CN114203938A - 发光器件和包括其的电子设备 - Google Patents

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金孝净
李廷涉
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Abstract

提供了一种发光器件和一种包括该发光器件的电子设备，所述发光器件包括：第一电极；第二电极；以及层间层，在第一电极与第二电极之间，并包括发射层，其中，层间层还包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区域，空穴传输区域包括第一辅助层以及在第一电极与第一辅助层之间的第二辅助层，第一辅助层包括第一化合物，第二辅助层包括第二化合物，第一化合物和第二化合物彼此不同，并且第一化合物的最低激发三重态能级等于或大于1.60eV且小于或等于1.80eV。

Description

发光器件和包括其的电子设备
本申请要求在韩国知识产权局于2020年9月2日提交的第10-2020-0111681号韩国专利申请以及于2021年1月20日提交的第10-2021-0008316号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请中的每个的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种发光器件和一种包括该发光器件的电子设备。
背景技术
与现有技术的器件相比，发光器件是具有宽视角、高对比度、短响应时间以及/或者在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的合适的(例如，优异的)特性并且产生全色图像的自发射器件。
在发光器件中，第一电极可以位于基底上，并且空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极可以顺序地形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
发明内容
根据一个或更多个实施例的方面涉及发光器件和包括该发光器件的电子设备。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践所给出的公开的实施例而获知。
根据一个或更多个实施例，发光器件可以包括：第一电极；
第二电极，面对第一电极；以及
层间层，在第一电极与第二电极之间并包括发射层，其中，
层间层还可以包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区域，
空穴传输区域可以包括第一辅助层以及在第一电极与第一辅助层之间的第二辅助层，
第一辅助层可以包括第一化合物，
第二辅助层可以包括第二化合物，
第一化合物和第二化合物可以彼此不同，并且
第一化合物的最低激发三重态能级(T1)可以等于或大于1.60eV且小于或等于1.80eV。
根据一个或更多个实施例，电子设备可以包括：该发光器件；以及
薄膜晶体管，其中，
薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，并且
发光器件的第一电极可以电连接到源电极或漏电极。
附图说明
通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及增强将更明显，在附图中：
图1是根据实施例的发光器件的示意性剖视图；
图2是根据实施例的发光设备的示意性剖视图；以及
图3是根据实施例的发光设备的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，在整个说明书中，同样的附图标记指同样的元件。在这方面，给出的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本说明书的方面。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。贯穿公开，表述“a、b和c中的至少一个(者/种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
根据本公开的实施例的发光器件可以包括：第一电极；
第二电极；以及
层间层，位于第一电极与第二电极之间并包括发射层，其中，
层间层还可以包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区域，
空穴传输区域可以包括第一辅助层以及在第一电极与第一辅助层之间的第二辅助层，
第一辅助层可以包括第一化合物，
第二辅助层可以包括第二化合物，
第一化合物和第二化合物可以彼此不同，并且
第一化合物的最低激发三重态能级(T1)可以等于或大于约1.60eV且小于或等于约1.80eV。
在这方面，第一化合物的T1可以在溶液状态下通过其光致发光光谱来测量。光致发光光谱可以通过使用来自珀金埃尔默公司(Perkin Elmer Inc.)的LS-55来测量，并且在300nm的激发波长处的发射光谱可以为约400nm至约700nm。
在实施例中，第一化合物的T1是在第一化合物的低温光致发光(PL)光谱的起始波长处的最低激发三重态能级。
如这里使用的表述“在起始波长处的最低激发三重态能级”指低温PL光谱的开始处的三重态能量，并且可以由通过将PL光谱绘制为二次函数而获得的函数曲线与波长轴(即，x截距)相交的点处的三重态能量来计算。
在实施例中，第一电极可以是阳极，
第二电极可以是阴极，
层间层还可以包括在发射层与第二电极之间的电子传输区域，
空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合，并且
电子传输区域可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。
在实施例中，第一化合物可以是蒽类化合物。
如这里使用的术语“蒽类化合物”表示包括蒽基团的化合物，换言之，蒽类化合物可以包括蒽基团。
在实施例中，第二化合物可以是空穴传输化合物。
在实施例中，第二化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级可以等于或大于约-5.7eV且小于或等于约-5.2eV，并且最低未占分子轨道(LUMO)能级可以等于或大于约-2.0eV且小于或等于约-1.8eV。
在这方面，可以通过差分脉冲伏安法(DPV)来测量第二化合物的HOMO能级和LUMO能级。用于测量的溶剂可以是二甲基甲酰胺(DMF)，并且可以使用四丁基氟化铵(TBAF)作为电解质。另外，Ag/Ag+可以用作参比电极，并且Pt可以用作对电极和工作电极。在测量期间，可以使用二茂铁(Fc)作为参照材料，并且已知Fc的HOMO为-4.8eV。因此，可以通过将由DPV测得的电位值应用于以下表1中所示的数据计算方法来计算第二化合物的HOMO能级和LUMO能级。
表1
测量电位 能级(eV)
Ref. α -4.8
HOMO β -4.8-(β-α)
LUMO γ -4.8-(-γ-α)
在实施例中，第一辅助层和第二辅助层可以彼此直接接触。
在实施例中，第一辅助层和发射层可以彼此直接接触。
在实施例中，空穴传输区域还可以包括在第一电极与第二辅助层之间的空穴传输层，并且空穴传输层和第二辅助层可以彼此直接接触。
在实施例中，第一化合物可以由下面的式1表示，但本公开不限于此：
式1
Figure BDA0003243322030000041
其中，在式1中，
L1可以是单键、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-或-N(Q1)-，
a1可以是1至5的整数，
R1和A1可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1可以是1至10的整数，
d1可以是1至10的整数，
n1可以是0至9的整数，并且
R10a可以是：
氘(D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中，Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
在实施例中，L1可以是单键；
-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-或-N(Q1)-；或者
苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、
Figure BDA0003243322030000051
基团、环戊二烯基团、1,2,3,4-四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并硼杂环戊二烯基团(benzoborole group)、苯并磷杂环戊二烯基团(benzophosphole group)、茚基团、苯并噻咯基团、苯并锗杂环戊二烯基团(benzogermole group)、苯并噻吩基团、苯并硒吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并硼杂环戊二烯基团、二苯并磷杂环戊二烯基团、芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并锗杂环戊二烯基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩5-氧化物基团、9H-芴-9-酮基团、二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、氮杂吲哚基团、氮杂苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂茚基团、氮杂苯并噻咯基团、氮杂苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂苯并硒吩基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基团、氮杂-9H-芴-9-酮基团、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8-四氢异喹啉基团或5,6,7,8-四氢喹啉基团。
在实施例中，R1和A1可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；
均取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C10烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基和嘧啶基中的至少一者的C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；
均未被取代或取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C1-C10烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003243322030000061
基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)中选择的至少一者的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C1-C10烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003243322030000072
基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂芴基或氮杂二苯并噻咯基；或者
-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)。
在实施例中，由式1表示的第一化合物可以由式1-1表示，但本公开不限于此：
式1-1
Figure BDA0003243322030000071
其中，在式1-1中，
L1a和L1b均独立地与结合L1描述的相同，
A1a和A1b均独立地与结合A1描述的相同，
aa1和ab1可以均独立地为1至5的整数，
ba1和bb1可以均独立地为1至10的整数，
R1a与结合R1描述的相同，并且
d1可以为1至8的整数。
在实施例中，第二化合物可以由下面的式2表示，但本公开不限于此：
式2
Figure BDA0003243322030000081
其中，在式2中，
X2可以为O、S、N(R2a)或C(R2a)(R2b)，
R2a、R2b和R2至R9可以均独立地为*-(L2)a2-(A2)b2、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
L2可以是单键、未被取代或取代有至少一个R10a的富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-或-N(Q1)-，
a2可以是1至5的整数，
A2可以为未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)或-B(Q1)(Q2)，并且
b2可以为1至5的整数。
在实施例中，R2a、R2b和R2至R9中的至少一个可以为*-(L2)a2-(A2)b2。
在实施例中，第一化合物可以选自于组1的化合物，但本公开不限于此，并且第二化合物可以选自于组2的化合物，但本公开不限于此：
组1
Figure BDA0003243322030000091
组2
Figure BDA0003243322030000101
在实施例中，发射层可以包括作为空穴传输化合物的化合物A以及作为电子传输化合物的化合物B。
在实施例中，发射层还可以包括化合物C和化合物D，
化合物C可以是磷光化合物，并且
化合物D可以为荧光化合物或满足以下等式1的热激活延迟荧光(TADF)化合物：
等式1
△EST＝S1(TADF)-T1(TADF)≤0.3eV
在等式1中，S1(TADF)是TADF化合物的最低激发单重态能级(eV)，并且T1(TADF)是TADF化合物的最低激发三重态能级(eV)。
在实施例中，T1(TADF)表示TADF化合物的低温光致发光光谱(PL)的在起始波长处的最低激发三重态能级，并且以与第一化合物的T1测量方法相同的方式来测量，S1(TADF)表示TADF化合物的室温PL光谱的在起始波长处的最低激发单重态能级。在说明书中，表述“在起始波长处的最低激发单重态能级”指室温PL光谱开始处的单重态能量，并且可以由通过将PL光谱绘制为二次函数而获得的函数曲线与波长轴(即，x截距)相交的点处的单重态能量计算。
