CN114730134A - 用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统 - Google Patents

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Abstract

一种用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统，包括：光学元件；控制器；致动器；以及传感器。该光学元件被配置为与辐射脉冲相互作用以控制辐射脉冲的特性，该辐射脉冲的特性取决于光学元件的配置。控制器能够操作以生成控制信号。致动器被配置为接收来自控制器的控制信号并且根据该控制信号控制光学元件的配置。传感器能够操作以确定已与光学元件相互作用的脉冲的特性。针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于来自先前突发中的对应的脉冲的所确定的特性。

Description

用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月8日提交的、并且名称为“RADIATION SYSTEM FORCONTROLLING BURSTS OF PULSES OF RADIATION”的美国申请号62/933，140的优先权，该申请在此以全文引入作为参考。
技术领域
本公开涉及用于生成辐射脉冲的突发的系统和方法，例如使用在光刻装置中。具体来说，例如，本公开可以涉及生成辐射脉冲的突发的系统和方法，该辐射脉冲在突发内的不同辐射波长之间切换。
背景技术
光刻装置是构造为将期望图案施加于衬底上的机器。光刻装置可用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以，例如将图案形成器件(例如掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投射至辐射敏感材料(抗蚀剂)层上，该辐射敏感材料层被提供于衬底(例如晶片)上。
随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(例如晶体管)的数目在几十年内稳定增加，遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体工业正在追求能够创造越来越小的特征的技术。为了在衬底上投射图案，光刻装置可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了特征的最小尺寸，该特征被图案化到衬底上的抗蚀剂中。目前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可用于在衬底上形成更小的特征。
通常，准分子激光器被设计以操作特定气体混合物；因此，改变波长可以是复杂的。特别地，从一个放电到下一个放电(“脉冲到脉冲”)改变中心波长是有挑战性的。然而，可能存在期望具有改变波长的能力的情况。例如，在存储器的3D NAND层级中(即，结构类似于堆叠在彼此顶部上的NAND(“NOT－AND”)栅极的存储器)。从2D到3D NAND架构的转变需要制造过程中的显著改变。在3D NAND制造中，挑战主要由极端纵横比(即，孔直径与其深度的比率)下的蚀刻和沉积工艺驱动。创建具有极高纵横比(HAR)特征的复杂3D结构是复杂的并且需要极高精度，最终，需要工艺均匀性和可重复性来实现缩放。此外，随着多层堆叠高度增加，在堆叠(例如，存储器阵列)的顶部和底部处实现一致蚀刻和沉积的困难也增加。
这些考虑导致需要更大的聚焦深度。对于单波长光，光刻聚焦深度DOF由关系DOF＝±m2λ/(NA)2确定，其中λ是照射光的波长，NA是数值孔径，并且m2是取决于抗蚀剂工艺的实际因素。由于在3D NAND光刻中更大的聚焦深度要求，有时在晶片上进行多于一次的曝光，每次通过使用不同的激光波长。
此外，构成聚焦激光辐射的透镜的材料是色散的，所以不同的波长聚焦在抗蚀剂中的不同深度。这是为什么会期望具有改变波长的能力的另一个原因。
辐射系统，诸如深紫外(DUV)辐射系统，包括用于控制生成辐射的波长的系统。这些波长控制系统可以包括反馈和前馈补偿器以提高波长稳定性。在特性上，期望目标或参考波长，即由波长控制系统命令的波长，在激光器操作期间不会快速改变。因此，补偿器可以主要用于抑制瞬态干扰。在生成两个不同波长的DUV光的应用中，参考波长在曝光期间可以具有两个设定点，即，在第一波长处的第一设定点和在第二波长处的第二设定点。可以在这两个设定点之间调制参考波长。
可能需要提供一个系统和方法，用于生成具有受控特性(诸如波长)的辐射脉冲，其至少部分地解决与已知系统和方法相关联的一个或一个以上问题，无论在本文中或其它地方标识。
发明内容
根据第一方面，提供了一种用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统，包括：光学元件，该光学元件被配置为与辐射脉冲相互作用以控制辐射脉冲的特性，辐射脉冲的特性取决于光学元件的配置；控制器，该控制器能够操作以生成控制信号；致动器，该致动器被配置为从控制器接收控制信号并且根据控制信号来控制光学元件的配置；以及传感器，该传感器能够操作以确定已与光学元件相互作用的脉冲的特性；其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性。
如现在所讨论的，根据第一方面的辐射系统是有利的。辐射系统包含反馈环路，该反馈环路使用脉冲的所确定的特性(例如波长)，该脉冲与来自至少一个先前突发的光学元件相互作用。特别地，针对给定突发中的给定脉冲的控制信号可以由取决于针对来自先前突发的一个或多个对应的脉冲的控制信号加上反馈校正的控制信号给出。反馈校正可以取决于(例如成比例于)来自先前突发的对应的脉冲的所确定的特性与来自(多个)先前突发的(多个)对应的脉冲的标称或目标特性之间的差。有利地，这允许辐射系统考虑并且至少部分地校正由不同控制信号引起的瞬态效应，不同控制信号在脉冲的每个突发期间和在连续对的脉冲的突发之间被使用。这种瞬态效应可能是显著的，特别是如果致动器和光学元件系统的动态响应是欠阻尼的。
针对给定突发中的给定脉冲的控制信号可以取决于来自至少一个先前突发的一组脉冲的所确定的特性。
一组脉冲可以包括多个脉冲。来自至少一个先前突发的一组脉冲，例如，可以是来自至少一个先前突发的一组对应的脉冲。应当理解，对于突发中的每个脉冲，在每个先前突发中可以有一个脉冲，其精确对应于该脉冲。例如，给定突发中的第10个脉冲可以精确地对应于每个其它突发中的第10个脉冲。对于给定突发中的给定脉冲，来自先前突发的对应的一组脉冲可以包括与给定脉冲精确对应的、来自先前突发的脉冲，附加地加上来自先前突发的一个或多个周围脉冲。例如，对于给定突发中的第10个脉冲，来自先前突发的对应的一组脉冲可包括来自先前突发的第9、第10和第11个脉冲。
针对给定突发中的给定脉冲的控制信号可以由针对至少一个先前突发中的对应的脉冲的控制信号加上校正项给出。校正项可以取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性。这样，给定突发的前馈控制信号可以包含基于(多个)先前突发的反馈校正项。
校正项可以与来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性和特性的标称值之间的差成比例。
