CN114724914A - 一种等离子体密度控制系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体密度控制系统及方法，包括离子源、反应腔室、挡片机构和法拉第杯组；法拉第杯组设在与屏栅正对应的反应腔室壁面上，包括法拉第杯安装架和至少N个法拉第杯；N个法拉第杯与屏栅上N组屏栅环状孔的位置相对应；挡片机构包括驱动装置控制器和至少两组挡片组件；每组挡片组件均包括若干个挡片和挡片驱动装置；若干个挡片均沿放电腔尾端周向均匀布设；每个挡片均能旋转伸入放电腔内，遮挡进入屏栅环状孔的等离子体；挡片组件间的挡片交替布设，挡片组件间的挡片形状不同。本发明能对离子源引出的离子束密度进行测量，并对等离子体密度进行实时控制，有效解决由于工艺条件改变而导致的刻蚀不均匀问题，并减小生产成本。

Description

一种等离子体密度控制系统及方法

技术领域

本发明涉及离子束刻蚀领域，特别是一种等离子体密度控制系统及方法。

背景技术

离子束刻蚀是可用于刻蚀加工各种金属（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、聚合物、陶瓷、红外和超导等材料。原理上是利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。刻蚀过程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。由于离子不是由辉光放电产生，而是由独立的离子源发射出惰性气体离子并经电场加速后再进入放入样品的真空室，离子束源与样品室的真空度可分别达到各自的最佳状态，膜的纯度很高。

离子源是将中性原子或分子电离并从中提取离子束流的设备，现有的离子源主要包括考夫曼离子源、射频离子源、ECR离子源和End Hall离子源，其中，射频离子源在在真空环境下，充满真空室的气体通过电场和磁场的相互作用而被电离，并且通过电场和磁场的作用而释放出离子，是利用射频感应产生等离子体，静电加速离子，具有无极放电，工作长时间稳定、均匀区大、离子束密可以精确控制、污染小等特点，在离子束刻蚀过程中得到广泛应用。

在离子束刻蚀中，离子源在工作状态下，由于工艺条件的不同，其刻蚀结果存在着较大的差异性，在射频电源的激励下，放电腔内等离子体密度呈现中间高、边缘低的趋势（见图1），为保证刻蚀均匀性，屏栅上小孔大小由中间向边缘逐渐增加，以保证边缘区通过的离子通量大（见图2和图3），使得抽出的离子束密度均匀分布，但当工艺条件改变时，离子源抽出的离子束束流密度边缘区会增加（见图4），造成晶圆表面刻蚀的不均匀性（见图5），影响刻蚀效果。在图3中，横坐标为径向距离，纵坐标为Grid 孔径尺寸也即屏栅环状孔尺寸。

目前，传统的获取良好束流密度均匀性的方法有两种，一种是调整离子源的参数与设计结构；一种是在离子源刻蚀样品之间建立异形的物理遮挡机构，通过不断调整物理遮挡机构的几何形状，与离子束密度特征进行抵消，在每次设计出遮挡装置后，都需要测试均匀性，如未达到修正效果，再针对性的对物理遮挡装置的几何形状进行加工，测试周期长，生产成本高。 因此，对离子源引出的离子束密度进行测量，并对等离子体密度进行实时控制是十分有必要的。本发明提出一种等离子体密度控制系统，可以有效的解决上述提出的由于工艺条件改变而导致的刻蚀不均匀问题，并减小生产成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种等离子体密度控制系统，该等离子体密度控制系统及方法能对离子源引出的离子束密度进行测量，并对等离子体密度进行实时控制，有效解决由于工艺条件改变而导致的刻蚀不均匀问题，并减小生产成本。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种等离子体密度控制系统，包括离子源、反应腔室、挡片机构和法拉第杯组。