在实施例中，化合物A和化合物B中的每个的亮度起始波长范围可以为约380nm至约430nm，
化合物C的亮度起始波长范围可以为约400nm至约450nm，并且
化合物D的亮度起始波长范围可以为约410nm至约460nm。
在实施例中，化合物A和化合物B可以均为主体，
化合物C可以是敏化剂，并且
化合物D可以是发射体。
在实施例中，化合物D可以发射光。
在实施例中，化合物A、化合物B和化合物C可以基本不发射光。也就是说，化合物A、化合物B和化合物C可以不发射大量的光。
在实施例中，相对于从发射层发射的总的发射分量，从化合物D发射的发光分量的比例可以为80％或更大。
在实施例中，化合物A可以由式a表示，化合物B可以由式b表示，并且化合物C可以由式c表示，但这些化合物不限于此：
式a
Figure BDA0003243322030000121
式b
Figure BDA0003243322030000122
式c
M31(L31)n31(L32)n32
Figure BDA0003243322030000123
其中，在式a中，
X11可以为O、S、N(R19)或C(R19)(R20)，
R11至R20可以均独立地为*-(L11)a11-(A11)b11、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
L11可以是单键、未被取代或取代有至少一个R10a的富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-或-N(Q1)-，
a11可以是1至5的整数，
A11可以为未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)或-B(Q1)(Q2)，并且
b11可以是1至10的整数，
其中，在式b中，
X21至X23可以均独立地为N或C(R21)，并且X21至X23中的至少一个可以为N，
L21至L23可以均独立地为单键、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
a21至a23可以均独立地为1至5的整数，
A21至A23和R21可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)或-B(Q1)(Q2)，
b21至b23可以均独立地为1至10的整数，
在式c和式c-1至式c-4中，
M31可以是元素周期表的第一行、第二行或第三行的过渡金属，
L31可以是由式c-1至式c-4中的一个表示的配体，
L32可以是单齿配体、双齿配体或三齿配体，
n31可以是1或2，
n32可以是0至4的整数，
A31至A34可以均独立地为C5-C30碳环基或C1-C30杂环基，
T31至T34可以均独立地为单键、双键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-C(R35)(R36)-*'、*-C(R35)＝C(R36)-*'、*-C(R35)＝*'、*-Si(R35)(R36)-*'、*-B(R35)-*'、*-N(R35)-*'或*-P(R35)-*'，
k31至k34可以均独立地为1至3的整数，
Y31至Y34可以均独立地为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R37)(R38)-*'、*-Si(R37)(R38)-*'、*-B(R37)-*'、*-N(R37)-*'或*-P(R37)-*'，
*1、*2、*3和*4均表示与M31的结合位，
R31至R38可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
R31至R38可以可选地彼此结合以形成未被取代或取代有至少一个R10a的C5-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，并且
b31至b34可以均独立地为0至10的整数。
在一个或更多个实施例中，化合物C可以由式c-11和式c-12中的一个表示：
Figure BDA0003243322030000141
Figure BDA0003243322030000151
其中，在式c-11和式c-12中，
X31至X40可以均独立地为N或C，并且
M31、L32、n31、n32、A31至A34、T31至T33、k31至k33、Y31至Y34、R31至R34和b31至b34均独立地与这里分别描述的相同。
在实施例中，化合物D可以由式d-1和式d-21至式d-23中的一个表示，但本公开不限于此：
式d-1
Figure BDA0003243322030000152
式d-21
(D41)n41-(L41)a41-(A41)m41
式d-22
(D41)n41-(L41)a41-(A41)m41-(L42)a42-(D42)n42
式d-23
(A41)m41-(L41)a41-(D41)n41-(L42)a42-(A42)m42，
其中，在式d-1中，
Ar41至Ar43可以均独立地为C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
X41可以为N、B、P、P(＝O)或P(＝S)，
Y42和Y43可以均独立地为N、O、S、C(R44)或Si(R44)，
R41至R44可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b41至b43可以均独立地为1至10的整数，并且
R41至R44中的两个或更多个基团可以可选地彼此连接以形成未被取代或取代有至少一个R10a的C5-C30碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C30杂环基。
在一个或更多个实施例中，化合物D可以由式d-11和式d-12中的一个表示：
Figure BDA0003243322030000161
其中，在式d-11和式d-12中，
X41和X42均独立地与结合式d-1的X41描述的相同，
Y42至Y45均独立地与结合式d-1的Y42描述的相同，并且
R41a至R41d、R42a至R42c、R43a至R43d、R44a至R44c、R45a和R45b均独立地与结合式d-1的R41描述的相同。
如这里使用的R10a可以为：
氘(D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中，Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
在实施例中，在式d-21至式d-23中，m41和m42均独立地为1至3的整数，n41和n42均独立地为1至3的整数，a11为0至3的整数，a41和a42均独立地为0至3的整数，A41和A42可以均独立地选自于由式12表示的基团A、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)和-N(Q1)(Q2)：
式12
Figure BDA0003243322030000171
在式12中，
X121可以为O、S、N(R123)或C(R123)(R124)，
X122可以是单键、O、S、N(R125)或C(R125)(R126)，
A121和A122可以均独立地为苯基团、萘基团、非那烯基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、菲基团、芘基团、
Figure BDA0003243322030000172
基团、苝基团、芴基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团，
R121至R126可以均独立地选自于：结合位、氢、氘、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000173
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)或-N(Q31)(Q32)；或者
均取代有从氘、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000181
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)和-N(Q21)(Q22)中选择的至少一者的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000182
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基或二萘并噻吩基，
R123和R124可以可选地结合以形成富π电子的C3-C60环基，并且R125和R126可以可选地结合以形成富π电子的C3-C60环基；
R121至R126中的至少一个是结合位；并且
b121和b122可以均独立地为1至6的整数。
在实施例中，式d-21至式d-23中的D41和D42可以均独立地为-F、氰基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基或者由式13-1至式13-3表示的基团中的一个；
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000183
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基中选择的至少一者的吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基或喹唑啉基；
均取代有从-F、氰基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基中选择的至少一者的C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000191
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基或二萘并噻吩基；
均被选自于以下基团中的至少一者取代的吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基或喹唑啉基：均取代有从氘、-F、氰基、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000195
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基中选择的至少一者的C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000192
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基；
均被选自于以下基团中的至少一者取代的C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000193
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基或二萘并噻吩基：均取代有从氘、-F、氰基、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000194
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基中选择的至少一者的吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基；或者
均被选自于以下基团中的至少一者取代的C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000201
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基或二萘并噻吩基：均取代有从-F、氰基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基中选择的至少一者的C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000202
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基和二萘并噻吩基：
Figure BDA0003243322030000203
在式13-1至式13-3中，
X131可以为C(＝O)、S(＝O)、S(＝O)2、P(＝O)(R134)或P(＝S)(R134)，
X132可以为O、S、C(＝O)、S(＝O)、S(＝O)2、P(＝O)(R135)或P(＝S)(R135)，
k132可以为0或1，其中，当k132为0时，-(X132)k132-不存在，
Y131可以为O或S，
A131和A132可以均独立地为苯基团、萘基团、非那烯基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、菲基团、芘基团、
Figure BDA0003243322030000204
基团、苝基团、芴基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团，
R131至R135可以均独立地选自于：结合位、氢、氘、-F、氰基、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000205
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基或喹唑啉基；或者
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000211
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基和喹唑啉基中选择的至少一者的C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000212
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、异噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、异噻二唑基、吡啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、喹喔啉基或喹唑啉基，
R131至R135中的至少一个为结合位；并且
b131和b132可以均独立地为1至6的整数。
