CN114725157A - 透光显示面板、显示面板、制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种透光显示面板、显示面板及制备方法和显示装置。所述透光显示面板包括：阵列基板；像素定义层，设置于所述阵列基板上，所述像素定义层围合形成开口区，所述像素定义层上堆叠若干个透明凸块形成第一二维图案；第二电极，设置于所述像素定义层上，所述第二电极覆盖所述开口区的至少部分表面，且所述第二电极形成的第二二维图案与所述第一二维图案互补。当本发明实施例的透光显示面板应用于显示面板时，实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示，而且提供了较高的环境光透过率，便于感光组件的屏下集成，特别是环境光传感器的集成。

Description

透光显示面板、显示面板、制备方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种透光显示面板、制备方法及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称为OLED)显示面板具有自发光、对比度高、厚度薄、响应速度快、宽视角、低功耗、可实现柔性显示等特性，且OLED显示面板可以实现屏下摄像头，提高电子设备的屏占比，因此，被广泛应用于显示装置中。

OLED显示面板通常包括透明显示区和环绕透明显示区的非透明显示区，屏下摄像头等感光元件与透明显示区的位置相对应，且透明显示区的膜层为透明膜层，这样，摄像头上方的OLED显示面板既可以正常显示信息，又可以使外界的光线透过各透明膜层进入位于OLED显示面板下方的摄像头等感光元件，从而使摄像头等感光元件获取图像。

随着显示行业的发展，全面显示越来越受大家青睐。全面屏已成为主流显示方式，为提高屏占比，需将摄像头、红外传感器等越来越多的机构置于显示屏下，为保证屏下机构在屏下能正常工作，显示屏在正常显示画面的同时，需要为屏下机构提供足够的环境光。因此，如何解决屏幕在保证显示品质的同时，提供环境光的透过率，成为一个需要迫切研究和待解决的问题。本发明因此而来。

发明内容

本发明实施例提供一种透光显示面板、显示面板及显示装置，实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示，而且提供了较高的环境光透过率，便于感光组件的屏下集成，特别是环境光传感器的集成。

一方面，本发明实施例提供了一种透光显示面板，其特征在于，所述透光显示面板包括：

阵列基板；

像素定义层，设置于所述阵列基板上，所述像素定义层围合形成开口区，所述像素定义层上堆叠若干个透明凸块形成第一二维图案；

第二电极，设置于所述像素定义层上，所述第二电极覆盖所述开口区的至少部分表面，且所述第二电极形成的第二二维图案与所述第一二维图案互补。

根据本发明一方面的实施方式，所述透明凸块的上表面处于同一高度水平。

优选的，所述透明凸块的断面呈矩形、梯形、倒置的梯形；

优选的，所述透明凸块在第一二维图案中呈三角形、四边形、五边形、六边形、多边形、圆形、椭圆形或异形的形状任意之一或其组合。优选的，所述透明凸块在第一二维图案中呈正方形、菱形、矩形的形状任意之一或其组合。

根据本发明一方面的实施方式，所述像素定义层包括沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布的多个所述开口区；

所述透明凸块位于相邻的两个所述开口区之间、并沿所述第一方向和/或所述第二方向间隔分布。

根据本发明一方面的实施方式，所述第二电极的材料包括镁银合金；

和/或，所述第二电极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡和掺杂银的氧化铟锌中的一种或多种的组合；

所述第二电极的透光率大于或等于60％；

优选的，所述第二电极的透光率大于或等于80％。

根据本发明一方面的实施方式，还包括：

第一电极，设置于所述阵列基板上；

所述像素定义层设置于所述第一电极上，且所述开口区暴露所述第一电极的至少部分表面；

发光层，位于所述第一电极上，包括多个位于开口区内的发光单元；

封装层，设置在第二电极和透明凸块上，且所述透明凸块与封装层紧密结合。

根据本发明一方面的实施方式，所述透光显示面板包括若干个沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布的有机发光器件，每个有机发光器件按照阵列基板、第一电极、像素定义层、发光层、第二电极和封装层依次层叠；

以像素定义层形成的开口区的中心法线为中心轴，每个有机发光器件的阵列基板、第一电极、像素定义层、发光层、第二电极和封装层的至少一个膜层呈中心对称，且第二电极膜层从中心轴到有机发光器件的周边依次分布有覆盖开口区的电极区、围绕透明凸块的预留区和第二电极缺失的镂空区。

