基团”。换言之，“联苯基团”可以是具有C₆-C₆₀芳基团作为取代基的取代苯基团。

如本文所用的术语“三联苯基团”可以指“被联苯基团取代的苯基团”。例如，“三联苯基团”可以是具有被C₆-C₆₀芳基团取代的C₆-C₆₀芳基团作为取代基的取代苯基团。

如本文所用，除非另有定义，*和*'各自指对应式中与相邻原子的结合位点。

示例

合成示例1：配体1的合成

合成示意图1

将2.90ml二氢吡喃(DHP)、1.20ml对甲苯磺酸(TsOH)和500mlCH₂Cl₂加入到14.0g中间体1-A中以获得16.5g中间体1-B。

将14.5g硫代乙酸钾(KSAc)加入到500ml乙醇(EtOH)中的16.5g中间体1-B中，并回流以获得11g中间体1-C。

将500ml甲醇(MeOH)中的8.00gTsOH加入到11.0g中间体1-C中，并回流以获得12.5g中间体1-D。

将11.0g二环己基碳二亚胺(DCC)、2.70g二甲氨基吡啶(DMAP)和10.0ml四乙二醇二甲醚(TEGDME)加入到14.0g中间体1-E中，并且然后加入500ml CH₂Cl₂，并且将所得混合物在室温下储存12小时，从而获得17.0g中间体1-F。

将10.0g DCC、4.50g DMAP和12.5g中间体1-D加入到17.0g中间体1-F中，并且然后向其中加入1000ml CH₂Cl₂，并且将所得混合物在室温下储存12小时以获得14g中间体1-G。

将250ml肼(H₂NNH₂)加入14g中间体1-G中以获得12g配体1。配体1的NMR如下：

¹H NMR(500MHz,CHCl₃)：δ4.20-4.13(m,4H)、3.63-3.40(m,15H)、2.53(d,2H)、2.35(t,4H)、2.13(m,2H)、2.0(t,4H)、1.79(s,6H)、1.60-1.29(m,6H)

¹³C NMR(125MHz,CHCl₃):δ173.1、114.5、71.6、70.4、70.1、69.3、66.9、65.2、56.5、33.9、30.5、28.2、25.2、24.6、24.4、23.9。

合成示例2：配体2的合成

合成示意图2

将14.6g DCC、6.00ml DMAP和7.00ml戊二酸加入到10g中间体2-A中，并且然后向其中加入500ml CH₂Cl₂。将所得混合物在室温下储存12小时以获得10g配体2。配体2的NMR如下：

¹H NMR(500MHz,DMSO)：δ12.01(s,1H)、7.94(d,4H)、6.99(d,4H)、4.42-4.45(m,4H)、2.30-2.36(m,4H)、2.13(m,2H)、1.35(s,6H)

¹³C NMR(125MHz,DMSO)：δ198.6、178.4、66.8、129.7、129.4、126.7、81.3、66.4、62.3、33.3、32.7、27.9、19.7。

合成示例3：含量子点材料1的制备

将合成示例1中获得的0.31g(0.6mmol)配体1完全溶解到作为溶剂的5mL氯仿中，并且在其中加入1.5g InP(第1激子峰：460nm)作为量子点，并且然后，在氮气气氛中在室温下反应0.5小时，从而制备其中配体1结合到InP量子点的表面的含量子点材料1。

合成示例4：含量子点材料2的制备

将合成示例2中获得的0.2g(0.6mmol)配体2溶解到作为溶剂的5mL氯仿中，并且在其中加入1.5g InP(第1激子峰：460nm)作为量子点，并且然后，在氮气气氛中在60℃的温度下反应0.5小时，从而制备其中配体2结合到InP量子点的表面的含量子点材料2。