在实施例中，L41和L42可以均独立地为：苯基团、萘基团、非那烯基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、菲基团、芘基团、
Figure BDA0003243322030000213
基团、苝基团、芴基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、-C(Q1)(Q2)-或-Si(Q1)(Q2)-；或者
均取代有从氘、C1-C20烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、苯并[9,10]菲基、
Figure BDA0003243322030000214
基、荧蒽基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并芴基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、-C(Q31)(Q32)(Q33)和-Si(Q31)(Q32)(Q33)中选择的至少一者的苯基团、萘基团、非那烯基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、菲基团、芘基团、
Figure BDA0003243322030000221
基团、苝基团、芴基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团。
在实施例中，化合物A可以选自于来自组I的化合物，
化合物B可以选自于来自组II的化合物，
化合物C可以选自于来自组III-I和组III-II的化合物，并且
化合物D可以选自于来自组IV-I和组IV-II的化合物，但这些化合物不限于：
组I
Figure BDA0003243322030000222
Figure BDA0003243322030000231
组II
Figure BDA0003243322030000241
组III-I
Figure BDA0003243322030000251
Figure BDA0003243322030000261
组III-II
Figure BDA0003243322030000271
Figure BDA0003243322030000281
组IV-I
Figure BDA0003243322030000291
Figure BDA0003243322030000301
组IV-II
Figure BDA0003243322030000302
Figure BDA0003243322030000311
在实施例中，层间层可以发射具有约400nm至约510nm的最大发射波长范围的光。
在实施例中，层间层可以发射蓝光或蓝绿光。
根据一个或更多个实施例，电子设备可以包括发光器件，以及
薄膜晶体管，其中，
薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，并且
发光器件的第一电极可以电连接到源电极或漏电极。
在实施例中，电子设备还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或它们的任何组合。
发光器件包括位于第一电极与发射层之间的第一辅助层以及位于第一电极与第一辅助层之间的第二辅助层，并且第一辅助层可以包括第一化合物，第一化合物的最小激发三重态能级(T1)等于或大于1.60eV且小于或等于1.80eV。
因为发光器件的第一辅助层包括满足以上T1范围的第一化合物，所以发射层中的激子可以淬灭，并因此可以减少界面退化，从而制造具有更长寿命的器件。
另外，第二辅助层可以包括空穴传输化合物，并且由于包括空穴传输化合物，电子的运动区域可以主要存在(例如，可以主要被限制)在发射层中，使得第二辅助层可以充当(例如，用作)电子阻挡层。
因此，发光器件(例如，有机发光器件)可以具有低驱动电压、高最大量子效率、高效率和/或长寿命。
如这里使用的表述“(层间层)包括至少一种第一化合物”可以包括其中“(层间层)包括相同的第一化合物”的情况以及其中“(层间层)包括两种或更多种不同的第一化合物”的情况。
例如，层间层可以包括仅化合物1作为第一化合物。在这方面，化合物1可以存在于发光器件的发射层中。在一个或更多个实施例中，层间层可以包括化合物1和化合物2两者作为第一化合物。在该实施例中，化合物1和化合物2可以包括在同一层(例如，化合物1和化合物2两者可以包括在发射层中)中或者不同的层中(例如，化合物1可以包括在发射层中，并且化合物2可以包括在电子传输层中)。
如这里使用的术语“层间层”指在发光器件的第一电极与第二电极之间的单个层和/或所有层。包括在“层间层”中的材料不限于有机材料。
例如，发光器件可以具有：i)包括以该陈述的次序顺序地堆叠的第一电极、层间层、第二电极和第二盖层的堆叠结构；ii)包括以该陈述的次序顺序地堆叠的第一盖层、第一电极、层间层和第二电极的堆叠结构；或者iii)包括以该陈述的次序顺序地堆叠的第一盖层、第一电极、层间层、第二电极和第二盖层的堆叠结构。
图1的描述
图1是根据实施例的发光器件10的示意性剖视图。发光器件10包括第一电极110、层间层130和第二电极150。
在下文中，将结合图1来描述根据实施例的发光器件10的结构和制造发光器件10的方法。
第一电极110
在图1中，基底可以另外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。可以使用玻璃基底或塑料基底作为基底。在一个或更多个实施例中，基底可以是柔性基底，并且可以包括具有合适的(例如，优异的)耐热性和耐久性的塑料，诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或它们的任何组合。
可以通过例如在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高逸出功的材料。
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或它们的任何组合。在一个或更多个实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，可以使用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或者它们的任何组合作为用于形成第一电极110的材料。
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
层间层130
层间层130可以位于第一电极110上。层间层130可以包括发射层。
层间层130还可以包括放置在第一电极110与发射层之间的空穴传输区域以及放置在发射层与第二电极150之间的电子传输区域。
除了各种合适的有机材料之外，层间层130还可以包括含金属化合物(诸如有机金属化合物)、无机材料(诸如量子点)等。
在一个或更多个实施例中，层间层130可以包括：i)顺序地堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或更多个发射单元；以及ii)位于两个相邻发射单元之间的电荷产生层。当层间层130包括如上所述的两个或更多个发射单元和电荷产生层时，发光器件10可以是级联(tandem，或称为串联)发光器件。
层间层130中的空穴传输区域
空穴传输区域可以具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。
空穴传输区域可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射辅助层、电子阻挡层(EBL)或它们的任何组合。
例如，空穴传输区域可以具有多层结构，该多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，在每种结构中，从第一电极110以各自陈述的次序顺序地堆叠构成层。
空穴传输区域可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合：
式201
Figure BDA0003243322030000341
式202
Figure BDA0003243322030000342
其中，在式201和式202中，
L201至L204可以均独立地为未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
L205可以为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C20亚烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C20亚烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
xa1至xa4可以均独立地为0至5的整数，
xa5可以是1至10的整数，
R201至R204和Q201可以均独立地为未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
R201和R202可以可选地经由单键、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C5亚烷基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C5亚烯基彼此连接，以形成未被取代或取代有至少一个R10a的C8-C60多环基(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，
R203和R204可以可选地经由单键、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C5亚烷基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C5亚烯基彼此连接，以形成未被取代或取代有至少一个R10a的C8-C60多环基，并且
na1可以为1至4的整数。
在一个或更多个实施例中，式201和式202中的每个可以包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个。
Figure BDA0003243322030000351
式CY201至式CY217中的R10b和R10c与结合R10a描述的相同，环CY201至环CY204可以均独立地为C3-C20碳环基或C1-C20杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以未被取代或被R10a取代。
在一个或更多个实施例中，式CY201至式CY217中的环CY201至环CY204可以均独立地为苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
在一个或更多个实施例中，式201和式202中的每个可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。
在一个或更多个实施例中，式201可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。
在一个或更多个实施例中，式201中的xa1可以为1，R201可以是由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可以为0，并且R202可以是由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。
在一个或更多个实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式CY201至式CY203表示的任何基团。
在一个或更多个实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式CY201至式CY203表示的任何基团，并且可以包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。
在一个或更多个实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式CY201至式CY217表示的任何基团。
在实施例中，空穴传输区域可以包括化合物HT1至化合物HT44、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)中的一种或它们的任何组合：
Figure BDA0003243322030000361
Figure BDA0003243322030000371
Figure BDA0003243322030000381
Figure BDA0003243322030000391
Figure BDA0003243322030000401
空穴传输区域的厚度可以在约
Figure BDA0003243322030000402
至约
Figure BDA0003243322030000403
(例如，约
Figure BDA0003243322030000404
至约
Figure BDA0003243322030000405
)的范围内。当空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层或它们的任何组合时，空穴注入层的厚度可以在约
Figure BDA0003243322030000406
至约
Figure BDA0003243322030000407
(例如，约
Figure BDA0003243322030000408
至约
Figure BDA0003243322030000409
)的范围内，并且空穴传输层的厚度可以在约
Figure BDA00032433220300004010
至约
Figure BDA00032433220300004011
(例如，约
Figure BDA00032433220300004012
至约
Figure BDA00032433220300004013
)的范围内。当空穴传输区域、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而不显著增大驱动电压。
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学谐振距离来提高器件的发光效率，并且电子阻挡层可以阻挡来自电子传输区域的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包括如上所述的材料。
p掺杂剂
除了这些材料之外，空穴传输区域还可以包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。