本发明的另一目的在于提供一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有第一显示区以及第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率，所述显示面板的所述第一显示区配置为所述的透光显示面板。

本发明的又一目的在于提供一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供阵列基板；

在所述阵列基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成像素定义层，所述像素定义层围合形成开口区，暴露出所述第一电极的至少部分表面；

在所述像素定义层上形成具有第一二维图案的透明凸块；

在所述第一电极上形成发光层，所述发光层包括多个位于开口区内的发光单元；

在所述发光层、像素定义层、透明凸块上形成第二电极；

去除透明凸块上表面部分的第二电极，形成第二电极的第二二维图案，所述第二电极的第二二维图案与透明凸块的第一二维图案互补，用于供射向感光元件的光线透过。

根据本发明一方面的实施方式，在所述像素定义层上形成具有第一二维图案的透明凸块包括：

S11)在所述像素定义层上形成透明凸块；

S12)将透明凸块形成底切的倒梯形；

S13)在透明凸块的上表面形成牺牲层。

本发明的又一目的在于提供一种显示装置，其特征在于，包括所述的显示面板；

位于所述显示面板的非显示面的感光元件，所述感光元件对应位于所述显示面板的第一显示区，并允许透过第一显示区的光线进入感光元件。

根据本发明一方面一实施方式，所述第二二维图案为网状二维图案。所述第一二维图案为点状分布图案。

所述透明凸块的材料选自聚酰亚胺类、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、甲基丙烯甲酯、聚乙烯醇月桂酸酯、萘醌二叠氮化合物。所述透明凸块与所述像素定义层结合紧密。

由于越来越多的机构置于显示屏下，显示屏在正常显示画面的同时，需要为屏下机构提供足够的环境光，而OLED屏幕中传统阴极Mg/Ag材料透过率只有60％。因此，存在屏幕因环境光透过率低，屏下机构无法收集到足够的环境光而影响工作品质的问题。

在本发明实施的透光显示面板中，透光显示面板包括阵列基板、像素定义层和第二电极。所述像素定义层上覆盖透明凸块，透明凸块上表面的第二电极镂空，这样环境光透过透光显示面板的光透过率大为增加，在Mg/Ag作为第二电极材料的情况下，相对整面的第二电极，透光显示面板的平均光透过率增加20％左右。由于增加透光显示面板的透光率，当本发明实施例的透光显示面板应用于显示面板时，能够实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示，便于感光组件的屏下集成。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种显示面板第一显示区尚未形成透明凸块时的开口区分布结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板第一显示区形成透明凸块时的分布结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种显示面板第一显示区第二电极形成后镂空分布结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种显示面板第一显示区第二电极的分布结构示意图；

图7是本发明实施例提供的进行制备时形成像素定义层、开口区和透明凸块时的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的进行制备时在透明凸块、开口区上形成第二电极时的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的进行制备时去除透明凸块上表面第二电极时的结构示意图；

图10是本发明实施例提供的进行制备时透明凸块、第二电极上形成封装层时的结构示意图；

图11是本发明实施例提供的进行制备时形成像素定义层、开口区和倒梯形透明凸块时的结构示意图；

图12是本发明实施例提供的进行制备时在倒梯形透明凸块、开口区上形成第二电极时的结构示意图；

图13是本发明实施例提供的进行制备时去除倒梯形透明凸块上表面第二电极时的结构示意图；

图14是本发明实施例提供的进行制备时倒梯形透明凸块、第二电极上形成封装层时的结构示意图。

附图标记说明：

AA1、第一显示区；AA2、第二显示区；S为非显示区、C为有机发光器件中心轴；X、第一方向；Y、第二方向；

1为有机发光器件；100、阵列基板；200、第一电极；300、像素定义层；400、发光层；500、封装层；600、第二电极；

301、开口区；302、透明凸块；303为牺牲层；101、平坦层；601、电极区；602、预留区；603、镂空区。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

为了更好地理解本发明，下面结合图1至图14对本发明实施例的透光显示面板、显示面板及显示装置进行详细描述。

在诸如手机和平板电脑等电子设备上，需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器、环境光传感器、图像传感器等感光组件。在一些实施例中，可以在上述电子设备上设置透光显示区，将感光组件设置在透光显示区背面，在保证感光组件正常工作的情况下，实现电子设备的全面屏显示。