合成示例5：含量子点材料A的制备

除使用配体A而不是配体1之外，以与合成示例3相同的方式制备含量子点材料A。

将根据合成示例3获得的1.2g含量子点材料分散在混合溶液(单体、分散剂和散射剂)中。

示例2和对比示例1

除分别使用根据合成示例4和合成示例5获得的含量子点材料中的每一种而不是在合成示例3中获得的含量子点材料之外，以与示例1相同的方式制备量子点分散溶液。

评价示例1：量子效率评估

通过利用QE-2100设备评价包含示例1和示例2以及比较示例1的相应的含量子点材料的溶液样品中的每一个的量子效率(PCE)(PCE＝光转换效率)，并且该评价的结果在图5A至图5B和图6A至图6B中示出。

图5A和图5B分别是显示使用根据比较示例1和示例1的含量子点材料形成的薄膜在烘烤(例如，加热)之前和之后的PCE(％)变化的图表，并且图6A和图6B是分别示出使用根据比较示例1和示例2的含量子点材料形成的薄膜在曝光之前和之后(例如，暴露于光)的PCE(％)变化的图表。

参照图5A和图5B以及图6A和图6B，可以看出，当形成薄膜时，当使用配体1或配体2时，烘烤之前和之后和曝光(例如，暴露于光)之前和之后PCE的变化很小。因此，可以看出，根据本公开的含有配体的含量子点材料更能抵抗自由基的攻击，并且因此该含量子点材料的稳定性是理想的(例如，优异的)。

根据本公开，将引发剂部分引入到化学结合到量子点的表面的配体，这导致工艺的简化，并且引发剂和溶剂之间的混溶性没有任何考虑(例如，没有任何问题)，配体可以结合到量子点的表面，从而诱导聚合物在量子点的表面处的生长并保护量子点免受自由基的攻击，这种攻击会降低量子点的效率。因此，可以增加形成的薄膜和组合物的量子产率。

当描述本公开的实施例时使用“可以”是指“本公开的一个或多个实施例”。

如本文所用，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语而非程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文所用的“大约”或“近似”包括所述值，并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％以内。

本文中所列举的任何数值范围旨在包括包含在所列举范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0之间(并包括)的所有子范围，即具有等于或大于1.0的最小值，并且等于或小于10.0的最大值，例如2.4至7.6。本文所列举的任何最大数值限制旨在包括其中包含的所有较低的数值限制，并且本说明书中所列举的任何最小数值限制旨在包括其中包含的所有较高的数值限制。因此，申请人保留修改包括权利范围在内的本说明书的权利，以明确列举包含在本文明确列举的范围内的任何子范围。

应当理解的是，本文描述的实施例应当仅被认为是描述性的，并且不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由以下权利范围及其等价物限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种合适的改变。

Claims (20)

1.一种含量子点材料，其中，所述含量子点材料包括：

一个量子点；以及

至少一种配体，化学结合到所述量子点的表面并由式1表示：

式1

R_a-(Z₁)_a1-(L₁)_b1-(Z₂)_a2-P₁

式2-1

*-N＝N-(Z₃)_a3-R₁

式2-2

其中，在式1、式2-1和式2-2中，

R_a是包括由-COOH、-PO₃H、二硫戊环或-SH表示的部分的锚定基团，

L₁是*-(CH₂)_n1-*'或*-(O-CH₂-CH₂)_n1-O-*'，

b1是从1至5的整数，

P₁是由式2-1或式2-2表示的基团，

Z₁至Z₃各自独立地选自*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝O)O-*'、*-OC(＝O)-*'、*-O-C(＝O)-O-*'、*-OCH₂-*'、*-SCH₂-*'、*-CH₂S-*'、*-CF₂O-*'、*-OCF₂-*'、*-CF₂S-*'、*-SCF₂-*'、*-(CH₂)_n1-*'、*-CF₂CH₂-*'、*-CH₂CF₂-*'、*-(CF₂)_n1-*'、*-C(CH₃)CN-*'、*-CH＝CH-*'、*-CF＝CF-*'、*-C≡C-*'、*-CH＝CH-C(＝O)O-*'、*-OC(＝O)-CH＝CH-*'、*-C(Q₁)(Q₂)-*'和*-O-(CH₂)-O(C＝O)-(CH₂)_n2-*',