在一个或更多个实施例中，p掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以为-3.5eV或更低。
在一个或更多个实施例中，p掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、包含元素EL1和/或元素EL2的化合物(将在下面更详细地描述)或它们的任何组合。
醌衍生物的示例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。
含氰基化合物的示例可以包括HAT-CN以及由下面的式221表示的化合物。
Figure BDA0003243322030000411
式221
Figure BDA0003243322030000412
在式221中，
R221至R223可以均独立地为未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，并且
R221至R223中的至少一个可以均独立地为均取代有以下基团的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基：氰基；F；-Cl；-Br；-I；取代有氰基、F、-Cl、-Br、-I或它们的任何组合的C1-C20烷基；或者它们的任何组合。
在包含元素EL1和/或元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、类金属或它们的组合，元素EL2可以是非金属、类金属或它们的组合。
金属的示例可以包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。
类金属的示例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。
非金属的示例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。
在一个或更多个实施例中，包含元素EL1和/或元素EL2的化合物的示例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、类金属卤化物(例如，类金属氟化物、类金属氯化物、类金属溴化物和/或类金属碘化物)、金属碲化物或或它们的任何组合。
金属氧化物的示例可以包括氧化钨(例如，WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5等)、氧化钒(例如，VO、V2O3、VO2、V2O5等)、氧化钼(MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5等)和氧化铼(例如，ReO3等)。
金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
碱金属卤化物的示例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。
碱土金属卤化物的示例可以包括BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2和BaI2。
过渡金属卤化物的示例可以包括钛卤化物(例如，TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4等)、锆卤化物(例如，ZrF4、ZrCl4、ZrBr4、ZrI4等)、铪卤化物(例如，HfF4、HfCl4、HfBr4、HfI4等)、钒卤化物(例如，VF3、VCl3、VBr3、VI3等)、铌卤化物(例如，NbF3、NbCl3、NbBr3、NbI3等)、钽卤化物(例如，TaF3、TaCl3、TaBr3、TaI3等)、铬卤化物(例如，CrF3、CrCl3、CrBr3、CrI3等)、钼卤化物(例如，MoF3、MoCl3、MoBr3、MoI3等)、钨卤化物(例如，WF3、WCl3、WBr3、WI3等)、锰卤化物(例如，MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2等)、锝卤化物(例如，TcF2、TcCl2、TcBr2、TcI2等)、铼卤化物(例如，ReF2、ReCl2、ReBr2、ReI2等)、铁卤化物(例如，FeF2、FeCl2、FeBr2、FeI2等)、钌卤化物(例如，RuF2、RuCl2、RuBr2、RuI2等)、锇卤化物(例如，OsF2、OsCl2、OsBr2、OsI2等)、钴卤化物(例如，CoF2、CoCl2、CoBr2、CoI2等)、铑卤化物(例如，RhF2、RhCl2、RhBr2、RhI2等)、铱卤化物(例如，IrF2、IrCl2、IrBr2、IrI2等)、镍卤化物(例如，NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2等)、钯卤化物(例如，PdF2、PdCl2、PdBr2、PdI2等)、铂卤化物(例如，PtF2、PtCl2、PtBr2、PtI2等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)以及金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。
后过渡金属卤化物的示例可以包括锌卤化物(例如，ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2等)、铟卤化物(例如，InI3等)和锡卤化物(例如，SnI2等)。
镧系金属卤化物的示例可以包括YbF、YbF2、YbF3、SmF3、YbCl、YbCl2、YbCl3、SmCl3、YbBr、YbBr2、YbBr3、SmBr3、YbI、YbI2、YbI3和SmI3。
类金属卤化物的示例为锑卤化物(例如，SbCl5等)。
金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，Li2Te、Na2Te、K2Te、Rb2Te、Cs2Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe2、ZrTe2、HfTe2、V2Te3、Nb2Te3、Ta2Te3、Cr2Te3、Mo2Te3、W2Te3、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu2Te、CuTe、Ag2Te、AgTe、Au2Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)以及镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。
层间层130中的发射层
当发光器件10为全色发光器件时，发射层可以根据子像素而被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或更多个实施例中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或更多个实施例中，发射层可以包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。
发射层可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或它们的任何组合。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以为约0.01重量份至约15重量份。
在一个或更多个实施例中，发射层可以包括量子点。
在一个或更多个实施例中，发射层可以包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当(例如，用作)发射层中的主体或掺杂剂。
发射层的厚度可以在约
Figure BDA0003243322030000441
至约
Figure BDA0003243322030000442
(约
Figure BDA0003243322030000443
至约
Figure BDA0003243322030000444
)的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得合适的(例如，优异的)发光特性，而不显著增大驱动电压。
主体
在一个或更多个实施例中，主体可以包括由下面的式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21
在式301中，
Ar301和L301可以均独立地为未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
xb11可以为1、2或3，
xb1可以为0至5的整数，
R301可以为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可以是1至5的整数，并且
Q301至Q303可以均独立地与结合Q1描述的相同。
在一个或更多个实施例中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar301可以经由单键彼此连接。
在一个或更多个实施例中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或它们的任何组合：
式301-1
Figure BDA0003243322030000451
式301-2
Figure BDA0003243322030000452
在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可以均独立地为未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
X301可以为O、S、N-[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或Si(R304)(R305)，
xb22和xb23可以均独立地为0、1或2，
L301、xb1和R301可以均与本说明书中分别描述的相同，
L302至L304可以均独立地与结合L301描述的相同，
xb2至xb4可以均独立地与结合xb1描述的相同，并且
R302至R305和R311至R314可以均独立地与结合R301描述的相同。
在一个或更多个实施例中，主体可以包括碱土金属配合物。在一个或更多个实施例中，主体可以包括Be配合物(例如，化合物H55)、Mg配合物、Zn配合物或它们的组合。
在实施例中，主体可以包括化合物H1至化合物H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)和1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或者它们的任何组合：
Figure BDA0003243322030000461
Figure BDA0003243322030000471
Figure BDA0003243322030000481
Figure BDA0003243322030000491
Figure BDA0003243322030000501
Figure BDA0003243322030000511
Figure BDA0003243322030000521
延迟荧光材料
发射层可以包括延迟荧光材料。
在本说明书中，延迟荧光材料可以选自于能够基于延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。
根据包括在发射层中的其它材料的种类(例如，类型)，包括在发射层中的延迟荧光材料可以充当(例如，用作)主体或掺杂剂。
在一个或更多个实施例中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于0eV且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可以有效地发生延迟荧光材料从三重态到单重态的向上转换，因此可以改善发光器件10的发射效率。
在一个或更多个实施例中，延迟荧光材料可以包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的C3-C60环基(诸如咔唑基团))以及至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基和/或贫π电子的含氮C1-C60环基)的材料；以及/或者ii)包括其中两个或更多个环基缩合同时共用硼(B)的C8-C60多环基的材料。
在一个或更多个实施例中，延迟荧光材料可以包括以下化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：
Figure BDA0003243322030000531
Figure BDA0003243322030000541
量子点
发射层可以包括量子点。
在本说明书中，量子点指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种合适的发射波长的光的任何合适的材料。
量子点的直径可以在例如约1nm至约10nm的范围内。
可以通过湿化学工艺、金属有机(例如，有机金属)化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或任何与其类似的工艺来合成量子点。
根据湿化学工艺，将前驱体材料与有机溶剂混合以生长量子点晶体颗粒。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当在量子点晶体的表面上配位的分散剂，并且控制晶体的生长。因此，与气相沉积方法(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和/或分子束外延(MBE))相比，可以通过更容易执行且需要低成本的低成本工艺来控制量子点颗粒的生长。
量子点可以包括：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或半导体化合物；或者它们的任何组合。
II-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或者它们的任何组合。
III-V族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等；四元化合物，诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等；或者它们的任何组合。在一个或更多个实施例中，III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。还包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2Se3和/或InTe；三元化合物，诸如InGaS3和/或InGaSe3；或者它们的任何组合。