离子源包括从外至内同轴设置的离子源腔和放电腔，在离子源腔的尾端设置屏栅。屏栅沿径向布设有N组屏栅环状孔。

法拉第杯组包括法拉第杯安装架和至少N个法拉第杯。法拉第杯安装架设置在与屏栅正对应的反应腔室壁面上。其中的N个法拉第杯与N组屏栅环状孔的位置相对应。

挡片机构包括驱动装置控制器和至少两组挡片组件。

每组挡片组件均包括若干个挡片和挡片驱动装置。若干个挡片均沿放电腔尾端周向均匀布设。

每个挡片均能在挡片驱动装置的驱动下，旋转伸入放电腔内，遮挡进入屏栅环状孔的等离子体。

挡片组件间的挡片交替布设，挡片组件间的挡片形状不同。

所有挡片驱动装置和所有法拉第杯均与驱动装置控制器相连接。

法拉第杯安装架为直条形架，法拉第杯的数量为N+1个。其中一个法拉第杯位于反应腔室的中心轴线上，其余N个法拉第杯共线安装在直条形架上，且与N个屏栅环状孔的位置相对应。

法拉第杯安装架具有L型架，L型架的拐角位于反应腔室的中心轴线上。其中一个法拉第杯安装在L型架的拐角上，L型架的两条直角边上各安装N个法拉第杯。2N个法拉第杯位于屏栅的不同半径位置处，且分别与N个屏栅环状孔的位置相对应。

挡片机构包括两组挡片组件，分别为挡片组件一和挡片组件二。挡片组件一包括若干个挡片一和挡片驱动装置一。挡片组件二包括若干个挡片二和挡片驱动装置二。每个挡片一的截面均为中心宽、边缘窄的倒锥形或倒梯形结构。每个挡片二的截面均为边缘宽、中心窄的锥形或梯形结构。

放电腔通过放电腔支撑座安装在离子源的离子源腔上。每个挡片一和每个挡片二的边缘端均转动安装在放电腔支撑座的端面上。

每个挡片一和每个挡片二的长度相同，每个挡片一和每个挡片二的长度相同，均为1/4r~1/2r；其中，r为屏栅半径。

挡片驱动装置为旋转气缸或电机。

一种等离子体密度控制方法，包括如下步骤。

步骤1，等离子体信号检测：刻蚀前，开启离子源，位于放电腔内的等离子经屏栅的屏栅环状孔后，聚焦形成离子束，每个法拉第杯将对检测自身径向位置处的等离子信号。并将检测到的等离子体信号转换为电流信号，反馈给驱动装置控制器。

步骤2，等离子体密度均匀性判断：驱动装置控制器根据接收到的所有电流信息，读取最大电流与最小电流，并将最大电流与最小电流进行对比，当最大电流与最小电流的差值小于设定值时，认为反应腔室内的等离子体密度均匀。否则，认为等离子体密度不均匀。

步骤3，等离子体密度控制，具体包括如下步骤：

步骤31，确定遮挡时机：当步骤2判断为等离子体密度不均匀时，驱动装置控制器同时读取最大电流对应的法拉第杯。

步骤32，遮挡：驱动装置控制器根据最大电流对应的法拉第杯所处位置，确定启用的挡片组件，在挡片驱动装置的控制下旋转挡片，对等离子体体密度高的区域进行遮挡。要求：当挡片旋转至径向时，与最大电流法拉第杯对应的宽度最大。

步骤33，等离子体密度再次检测：在挡片旋转遮挡的同时，法拉第杯实时检测等离子体密度，驱动装置控制器按照步骤2进行等离子体密度均匀性的判断，直至等离子体密度均匀，挡片停止旋转。

步骤32中，具体遮挡方法为：

步骤32A、当最大电流对应的法拉第杯位于边缘处时，驱动装置控制器控制挡片驱动装置二带动挡片二进行遮挡。

步骤32B、当最大电流对应的法拉第杯在靠近内侧中心时，驱动装置控制器控制驱动装置一带动挡片一进行遮挡。

步骤33中，当挡片驱动装置二旋转90°后，边缘等离子体密度仍然最大且等离子体密度均匀性判断为不均匀时，驱动装置控制器将控制驱动装置一进行运动，以遮蔽更多的边缘等离子体，直至等离子体密度均匀。

本发明具有如下有益效果：本发明采用法拉第杯组对离子源引出的离子束密度进行测量，通过挡片机构中挡片的旋转，对等离子体密度进行实时控制，有效解决由于工艺条件改变而导致的刻蚀不均匀问题，并减小生产成本。