n1是从1至6的整数，n2是从0至2的整数，

a1至a3各自独立地为从0至6的整数，

R₁是*-(CH₂)_n3-CH₃，或*-(O-CH₂-CH₂)_n1-OH，并且

n3是从0至5的整数，并且

其中，Q₁和Q₂各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基团、氰基团、硝基团、氨基团、脒基团、肼基团、腙基团、C₁-C₆₀烷基团、C₂-C₆₀烯基团、C₂-C₆₀炔基团、C₁-C₆₀烷氧基团、C₃-C₁₀环烷基团、C₁-C₁₀杂环烷基团、C₃-C₁₀环烯基团、C₁-C₁₀杂环烯基团、C₆-C₆₀芳基团、C₁-C₆₀杂芳基团、一价非芳香稠合多环基团、一价非芳香稠合杂多环基团、联苯基团和三联苯基团，并且

*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。

2.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，R_a选自-COOH、-PO₃H、-SH和由式3-1至式3-4中的一个表示的基团：

并且

其中，在式3-1至式3-4中，

*表示与相邻原子的结合位点。

3.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，Z₁为*-(CH₂)_n1-*'。

4.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，Z₂和Z₃各自独立地为*-O-*'、*-C(＝O)O-*'、*-OC(＝O)-*'、*-(CH2)_n1-*'或*-C(CH₃)CN-*'。

5.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，*-(Z₂)_a2-*'和*-(Z₃)_a3-*'各自独立地为由式4-1至式4-4中的一个表示的基团：

并且

其中，在式4-1至式4-4中，

*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。

6.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，所述配体由式1A或式1B表示：

式1A

式1B

并且

其中，在式1A和式1B中，

R_a、L₁、b1和R₁与结合式1所描述的相同。

7.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，所述配体包括两个或多个配体，并且所述两个或多个配体彼此相同或不同。

8.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，所述配体通过所述锚定基团化学结合到所述量子点的所述表面。

9.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，所述量子点为：半导体纳米颗粒；具有核壳结构的颗粒，所述核壳结构包括包含第一半导体的核和包含第二半导体的壳；或钙钛矿化合物。

10.根据权利要求9所述的含量子点材料，其中，所述半导体纳米颗粒、所述第一半导体和所述第二半导体各自独立地包括第10族化合物、第11族化合物、第12-16族化合物、第13-15族化合物、第14-16族化合物、第14族化合物、第11-13-16族化合物、第11-12-13-16族化合物或它们的组合。

11.根据权利要求9所述的含量子点材料，其中，所述半导体纳米颗粒、所述第一半导体和所述第二半导体各自独立地包括：

Au、Pd或Ag；

CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe；CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnS、MgZnSe；CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；

GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb；GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP；GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或InZnP；

SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe；SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe；SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；

Si、Ge、SiC或SiGe；

AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂；或

它们的任意组合。

12.根据权利要求1所述的含量子点材料，其中，所述量子点的平均粒径D50为从2nm至10nm。

13.一种组合物，其中，所述组合物包括：

权利要求1至12中任一项所述的所述含量子点材料；以及

至少一种溶剂。

14.根据权利要求13所述的组合物，其中，所述组合物还包括包含至少一个双键的单体。

15.根据权利要求13所述的组合物，其中，所述组合物不包括引发剂。

16.一种电子设备，其中，所述电子设备包括权利要求1至12中任一项所述的所述含量子点材料。

17.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述电子设备还包括发光装置，包括：

第一电极，

第二电极，面向所述第一电极，以及

发射层，位于所述第一电极和所述第二电极之间，

其中，所述含量子点材料包括在所述发射层中。

18.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述电子设备还包括光源，其中，所述含量子点材料位于从所述光源发射的光的路径上。

19.根据权利要求18所述的电子设备，其中，所述电子设备还包括颜色转换层，

其中，所述颜色转换层包括所述含量子点材料。

20.根据权利要求18所述的电子设备，其中，所述光源是有机发光装置或发光二极管。

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