I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2和/或AgAlO2；或者它们的任何组合。
IV-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；或者它们的任何组合。
IV族元素或半导体化合物可以包括：单质，诸如Si和/或Ge；二元化合物，诸如SiC和/或SiGe；或者它们的任何组合。
包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于量子点颗粒中。
在一个或更多个实施例中，量子点可以具有单一结构或核-壳双重结构。在量子点具有单一结构的情况下，包括在对应量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的。在一个或更多个实施例中，在具有核-壳双重结构的量子点中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳可以充当(例如，用作)用于防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层，并且/或者可以用作用于向量子点赋予电泳特性的荷电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核的中心降低的浓度梯度。
量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的任何组合。金属或非金属氧化物的示例可以包括：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO；三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4；以及它们的任何组合。如这里描述的半导体化合物的示例可以包括：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；以及它们的任何组合。另外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或它们的任何组合。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以为约45nm或更小，例如，约40nm或更小或者约30nm或更小，并且在这些范围内，可以提高色纯度或色饱和度。另外，因为通过量子点发射的光沿所有方向发射，所以可以改善宽视角。
另外，量子点可以是球形颗粒、角锥形颗粒、多臂形颗粒、立方体形纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米片。
因为可以通过控制量子点的尺寸调节能带隙，所以可以从量子点发射层获得具有各种合适的波段的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种合适波长的光的发光器件。在一个或更多个实施例中，可以选择量子点的尺寸，以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，可以构造量子点的尺寸，以通过组合各种合适的颜色的光来发射白光。
层间层130中的电子传输区域
电子传输区域可以具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。
电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。
在实施例中，电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，以各自陈述的次序从发射层顺序地堆叠构成层。
在实施例中，电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮C1-C60环基的无金属化合物。
在实施例中，电子传输区域可以包括由下面的式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
其中，在式601中，
Ar601和L601可以均独立地为未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
xe11可以为1、2或3，
xe1可以为0、1、2、3、4或5，
R601可以为未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可以均独立地与结合Q1描述的相同，
xe21可以为1、2、3、4或5，并且
Ar601、L601和R601中的至少一个可以均独立地为未被取代或取代有至少一个R10a的贫π电子的含氮C1-C60环基。
在实施例中，当式601中的xe11为2或更大时，Ar601中的两个或更多个可以经由单键彼此连接。
在一个或更多个实施例中，式601中的Ar601可以为取代或未取代的蒽基团。
在一个或更多个实施例中，电子传输区域可以包括由式601-1表示的化合物：
式601-1
Figure BDA0003243322030000571
在式601-1中，
X614可以为N或C(R614)，X615可以为N或C(R615)，X616可以为N或C(R616)，并且X614至X616中的至少一个可以为N，
L611至L613可以均独立地与结合L601描述的相同，
xe611至xe613可以均独立地与结合xe1描述的相同，
R611至R613可以均独立地与结合R601描述的相同，并且
R614至R616可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基。
例如，式601中的xe1以及式601-1中的xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。
电子传输区域可以包括化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、TAZ和NTAZ中的一种或它们的任何组合：
Figure BDA0003243322030000581
Figure BDA0003243322030000591
Figure BDA0003243322030000601
Figure BDA0003243322030000611
电子传输区域的厚度可以在约
Figure BDA0003243322030000612
至约
Figure BDA0003243322030000613
(例如，约
Figure BDA0003243322030000614
至约
Figure BDA0003243322030000615
)的范围内。当电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层和/或电子控制层的厚度可以均独立地为约
Figure BDA0003243322030000616
至约
Figure BDA0003243322030000617
例如，约
Figure BDA0003243322030000618
至约
Figure BDA0003243322030000619
并且电子传输层的厚度可以为约
Figure BDA00032433220300006110
至约
Figure BDA00032433220300006111
例如，约
Figure BDA00032433220300006112
至约
Figure BDA00032433220300006113
当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而不显著增大驱动电压。
除了上述材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属材料。
含金属材料可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碱金属配合物的金属离子可以为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属配合物的金属离子可以为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。
例如，含金属材料可以包括Li配合物。Li配合物可以包括例如化合物ET-D1(LiQ)和/或化合物ET-D2：
Figure BDA00032433220300006114
电子传输区域可以包括促进电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
电子注入层可以具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。
电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。
碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或它们的任何组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或它们的任何组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或它们的任何组合。
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物，或者它们的任何组合。
含碱金属化合物可以包括碱金属氧化物(诸如Li2O、Cs2O和/或K2O)、碱金属卤化物(诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI)或它们的任何组合。含碱土金属化合物可以包括碱土金属氧化物(诸如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)、BaxCa1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)等)。含稀土金属化合物可以包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或它们的任何组合。在一个或更多个实施例中，含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3和Lu2Te3。
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括：i)如上所述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种；以及ii)作为结合到金属离子的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。
电子注入层可以包括如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合(例如，由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合组成)。在一个或更多个实施例中，电子注入层还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
在一个或更多个实施例中，电子注入层可以包括i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)或者ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的任何组合(例如，由i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)或者ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的任何组合组成)。在一个或更多个实施例中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。
当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可以在约
Figure BDA0003243322030000631
至约
Figure BDA0003243322030000632
(例如，约
Figure BDA0003243322030000633
至约
Figure BDA0003243322030000634
)的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可以具有令人满意的电子注入特性，而不显著增大驱动电压。
第二电极150
第二电极150可以位于具有这样的结构的层间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用均具有低逸出功的金属、合金、导电化合物或它们的任何组合作为用于第二电极150的材料。
在一个或更多个实施例中，第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或它们的组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极150可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
盖层
第一盖层可以位于第一电极(例如，在与第二电极150相对的侧上)110外侧，并且/或者第二盖层可以位于第二电极(例如，在与第一电极110相对的侧上)150外侧。在一个或更多个实施例中，发光器件10可以具有其中第一盖层、第一电极110、层间层130和第二电极150以该陈述的次序顺序地堆叠的结构、其中第一电极110、层间层130、第二电极150和第二盖层以该陈述的次序顺序地堆叠的结构或者其中第一盖层、第一电极110、层间层130、第二电极150和第二盖层以该陈述的次序顺序地堆叠的结构。
发光器件10的层间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一盖层朝向外部提取(例如，透射或提供到外部)，并且/或者发光器件10的层间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二盖层朝向外部提取(例如，透射或提供到外部)。