例如，所确定的特性可以是辐射的波长。给定突发中的给定脉冲的校正项可以与针对在先前突发中的、对应的脉冲的测量波长和标称或目标波长之间的差成比例。对于其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于自多于一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性的实施例，脉冲的校正项，例如，可以是针对每个先前突发中的对应的脉冲的测量波长与标称或目标波长之差的加权和。
校正项可以与增益成比例。对于突发中的、不是第一脉冲的任何脉冲，增益可以等于第一增益，并且对于突发中的、是第一脉冲的任何脉冲，增益可以等于第二增益。
有利地，以这种方式，不同增益可以应用于瞬态，该瞬态发生在每个突发内，以及该瞬态因连续突发之间的间隙而发生。
特性可以是辐射脉冲的波长。
控制器可以被配置，使得控制信号振荡。
利用这种布置，辐射系统可以生成辐射脉冲的突发，由此脉冲的特性(例如波长)振荡。有利地，使用多个(例如，两个)不同波长可能有利于在光刻系统中使用以增加聚焦深度。
致动器可以包括压电元件，该压电元件被配置为旋转光学元件、以控制辐射脉冲在光学元件上的入射角。
光学元件可以包括光栅，该光栅被配置为以波长相关的方式反射辐射脉冲，使辐射的所选择的波长带被传输至辐射系统的输出。
光学元件可以包括棱镜，该棱镜被配置为以波长相关的方式折射辐射脉冲，使辐射的所选择的波长带被传输至辐射系统的输出。
针对第一突发中的给定脉冲的控制信号可以基于光学元件和致动器的动态模型而被确定。
根据第二方面，提供了一种光刻系统，包括：用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统，该辐射系统包括：光学元件，该光学元件被配置为与辐射脉冲相互作用以控制辐射脉冲的特性，辐射脉冲的特性取决于光学元件的配置；控制器，该控制器能够操作以生成控制信号；致动器，该致动器被配置为从控制器接收控制信号并且根据控制信号来控制光学元件的配置；以及传感器，该传感器能够操作以确定已与光学元件相互作用的脉冲的特性；其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决至少来自一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性；以及光刻装置，该光刻装置被配置为从辐射系统接收辐射脉冲，图案化辐射脉冲，并且将经图案化的辐射脉冲投射至目标上。
根据第三方面，提供了一种控制辐射脉冲的突发的方法，包括：使用光学元件与辐射脉冲相互作用，以控制辐射脉冲的特性；确定已与光学元件相互作用的脉冲的特性；生成控制信号；并且根据控制信号控制光学元件的配置；其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性。
根据第三方面的方法可以使用根据第一方面的辐射系统来实现。方法使用反馈环路，反馈环路使用来自先前突发的与光学元件相互作用的脉冲的所确定的特性(例如波长)。特别地，针对给定突发中的给定脉冲的控制信号可以由针对来自先前突发的对应的脉冲的控制信号加上反馈校正来给出。反馈校正可以取决于(例如成比例于)来自先前突发的对应的脉冲的所确定的特性与来自先前突发的对应的脉冲的标称或目标特性之间的差。有利地，这允许该方法考虑，并且至少部分地校正由不同控制信号产生的瞬态效应，不同控制信号在每个脉冲的突发期间和在连续对的脉冲的突发之间被使用。这种瞬态效应可能是显著的，特别是如果致动器和光学元件系统的动态响应是欠阻尼的。
针对给定突发中的给定脉冲的控制信号可以取决于来自至少一个先前突发的一组脉冲的所确定的特性。
针对给定突发中的给定脉冲的控制信号可以由针对先前突发中的对应的脉冲的控制信号加上校正项给出，校正项取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性。
这样，给定突发的前馈控制信号可以包含基于先前突发的反馈校正项。
校正项可以与来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性和特性的标称值之间的差成比例。
例如，所确定的特性可以是辐射的波长。给定突发中的给定脉冲的校正项可以与先前突发中的对应的脉冲的测量波长和标称或目标波长之间的差成比例。
校正项可以与增益成比例。对于突发中的、不是第一脉冲的任何脉冲，增益可以等于第一增益，并且对于突发中的、是第一脉冲的任何脉冲，增益可以等于第二增益。
有利地，以这种方式，不同的增益可以应用于瞬态，瞬态发生在每个突发内并且瞬态因连续突发之间的间隙而发生。
特征可以是辐射的至少一个脉冲的波长。
所生成的控制信号可以振荡。
利用这种布置，辐射系统可以产生辐射脉冲的突发，由此脉冲特性(例如波长)振荡。有利地，使用多个(例如，两个)不同的波长对于在光刻系统中使用以增加聚焦深度可能是有利的。
战队第一突发中的给定脉冲的控制信号可以基于光学元件和致动器的动态模型来确定。
附图说明
现在将仅通过示例的方式，参考所附示意图来描述系统和方法的各种版本，其中：
图1示意性地描绘了光刻装置的概貌；
图2示意性地描绘了根据所公开技术方案的一个方面的光刻系统的总体概念的视图；
图3示意性地描绘了根据所公开的技术方案的一个方面的照明系统的总体概念的视图；
图4是用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统的示意图；
图5是对图4所示的辐射系统内的脉冲的波长的控制的示意图；
图6示出了用于控制图4所示的辐射系统内的辐射脉冲的突发的方法的流程图；
图7A示出了针对每个脉冲的波长，开环控制机制(正方形)和更适于操作的适应控制方式(圆形)，凭借该操作波长在脉冲之间变化(也称为多焦点成像方式)；
图7B示出了在开环控制方式和更适于操作的适应控制方式中针对每个脉冲施加于致动器的控制电压，凭借该操作波长在脉冲之间变化(也称为多焦点成像方式)；以及
图8示出了针对在图6所示的控制方案的、根据脉冲数的施加于致动器的控制电压(上图)和针对每个脉冲的波长(下图)，并且示出了跨越辐射脉冲的15个突发的两个曲线图。
具体实施方式
在本文件中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365、248、193、157或126nm的波长)和EUV(极紫外辐射，例如具有在约5－100nm范围内的波长)。
在本文中使用的术语“标线片”，“掩模”或“图案形成器件”可以被广义地解释为指的是通用图案器件，通用图案器件可以被用来使入射辐射束具有图案化的截面，以对应于在衬底的目标部分中被创建的图案。在本文中也可以使用术语“光阀”。除了经典的掩模(透射或反射、二元、相移、混合等)之外，其它这种图案形成器件的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地示出了光刻装置LA。光刻装置LA包括：照明系统(也称为照射器)IL，该照明系统IL被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，该掩模支撑件被构造为支撑图案形成器件(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为根据某些参数精确地定位图案形成器件MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，该衬底支撑件WT被构造为保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为根据某些参数精确地定位衬底支撑件；以及投射系统(例如，折射投射透镜系统)PS，该投射系统PS被配置为将由图案形成器件MA赋予辐射束B的图案投射至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个裸片)上。