附图说明

图1显示了现有技术中放电腔内等离子体密度分布示意图。

图2显示了屏栅的结构示意图。

图3显示了现有技术中屏栅环状孔的径向分布位置示意图。

图4显示了反应腔室内离子束的密度分布示意图。

图5显示了晶圆表面刻蚀不均匀性的两种效果图，分别为图5（a）和图5（b）。

图6显示了本发明一种等离子体密度控制系统的结构示意图。

图7显示了本发明一种等离子体密度控制系统中挡片组件的安装位置示意图。

图8显示了本发明中法拉第杯安装架为直条形架的结构示意图。

图9显示了本发明中法拉第杯安装架为L型架的结构示意图。

图10显示了本发明中挡片的分布示意图。

图11显示了挡片一旋转遮挡时的结构示意图。

图12显示了挡片二旋转遮挡时的结构示意图。

图13显示了挡片二主遮挡，挡片一辅助遮挡时的结构示意图。

其中有：

1.离子源；2.反应腔室；3.法拉第杯组；31.法拉第杯；4.下电极；5.晶圆；6.挡板；61.挡板驱动装置；7.驱动装置控制器；71.挡片驱动装置一；72.挡片驱动装置二；81.挡片一；82.挡片二；9.放电腔支撑座；11.放电腔；12.屏栅；13.加速栅；14.离子源控制器。

具体实施方式

下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。

本发明的描述中，需要理解的是，术语“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，“第一”、“第二”等并不表示零部件的重要程度，因此不能理解为对本发明的限制。本实施例中采用的具体尺寸只是为了举例说明技术方案，并不限制本发明的保护范围。

如图6所示，一种等离子体密度控制系统，包括离子源1、反应腔室2、挡片机构、挡板6和法拉第杯组3。

离子源同轴设置在反应腔室的一侧，离子源包括离子源控制器14、以及从外至内同轴设置的离子源腔和放电腔11。

上述离子源控制器14用于控制离子源的工艺参数。

上述放电腔优选通过放电腔支撑座9安装在离子源腔的内壁面上。

在离子源腔的尾端设置Grid组件，Grid组件包括屏栅12和加速栅13。

屏栅和加速栅均沿径向布设有N组屏栅环状孔。为保证刻蚀均匀性，N组屏栅环状孔的径向高度由中间向边缘逐渐增加，以保证边缘区通过的离子通量大，如图8所示。在图8中，N=6，6组屏栅环状孔的径向高度由中间向边缘分别为2.35mm、2.47mm、2.63mm、2.72mm、2.91mm和3.13mm。屏栅12上加正电聚焦等离子体，加速栅极13加负电将离子呈束状引出并加速，等离子体以离子束形式引出。

挡板6安装在位于Grid组件下游的反应腔室头部，用于遮挡N组屏栅环状孔。在反应腔室内设置有用于放置晶圆5的下电极4。

挡片机构包括驱动装置控制器和至少两组挡片组件。

每组挡片组件均包括若干个挡片和挡片驱动装置。若干个挡片均沿放电腔尾端周向均匀布设。每个挡片均能在挡片驱动装置的驱动下，旋转伸入放电腔内，遮挡进入屏栅环状孔的等离子体。挡片组件间的挡片交替布设，挡片组件间的挡片形状不同。

在本发明中，挡片组件优选为两组，分别为挡片组件一和挡片组件二。

挡片组件一包括若干个挡片一81和挡片驱动装置一71。如图10所示，每个挡片一81的截面均优选为中心宽、边缘窄的倒锥形或倒梯形结构等。

如图7所示，挡片一81的边缘端优选通过铰接轴转动安装在放电腔支撑座尾端。

如图12所示，每个挡片一81均能在挡片驱动装置一71的驱动下旋转，挡片驱动装置一71可以为一个或两个，也即挡片一可以单独驱动，也可以有一个或多个挡片驱动装置一同步驱动。

挡片组件二包括若干个挡片二82和挡片驱动装置二72。如图10所示，每个挡片二的截面均为边缘宽、中心窄的锥形或梯形结构等。挡片二82的边缘端优选通过铰接轴转动安装在放电腔支撑座尾端。

上述挡片一和挡片二在放电腔支撑座尾端沿周向交替布设，可以均匀，也可以不均匀。

每个挡片一和每个挡片二的长度相同，每个挡片一和每个挡片二的长度相同，均为1/4r~1/2r，进一步优选为1/3r；其中，r为屏栅半径。

每个挡片与屏栅之间的轴向间距L优选为1mm~10mm；避免挡片位于屏栅鞘层内，对离子源装置造成伤害，同时避免距离较大，引起等离子体扩散。

如图11所示，每个挡片二82均能在挡片驱动装置二72的驱动下旋转，挡片驱动装置二72可以为一个或两个，也即挡片二可以单独驱动，也可以有一个或多个挡片驱动装置二同步驱动。

作为替换，挡片组件也可以为三组、四组等。

上述挡片驱动装置优选为旋转气缸或电机等。

法拉第杯组包括法拉第杯安装架和至少N个法拉第杯31。

法拉第杯安装架设置在与屏栅正对应的反应腔室壁面上。其中的N个法拉第杯与N组屏栅环状孔的位置相对应。

本发明中，法拉第杯安装架具有如下两种优选实施例。

实施例1 法拉第杯安装架为直条形架

法拉第杯安装架为直条形架，法拉第杯的数量为N+1个。在本实施例中，由于屏栅环状孔为六组，也即N=6，故而法拉第杯的数量为7个，如图8所示，从中心向外侧分别为法拉第杯1、法拉第杯2、法拉第杯3、法拉第杯4、法拉第杯5、法拉第杯6和法拉第杯7。

其中一个法拉第杯（也即法拉第杯1）位于反应腔室的中心轴线上，其余N个法拉第杯共线安装在直条形架上，且与N个屏栅环状孔的位置相对应。

也即法拉第杯2、法拉第杯3、法拉第杯4、法拉第杯5、法拉第杯6和法拉第杯7分别与2.35mm、2.47mm、2.63mm、2.72mm、2.91mm和3.13mm的屏栅环状孔相对应，从而保证屏栅12上不同孔径所在区域的等离子体密度均能够得到有效测量。

实施例2

如图9所示，法拉第杯安装架具有L型架（可以为十字形架），L型架的拐角位于反应腔室的中心轴线上。法拉第杯的数量优选为2N+1个。

其中一个法拉第杯（也即法拉第杯1）安装在L型架的拐角上，L型架的两条直角边上各安装N个法拉第杯。

其中一条直角边上的N个法拉第杯分别为法拉第杯2、法拉第杯3、法拉第杯4、法拉第杯5、法拉第杯6和法拉第杯7。

另外一条直角边上的N个法拉第杯分别为法拉第杯8、法拉第杯9、法拉第杯10、法拉第杯11、法拉第杯12和法拉第杯13。

2N个法拉第杯位于屏栅的不同半径位置处，且分别与N个屏栅环状孔的位置相对应。也即法拉第杯2和法拉第杯8与2.35mm的屏栅环状孔相对应，法拉第杯3和法拉第杯9与2.47mm的屏栅环状孔相对应，法拉第杯4和法拉第杯10与2.63mm的屏栅环状孔相对应，法拉第杯5和法拉第杯11与2.72mm的屏栅环状孔相对应，法拉第杯6和法拉第杯12与2.91mm的屏栅环状孔相对应，法拉第杯7和法拉第杯13与3.13mm的屏栅环状孔相对应。本实施例，能进行多点取样测量，使得均匀性调节更加准确。

上述所有挡片驱动装置和所有法拉第杯均与驱动装置控制器相连接。

一种等离子体密度控制方法，包括如下步骤。

步骤1，等离子体信号检测。

刻蚀前，挡板6在挡板驱动装置61的驱动下，离开屏栅环状孔。

通过离子源控制器14打开离子源1，在离子源控制器14作用下，充入放电腔内的Ar被电离形成等离子体，屏栅12上加正电聚焦等离子体，加速栅极13加负电将离子呈束状引出并加速，等离子体以离子束形式引出，入射到法拉第杯组3，法拉第杯组3上分布的若干法拉第杯31，法拉第杯31将注入的离子束数量转化为电流信号，并反馈到驱动装置控制器7。