第一盖层和第二盖层可以根据相长干涉原理来提高外部发射效率。因此，可以提高发光器件10的光提取效率，从而可以改善发光器件10的发射效率。
第一盖层和第二盖层中的每个可以包括(在589nm下)具有1.6或更大的折射率的材料。
第一盖层和第二盖层可以均独立地为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。
从第一盖层和第二盖层中选择的至少一个可以均独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和/或含胺基化合物可以可选地取代有含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基。在一个或更多个实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括含胺基化合物。
在一个或更多个实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合。
在一个或更多个实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或它们的任何组合：
Figure BDA0003243322030000651
电子设备
发光器件可以包括在各种合适的电子设备中。在一个或更多个实施例中，包括发光器件的电子设备可以是发光设备、认证设备等。
除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)还可以包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以定位在从发光器件发射的光的至少一个行进方向上。在一个或更多个实施例中，从发光器件发射的光可以是蓝光或白光。发光器件可以与以上描述的相同。在一个或更多个实施例中，颜色转换层可以包括量子点。量子点可以是例如这里描述的量子点。
电子设备可以包括第一基底。第一基底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
像素限定膜可以位于多个子像素区域之间以限定每个子像素区域。
滤色器还可以包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的光屏蔽图案，并且颜色转换层可以包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的光屏蔽图案。
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在一个或更多个实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，并且第三颜色光可以是蓝光。在一个或更多个实施例中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括量子点。在实施例中，第一区域可以包括红色量子点(例如，发射红光量子点)，第二区域可以包括绿色量子点(例如，发射绿光量子点)，第三区域可以不包括量子点。量子点可以与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以均进一步包括散射体。
在一个或更多个实施例中，发光器件可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这方面，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。在实施例中，第一光可以是蓝光，第一第一颜色光可以是红光，第二第一颜色光可以是绿光，并且第三第一颜色光可以是蓝光。
除了如上所述的发光器件之外，电子设备还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极或漏电极可以电连接到发光器件的第一电极或第二电极。
薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘膜等。
有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
电子设备还可以包括用于密封发光器件的密封部分。密封部分可以放置在滤色器与发光器件之间和/或颜色转换层与发光器件之间。密封部分允许光从发光器件朝向外部提取，同时并发地(例如，同时地)防止或基本防止外部空气和/或湿气渗透到发光器件中。密封部分可以是包括透明玻璃基底或塑料基底的密封基底。密封部分可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子设备的用途，各种合适的功能层可以另外位于密封部分上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可以是例如通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。
除了发光器件之外，认证设备还可以包括生物识别信息收集器。
电子设备可以应用于各种合适的显示器、光源、照明(例如，照明设备)、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗装置(例如，电子温度计、血压仪、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼器、各种合适的测量装置、仪表(例如，用于车辆、飞机和/或船舶的仪表)、投影仪等。
图2和图3的描述
图2是示出根据本公开的实施例的发光设备的剖视图。
图2的发光设备包括基底100、薄膜晶体管(TFT)、发光器件和密封发光器件的封装部分300。
基底100可以是柔性基底、玻璃基底或金属基底。缓冲层210可以形成在基底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过基底100并且可以在基底100上提供平坦的表面。
TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
有源层220可以包括无机半导体(诸如硅和/或多晶硅)、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅极绝缘膜230上。
层间绝缘膜250可以位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以放置在栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且放置在栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
源电极260和漏电270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为使有源层220的源区和漏区暴露，并且源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露的部分接触。
TFT可以电连接到发光器件以驱动发光器件，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的组合。发光器件可以设置在钝化层280上。发光器件包括第一电极110、层间层130和第二电极150。
第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且使漏电极270的一部分暴露，第一电极110连接到漏电极270的暴露的部分。
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290使第一电极110的区域暴露，并且层间层130可以形成在第一电极110的暴露的区域中。像素限定层290可以是聚酰亚胺有机膜或聚丙烯酸有机膜。在一个或更多个实施例中，层间层130中的至少一些层(例如，一个或更多个层)可以延伸超过像素限定层290的上部，从而以公共层的形式定位。
第二电极150可以位于层间层130上，并且盖层170可以另外地形成在第二电极150上。盖层170可以形成为覆盖第二电极150。
封装部分300可以位于盖层170上。封装部分300可以位于发光器件上，以保护发光器件免受湿气和/或氧的影响。封装部分300可以包括：无机膜，包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或者它们的组合；或者无机膜和有机膜的组合。
图3示出了示出根据本公开的实施例的发光设备的剖视图。
除了光屏蔽图案500和功能区域400另外地位于封装部分300上之外，图3的发光设备与图2的发光设备相同。功能区域400可以是：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或更多个实施例中，包括在图3的发光设备中的发光器件可以是级联(tandem，或称为串联)发光器件。
制造方法
可以通过使用从真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布洛杰特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中选择的一种或更多种合适的方法在特定区域中形成包括在空穴传输区域中的相应层、发射层和包括在电子传输区域中的相应层。
当通过真空沉积来形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层时，根据将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约
Figure BDA0003243322030000691
/秒至约
Figure BDA0003243322030000692
/秒的沉积速度下执行真空沉积。
术语的定义
如这里使用的术语“C3-C60碳环基”指仅由碳原子作为成环原子组成且具有三个至六十个碳原子的环基，如这里使用的术语“C1-C60杂环基”指除了一个至六十个碳原子之外还具有杂原子作为成环原子的环基。C3-C60碳环基和C1-C60杂环基可以均是由一个环组成的单环基或者其中两个或更多个环彼此缩合的多环基。例如，C1-C60杂环基的成环原子数可以为3个至61个。
如这里使用的术语“环基”可以包括C3-C60碳环基和C1-C60杂环基。
如这里使用的术语“富π电子的C3-C60环基”指具有三个至六十个碳原子并且不包括*-N＝*'作为成环部分的环基，如这里使用的术语“贫π电子的含氮C1-C60环基”指具有一个至六十个碳原子并且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基。
例如，
C3-C60碳环基可以是：i)基团T1；或者ii)其中两个或更多个基团T1彼此缩合的缩合环基(例如，C3-C60碳环基可以是环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、并环戊二烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、
Figure BDA0003243322030000693
基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团和/或茚并蒽基团)，
C1-C60杂环基可以是：i)基团T2；ii)其中两个或更多个基团T2彼此缩合的缩合环基；或者iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基(例如，C1-C60杂环基可以是吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
富π电子的C3-C60环基可以是：i)基团T1；ii)其中两个或更多个基团T1彼此缩合的缩合环基；iii)基团T3；iv)其中两个或更多个基团T3彼此缩合的缩合环基；或者v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基(例如，富π电子的C3-C60环基可以是C3-C60碳环基、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
贫π电子的含氮C1-C60环基可以是：i)基团T4；ii)其中两个或更多个基团T4彼此缩合的缩合环基；iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基；iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此缩合的缩合环基；或者v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此缩合的缩合环基(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，
基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，并且
基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
如这里使用的术语“环基”、“C3-C60碳环基”、“C1-C60杂环基”、“富π电子的C3-C60环基”或“贫π电子的含氮C1-C60环基”根据结合使用术语的式的结构均指与任何环基缩合的基团、或者单价或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在一个或更多个实施例中，“苯基团”可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构可以容易地理解的苯并基团、苯基、亚苯基等。
单价C3-C60碳环基和单价C1-C60杂环基的示例可以包括C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基，并且二价C3-C60碳环基和二价C1-C60杂环基的示例可以包括C3-C10亚环烷基、C1-C10亚杂环烷基、C3-C10亚环烯基、C1-C10亚杂环烯基、C6-C60亚芳基、C1-C60亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基和二价非芳香缩合杂多环基。