在操作中，照明系统IL从辐射源SO接受辐射光束，例如经由光束传送系统BD。照明系统IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学部件，或其任意组合。照射器IL可以用于调节辐射束B，使其在图案形成器件MA平面的截面中具有期望的空间和角度强度分布。
这里使用的术语“投射系统”PS应该广义地解释为包括各种类型的投射系统，包括折射、反射、反折射、变形、磁性、电磁和/或静电光学系统，或它们的任意组合，视所使用的暴露辐射和/或其它因素(例如使用浸没液体或使用真空)而定。这里术语“投射透镜”的任何使用可以被认为与更普遍的术语“投射系统”PS同义。
光刻装置LA可以是这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以填充投射系统PS和衬底W之间的空间，这也被称为浸没光刻。关于浸渍技术的更多信息在US 6952253中给出，其通过引用并入本文。
光刻装置LA也可以是具有两个或多个衬底支撑件WT的类型(也称为“双级”)。在这种“多级”机器中，可以并行使用衬底支撑件WT，和/或可以在衬底W上执行衬底W后续曝光的准备步骤，衬底W位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件WT之上，同时使用另一衬底支撑件WT上的另一衬底W来曝光其他衬底W上的图案。
除了衬底支撑件WT之外，光刻装置LA可以包括测量级。测量级被布置以保持传感器和/或清洁器件。传感器可以被布置以测量投射系统PS的特性或辐射束B的特性。测量级可以容纳多个传感器。清洁器件可以被布置以清洁光刻装置的一部分，例如投射系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投射系统PS时，测量级可以在投射系统PS下面移动。
在操作中，辐射束B入射至图案形成器件上，例如保持在掩模支撑件MT上的掩模MA上，并由图案形成器件MA上存在的图案(设计布局)形成图案。在穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投射系统PS，投射系统PS将辐射束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，衬底支撑件WT可以精确地移动，例如将辐射束B的路径中的不同目标部分C定位在聚焦和对准的位置。类似地，第一定位器PM和可能的另一个位置传感器(图1中未明确示出)可用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成器件MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成器件MA和衬底W。虽然所示的衬底对准标记P1、P2占据专用的目标部分，但是衬底对准标记P1、P2可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线对准标记。
为了清楚，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即x轴、y轴和z轴。这三个轴中的每个轴都与其它两个轴正交。绕x轴的旋转被称为Rx-旋转。绕y轴的旋转被称为Ry-旋转。绕z轴的旋转被称为Rz-旋转。z轴通常可以与光刻装置的光轴重合(例如在图1中的竖直方向上)，而x轴和y轴可以限定竖直于光轴的平面(例如图1中的水平面)。笛卡尔坐标系不限制本发明并且仅用于说明。相反，可以使用另一坐标系来说明，诸如柱面坐标系。笛卡尔坐标系的定向可以不同，例如，使z轴具有沿水平面的元件。
图2示意性地示出了光刻系统100，光刻系统100包括照明系统105。如下面更全面地描述，照明系统105包括光源，该光源产生脉冲光束110并将其引导至光刻曝光设备或扫描器115，光刻曝光设备或所述扫描器115在晶片120上图案化微电子特征。晶片120放置在晶片台125上，晶片台125被构造以保持晶片120并且连接到定位器，定位器被配置为根据某些参数精确地定位晶片120。
光刻系统100使用光束100，光束100具有深紫外(DUV)范围内的波长，例如，具有248纳米(nm)或193nm的波长。可在晶片120上图案化的微电子特征的最小尺寸取决于光束110的波长，较低的波长允许较小的最小特征尺寸。当光束110的波长是248nm或193nm时，微电子特征的最小尺寸可以是，例如50nm或更小。光束110的带宽可以是其光谱(或发射光谱)的实际瞬时带宽，其包含关于光束110的光能如何分布在不同波长上的信息。扫描器115包括光学装置，该光学装置具有例如一个或多个聚光透镜，掩模和物镜装置。掩模可沿一个或多个方向移动，例如沿光束110的光轴或在竖直于光轴的平面内移动。物镜装置包括投射透镜并且能够使图像从掩模转移到晶片120的光致抗蚀剂上。照明系统105调节照射到掩模上的光束110的角度范围。照明系统105还使光束110在掩模上的强度分布均质化(均匀)。
扫描器115除其他特征之外可以包括光刻控制器130、空气调节器件和用于各种电气部件的电源。光刻控制器130控制如何在晶片120上印刷各层。光刻控制器130包括存储器，该存储器保存诸如工艺制法的信息。处理程序或制法确定晶片120上的曝光长度，基于例如所使用的掩模以及影响曝光的其它因素。在光刻期间，光束110的多个脉冲照射晶片120的相同区域以构成照射剂量。
光刻系统100还优选地包括控制系统135。通常，控制系统135包括一个或多个数字电子电路、计算机硬件、固件和软件。控制系统135还包括存储器，该存储器可以是只读存储器和/或随机存取存储器。适于形地包含计算机程序指令和数据的存储器件包括所有形式的非易失性存储器，包括例如半导体存储器件，诸如EPROM、EEPROM和闪存器件；磁盘，诸如内部硬盘和可移动磁盘；磁光盘；以及CD－ROM盘。
控制系统135还可以包括一个或多个输入设备(例如键盘、触摸屏、麦克风、鼠标、手持输入设备等)和一个或多个输出设备(例如扬声器或显示器)。控制系统135还包括一个或多个可编程处理器，以及一个或多个计算机程序产品，计算机程序产品有形地包含在机器可读存储器件中，用于由一个或多个可编程处理器执行。一个或多个可编程处理器可以各自执行指令程序，以通过对输入数据进行操作并且生成适当的输出来执行期望的功能。通常，处理器从存储器接收指令和数据。任何前述内容可由专门设计的ASIC(专用集成电路)补充或并入其中。控制系统135可以集中或部分或全部分布在整个光刻系统100中。
参考图3，示例性照明系统105是脉冲激光源，脉冲激光源产生脉冲激光束作为光束110。图3示例性地以框图形式示出了气体放电激光系统，气体放电激光系统根据所公开的技术方案的某些方面的实施例。气体放电激光系统可以包括，例如固态或气体放电种子激光系统140、放大级，例如功率环放大器(“PRA”)台145，中继光学器件150和激光系统输出子系统160。种子系统140可以包括，例如主振荡器(“MO”)室165。
种子激光系统140还可以包括主振荡器输出耦合器(“MOOC”)175，主振荡器输出耦合器175可以包括部分反射镜，部分反射镜由线窄化模块(“LNM”)170中的反射光栅(未示出)形成，种子激光器140在振荡器腔中振荡以形成种子激光器输出脉冲，即形成主振荡器(“MO”)。该种子激光系统还可以包括线心分析模块(“LAM”)180。LAM180可以包括用于精细波长测量的标准具分光计和较粗分辨率的光栅分光计。MO波前工程盒(“WEB”)185可以用于将MO种子激光系统140的输出重定向到放大级145，并且可以包括，使用例如多棱镜光束扩展器(未示出)的光束扩展和例如以光学延迟路径(未示出)的形式的相干破坏。