在透光显示区内，为了具有较高的透光率，显示面板的透光区域的功能层的材料通常选用透光材料。例如透光区的阳极选用ITO(Indium Tin Oxide、掺锡氧化铟)材料制成，或者阴极选用ITO材料制成。但是当整面阴极选用ITO材料制成时，阴极需要通过溅射沉积的方式成型。溅射沉积工艺中产生的等离子溅射会对阴极下方的发光器件等采用有机材料成型的功能层造成损伤，严重影响发光器件的性能。或者减薄以非透光材料为主要材料的功能层的厚度以提高透光度，例如减薄镁银合金的阴极层的厚度。但是减薄阴极会导致阴极层的结构强度降低，在使用过程中阴极层可能发生断裂而影响显示面板的使用寿面。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种透光显示面板、显示面板及显示装置，以下将结合附图对透光显示面板、显示面板及显示装置的各实施例进行说明。

本发明首先提供一种显示装置，显示装置包括显示面板，显示装置可以但不仅限于为手机、平板电脑等电子设备。

请参阅图1，图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。根据图1所示，在一些可选的实施例中，显示面板包括第一显示区AA1和第二显示区AA2，第一显示区AA1的透光率大于第二显示区的透光率AA2，即第一显示区AA1为透光显示区；S为非显示区(边框区)。

第一显示区AA1的形状设置有多种，例如第一显示区AA1区为圆形、矩形或其他异形。第一显示区AA1区的设置位置有多种，例如第一显示区AA1位于显示面板顶部的中间区域，或者第一显示区AA1靠近显示面板的拐角区域等。

本文中，第一显示区AA1的透光率大于等于15％。为确保第一显示区AA1的透光率大于15％，甚至大于40％，甚至具有更高的透光率，本实施例中第一显示区AA1的各个功能膜层的透光率均大于80％，甚至至少部分功能膜层的透光率均大于90％。

根据本发明实施例的第一显示区AA1，第一显示区AA1的透光率大于15％，使得在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件，实现例如摄像头的感光组件的屏下集成，同时第一显示区AA1还能够显示画面，能够实现显示面板或显示装置的全面屏设计。

可以理解的是，感光组件可以不限于是图像采集装置，例如在一些实施例中，感光组件也可以是红外传感器、接近传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器等光传感器。此外，显示装置在显示面板的下表面还可以集成其它部件，例如是听筒、扬声器等。

在另一些可选的实施例中，显示面板为整面透光显示面板，即显示面板包括第一显示区AA1，但是显示面板不包括上述的第二显示区AA2。即显示面板仅包括透光显示面板，而不包括非透光显示面板。

请一并参阅图2至图4，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图。

根据图1至图4所示，在一些可选的实施例中，显示面板包括阵列基板100、第一电极200，设置于所述阵列基板上；像素定义层300，设置于所述阵列基板上，所述像素定义层围合形成开口区，所述像素定义层上堆叠若干个透明凸块302形成第一二维图案303；所述像素定义层300设置于所述第一电极上，且所述开口区301暴露所述第一电极的部分表面；发光层400，位于所述第一电极上，包括多个位于开口区301内的发光单元；第二电极600，设置于所述像素定义层上，所述第二电极覆盖所述开口区的至少部分表面，且所述第二电极形成的第二二维图案与所述第一二维图案互补；封装层500，设置在第二电极和透明凸块上，且所述透明凸块302与封装层紧密结合。

在本发明实施的显示面板中，透明凸块302为一种高透材料图形化后的凸起结构，位于相邻的像素定义层的开口区之间，堆叠设置在像素定义层的上表面。其材料包括但不限于高透过率的聚酰亚胺类、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、甲基丙烯甲酯、聚乙烯醇月桂酸酯、萘醌二叠氮化合物等。

由于透明凸块302与像素定义层均为有机材料，两者结合紧密。而透明凸块的高度高于像素定义层及其他显示区域，在OLED，第二电极材料蒸镀完成后，使用激光或研磨方法去除掉透明凸块上方的第二电极膜层，使得第二电极按照透明凸块的第一二维图形被图形化，可大幅提升透过率。然后对第二电极、透明凸块、像素定义层进行封装层的封装。