如这里使用的术语“C1-C60烷基”指具有一个至六十个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，其示例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如这里使用的术语“C1-C60亚烷基”指与C1-C60烷基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C2-C60烯基”指在C2-C60烷基的中间和/或端部(例如，末端)处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，其示例为乙烯基、丙烯基和丁烯基。如这里使用的术语“C2-C60亚烯基”指与C2-C60烯基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C2-C60炔基”指在C2-C60烷基的中间和/或端部(例如，末端)处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，其示例可以包括乙炔基和丙炔基。如这里使用的术语“C2-C60亚炔基”指与C2-C60炔基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C1-C60烷氧基”指由-OA101(其中，A101是C1-C60烷基)表示的单价基团，其示例可以包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
如这里使用的术语“C3-C10环烷基”指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环基，其示例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基和双环[2.2.2]辛基。如这里使用的术语“C3-C10亚环烷基”指与C3-C10环烷基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C1-C10杂环烷基”指除了碳原子之外还包括至少一种杂原子作为成环原子且具有1个至10个碳原子的单价环基，其示例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如这里使用的术语“C1-C10亚杂环烷基”指与C1-C10杂环烷基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C3-C10环烯基”指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环基团，其示例可以包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如这里使用的术语“C3-C10亚环烯基”指与C3-C10环烯基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C1-C10杂环烯基”指在其环结构中具有除了碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子、1个至10个碳原子以及至少一个双键的单价环基。C1-C10杂环烯基的示例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如这里使用的术语“C1-C10亚杂环烯基”指与C1-C10杂环烯基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C6-C60芳基”指具有包括六个至六十个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，并且如这里使用的术语“C6-C60亚芳基”指具有包括六个至六十个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。C6-C60芳基的示例可以包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003243322030000731
基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、芴基和卵苯基。当C6-C60芳基和C6-C60亚芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此缩合。
如这里使用的术语“C1-C60杂芳基”指具有杂环芳香体系的单价基团，该杂环芳香体系具有除了碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子以及1个至60个碳原子。如这里使用的术语“C1-C60亚杂芳基”指具有杂环芳香体系的二价基团，该杂环芳香体系具有除了碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子以及1个至60个碳原子。C1-C60杂芳基的示例可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和萘啶基。当C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此缩合。
如这里使用的术语“单价非芳香缩合多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且在其整个分子结构中没有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的示例可以包括茚基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、金刚烷基和茚并蒽基。如这里使用的术语“二价非芳香缩合多环基”指与单价非芳香缩合多环基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、除碳原子(例如，具有1个至60个碳原子)以外的作为成环原子的至少一种杂原子且在其整个分子结构中为非芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的示例可以包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、9H-呫吨基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如这里使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”指与单价非芳香缩合杂多环基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C6-C60芳氧基”指由-OA102(其中，A102是C6-C60芳基)表示的单价基团，如这里使用的术语“C6-C60芳硫基”指由-SA103(其中，A103是C6-C60芳基)表示的单价基团。
如这里使用的术语“R10a”指：
氘(D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)。
如这里使用的Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
如这里使用的术语“杂原子”指除了碳原子以外的任何原子。杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se以及它们的任何组合。
如这里使用的术语“Ph”指苯基，如这里使用的术语“Me”指甲基，如这里使用的术语“Et”指乙基，如这里使用的术语“tert-Bu”或“But”指叔丁基，如这里使用的术语“OMe”指甲氧基。
如这里使用的术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。换言之，“联苯基”是具有C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
如这里使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。换言之，“三联苯基”是具有取代有C6-C60芳基的C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
除非另外定义，否则如这里使用的*和*'均指与对应式中的相邻原子的结合位。
在下文中，将参照示例更详细地描述根据实施例的化合物和根据实施例的发光器件。在描述示例时使用的表述“使用B来代替A”指使用相同摩尔当量的B来代替相同摩尔当量的A。
示例
示例1
作为阳极，将ITO基底切割为50mm×50mm×0.5mm的尺寸，用丙酮、异丙醇和纯水各超声15分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟进行清洗。然后，将ITO基底提供到真空沉积设备。
在ITO基底上沉积m-MTDATA，以形成具有
Figure BDA0003243322030000751
的厚度的空穴注入层，然后，在空穴注入层上真空沉积NPB，以形成具有
Figure BDA0003243322030000752
的厚度的空穴传输层。在空穴传输层上沉积化合物EB-201，以形成具有
Figure BDA0003243322030000753
的厚度的第二辅助层，并且在第二辅助层上沉积化合物EB-01，以形成具有
Figure BDA0003243322030000754
的厚度的第一辅助层。在第一辅助层上，将化合物HT-03和化合物ET05以7:3的重量比用作主体，并且分别以13wt％的量和0.4wt％的量共沉积PT6和DA-22，以形成具有
Figure BDA0003243322030000763
的厚度的发射层。
在发射层上沉积ET06，以形成具有
Figure BDA0003243322030000764
的厚度的空穴阻挡层。在空穴阻挡层上沉积ET16，以形成具有
Figure BDA0003243322030000765
的厚度的电子传输层。
在电子传输层上沉积Al，以形成具有
Figure BDA0003243322030000766
的厚度的阴极，从而完成发光器件的制造。
Figure BDA0003243322030000761
示例2至示例8和对比示例1至对比示例17
除了分别采用表3中所示的化合物作为第一辅助层、第二辅助层和发射层之外，以与示例1中的方式相同的方式来制造发光器件。
评价示例1
示例1至示例8和对比示例1至对比示例17中使用的第一辅助层和第二辅助层的材料的特性的评价结果示出在下面的表2中。在下面的评价结果之中，使用如上所述的珀金埃尔默LS-55的光致发光光谱在溶液状态下测量材料的T1，并且通过差分脉冲伏安法(DPV)测量HOMO能级和LUMO能级。
表2
Figure BDA0003243322030000762
Figure BDA0003243322030000771
Figure BDA0003243322030000772
通过表2，可以获得示例1至示例8和对比示例1至对比示例17中使用的化合物的HOMO能级、LUMO能级和T1能级。
评价示例2
为了评价根据示例1至示例8和对比示例1至对比示例17制造的每种发光器件的特性，测量了它们在10mA/cm2电流密度下的驱动电压、发光效率和最大外部量子效率(EQE)。使用源仪表(吉时利仪器公司，2400系列)测量发光器件的驱动电压，并且使用滨松光电公司的外部量子效率测量设备C9920-2-12来测量最大外部量子效率。在评价最大外部量子效率时，使用用于波长灵敏度校准的亮度计测量亮度/电流密度，并通过假设引入完美反射漫射体的角亮度分布(朗伯)来转换最大外部量子效率。另外，寿命被计算为亮度从初始亮度达到初始亮度的90％的持续时间。发光器件的特性的评价结果示出在下面的表3中。
表3
Figure BDA0003243322030000781
Figure BDA0003243322030000791
Figure BDA0003243322030000801
通过表3，可以看出，相比于对比示例1至对比示例11的发光器件中的每个，示例1至示例5的发光器件均具有更长的寿命或者更优的发光效率和更长的寿命，并且相比于对比示例12和对比示例13的发光器件中的每个，示例6的发光器件具有更长的寿命或者更优的发光效率和更长的寿命，相比于对比示例14和对比示例15的发光器件中的每个，示例7的发光器件具有更长的寿命或者更优的发光效率和更长的寿命，相比于对比示例16和对比示例17的发光器件中的每个，示例8的发光器件具有更长的寿命或者更优的发光效率和更长的寿命。
应该理解的是，应该仅以描述性意义来考虑这里描述的实施例，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种合适的改变。

Claims (20)

1.一种发光器件，所述发光器件包括：
第一电极；
第二电极；以及
层间层，在所述第一电极与所述第二电极之间，并包括发射层，其中，
所述层间层还包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区域，
所述空穴传输区域包括第一辅助层以及在所述第一电极与所述第一辅助层之间的第二辅助层，
所述第一辅助层包括第一化合物，
所述第二辅助层包括第二化合物，
所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，并且
所述第一化合物的最低激发三重态能级等于或大于1.60eV且小于或等于1.80eV。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，
所述层间层还包括在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区域，
所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合，并且
所述电子传输区域还包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴传输区域还包括在所述第一电极与所述第二辅助层之间的空穴传输层。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一化合物是蒽类化合物。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二化合物是空穴传输化合物。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二化合物的最高占据分子轨道能级等于或大于-5.7eV且小于或等于-5.2eV，并且所述第二化合物的最低未占分子轨道能级等于或大于-2.0eV且小于或等于-1.8eV。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一辅助层和所述第二辅助层彼此直接接触。
