CN114740559B - 一种光控-晶控结合的膜系设计方法 - Google Patents
一种光控-晶控结合的膜系设计方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114740559B CN114740559B CN202210262111.4A CN202210262111A CN114740559B CN 114740559 B CN114740559 B CN 114740559B CN 202210262111 A CN202210262111 A CN 202210262111A CN 114740559 B CN114740559 B CN 114740559B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film system
- film
- lhlhlhlh
- hlhlhlhl
- hlhlhl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 210000001072 colon Anatomy 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光控‑晶控结合的膜系设计方法，为窄带通两边的截止带拓宽提供一种可能性，包括下述步骤：1）通过膜系设计软件设计一个1064的窄带通，必要条件下主膜镀窄带滤光片时需消除掉一侧的次峰，方便副膜消掉另一侧的次峰；2）将步骤1）所得，在同一个膜系的基础上叠加一个短波通膜系，形成主膜膜系；3）将步骤2）所得的主膜膜系，再设计一个长波通膜系作为副膜膜系。
Description
技术领域
本发明涉及光学薄膜技术领域，具体地说，是一种光控-晶控结合的膜系设计方法。
背景技术
在制作窄带滤光片时不仅需要选择合适的制备工艺和优秀的镀膜材料，还需要采取相应措施，精确监控厚度，在实际设计过程中经常会出现截止带宽不够的现象，副膜又不能完全补偿。
发明内容
本发明的目的在于设计一种光控-晶控结合的膜系设计方法，为窄带通两边的截止带拓宽提供一种可行性。
本发明通过下述技术方案实现：一种光控-晶控结合的膜系设计方法，包括下述步骤：
1）通过膜系设计软件设计一个1064的窄带通，显然截止带宽在1230nm左右开始出现次峰，现在需要做的就是将1230nm之后的次峰消除掉，常用的方法是在基片背面镀制一个短波通，但基片背面镀完短波通后930nm之前的次峰就无法消除掉了，因此需采用在消除掉主膜的次峰情况下在副膜镀制一个长波通，即必要条件下主膜镀窄带滤光片时需消除掉一侧的次峰，方便副膜消掉另一侧的次峰；
2）将步骤1）所得，在同一个膜系的基础上叠加一个短波通膜系，形成主膜膜系，由于窄带设计属于规整膜系选择光控，而短波通属于非规整膜系需要用晶控控制，因此需要光控-晶控的方法完成镀制要求；
3）将步骤2）所得的主膜膜系，再设计一个长波通膜系作为副膜膜系，可以将930nm之前的次峰截止掉，满足了设计要求。
进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述1064的窄带通膜系为：
HLHLHL 4H LHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L。
进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中主膜膜系为：
HLHLHL 4H LHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L
1.28(0.5LH0.5L)^13。
进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述步骤3）中长波通膜系为：
(0.5HL0.5H)^11。
进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：在对所述主膜进行镀制时，工艺参数为：温度250~300℃（优选为300℃），工件盘转速50转/分，Ta2O5充氧150~170sccm（优选为150sccm），全程离子源辅助，离子源束流为1000~1200mA（优选为1200mA）。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
本发明能够为一些容易被旁带通波段光影响的接收器，提供更加纯净的光波段。
附图说明
图1为1064的窄带通膜系的设计曲线图。
图2为所述步骤2）中主膜膜系的设计曲线。
图3为最后的设计曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。因此，以下提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施方式。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上， 除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”、“布设”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体，具体通过什么手段不限于螺接、过盈配合、铆接、螺纹辅助连接等各种常规机械连接方式。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
值得注意的是：在本申请中，某些需要应用到本领域的公知技术或常规技术手段时，申请人可能存在没有在文中具体的阐述该公知技术或/和常规技术手段是一种什么样的技术手段，但不能以文中没有具体公布该技术手段，而认为本申请不符合专利法第二十六条第三款的情况。
实施例1：
一种光控-晶控结合的膜系设计方法，包括下述步骤：
1）通过膜系设计软件设计一个1064的窄带通，显然截止带宽在1230nm左右开始出现次峰，现在需要做的就是将1230nm之后的次峰消除掉，常用的方法是在基片背面镀制一个短波通，但基片背面镀完短波通后930nm之前的次峰就无法消除掉了，因此需采用在消除掉一侧的次峰情况下通过常用的方法在基片背面镀制一个短波通，即必要条件下镀窄带滤光片时需消除掉一侧的次峰，方便副膜消掉另一侧的次峰；
2）将步骤1）所得，在同一个膜系的基础上叠加一个短波通膜系，形成主膜膜系，由于窄带设计属于规整膜系选择光控，而短波通属于非规整膜系需要用晶控控制，因此需要光控-晶控的方法完成镀制要求；
3）将步骤2）所得的主膜膜系，再设计一个长波通膜系作为副膜膜系，可以将930nm之前的次峰截止掉，满足了设计要求。
实施例2：
本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，与前述技术方案相同部分在此将不再赘述，结合图1，进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述1064的窄带通膜系为：
HLHLHL 4H LHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L。
实施例3：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，与前述技术方案相同部分在此将不再赘述，结合图2，进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中主膜膜系为：
HLHLHL 4H LHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L
1.28(0.5LH0.5L)^13。
实施例4：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，与前述技术方案相同部分在此将不再赘述，进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：所述步骤3）中长波通膜系为：
(0.5HL0.5H)^11。
实施例5：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，与前述技术方案相同部分在此将不再赘述，进一步的为更好地实现本发明所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，特别采用下述设置方式：该实施例基于新科隆1350做滤光片，膜系要求是中心波长1064nm、带宽8nm，透过率90%，除带通外截止波段800-1400nm。首先镀制样品第一面（主膜），前半部分规整膜系利用直接监控法监控膜厚，后半部分利用晶控法监控膜厚，镀完测试结果满足设计要求，接着镀制第二面（副膜），第二面采用晶控法监控膜厚，双面镀膜后满足设计要求。
在对所述主膜进行镀制时，工艺参数为：温度250~300℃（优选为300℃），工件盘转速50转/分，Ta2O5充氧150~170sccm（优选为150sccm），全程离子源辅助，离子源束流为1000~1200mA（优选为1200mA）。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：包括下述步骤：
1）通过膜系设计软件设计一个1064的窄带通，主膜镀窄带滤光片时需消除掉一侧的次峰，方便副膜消掉另一侧的次峰；所述1064的窄带通膜系为：
HLHLHL 4H LHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L；