由于透明凸块的设置，第二电极在透明凸块的上表面处断开，正对透明凸块的自然光更容易透过显示面板，增加显示面板的透光率，当应用于显示面板时，能够实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示，便于感光组件的屏下集成。

现有技术中，一般第二电极600为连续的完整面结构，使得电流能够在第二电极600上整面流通。如图3～图5所示，本发明通过硬质的透明凸块302与第二电极600配合，透明凸块302的第一二维图形与第二电极600的第二二维图形拓扑，实现第二电极的图形化，而且第二二维图形能保证第二电极600的电流在各个发光层400表面流通，而对应透明凸块的部分完全透光，这样整体的平均透过率得到了较大的提升。

第一二维图形与第二二维图形图案互补，透明凸块的上端嵌入第二电极的镂空区域。这样保证在有机发光器件区域，第一电极与第二电极对位稳定，第二电极与发光层结合紧密，显示面板的发光特性保持良好的稳定性能，在实际测试中，最大亮度衰减到95％所用的时间(T95)与未镂空的整面阴极时间相当。

如图4所示，透明凸块302形成的第一二维图形基本上是孤立的几何图形，如三角形、四边形、五边形、六边形等，这些孤立的几何图形围合成开口区301的形状，但相互之间不接续。第二电极形成的第二二维图形为相邻的两几何图形相互接续的，这里的几何图形如三角形、四边形、五边形、六边形等，其在开口区的正投影与所述开口区相当或者完全覆盖开口区。

透明凸块的上表面与封装层接触。封装层500位于第二电极600远离阵列基板100的一侧，并覆盖有机发光器件，用于保护有机发光器件不被水汽氧气侵蚀破坏。封装层500可以是薄膜封装层(TFE)，包括层叠设置的无机封装层、有机封装层和无机封装层，以起到阻挡水汽氧气的效果。与透明凸块上表面接触的封装层优选为有机层，这样透明凸块与封装结合更为紧密，以起到阻挡水汽氧气的效果。

在一些可选的实施例中，有机发光器件可以视为一个发光子像素，其还包括第一电极200，设置于阵列基板100上，像素定义层300，设置于第一电极200上，且所述开口区暴露所述第一电极。开口区301在阵列基板100上的正投影区域位于第二电极600在阵列基板100上的正投影区域之内。

阵列基板100包括衬底以及位于衬底上的器件层。衬底可以采用玻璃、聚酰亚胺(Polyimide，PI)等透光材料制成。器件层可以包括用于驱动各子像素显示的像素电路。

在一些可选的实施例中，开口区301内还设置有由有机发光材料蒸镀形成的发光层400，第二电极600覆盖于发光层400上。

第一电极200设置于阵列基板100的器件层上。在一些实施例中，第一电极200呈阵列方式排布。发光层400位于第一电极200上，第二电极600的第二电极600位于发光层400上。每个第一电极200与发光层400以及对应的第二电极600形成一个子像素，第一电极200可以与阵列基板100的器件层中的对应像素电路连接，使得像素电路驱动该子像素显示。

第一电极200、第二电极600中的一个为阳极、另一个为阴极。本文中，以第一电极200是阳极、第二电极600是阴极为例进行说明。

第一电极200的形状不做限定，在一些可选的实施例中，每个第一电极200在衬底上的正投影由一个第二图形单元组成或由两个以上第二图形单元拼接组成，第二图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。

在一些可选的实施例中，第一电极200为透光电极。在一些实施例中，第一电极200包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)层或氧化铟锌层。在一些实施例中，第一电极200为反射电极，包括第一透光导电层、位于第一透光导电层上的反射层以及位于反射层上的第二透光导电层。其中第一透光导电层、第二透光导电层可以是ITO、氧化铟锌等，反射层可以是金属层，例如是银材质制成。为了第一电极的平整性，一般在阵列基板上形成第一电极200前，预先在阵列基板上形成平坦层(PLN)101，第一电极200通过贯穿平坦层(PLN)101与阵列基板100电连接。

开口区301的形状不做限定，在一些可选的实施例中，每个开口区301在阵列基板100上的正投影由一个第一图形单元组成或由两个以上第一图形单元拼接组成，第一图形单元包括从由圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形、矩形组成的群组中选择的至少一个。

发光层400可以包括发光层(Emitting Layer，EML)，根据EML发光的颜色的不同，可以将形成的子像素根据颜色不同分为多种。在一个示例中，子像素包括发红光的子像素、发绿光的子像素以及发蓝光的子像素，当然在其它示例中不限于此。根据发光层400的设计需要，发光层400还可以包括空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)、空穴传输层(HoleTransport Layer，HTL)、电子注入层(Electron Inject Layer，EIL)或电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)中的至少一种。

在一些可选的实施例中，第二电极600的材料例如包括镱或者镁银合金，使得第二电极600的方阻小，第二电极600具有良好的导电性能，便于阴极电子注入。在第二电极600与第一电极200以及两者之间的层结构能够形成合适的微腔效应，提高形成的子像素的显示效果。

第二电极600的厚度例如为6nm～10nm，以保证第二电极600具有较高的透光度。第二电极600的材料例如包括但不限于氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡和掺杂银的氧化铟锌中的一种或多种的组合，能够保证第二电极600具有较高的透过率。

实施例

下述实施例更具体地描述了本发明公开的内容，这些实施例仅仅用于阐述性说明，因为在本发明公开内容的范围内进行各种修改和变化对本领域技术人员来说是明显的。

实施例1

如图1～图10所示，显示面板具有第一显示区以及第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率，所述显示面板的所述第一显示区配置有：

阵列基板100；第一电极200，设置于阵列基板100；像素定义层300，设置于所述阵列基板100上，所述像素定义层围合形成开口区301，所述像素定义层上堆叠若干个透明凸块302形成第一二维图案；发光层400，位于所述第一电极200上，包括多个位于开口区内的发光单元；第二电极600，设置于所述像素定义层300上，所述第二电极覆盖所述开口区的至少部分表面，且所述第二电极形成的第二二维图案与所述第一二维图案互补。

其中像素定义层300，设置于第一电极200背向阵列基板100侧；第二电极600，设置于像素定义层300背向阵列基板100侧。如图1所示，像素定义层300包括多个开口区301，多个开口区301按照预设的排布规律沿第一方向(图1中的X方向)和第二方向(图1中的Y方向)呈阵列分布。

如图2所示，C为单个有机发光器件的中心轴，以像素定义层形成的开口区的中心法线为中心轴，每个有机发光器件的阵列基板100、第一电极200、像素定义层300、发光层400、第二电极600和封装层的至少一个膜层呈中心对称，且第二电极膜层从中心轴到有机发光器件的周边依次分布有覆盖开口区的电极区601、围绕透明凸块的预留区602和第二电极缺失的镂空区603。其中相邻的第二电极预留区602接续，如图6所示。

其中，第二电极600的厚度为

材料为镁银合金，并采用共用金属掩膜板(Common Metal Mask，CMM)作为蒸镀制程掩膜板进行制作成型。

如图7所示，制备在衬底基板上形成阵列基板，然后在阵列基板依次形成平坦层101、第一电极200、像素定义层300、发光层400、透明凸块302。在所述阵列基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成像素定义层，所述像素定义层围合形成开口区，暴露出所述第一电极的至少部分表面；在所述第一电极上形成发光层，所述发光层包括多个位于开口区内的发光单元，如图3所示。在所述像素定义层上形成具有第一二维图案的透明凸块，如图4所示。

其中阵列基板，既可以是顶栅结构，也可以是底栅结构。阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上表面侧的LTPS(低温多晶硅)层、金属层和金属层之间的绝缘层，这些金属层可以为栅金属层，可以为源漏金属层。衬底基板上表面通过有机材料流平形成平坦层101，第一电极200通过过孔与阵列基板电连接。

如图8所示，在所述发光层、像素定义层、透明凸块上形成第二电极。此时，阴极整面覆盖。

如图9所示，去除透明凸块上表面部分的第二电极，形成第二电极的第二二维图案，所述第二电极的第二二维图案与透明凸块的第一二维图案互补，用于供射向感光元件的光线透过，如图5所示。如图6所示是阴极图形化后，形成如网状结构，正投影于发光层的为覆盖开口区的电极区601、围绕透明凸块的预留区602和第二电极缺失的镂空区603。相邻预留区602接续。