8.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述空穴传输层和所述第二辅助层彼此直接接触。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一化合物由式1表示：
式1
Figure FDA0003243322020000021
其中，在式1中，
L1为单键、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-或-N(Q1)-，
a1是1至5的整数，
R1和A1均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1为1至10的整数，
d1为1至10的整数，
n1为0至9的整数，并且
R10a为：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中，Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33均独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二化合物由式2表示：
式2
Figure FDA0003243322020000031
其中，在式2中，
X2为O、S、N(R2a)或C(R2a)(R2b)，
R2a、R2b和R2至R9均独立地为*-(L2)a2-(A2)b2、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
L2为单键、未被取代或取代有至少一个R10a的富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-或-N(Q1)-，
a2为1至5的整数，
A2为未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)或-B(Q1)(Q2)，
b2为1至5的整数，并且
R10a为：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中，Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33均独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层包括化合物A和化合物B，所述化合物A是空穴传输化合物，并且所述化合物B是电子传输化合物。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述发射层还包括化合物C和化合物D，
所述化合物C是磷光化合物，并且
所述化合物D是荧光化合物或满足下面的等式1的热激活延迟荧光化合物：
等式1
△EST＝S1(TADF)-T1(TADF)≤0.3eV
其中，在等式1中，S1(TADF)是所述热激活延迟荧光化合物的最低激发单重态能级，并且T1(TADF)是所述热激活延迟荧光化合物的最低激发三重态能级。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述化合物D发射光。
14.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述化合物A由式a表示，所述化合物B由式b表示，并且所述化合物C由式c表示：
式a
Figure FDA0003243322020000051
式b
Figure FDA0003243322020000052
式c
M31(L31)n31(L32)n32
Figure FDA0003243322020000053
Figure FDA0003243322020000061
其中，在式a中，
X11为O、S、N(R19)或C(R19)(R20)，
R11至R20均独立地为*-(L11)a11-(A11)b11、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
L11为单键、未被取代或取代有至少一个R10a的富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-或-N(Q1)-，
a11为1至5的整数，
A11为未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)或-B(Q1)(Q2)，并且
b11为1至10的整数，
其中，在式b中，
X21至X23均独立地为N或C(R21)，并且X21至X23中的至少一个为N，
L21至L23均独立地为单键、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
a21至a23均独立地为1至5的整数，
A21至A23和R21均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)或-B(Q1)(Q2)，
b21至b23均独立地为1至10的整数，并且
在式c和式c-1至式c-4中，
M31是选自于元素周期表的第一行、第二行和第三行的过渡金属中的过渡金属，
L31是由式c-1至式c-4中的一个表示的配体，
L32是单齿配体、双齿配体或三齿配体，
n31是1或2，
n32是0至4的整数，
A31至A34均独立地为C5-C30碳环基或C1-C30杂环基，
T31至T34均独立地为单键、双键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-C(R35)(R36)-*'、*-C(R35)＝C(R36)-*'、*-C(R35)＝*'、*-Si(R35)(R36)-*'、*-B(R35)-*'、*-N(R35)-*'或*-P(R35)-*'，
k31至k34均独立地为1至3的整数，
Y31至Y34均独立地为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R37)(R38)-*'、*-Si(R37)(R38)-*'、*-B(R37)-*'、*-N(R37)-*'或*-P(R37)-*'，
*1、*2、*3和*4均表示与M31的结合位，
R31至R38均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
R31至R38可选地彼此结合以形成未被取代或取代有至少一个R10a的C5-C60碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
b31至b34均独立地为0至10的整数，并且
R10a为：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、
-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中，Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33均独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
15.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述化合物D由式d-1和式d-21至式d-23中的一个表示：
式d-1
Figure FDA0003243322020000081
式d-21
(D41)n41-(L41)a41-(A41)m41
式d-22
(D41)n41-(L41)a41-(A41)m41-(L42)a42-(D42)n42
式d-23
(A41)m41-(L41)a41-(D41)n41-(L42)a42-(A42)m42，
其中，在式d-1中，
Ar41至Ar43均独立地为C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
X41为N、B、P、P(＝O)或P(＝S)，
Y42和Y43均独立地为N、O、S、C(R44)或Si(R44)，
R41至R44均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未被取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b41至b43均独立地为1至10的整数，并且
R41至R44中的两个或更多个基团可选地彼此连接以形成未被取代或取代有至少一个R10a的C5-C30碳环基或者未被取代或取代有至少一个R10a的C2-C30杂环基，并且
R10a为：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基或C6-C60芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中，在式d-21至式d-23中，
A41和A42均独立地为：富π电子的C3-C60环基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)或-N(Q1)(Q2)；
取代有从氘、C1-C60烷基、富π电子的C3-C60环基、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的富π电子的C3-C60环基；或者
取代有至少一个富π电子的C3-C60环基的富π电子的C3-C60环基，所述至少一个富π电子的C3-C60环基取代有从氘、C1-C60烷基、富π电子的C3-C60环基、-C(Q21)(Q22)(Q23)、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)和N(Q21)(Q22)中选择的至少一者；
m41和m42均独立地为1至3的整数，
D41和D42均独立地为：-F、氰基、贫π电子的含氮C1-C60环基、含C(＝O)的基团、含P(＝O)的基团或含P(＝S)的基团；
均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮C1-C60环基和富π电子的C3-C60环基中选择的至少一者的贫π电子的含氮C1-C60环基、含C(＝O)的基团、含P(＝O)的基团或含P(＝S)的基团；
均取代有从-F、氰基和贫π电子的含氮C1-C60环基中选择的至少一者的C1-C60烷基或富π电子的C3-C60环基；
均取代有从以下基团中选择的至少一者的贫π电子的含氮C1-C60环基、含C(＝O)的基团、含P(＝O)的基团或含P(＝S)的基团：均取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮C1-C60环基和富π电子的C3-C60环基中选择的至少一者的C1-C60烷基、贫π电子的含氮C1-C60环基和富π电子的C3-C60环基；
均取代有至少一个贫π电子的含氮C1-C60环基的C1-C60烷基或富π电子的C3-C60环基，所述至少一个贫π电子的含氮C1-C60环基取代有从氘、-F、氰基、C1-C60烷基、贫π电子的含氮C1-C60环基和富π电子的C3-C60环基中选择的至少一者；以及
均取代有从以下基团中选择的至少一者的C1-C60烷基或富π电子的C3-C60环基：均取代有从-F、氰基和贫π电子的含氮C1-C60环基中选择的至少一者的C1-C60烷基和富π电子的C3-C60环基，
n41和n42均独立地为1至3的整数，
L41和L42均独立地为富π电子的C3-C60环基、-C(Q1)(Q2)-、-Si(Q1)(Q2)-、-B(Q1)-或-N(Q1)-；或者
取代有从氘、C1-C60烷基、富π电子的C3-C60环基、-C(Q31)(Q32)(Q33)、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)和-N(Q31)(Q32)中选择的至少一者的富π电子的C3-C60环基；并且
a41和a42均独立地为0至3的整数，
其中，Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33均独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述化合物D由式d-11和式d-12中的一个表示：
Figure FDA0003243322020000111
其中，在式d-11和式d-12中，
X41和X42均独立地与结合式d-1的X41描述的相同，
Y42至Y45均独立地与结合式d-1的Y42描述的相同，并且
R41a至R41d、R42a至R42c、R43a至R43d、R44a至R44c、R45a和R45b均独立地与结合式d-1的R41描述的相同。
17.根据权利要求12所述的发光器件，其中，
所述化合物A选自于组I的化合物，
所述化合物B选自于组II的化合物，
所述化合物C选自于组III-I和组III-II的化合物，并且
所述化合物D选自于组IV-I和组IV-II的化合物：
组I
Figure FDA0003243322020000121
Figure FDA0003243322020000131
组II
Figure FDA0003243322020000132
Figure FDA0003243322020000141
组III-I
Figure FDA0003243322020000142
Figure FDA0003243322020000151
组III-II
Figure FDA0003243322020000161
Figure FDA0003243322020000171
组IV-I
Figure FDA0003243322020000181
Figure FDA0003243322020000191
组IV-II
Figure FDA0003243322020000192
Figure FDA0003243322020000201
18.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述层间层的最大发光波长为400nm至510nm。
19.一种电子设备，所述电子设备包括：
根据权利要求1至18中的任一项所述的发光器件；以及
薄膜晶体管，其中，
所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且
所述发光器件的所述第一电极电连接到所述源电极或所述漏电极。
20.根据权利要求19所述的电子设备，所述电子设备还包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或它们的任何组合。
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