步骤2，等离子体密度均匀性判断

当法拉第组3将电流信号反馈到驱动装置控制器7时，驱动装置控制器7对电流信号进行对比，电流大的区域等离子体密度较高，电流小的区域等离子体的密度较低。

驱动装置控制器7选择最大电流和最小电流进行对比，当最大电流与最小电流的差值小于设定值时，表示引出的离子束密度均匀，此种状态下可以保证刻蚀晶圆5时均匀性良好，在挡板驱动装置61作用下，挡板6遮挡离子束，待晶圆被放置在下电极4上，并旋转到刻蚀位置时，挡板6落下，离子束对晶圆5进行刻蚀。

当最大电流与最小电流的差值大于设定值时，代表引出的离子束密度分布不均匀。

步骤3，等离子体密度控制，具体包括如下步骤：

步骤31，确定遮挡时机：当步骤2判断为等离子体密度不均匀时，驱动装置控制器同时读取最大电流对应的法拉第杯。

步骤32，遮挡：驱动装置控制器根据最大电流对应的法拉第杯所处位置，确定启用的挡片组件，在挡片驱动装置的控制下旋转挡片，对等离子体体密度高的区域进行遮挡。要求：当挡片旋转至径向时，与最大电流法拉第杯对应的宽度最大。

也即驱动装置控制器7会控制挡片驱动装置71或72带动挡片81或82对等离子体密度高的区域进行遮挡，降低局部等离子体密度，使晶圆达到刻蚀均匀的效果。

在本实施例中，具体优选遮挡方法为：

步骤32A、当最大电流对应的法拉第杯位于边缘处时，驱动装置控制器控制挡片驱动装置二带动挡片二进行遮挡。

步骤32B、当最大电流对应的法拉第杯在靠近内侧中心时，驱动装置控制器控制驱动装置一带动挡片一进行遮挡。

步骤33，等离子体密度再次检测：在挡片旋转遮挡的同时，法拉第杯实时检测等离子体密度，驱动装置控制器按照步骤2进行等离子体密度均匀性的判断，直至等离子体密度均匀，挡片停止旋转。

如图13所示，当最大电流对应的法拉第杯位于边缘处时，挡片驱动装置二旋转90°后，边缘等离子体密度仍然最大且等离子体密度均匀性判断为不均匀时，驱动装置控制器将控制驱动装置一进行运动，以遮蔽更多的边缘等离子体，直至等离子体密度均匀。

从理论和工艺上看，晶圆5刻蚀速度中间区域要小于边缘区域，法拉第杯2以内的电流密度为最低，刻蚀速率较快的区域一般集中于法拉第杯3到法拉第杯7所在的半径区间内，当法拉第组3将电流信号反馈到驱动装置控制器7时，驱动装置控制器7同时读取最大电流对应的法拉第杯，当最大电流对应的法拉第杯31在边缘处时，例如法拉第杯7，驱动装置控制器7控制驱动装置72带动挡片82进行遮挡，直至等离子体密度均匀。若当驱动装置72旋转90°后仍无法降低边缘等离子体密度，驱动装置72会依次控制驱动装置81进行运动，以遮蔽更多的等离子体。挡片82的形式应为边缘宽，中心窄的样式。

当最大电流对应的法拉第杯31在靠近内侧时，例如法拉第杯3，此时驱动装置控制器7控制驱动装置71带动挡片81进行遮挡，直至最大电流区域不在此范围内。此时，挡片81的样式应选择为中间宽，边缘窄的样式。挡片数量及大小设置可根据工艺测试结果进行设计

以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种等离子体密度控制系统，其特征在于：包括离子源、反应腔室、挡片机构和法拉第杯组；

离子源包括从外至内同轴设置的离子源腔和放电腔，在离子源腔的尾端设置屏栅；屏栅沿径向布设有N组屏栅环状孔；

法拉第杯组包括法拉第杯安装架和至少N个法拉第杯；法拉第杯安装架设置在与屏栅正对应的反应腔室壁面上；其中的N个法拉第杯与N组屏栅环状孔的位置相对应；

挡片机构包括驱动装置控制器和至少两组挡片组件；

每组挡片组件均包括若干个挡片和挡片驱动装置；若干个挡片均沿放电腔尾端周向均匀布设；

每个挡片均能在挡片驱动装置的驱动下，旋转伸入放电腔内，遮挡进入屏栅环状孔的等离子体；

挡片组件间的挡片交替布设，挡片组件间的挡片形状不同；

所有挡片驱动装置和所有法拉第杯均与驱动装置控制器相连接。

2.根据权利要求1所述的等离子体密度控制系统，其特征在于：法拉第杯安装架为直条形架，法拉第杯的数量为N+1个；其中一个法拉第杯位于反应腔室的中心轴线上，其余N个法拉第杯共线安装在直条形架上，且与N个屏栅环状孔的位置相对应。