放大级145可以包括，例如PRA激光发射室200，PRA激光发射室200也可以是振荡器，例如由种子光束注入和输出耦合光学器件(未示出)形成，种子光束注入和输出耦合光学器件可以合并到PRA WEB 210中并且可以由光束反向器220通过室200中的增益介质重定向回来。PRA WEB 210可以包括部分反射输入/输出耦合器(未示出)和用于标称工作波长(例如，对于ArF系统在大约193nm)的最大反射镜以及一个或多个棱镜。
在放大级145的输出处的带宽分析模块(“BAM”)230可以从放大级接收脉冲的输出激光束，并且为了计量目的，例如为了测量输出带宽和脉冲能量，拾取光束的一部分。随后，脉冲的激光输出光束通过光脉冲展宽器(“OPuS”)240和输出组合自动快门计量模块(“CASMM”)250，其也可以是脉冲能量计的位置。OPuS 240的一个目的可以是，例如将单个输出激光脉冲转换成脉冲的串。从原始单个输出脉冲产生的次级脉冲可以相对于彼此延迟。通过将原始激光脉冲能量分布成一系列次级脉冲，可以扩展激光的有效脉冲长度并且减小峰值脉冲强度。OPuS 240因此可以经由BAM 230从PRA WEB 210接收激光束，并且将OPuS240的输出引导至CASMM 250。在其它实施例中可以使用其它合适的布置。
PRA激光发射室200和MO 165被配置为这样的室，其中电极之间的放电可以引起激光发射气体中的激光发射气体放电，以创建高能分子(包括例如Ar，Kr和/或Xe)的反转群，以产生相对宽带辐射，相对宽带辐射可以被线窄化到相对非常窄的带宽并且在线窄化模块(“LNM”)170中选择的中心波长，如本领域中已知的。
通常，调谐发生在LNM中。用于激光的线窄化和调谐的常规技术是在激光器的放电腔背面提供窗口，激光束的一部分通过窗口进入LNM。在那里，用棱镜扩束器扩展光束的一部分，并将其导向光学元件，例如光栅，光栅将激光器较宽光谱的窄的所选择的部分反射回放电室，在放电室中对其进行放大。通常通过使用致动器(例如压电致动器)改变光束照射光栅的角度来调谐激光器。备选地，可以使用透射光学元件，例如棱镜，将激光器较宽光谱的窄的所选择的部分透射回放电室，在放电室中对其进行放大。可以通过使用致动器(例如压电致动器)改变光束照射棱镜的角度来调谐激光器。
如上所述，对于一些应用，能够生成具有一个波长的一个或多个脉冲的一个突发，然后能够切换到生成具有不同波长的一个或多个脉冲的一个突发是有益的。然而，在脉冲之间切换波长具有挑战性。一个原因是稳定时间，即，在波长改变之后系统稳定所花费的时间量，通常长于脉冲间的间隔。根据一个方面，通过在突发之间预先定位致动器以在突发之间实现即将到来的新目标波长来准备致动器，从而缩短由改变参考波长引起的瞬态稳定周期。
根据另一方面，致动器的动态模型被用于计算最佳控制波形，最佳控制波形用于致动致动器以最小化实际波长和波长目标之间的差。
可以使用几种方法中的任何一种来计算最佳控制波形。例如，可以使用动态编程来计算最佳控制波形。这种方法很好地适用于处理包含非线性动力学的复杂模型。如果采用具有强非线性动力学的致动器模型，则可以使用动态编程来生成针对给定波长目标的最佳控制信号。然而，动态编程确实存在这样的挑战，即需要大量的计算资源，而这些计算资源可能不能实时实现。为了克服这个挑战，可以使用例如预填充的查找表或预编程的现场可编程门阵列(FPGA)的数据存储设备，数据存储设备包含最佳控制参数，最佳控制参数用于至少一些不同重复率，源可以以这些参数进行操作。
作为另一示例，可以使用模型反演前馈控制来确定最佳控制波形。方法依赖于致动器动态模型来构造反转致动器动态的数字滤波器。通过使期望致动器轨迹的期望波形通过滤波器，可以实时生成最佳控制波形以实现零稳态误差跟踪。
作为另一示例，以稳定方式实现两个分离波长的最佳解决方案是使用学习算法来实现的，以保证在多次迭代学习过程中的误差收敛。
在此公开的系统和方法的实施例可以潜在地实现以1000fm分离的两个分离波长，其中分离误差低于20fm。
根据另一方面，可以通过使用FPGA以非常高的速率将最佳控制波形馈送至致动器。
图4是用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统300的示意图。辐射系统300可以形成图3所示和上述照明系统105的至少一部分。辐射系统300可以结合图3所示的照明系统105的任何特征。辐射系统300包括：光学元件310；控制器320；致动器330；以及传感器340。
光学元件310被配置为与辐射脉冲(由虚线箭头示意性地指示)相互作用以控制辐射脉冲的特性(例如辐射脉冲的波长)。辐射脉冲的特性可以取决于光学元件310的配置。光学元件310可以包括以上参考图3描述的线窄化模块(“LNM”)170的一个或多个部分。光学元件310可以包括反射光栅，反射光栅被配置为以波长相关的方式反射辐射脉冲，使得辐射的所选择的波长带被传输至辐射系统300的输出。附加地或备选地，光学元件310可以包括棱镜，棱镜被配置为以波长相关的方式折射辐射脉冲，使得辐射的所选择的波长带被传输至辐射系统300的输出。
传感器340能够操作以确定与光学元件310相互作用的脉冲的特性(例如波长)。例如，传感器340可以包括，或可以形成图3所示和上述类型的线心分析模块(“LAM”)180的一部分。传感器340可以包括用于精细波长测量的标准具分光计和较粗分辨率的光栅分光计，但是应当理解，也可以使用其它传感器。
光学元件310和传感器340两者形成辐射系统300的部分350，其能够操作以与辐射脉冲物理地相互作用(如由虚线箭头示意性地指示)。因此，辐射系统300的部分350提供物理接口，物理接口在辐射系统300的其它部分与辐射脉冲之间。
控制器320用于生成控制信号325。进而，致动器330被配置为从控制器320接收控制信号325，并且根据控制信号325控制光学元件310的配置。致动器330可以包括压电元件，压电元件被配置为旋转光学元件310以控制辐射脉冲在光学元件310上的入射角。
在使用中，多个辐射脉冲的突发被生成。例如，可以使用图3所示和上述形式的照明系统105生成辐射脉冲的突发。每个辐射脉冲与光学元件310相互作用，这样，光学元件310影响每个脉冲的特性(例如波长)。随后，传感器340测量每个脉冲的特性(其已经由光学元件310确定)，传感器340也与每个辐射脉冲相互作用。
控制器320被配置，使得针对给定突发中的给定脉冲的控制信号325取决于来自至少一个先前突发的至少一个对应的脉冲的所确定的特性。也就是说，针对给定突发中的给定脉冲，影响光学元件310(经由致动器330)的位置的控制信号325的一部分取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性，如下面进一步讨论的。控制信号325可以包括针对每个突发中的每个脉冲的前馈信号。
如下面进一步描述的，控制信号325针对每个脉冲的突发更新。然而，在脉冲的任何给定的突发内，脉冲的特性(例如波长)可以被开环方案控制。
现在参考图5讨论对辐射系统300内的脉冲的波长的控制。
进入辐射系统300的控制的第一输入可以包括多个电压V(k)，V(k)是针对第k个脉冲施加于致动器330的电压的前馈信号。也就是说，V(k)可以表示当突发中的第k个脉冲入射至光学元件310上时被施加于致动器330的电压，以控制光学元件310的位置。可选地，可以使用模数转换器410将这些电压V(k)转换成时间相关的波形V(t)。波形V(t)可以由致动器330施加，以控制光学元件310。应当理解，当通过与光学元件310相互作用的脉冲进行采样时，该波形V(t)可以减小至多个电压V(k)，并且脉冲之间的任何合适的插值可以被使用以生成波形V(t)。
由控制器320生成的控制信号325可以被认为包括多个电压V(k)。附加地或备选地，由控制器320生成的控制信号325可以被认为包括波形V(t)。
进而，将时间相关的波形V(t)施加于致动器330导致时间相关的输出波长λ(t)，其可以由辐射系统300的子系统420输出。子系统420的响应基于时间相关的波形V(t)来确定时间相关的输出波长λ(t)。子系统420的响应可以被认为取决于模拟低通滤波器、致动器330对输入电压V(t)的响应(该响应可以是或可以不是，例如，一般线性的)和/或任何光学增益，该光学增益产生于与光学元件310相互作用的脉冲。
然后，时间相关的输出波长λ(t)进行采样通过可以入射至光学元件310上的辐射脉冲430，以重复率被采样，以产生离散的输出波长λ(k)，其中输出波长λ(k)是第k个脉冲的波长。
在照明系统300的一些实施例中，照明系统300可以被配置，使得输出脉冲光束包括脉冲的串，其中脉冲的波长在两个不同的设定点波长之间交替。也就是说，奇数脉冲具有第一设定点波长，偶数脉冲具有第二设定点波长。为了实现这一点，控制器320可以被配置，使得控制信号325振荡，例如在等于辐射脉冲的重复率一半的频率。例如，由致动器330施加以控制光学元件310的时间相关波形V(t)可以是周期性的，并且可以以等于辐射脉冲的重复率一半(或其整数倍)的频率振荡。利用这种布置，辐射系统可以产生辐射脉冲的突发，由此脉冲的波长振荡。有利地，如上所述，使用多个(例如，两个)不同的波长可能有利于在光刻系统中使用以增加聚焦深度。
辐射系统300的不同部分可以在不同的频率操作或以不同的重复率操作。
例如，传感器340能够操作以确定辐射的每个脉冲的特性。因此，传感器340能够操作以获取数据，并且以辐射系统300的重复率给出的频率，将其作为输出信号345输出至控制器320。辐射系统300的重复率可以是，例如，6kHz的量级。
为了使脉冲的波长在脉冲间振荡，致动器330还可以在取决于辐射系统300的重复率的频率处操作。例如，致动器可以在每对的连续脉冲之间移动一次，以实现振荡输出波长。利用这种布置，时间相关的波形V(t)(见图5)通常可以是方波或正弦波的形式。或者，致动器330可以在高于辐射系统300的重复率的频率处操作。例如，致动器330可以辐射系统300的重复率的10倍或15倍处操作。利用这种布置，致动器330可以在每对的连续脉冲之间移动多次(例如10次或15次)，以实现振荡输出波长。利用这种布置，时间相关的波形V(t)(见图5)通常可以是正弦的。通过在比辐射系统300的重复率更高的频率处操作致动器330，V(t)可以在比增益更高的频率处激发λ(t)，并且因此可以增加由λ(k)看到的(脉冲到脉冲)间隔。通常，增益比λ(t)/V(t)取决于波形V(t)的频谱。此外，通常，对于波形V(t)的给定功率，如果V(t)具有更高的频率，则λ(t)的功率将更高。
在一些实施例中，针对给定突发中的给定脉冲的控制信号325取决于来自先前突发中的对应的脉冲的所确定的特性，如现在参考图6所描述的。图6示出了用于控制辐射脉冲的突发的方法的流程图。
作为第一步骤S10，突发计数器i被设置为1。然后开始第一突发的脉冲的生成。在第二步骤S20，将当前突发内的脉冲的脉冲计数器k设置为1。然后开始在当前脉冲的突发中生成第一脉冲。
在步骤S30，判断当前突发(突发i)是否已经结束。例如，在一些实施例中，当最后一个脉冲以来已经经过了特定量的时间，可以开始新突发，这也被称为“突发超时”。对于这样的实施例，步骤S30可以包括判断最后一个脉冲以来是否已经经过了特定时间量。或者，通过判断当前突发内的脉冲的脉冲计数器k是否大于每个突发中的脉冲总数Nburst(例如，对于其中每个突发具有一定数目Nburst的脉冲的实施例)，步骤S30可以实现。如果在步骤S30确定当前突发已经结束，则在步骤S40，突发计数器i增量1，并且该方法返回到步骤S20，准备开始在下一个突发内生成脉冲。
如果在步骤S30判断当前脉冲突发还没有结束，则当前突发的生成还没有结束，因此该方法进行到生成突发中的下一个脉冲(步骤S50到S120，如现在所讨论的)。
在步骤S50，获得先前的前馈信号FF。该先前的FF信号将用于生成第i个突发中的第k个脉冲。该先前的前馈信号FF可以，例如，从控制器320内的查找表或一些其它存储器中检索。在第一突发中的第一脉冲的生成期间，可以将先前的前馈信号FF设置为缺省值。随后，先前的前馈信号FF定义如下。在突发中的第一脉冲的生成期间(即当k＝0时)，先前的前馈信号FF是信号FF(Nburst，i－1)，即第(i－1)突发中的第Nburst个脉冲的前馈信号。在突发中的、不是第一个脉冲的脉冲生成期间(即当k≠0时)，先前的前馈信号FF是信号FF(k－1，i)，即第i个突发中第(k－1)个脉冲的前馈信号。
在步骤S60，在第i个突发中的第k个脉冲生成期间，使用先前的前馈信号FF来启动光学元件310。例如，当该突发中的第k个脉冲入射至光学元件310上时，施加于致动器330的电压V(k)取决于该先前的前馈信号FF。施加于致动器330的电压V(k)可以，例如，与先前的前馈信号FF成比例(例如等于)。如上面参考图5所讨论的，电压V(k)可以首先被转换成施加于致动器330的时间相关的电压波形V(t)。
在步骤S70，确定第i个突发中第k个脉冲的波长误差Werr(k，i)(即，当前生成的脉冲的波长误差)。该波长误差Werr(k，i)根据由传感器340确定的波长λ(k，i)和目标或标称波长来确定。具体地，波长误差Werr(k，i)被确定为由传感器340确定的波长λ(k，i)与目标或标称波长之间的差。
接下来，该方法进行到步骤S80。
在步骤S80，如果生成的当前脉冲是突发中的第一脉冲(即k＝1)，并且当前突发不是生成的第一突发(即i>1)，则该方法进行到步骤S90，在步骤S90中，根据以下等式设置当前突发中的最后脉冲(第Nburst个脉冲)的前馈信号：
FF(Nburst，i)＝FF(Nburst，i-1)＝+g2·Wcrr(1，i) (1)
其中FF(Nburst，i)是当前突发中的最后脉冲(第Nburst个脉冲)的前馈信号，FF(Nburst，i－1)是先前突发中的最后脉冲(第Nburst个脉冲)的前馈信号，g2是增益参数，以及Werr(1，i)是在脉冲的当前突发的当前(即第一)脉冲的生成期间确定的波长误差。
可以理解，如等式(1)所示，当前突发中的最后脉冲(第Nburst个脉冲)的前馈信号被设置为等于先前突发中的最后脉冲(第Nburst个脉冲)的前馈信号加上校正项。应当理解，FF(Nburst，i)是当前突发中的最后一个脉冲(第Nburst个脉冲)的前馈信号，它实际上将随后用于(见步骤S50和S60)生成第(i+1)个突发中的第一个脉冲。类似地，FF(Nburst，i－1)是先前突发中的最后一个脉冲(第Nburst个脉冲)的前馈信号，它刚刚被用于(见步骤S50和S60)生成当前(第i个)突发中的第一脉冲。校正项取决于在当前脉冲的突发的当前(即第一)脉冲的生成期间确定的波长误差Werr(1，i)。
注意，如图6的流程图所示，一旦已经测量了Werr(k，i)，则在步骤S90设置当前突发中的最后脉冲的前馈信号FF(Nburst，i)(其将被实际使用，参见步骤S50和S60，随后用于生成第(i+1)个突发中的第一脉冲)。然而，一般来说，当前突发中的最后脉冲的前馈信号FF(Nburst，i)可以根据等式(1)在任何时间被设置，该时间在Werr(k，i)已经被测量之后，并且在下一突发开始生成之前。例如，在一些实施例中，可能直到当前突发的生成已经结束才知道Nburst(例如，如果下一个突发自最后一个脉冲已经过了特定时间量时开始)。对于这些实施例，当前突发中的最后脉冲的前馈信号FF(Nburst，i)可以在步骤S40之前或之后立即设置。
一旦在步骤S90已经设置了当前突发中的最后一个脉冲(第Nburst个脉冲)的前馈信号，该方法就进行到步骤S120。
在步骤S80，如果生成的当前脉冲不是突发中的第一脉冲(即k≠1)或者当前突发是生成的第一突发(即i＝1)，则该方法进行到步骤S100。
在步骤S100，如果生成的当前脉冲不是突发中的第一脉冲(即k>1)，则该方法进行到步骤S110；否则，该方法进行到步骤S120。注意，直接从步骤S100到步骤S120的路径将仅在第一突发中的第一脉冲的生成期间使用。
在步骤S110，下一突发，即第(i+1)个突发中的第(k－1)个脉冲的前馈信号根据如下等式设置：
FF(k-1，i+1)＝FF(k-1，i)-g1·Wcrr(k，i) (2)
其中FF(k－1，i+1)是下一突发中的第k－1个脉冲的前馈信号，FF(k－1，i)是当前突发中的第k－1个脉冲的前馈信号，g1是增益参数以及Werr(k，i)是在当前突发的当前(即第k个)脉冲生成期间确定的波长误差。
应当理解，以这种方式，可以将下一突发中的所有脉冲的前馈信号设置为等于当前突发中的对应的脉冲的前馈信号加上校正项。校正项取决于从当前突发中确定的对应的脉冲的波长。这里，如等式(2)所给出的，第(k－1)个脉冲的前馈信号的前馈校正项与波长误差成比例，波长误差确定在生成当前(即，第k个)脉冲期间(回想第(k－1)个脉冲的前馈信号将实际用于生成第k个脉冲)。
在步骤S120，脉冲计数器k增量1，并且该方法返回到步骤S30，准备开始生成下一脉冲。
这样，除了第一突发之外，所有突发中的针对每个脉冲的前馈信号中的所有前馈信号(对应于控制器320输出的信号325)被设置为等于先前突发中的对应的脉冲的前馈控制信号加上校正项。校正项与来自先前突发的对应的脉冲的所确定的波长和特性的标称值之间的差成比例。
如下面将进一步讨论的(参考图8)，用于控制辐射脉冲的突发的方法通常是上面参考图6描述的类型，其可以允许电压波形(由前馈控制信号定义)在脉冲的一定数目的突发上向稳态波形收敛。因此，可以是，一旦达到该稳态，在产生后续脉冲期间，该方法可以简单地使用这些稳态值，而不是基于先前脉冲中的波长误差来计算校正项。例如，在控制步骤S30(见图6)，该方法可以确定是否已经生成了脉冲的给定数目的突发(该数目通常足够大，使得电压波形应当已经收敛到稳态波形，例如给定数目的脉冲群可以是20。例如，在步骤S30或步骤S30附近，该方法可以确定是否i≤20。如果是(即i≤20)，则该方法可以使用步骤S40－S120如上所述进行。然而，如果不是(即i>20)，则该方法可以实施更简单的步骤集合，例如，仅实施步骤S40和S50(选择并且使用相关的存储前馈信号来生成脉冲)，随后该方法可以直接进行到步骤S120(准备下一脉冲的生成)。可选地，可以在步骤S70执行波长误差的测量，并且可以存储该信息用于以后的分析。
在上述示例中(如图6中示意性示出的)，针对除了第一突发之外的所有突发中的每个脉冲的前馈信号被设置为等于针对先前突发中的对应的脉冲的前馈控制信号加上校正项。在所描述的示例中，校正项(见等式(1)和(2))与来自先前突发的对应的脉冲的所确定的波长和标称波长之间的差成比例。因此，该描述的示例可以被认为是单突发回顾场景，其中基于单个先前突发中的对应的脉冲的波长误差应用来校正。然而，在备选实施例中，控制信号325可以取决于几个或所有先前突发。这可以被称为n-突发回顾场景。
此外，在上述例子中(如图6中示意性示出的)，仅使用先前突发中的单个对应的脉冲的前馈信号和波长误差来定义针对给定突发中的给定脉冲的前馈信号。然而，在备选实施例中，在(多个)先前突发中的多于一个的对应的脉冲可以被使用。例如，除了来自与当前脉冲精确对应的(多个)先前突发的脉冲之外，还可以使用一个或多个周围脉冲。通常，校正项可以取决于针对(多个)先前突发中的一组对应的脉冲的波长误差，其中该组对应的脉冲可以包括多个对应的脉冲。
通常，可以使用波长误差Werr(k，i)的所有测量历史来确定前馈信号。例如，通常，等式(1)和(2)可以替换为：
FF(k，i)＝f(FF(1，2，...，Nbursi；1，2，...，i-1)，Wcrr(1，2，...，Nburst；1，2，...，i-1)(3)
其中f是针对先前突发FF(1，2，...，Nburst；1，2，...，i-1)和针对先前突发脉冲的波长误差Wcrr(1，2，...，Nburst；1，2，...，i-1)的前馈信号的任何函数。
本发明的发明人已经认识到，在波长目标在突发(例如每个脉冲)内改变的辐射生成方式中，新的突发瞬态出现在系统中。其原因在于，如上所解释，致动器330和光学元件310必须被放置于振荡状态，以改变每个脉冲的波长，然而，在连续突发的辐射之间的脉冲间隔期间，致动器330和光学元件310的这个物理系统返回到静止。简而言之，致动器330应当用于(a)快速启动振荡的电压波形；以及(b)保持振荡是不同的。
这在图7A和7B中示出，图7A和7B比较了开环控制方式(由正方形表示)和更适于操作的适应控制方式(由圆圈表示)，凭借该操作波长在脉冲之间变化(也称为多焦点成像方式)。图7A和7B分别示出了针对每个脉冲的波长和针对每个脉冲施加于致动器330的控制电压。
如图7B所示，开环控制施加控制电压，控制电压在相同的两个设定点电压V1、V2之间交替。如在图7A中可以看到的，至少在每个辐射的突发(在此，当前突发从脉冲数2400开始)的开始处，在该控制方式下，波长倾向于过冲并且关于标称或目标设定点值λ1、λ2瞬态振荡。
如图7B所示，适应控制方式施加交替的控制电压，但是其中该振荡的幅度在初始时间段上增加。如在图7A中可以看到的，在该控制方式下，波长趋于比开环控制方式显著地快的在标称或目标设定点值λ1，λ2上收敛。
除第一突发之外的所有突发中的每个脉冲的所有前馈信号(对应于控制器320输出的信号325)被设置为等于先前突发中的对应的脉冲的前馈控制信号加上校正项。注意，尽管校正项与来自先前突发的对应的脉冲的所确定的波长和特性的标称值之间的差成比例，但是不同的增益(g2)被用于突发中的第一脉冲和所有其它脉冲(g1)。有利地，以这种方式，不同的增益可以应用在每个突发内发生的瞬态，以及应用在因连续突发之间的间隙而发生的瞬态。
辐射系统300是有利的，因为它包含使用脉冲的所确定的特性(例如波长)的反馈回路，该脉冲已与光学元件310相互作用。特别地，针对给定突发中的给定脉冲的控制信号325可以由针对来自先前突发的对应的脉冲的控制信号325加上反馈校正来给出。反馈校正可以取决于(例如成比例于)来自先前突发的对应的脉冲的所确定的特性与来自先前突发的对应的脉冲的标称或目标特性之间的差。有利地，这允许辐射系统300考虑并至少部分地校正由不同控制信号引起的瞬态效应，控制信号在每个脉冲的突发期间和在连续对的脉冲的突发之间被使用。这种瞬态效应可能是显著的，特别是如果致动器和光学元件系统的动态响应是欠阻尼的。
尽管瞬态行为的一般形态可以是已知的并且可以，例如，被建模。实际上，很难充分准确地对该行为进行建模，以将波长误差保持在可接受的限度内。
图8示出了根据脉冲数的施加于致动器330的控制电压(上图)和针对每个脉冲的波长(下图)。针对以上参考图6描述的控制方案示出了这些结果，并且示出了跨越15个辐射脉冲的突发的两个曲线图。
可以看出，针对辐射脉冲的第一突发的初始控制方案通常具有上面参考图7A和7B描述的适应控制机制的形式。例如，脉冲的初始突发的电压波形可以由适当的模型确定。尽管通常具有正确的“适配”形式，但是从图8可以理解，仍然存在显著的波长误差。
然而，使用上面参考图6描述的控制方案，可以看出，在脉冲的几个突发上，电压波形向稳态波形收敛，并且在这样做时，波长准确度在瞬态和稳态两者中都被提高。