如图10所示，在第二电极、透明凸块上形成封装层。得到的显示面板如图1和图2所示。

透明凸块的结构形状包括但不限于六边形，圆形，椭圆形，方形或异形任意之一或组合。第二电极的图形化结构可以在屏幕的任意位置和任意大小范围。

将高透材料图形化后的透明凸块，实现阴极图形化方案，达到了大幅提升阴极透过率，实现显示屏在正常显示画面的同时，能够为屏下器件提供足够的环境光，保证屏下机构能够正常工作。

本发明特别的是形成透明凸块，使第二电极(阴极)蒸镀后按照该形状凸起，便于识别和图形化去除第二电极(阴极)；第二电极(阴极)去除后此结构提供较高的透过率。该方式有效去除OLED发光器件以外的阴极，形成阴极网格结构，提高阴极透过率的同时，保证阴极电阻均一性，可满足各种任意位置的屏下结构透过率需求。

实施例2

如图11～图14所示，并结合图1～图6，显示面板具有第一显示区以及第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率，所述显示面板的所述第一显示区配置有：

阵列基板100；第一电极200，设置于阵列基板100；像素定义层300，设置于所述阵列基板100上，所述像素定义层围合形成开口区301，所述像素定义层上堆叠若干个透明凸块302形成第一二维图案；发光层400，位于所述第一电极200上，包括多个位于开口区内的发光单元；第二电极600，设置于所述像素定义层300上，所述第二电极覆盖所述开口区的至少部分表面，且所述第二电极形成的第二二维图案与所述第一二维图案互补。其中透明凸块302截面为倒梯形。

如图11所示，形成阵列基板，并在所述阵列基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成像素定义层，所述像素定义层围合形成开口区，暴露出所述第一电极的至少部分表面；在所述第一电极上形成发光层，所述发光层包括多个位于开口区内的发光单元，如图3所示。在所述像素定义层上形成具有第一二维图案的倒梯形透明凸块，如图4所示。

在所述像素定义层上形成具有第一二维图案的透明凸块包括：S11)在所述像素定义层上形成透明凸块；S12)将透明凸块形成底切的倒梯形；S13)在透明凸块的上表面形成牺牲层。

如图12所示，在透明凸块上形成牺牲层303，在所述发光层、像素定义层、透明凸块的牺牲层上形成第二电极。此时，阴极整面覆盖。

如图13所示，去除透明凸块上表面部分的第二电极，形成第二电极的第二二维图案，所述第二电极的第二二维图案与透明凸块的第一二维图案互补，用于供射向感光元件的光线透过。

如图14所示，在第二电极、透明凸块上形成封装层。得到的显示面板如图1和图2所示。第二电极为阴极。

如透明凸块302为一种高透材料图形化后的底切(undercut)结构，位于像素定义层300的所述开口区301之间。其材料包括但不限于高透过率的聚酰亚胺类、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、甲基丙烯甲酯、聚乙烯醇月桂酸酯、萘醌二叠氮化合物等。303为低粘附力的牺牲层，其材料包括但不限于a-Si，SiO等低粘附力材料。

在OLED，阴极材料蒸镀完成后，阴极在透明凸块底切结构边缘处断裂，通过机械拉力使阴极在牺牲层303位置与透明凸块结构分离取下，使得阴极按照透明凸块的第一二维图形排布被图形化，可大幅提升透过率。然后封装层进行封装。

如图5所示。如图6所示是阴极图形化后，形成如网状结构，正投影于发光层的为覆盖开口区的电极区601、围绕透明凸块的预留区602和第二电极缺失的镂空区603。相邻预留区602接续。透明凸块的底切结构形状包括但不限于六边形，圆形，椭圆形，方形或异形任意之一或组合。阴极图形化后结构可以在屏幕的任意位置和任意大小范围。

对比例1

与实施例1不同的是，对比例1中的第二电极600包括在像素定义层300、发光层上整面铺设。

对对比例1常规的整面阴极以及上述的实施例1和实施例2进行不同波长的光的透过率、以及方阻方面的测试，测试结果如下：

透过率％(@460nm)是指，波长为460nm的光的透过率。如上表所示，实施例1中的第二电极的方阻为21.38Ω/sq，波长为460nm的光的透过率为72.59％，波长为530nm的光的透过率为68.29％，波长为620nm的光的透光率为70.36％。实施例2中的第二电极的方阻为19.63Ω/sq，波长为460nm的光的透过率为70.99％，波长为530nm的光的透过率为73.45％，波长为620nm的光的透光率为75.28％。可以确定，透光率至少提高10％，方阻仍在可接受的范围内。