3.根据权利要求1所述的等离子体密度控制系统，其特征在于：法拉第杯安装架具有L型架，L型架的拐角位于反应腔室的中心轴线上；其中一个法拉第杯安装在L型架的拐角上，L型架的两条直角边上各安装N个法拉第杯；2N个法拉第杯位于屏栅的不同半径位置处，且分别与N个屏栅环状孔的位置相对应。

4.根据权利要求1所述的等离子体密度控制系统，其特征在于：挡片机构包括两组挡片组件，分别为挡片组件一和挡片组件二；挡片组件一包括若干个挡片一和挡片驱动装置一；挡片组件二包括若干个挡片二和挡片驱动装置二；每个挡片一的截面均为中心宽、边缘窄的倒锥形或倒梯形结构；每个挡片二的截面均为边缘宽、中心窄的锥形或梯形结构。

5.根据权利要求4所述的等离子体密度控制系统，其特征在于：放电腔通过放电腔支撑座安装在离子源的离子源腔上；每个挡片一和每个挡片二的边缘端均转动安装在放电腔支撑座的端面上。

6.根据权利要求5所述的等离子体密度控制系统，其特征在于：每个挡片一和每个挡片二的长度相同，均为1/4r~1/2r；其中，r为屏栅半径。

7.根据权利要求1所述的等离子体密度控制系统，其特征在于：挡片驱动装置为旋转气缸或电机。

8.一种等离子体密度控制方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1，等离子体信号检测：刻蚀前，开启离子源，位于放电腔内的等离子经屏栅的屏栅环状孔后，聚焦形成离子束，每个法拉第杯将对检测自身径向位置处的等离子信号；并将检测到的等离子体信号转换为电流信号，反馈给驱动装置控制器；

步骤2，等离子体密度均匀性判断：驱动装置控制器根据接收到的所有电流信息，读取最大电流与最小电流，并将最大电流与最小电流进行对比，当最大电流与最小电流的差值小于设定值时，认为反应腔室内的等离子体密度均匀；否则，认为等离子体密度不均匀；

步骤3，等离子体密度控制，具体包括如下步骤：

步骤31，确定遮挡时机：当步骤2判断为等离子体密度不均匀时，驱动装置控制器同时读取最大电流对应的法拉第杯；

步骤32，遮挡：驱动装置控制器根据最大电流对应的法拉第杯所处位置，确定启用的挡片组件，在挡片驱动装置的控制下旋转挡片，对等离子体体密度高的区域进行遮挡；要求：当挡片旋转至径向时，与最大电流法拉第杯对应的宽度最大；

步骤33，等离子体密度再次检测：在挡片旋转遮挡的同时，法拉第杯实时检测等离子体密度，驱动装置控制器按照步骤2进行等离子体密度均匀性的判断，直至等离子体密度均匀，挡片停止旋转。

9.如权利要求8所述的等离子体密度控制方法，其特征在于：步骤32中，具体遮挡方法为：

步骤32A、当最大电流对应的法拉第杯位于边缘处时，驱动装置控制器控制挡片驱动装置二带动挡片二进行遮挡；

步骤32B、当最大电流对应的法拉第杯在靠近内侧中心时，驱动装置控制器控制驱动装置一带动挡片一进行遮挡。

10.如权利要求8所述的等离子体密度控制方法，其特征在于：步骤33中，当挡片驱动装置二旋转90°后，边缘等离子体密度仍然最大且等离子体密度均匀性判断为不均匀时，驱动装置控制器将控制驱动装置一进行运动，以遮蔽更多的边缘等离子体，直至等离子体密度均匀。

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