针对第一突发的前馈信号可以基于光学元件310和致动器330的动态模型而被确定。例如，为了解决对致动器330电压变化的约束，可以使用具有约束的二次编程来帮助找到在可行操作区域内的最佳前馈信号。二次规划(QP)是利用数学上的约束找到给定二次成本函数的最佳解决的技术。在这里描述的技术中，目的是找到前馈控制，该前馈控制满足致动器330约束同时最小化致动器位置和期望控制波形之间的误差。
备选地，初始条件可以是针对第一脉冲的突发的前馈信号被设置为零(尽管这样的实施例可能花费更长的时间来收敛至稳定状态)。
尽管在本文中可以具体参考光刻装置在IC制造中的使用，但是应当理解，这里描述的光刻装置可以具有其它应用。可能的其它应用包括集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测模式、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
尽管在本文中可以在光刻装置的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以用在其它设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查装置、计量装置、或者测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)等物体的任何装置。这些装置通常称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
在上下文允许的情况下，本发明的实施例可以用硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的实施例还可以实现为存储在机器可读介质上的指令，其可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括在机器(例如，计算设备)可读的形式中用以存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁存储介质；光存储介质；闪存设备；电，光，声或其它形式的传播信号(例如载波，红外信号，数字信号等)等。此外，固件、软件、例程、指令在本文中可被描述为执行某些动作。然而，应当理解，这样的描述仅仅是为了方便起见，并且这样的动作实际上是由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其它设备产生的，并且在这样做时致动器或其它设备与物理世界交互。
可以使用以下条款进一步描述本公开的实现：
1.一种用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统，包括：
光学元件，该光学元件被配置为与辐射脉冲相互作用以控制辐射脉冲的特性，辐射脉冲的特性取决于该光学元件的配置；
控制器，能够操作以生成控制信号；
致动器，该致动器被配置为从控制器接收控制信号并且根据控制信号来控制光学元件的配置；以及
传感器，该传感器能够操作以确定已与光学元件相互作用的脉冲的特性；
其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性。
2.根据条款1所述的辐射系统，其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于来自至少一个先前突发的一组脉冲的所确定的特性。
3.根据条款1所述的辐射系统，其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号由针对至少一个先前突发中的对应的脉冲的控制信号加上校正项给出，该校正项取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性。
4.根据条款3所述的辐射系统，其中校正项与来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性和特性的标称值之间的差成比例。
5.根据条款4所述的辐射系统，其中校正项与增益成比例，对于突发中的、不是第一脉冲的任何脉冲，增益等于第一增益，并且对于是突发中的、是第一脉冲的任何脉冲，增益等于第二增益。
6.根据条款1所述的辐射系统，其中特性是辐射脉冲的波长。
7.根据条款1所述的辐射系统，其中控制器被配置，使得控制信号振荡。
8.根据条款7所述的辐射系统，其中控制信号振荡在脉冲的突发内提供具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
9.根据条款1所述的辐射系统，其中致动器包括压电元件，该压电元件被配置为旋转光学元件以控制辐射脉冲在光学元件上的入射角。
10.根据条款1所述的辐射系统，其中光学元件包括光栅，该光栅被配置为以波长相关的方式反射所述辐射脉冲，使得辐射的所选择的波长带被传输至辐射系统的输出。
11.根据条款1所述的辐射系统，其中光学元件包括棱镜，该棱镜被配置为以波长相关的方式折射所述辐射脉冲，使辐射的所选择的波长带被传输至辐射系统的输出。
12.根据条款1所述的辐射系统，其中针对第一突发中的给定脉冲的控制信号基于光学元件和致动器的动力学模型而被确定。
13.根据条款1所述的辐射系统，其中控制器被配置，使得控制信号在脉冲的突发内提供具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
14.一种光刻系统，包括：
用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统，该辐射系统包括：
光学元件，该光学元件被配置为与辐射脉冲相互作用以控制这些辐射脉冲的特性，辐射脉冲的特性取决于该光学元件的配置；
控制器，能够操作以生成控制信号；
致动器，该致动器被配置为从控制器接收控制信号并且根据控制信号来控制光学元件的配置；以及
传感器，该传感器能够操作以确定已与光学元件相互作用的脉冲的特性；
其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性；以及
光刻装置，该光刻装置被配置为从辐射系统接收辐射脉冲，图案化该辐射脉冲，并将经图案化的辐射脉冲投射至目标上。
15.根据条款14所述的光刻系统，其中控制器被配置，使得控制信号振荡以在脉冲的突发内提供具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
16.根据条款15所述的光刻系统，其中光刻装置被配置为接收具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
17.一种控制辐射脉冲的突发的方法，包括：
使用光学元件与辐射脉冲相互作用，以控制辐射脉冲的特性；
确定已经与光学元件相互作用的脉冲的特性；
生成控制信号；以及
根据控制信号控制光学元件的配置；
其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于来自至少一个先前突发的至少一个对应的脉冲的所确定的特性。
18.根据条款17所述的方法，其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号取决于来自至少一个先前突发的一组脉冲的所确定的特性。
19.根据条款17所述的方法，其中针对给定突发中的给定脉冲的控制信号由针对先前突发中的对应的脉冲的控制信号加上校正项给出，校正项取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性。
20.根据条款19所述的方法，其中校正项与来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的特性和该特性的标称值之间的差成比例。
21.根据条款19所述的方法，其中校正项与增益成比例，对于突发中的、不是第一脉冲的任何脉冲，增益等于第一增益，并且对于是突发中的、是第一脉冲的任何脉冲，增益等于第二增益。
22.根据条款17所述的方法，其中特性是辐射的至少一个脉冲的波长。
23.根据条款17所述的方法，其中所生成的控制信号振荡。
24.根据条款17所述的方法，其中针对第一突发中的给定脉冲的控制信号基于光学元件和致动器的动力学模型而被确定。
25.根据条款17所述的方法，其中所生成的控制信号振荡以提供具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实施。以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域的技术人员显而易见的是，在不脱离以下阐述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

Claims (25)

1.一种用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统，包括：
光学元件，所述光学元件被配置为与所述辐射脉冲相互作用以控制所述辐射脉冲的特性，所述辐射脉冲的所述特性取决于所述光学元件的配置；
控制器，所述控制器能够操作以生成控制信号；
致动器，所述致动器被配置为从所述控制器接收所述控制信号并且根据所述控制信号控制所述光学元件的配置；以及
传感器，所述传感器能够操作以确定已与所述光学元件相互作用的脉冲的所述特性；
其中针对给定突发中的给定脉冲的所述控制信号取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的所述特性。
2.根据权利要求1所述的辐射系统，其中针对所述给定突发中的所述给定脉冲的所述控制信号取决于来自至少一个先前突发的一组脉冲的所确定的所述特性。
3.根据权利要求1所述的辐射系统，其中针对给定突发中的给定脉冲的所述控制信号由至少一个先前突发中的对应的脉冲的所述控制信号加上校正项给出，所述校正项取决于来自至少一个先前突发的所述对应的脉冲的所确定的所述特性。
4.根据权利要求3所述的辐射系统，其中所述校正项与来自至少一个先前突发的所述对应的脉冲的所确定的所述特性和所述特性的标称值之间的差成比例。
5.根据权利要求4所述的辐射系统，其中所述校正项与增益成比例，针对在突发中的、不是第一脉冲的任何脉冲，所述增益等于第一增益，并且针对在突发中的、是所述第一脉冲的任何脉冲，所述增益等于第二增益。
6.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述特性是所述辐射脉冲的波长。
7.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述控制器被配置为使得所述控制信号振荡。
8.根据权利要求7所述的辐射系统，其中所述控制信号振荡，以在所述脉冲的突发内提供具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
9.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述致动器包括压电元件，所述压电元件被配置为旋转所述光学元件以控制所述辐射脉冲在所述光学元件上的入射角。
10.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述光学元件包括光栅，所述光栅被配置为以波长相关的方式反射所述辐射脉冲，使得辐射的所选择的波长带被传输至所述辐射系统的输出。
11.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述光学元件包括棱镜，所述棱镜被配置为以波长相关的方式折射所述辐射脉冲，使得辐射的所选择的波长带被传输至所述辐射系统的所述输出。
12.根据权利要求1所述的辐射系统，其中针对第一突发中的给定脉冲的所述控制信号基于所述光学元件和所述致动器的动力学模型而被确定。
13.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述控制器被配置为使得所述控制信号在所述脉冲的突发内提供具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
14.一种光刻系统，包括：
用于控制辐射脉冲的突发的辐射系统，所述辐射系统包括：
光学元件，所述光学元件被配置为与所述辐射脉冲相互作用以控制所述辐射脉冲的特性，所述辐射脉冲的所述特性取决于所述光学元件的配置；
控制器，所述控制器能够操作以生成控制信号；
致动器，所述致动器被配置为从所述控制器接收所述控制信号并且根据所述控制信号控制所述光学元件的配置；以及
传感器，所述传感器能够操作以确定已与所述光学元件相互作用的脉冲的所述特性；
其中针对给定突发中的给定脉冲的所述控制信号取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的所述特性；以及
光刻装置，所述光刻装置被配置为从所述辐射系统接收辐射脉冲，图案化所述辐射脉冲，并将经图案化的所述辐射脉冲投射到目标上。
15.根据权利要求14所述的光刻系统，其中所述控制器被配置为使得所述控制信号振荡，以在所述脉冲的突发内提供具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
16.根据权利要求15所述的光刻系统，其中所述光刻装置被配置为接收具有在所述两个不同的设定点波长之间交替的波长的所述脉冲。
17.一种控制辐射脉冲的突发的方法，包括：
使用光学元件，以与所述辐射脉冲相互作用，以控制所述辐射脉冲的特性；
确定已与所述光学元件相互作用的脉冲的所述特性；
生成控制信号；以及
根据所述控制信号控制所述光学元件的配置；
其中针对给定突发中的给定脉冲的所述控制信号取决于来自至少一个先前突发的对应的脉冲的所确定的所述特性。
18.根据权利要求17所述的方法，其中针对所述给定突发中的所述给定脉冲的所述控制信号取决于来自至少一个先前突发的一组脉冲的所确定的所述特性。
19.根据权利要求17所述的方法，其中针对给定突发中的给定脉冲的所述控制信号由针对先前突发中的对应的脉冲的所述控制信号加上校正项给出，所述校正项取决于来自至少一个先前突发的所述对应的脉冲的所确定的所述特性。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述校正项与来自至少一个先前突发的所述对应的脉冲的所确定的所述特性和所述特性的标称值之间的差成比例。
21.根据权利要求19所述的方法，其中所述校正项与增益成比例，针对突发中的、不是第一脉冲的任何脉冲，所述增益等于第一增益，并且针对突发中的、是所述第一脉冲的任何脉冲，所述增益等于第二增益。
22.根据权利要求17所述的方法，其中所述特性是所述至少一个辐射脉冲的波长。
23.根据权利要求17所述的方法，其中所生成的所述控制信号振荡。
24.根据权利要求17所述的方法，其中针对第一突发中的给定脉冲的所述控制信号基于所述光学元件和所述致动器的动力学模型而被确定。
25.根据权利要求17所述的方法，其中所生成的所述控制信号振荡以提供具有在两个不同的设定点波长之间交替的波长的脉冲。
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