方阻的测试方法有多种，例如方阻通过方阻仪四探针法测得。透光率的测试方法有多种，例如透光率可以通过韩国科美仪器的反射率测试仪(Thin Film ThicknessMeasurement System，TF-TMS)设备测得。

通过表格可以看出，实施例2中的第二电极的方阻稍微提高，且光的透过率较高。

虽然已经参考优选实施例对本申请进行了描述，但在不脱离本申请的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本申请并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种透光显示面板，其特征在于，所述透光显示面板包括：

阵列基板；

像素定义层，设置于所述阵列基板上，所述像素定义层围合形成开口区，所述像素定义层上堆叠若干个透明凸块形成第一二维图案；

第二电极，设置于所述像素定义层上，所述第二电极覆盖所述开口区的至少部分表面，且所述第二电极形成的第二二维图案与所述第一二维图案互补。

2.根据权利要求1所述的透光显示面板，其特征在于，所述透明凸块的上表面处于同一高度水平；

优选的，所述透明凸块的断面呈矩形、梯形；

优选的，所述透明凸块在第一二维图案中呈三角形、四边形、五边形、六边形、多边形、圆形、椭圆形或异形的形状任意之一或其组合；优选的，所述透明凸块在第一二维图案中呈正方形、菱形、矩形的形状任意之一或其组合。

3.根据权利要求1所述的透光显示面板，其特征在于，

所述像素定义层包括沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布的多个所述开口区；

所述透明凸块位于相邻的两个所述开口区之间、并沿所述第一方向和/或所述第二方向间隔分布。

4.根据权利要求1所述的透光显示面板，其特征在于，所述第二电极的材料包括镁银合金、氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡和掺杂银的氧化铟锌中的一种或多种的组合；

所述第二电极的透光率大于或等于60％；

优选的，所述第二电极的透光率大于或等于80％。

5.根据权利要求1所述的透光显示面板，其特征在于，还包括：

第一电极，设置于所述阵列基板上；

所述像素定义层设置于所述第一电极上，且所述开口区暴露所述第一电极的至少部分表面；

发光层，位于所述第一电极上，包括多个位于开口区内的发光单元；

封装层，设置在第二电极和透明凸块上，且所述透明凸块与封装层紧密结合。

6.根据权利要求5所述的透光显示面板，其特征在于，所述透光显示面板包括若干个沿相交的第一方向和第二方向呈阵列排布的有机发光器件，每个有机发光器件依次层叠的阵列基板、第一电极、像素定义层、发光层、第二电极和封装层；

以像素定义层形成的开口区的中心法线为中心轴，每个有机发光器件的阵列基板、第一电极、像素定义层、发光层、第二电极和封装层的至少一个膜层呈中心对称，且第二电极膜层从中心轴到有机发光器件的周边依次分布有覆盖开口区的电极区、围绕透明凸块的预留区和第二电极缺失的镂空区。

7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有第一显示区以及第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率，所述显示面板的所述第一显示区配置为根据权利要求1至6任一项所述的透光显示面板。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供阵列基板；

在所述阵列基板上形成第一电极；

在所述第一电极上形成像素定义层，所述像素定义层围合形成开口区，暴露出所述第一电极的至少部分表面；

在所述像素定义层上形成具有第一二维图案的透明凸块；

在所述第一电极上形成发光层，所述发光层包括多个位于开口区内的发光单元；

在所述发光层、像素定义层、透明凸块上形成第二电极；

去除透明凸块上表面部分的第二电极，形成第二电极的第二二维图案，所述第二电极的第二二维图案与透明凸块的第一二维图案互补，用于供射向感光元件的光线透过。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层上形成具有第一二维图案的透明凸块包括：

S11)在所述像素定义层上形成透明凸块；

S12)将透明凸块形成底切的倒梯形；

S13)在透明凸块的上表面形成牺牲层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板；

位于所述显示面板的非显示面的感光元件，所述感光元件对应位于所述显示面板的第一显示区，并允许透过第一显示区的光线进入感光元件。

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