2）将步骤1）所得，在同一个膜系的基础上叠加一个短波通膜系，形成主膜膜系，并采用光控-晶控的方法完成镀制要求；所述主膜膜系为：
HLHLHL 4H LHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHLHL 6H LHLHLHLH L
HLHLHL 4H LHLHL0.7H0.7L
1.28(0.5LH0.5L)^13；
3）将步骤2）所得的主膜膜系，再设计一个长波通膜系作为副膜膜系，将930nm之前的次峰截止掉。
2.根据权利要求1所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：所述步骤3）中长波通膜系为：
(0.5HL0.5H)^11。
3.根据权利要求2所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：在对所述主膜进行镀制时，工艺参数为：温度300℃，工件盘转速50转/分，Ta2O5充氧150sccm，全程离子源辅助，离子源束流为1200mA。
4.根据权利要求1所述的一种光控-晶控结合的膜系设计方法，其特征在于：在对所述主膜进行镀制时，工艺参数为：温度300℃，工件盘转速50转/分，Ta2O5充氧150sccm，全程离子源辅助，离子源束流为1200mA。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210262111.4A CN114740559B (zh) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | 一种光控-晶控结合的膜系设计方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210262111.4A CN114740559B (zh) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | 一种光控-晶控结合的膜系设计方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114740559A CN114740559A (zh) | 2022-07-12 |
| CN114740559B true CN114740559B (zh) | 2024-05-10 |
Family
ID=82277527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210262111.4A Active CN114740559B (zh) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | 一种光控-晶控结合的膜系设计方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114740559B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102590916A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-18 | 苏州鼎旺科技有限公司 | 一种带通滤光片及其生产工艺 |
| JP2013054368A (ja) * | 2012-10-22 | 2013-03-21 | Panasonic Corp | 赤外線光学フィルタおよびその製造方法 |
| CN107193071A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-09-22 | 上海兆九光电技术有限公司 | 窄带滤光片及其镀膜方法 |
| CN111552018A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-18 | 无锡奥夫特光学技术有限公司 | 一种具有宽截止、高透射率的准矩形窄带滤波片 |
-
2022
- 2022-03-17 CN CN202210262111.4A patent/CN114740559B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102590916A (zh) * | 2012-02-29 | 2012-07-18 | 苏州鼎旺科技有限公司 | 一种带通滤光片及其生产工艺 |
| JP2013054368A (ja) * | 2012-10-22 | 2013-03-21 | Panasonic Corp | 赤外線光学フィルタおよびその製造方法 |
| CN107193071A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-09-22 | 上海兆九光电技术有限公司 | 窄带滤光片及其镀膜方法 |
| CN111552018A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-18 | 无锡奥夫特光学技术有限公司 | 一种具有宽截止、高透射率的准矩形窄带滤波片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114740559A (zh) | 2022-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7106509B2 (en) | Filter for enhancing vision and/or protecting the eyes and method of making a filter | |
| CN105922083B (zh) | 磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法 | |
| US6671109B2 (en) | ND filter having composite PVD film of metal and its oxide | |
| EP2657750B1 (en) | Semifinished blank for varifocal lens, varifocal lens machined from the blank, and varifocal glasses using the lens | |
| CN114740559B (zh) | 一种光控-晶控结合的膜系设计方法 | |
| CN104871431B (zh) | 复合基板及其制造方法，以及弹性波装置 | |
| US20160282532A1 (en) | Ophthalmic optical filters for prevention and reduction of photophobic effects and responses | |
| JP2001112811A (ja) | 色覚異常補正用レンズ | |
| DE112014003787T5 (de) | Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers | |
| WO2016208101A1 (ja) | 定寸装置、研磨装置、及び研磨方法 | |
| AU2003298388A1 (en) | Polarization separator, method for making same and ophthalmic lens including projection inserts comprising same | |
| KR101193096B1 (ko) | 광학 필터 및 광학 필터의 제조 방법 | |
| CN111175874B (zh) | 一种中红外双波段带通滤光片及其制备方法 | |
| CN108121023A (zh) | 一种光学薄膜滤光片的制作方法 | |
| TWI237130B (en) | Method for producing multilayer optical device | |
| JPWO2007138672A1 (ja) | 分散補償装置 | |
| CN214174663U (zh) | 一种双带通滤光片 | |
| CN115857121B (zh) | 一种多通道光模块波长调试方法和光模块 | |
| CN106681034B (zh) | 基板切割机夹板垫片组合及基板切割方法 | |
| JP4244410B2 (ja) | エタロンフィルタおよびその製造方法 | |
| CN219085271U (zh) | 一种适用于三色激光投影仪的3d立体镜头片 | |
| CN114236662B (zh) | 一种高截止深度的双通道滤光片及其制备方法 | |
| Bashford Jr et al. | Relative contributions of passband and filter skirts to the intelligibility of bandpass speech: Some effects of context and amplitude | |
| JPH05249313A (ja) | 光学多層膜フィルタ | |
| CN116388860A (zh) | 一种多通道光模块波长调试方法和光模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |