CN114722689A - Mems悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备 - Google Patents

Mems悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备 Download PDF

Info

Publication number
CN114722689A
CN114722689A CN202210643741.6A CN202210643741A CN114722689A CN 114722689 A CN114722689 A CN 114722689A CN 202210643741 A CN202210643741 A CN 202210643741A CN 114722689 A CN114722689 A CN 114722689A
Authority
CN
China
Prior art keywords
contact
resistance value
finite element
element model
simulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210643741.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114722689B (zh
Inventor
刘通
何长运
阮勇
牟言鹏
曹丽霞
胡燕威
杨长红
黄世峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Chaotan Electronic Technology Co ltd
Mems Research Institute Of Zibo High Tech Industrial Development Zone
University of Jinan
Original Assignee
Shandong Chaotan Electronic Technology Co ltd
Mems Research Institute Of Zibo High Tech Industrial Development Zone
University of Jinan
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong Chaotan Electronic Technology Co ltd, Mems Research Institute Of Zibo High Tech Industrial Development Zone, University of Jinan filed Critical Shandong Chaotan Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202210643741.6A priority Critical patent/CN114722689B/zh
Publication of CN114722689A publication Critical patent/CN114722689A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114722689B publication Critical patent/CN114722689B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
    • G06F30/23—Design optimisation, verification or simulation using finite element methods [FEM] or finite difference methods [FDM]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/10—Geometric CAD
    • G06F30/17—Mechanical parametric or variational design
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
    • G06F2119/14—Force analysis or force optimisation, e.g. static or dynamic forces

Abstract

本申请涉及一种MEMS悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备。所述方法包括：基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；根据仿真阻值判断所述接触电阻是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻符合预设优化标准。采用本方法能够降低MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高MEMS悬臂梁器件的可靠性。

Description

MEMS悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备
技术领域
本申请涉及MEMS悬臂梁器件技术领域，特别是涉及一种MEMS悬臂梁器件结构优化方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。
背景技术
MEMS悬臂梁器件例如MEMS继电器因其损耗低、隔离度高和响应速度快等特点，在通讯、航天和电子装备等领域应用广泛。根据驱动原理不同MEMS继电器又可分为静电型、电磁型和电热型，静电驱动具备功耗低、制造工艺简单等优势而被广泛应用。然而，当驱动电压较低时，相比其他两种形式，静电型的应用变得极其困难，因为驱动电压低意味着接触电阻高，这使得接触界面不稳定，极易发生熔焊导致器件失效。
因此，如何对MEMS悬臂梁器件的结构进行优化，提高其接触面的稳定性和使用寿命成为亟待解决的问题。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够降低接触电阻的MEMS悬臂梁器件结构优化方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
第一方面，本申请提供了一种MEMS悬臂梁器件结构优化方法。所述方法包括：
基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
优选的，所述判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准之前还包括：
基于所述接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断所述接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，若不符合，对所述有限元模型重新仿真直至所述接触电阻的仿真误差符合预设标准。
优选的，所述判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准包括：
将所述接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，若所述接触电阻的仿真阻值小于所述阻值阈值，则所述接触电阻符合预设优化标准；
若所述接触电阻的仿真阻值大于或等于所述阻值阈值，则所述接触电阻不符合预设优化标准。
优选的，所述有限元模型包括悬臂梁，所述悬臂梁的一端设置有多个触点，所述调整所述有限元模型的结构包括：
降低所述有限元模型中悬臂梁的刚度，增大所述有限元模型中各触点的触点面积。
优选的，所述接触电阻的仿真阻值通过以下方式获取：
基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值；
计算所述收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为所述接触电阻的仿真阻值。
优选的，所述基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值包括：
计算所述接触材料的电阻率和与接触区域内导电斑点的半径的商；所述接触材料的电阻率和是将所述接触电阻的接触材料的电阻率相加获取的；
计算所述商与预设系数的乘积作为所述接触电阻的收缩电阻值。
第二方面，本申请还提供了一种MEMS悬臂梁器件结构优化装置。所述装置包括：
构建模块，用于基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
获取模块，用于对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
优化模块，用于判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
上述MEMS悬臂梁器件结构优化方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型，对有限元模型进行仿真，获取有限元模型的接触电阻的仿真阻值，判断接触电阻是否符合预设优化标准，若否，调整有限元模型的结构，直至有限元模型的接触电阻符合预设优化标准。通过对MEMS悬臂梁器件的结构进行优化，降低了MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
附图说明
图1为一个实施例中MEMS悬臂梁器件结构优化方法的流程示意图；
图2为一个实施例中静电驱动MEMS悬臂梁器件的结构示意图；
图3为另一个实施例中静电驱动MEMS悬臂梁器件的结构示意图；
图4为一个实施例中判断仿真阻值是否符合预设优化标准的流程示意图；
图5为一个实施例中MEMS悬臂梁器件结构优化装置的结构框图；
图6为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
附图标记：
1：悬臂梁；2：触点。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
在一个实施例中，如图1所示，提供了一种MEMS悬臂梁器件结构优化方法，包括以下步骤：
步骤102，基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型。
具体地，静电驱动MEMS悬臂梁器件的结构示意图如图2所示，主体为单端固定式悬臂梁1，悬臂梁1包含镂空的悬簧、静电驱动极板和触点2构成。镂空的悬簧能够使悬臂梁1的刚度在一个合理区间内，为MEMS悬臂梁器件提供合适的回复力，以保证较低的驱动电压、较高的稳定度。考虑工艺能力，触点2结构为圆柱体，并能够根据仿真结果对触点2结构进行结构优化。
COMSOL是一款大型的商用有限元软件，尤其擅长多物理场耦合方面，使用COMSOL软件基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型，为保证计算精度，悬臂梁1和触点2采用六面体网格，触点2处为主要计算区域，因此网格需局部加密，而对于受力较小且不关心区域，为提高计算效率可适当简化。
在一个实施例中，MEMS悬臂梁器件为MEMS继电器，MEMS悬臂梁器件的结构如图3所示，其预设几何参数如表1所示：
表1
符号 参数的描述 数值
<i>l1</i> 镂空悬臂长度 460um
<i>w1</i> 镂空悬臂宽度 200um
<i>l2</i> 驱动极板长度 550um
<i>w2</i> 驱动极板宽度 330um
<i>l3</i> 镂空长度 90um
<i>w3</i> 镂空宽度 40um
<i>Thickness</i> 悬臂梁厚度 23um
<i>R</i> 阻尼孔半径 10um
步骤104，对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值。
具体地，对有限元模型进行仿真，获取有限元模型的接触电阻的仿真阻值，接触电阻的仿真阻值的获取包括：确定接触状态下的静电力大小，根据接触状态下的静电力大小确定接触面积，根据接触面积确定接触电阻的仿真阻值。
确定接触状态下的静电力时，悬臂梁型继电器中的静电力由平行板电容器产生，不考虑边界场效应，静电力的表达式如下：
Figure 643540DEST_PATH_IMAGE001
其中，
Figure 490274DEST_PATH_IMAGE002
表示有效的电容执行器面积；
Figure 684495DEST_PATH_IMAGE003
表示空气的介电常数；
Figure 616679DEST_PATH_IMAGE004
表示气隙方向 上的位移；
Figure 961072DEST_PATH_IMAGE005
为初始气隙的高度；
Figure 52525DEST_PATH_IMAGE006
为驱动电压。
至于接触力和接触面积的计算，由于驱动极板与负载之间间隙较小，因此悬臂梁1在开断过程中的变形在弹性范围内，根据卡氏第二定理，在力作用下的线性位移为：
Figure 27434DEST_PATH_IMAGE007
其中，
Figure 243652DEST_PATH_IMAGE008
为结构所受第
Figure 221097DEST_PATH_IMAGE009
个载荷，
Figure 42423DEST_PATH_IMAGE010
为结构在
Figure 719392DEST_PATH_IMAGE008
作用方向上的位移,
Figure 750802DEST_PATH_IMAGE011
为结构的 应变能，应变能由三部分组成，一是轴向拉伸应变能，二是弯曲应变能，三是扭转应变能，考 虑到悬臂梁1主要受气隙方向的作用力，因此可忽略轴向拉伸和扭转的作用。
Figure 905840DEST_PATH_IMAGE012
其中，
Figure 112830DEST_PATH_IMAGE013
为作用于悬臂梁1截面弯矩，
Figure 819755DEST_PATH_IMAGE014
为材料的弹性模量，
Figure 213827DEST_PATH_IMAGE016
为截面的惯性 矩，对悬臂梁1的能量求解力的偏导，即可得到其中一节悬臂梁1的位移，将位移逐次叠加， 可求解悬臂梁1末端的总位移，由线弹性理论，变截面悬臂梁刚度可表示为：
Figure 31610DEST_PATH_IMAGE017
式中
Figure 827528DEST_PATH_IMAGE018
为变截面悬臂梁的刚度，
Figure 111879DEST_PATH_IMAGE019
为悬臂梁受力、
Figure 350837DEST_PATH_IMAGE020
为悬臂梁在力的作用下的位 移。当发生吸合后，悬臂梁位移即为驱动极板与负载之间的间隙
Figure 847677DEST_PATH_IMAGE004
，此时悬臂回复力为：
Figure 29260DEST_PATH_IMAGE021
吸合状态下，悬臂梁1受静电力、接触反力和悬臂回复力，且三者相平衡
Figure 77988DEST_PATH_IMAGE022
其中，接触反力为：
Figure 446652DEST_PATH_IMAGE023
Figure 12763DEST_PATH_IMAGE024
为触点材料硬度，根据接触状态下的静电力大小能够确定接触面积
Figure 642327DEST_PATH_IMAGE025
。
根据接触面积的大小，能够确定接触区域内导电斑点的半径，根据接触区域内导电斑点的半径和接触电阻的导电率，能够确定接触电阻的仿真阻值。
步骤106，判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
具体地，判断接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，将接触电阻的仿真阻值与预设优化标准中的阻值进行对比，若接触电阻的仿真阻值符合预设标准中的阻值，不对有限元模型进行调整。若接触电阻的仿真阻值不符合预设标准中的阻值，调整有限元模型的结构，直至有限元模型的接触电阻符合预设优化标准，完成对MEMS悬臂梁器件的结构优化。
上述MEMS悬臂梁器件结构优化方法中，基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型，对有限元模型进行仿真，获取接触电阻的仿真阻值，判断接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整有限元模型的结构，直至有限元模型的接触电阻符合预设优化标准。通过对MEMS悬臂梁器件的结构进行优化，降低了MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
在一个实施例中，所述判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准之前还包括：
基于所述接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断所述接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，若不符合，对所述有限元模型重新仿真直至所述接触电阻的仿真误差符合预设标准。
具体地，根据接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，其中，预设标准由仿真人员按照设计标准自行设定。若接触电阻的仿真误差不符合预设标准，对有限元模型重新仿真直至接触电阻的仿真误差符合预设标准。例如，当发生吸合时，悬臂梁1根部应力集中，最大等效应力较小不会发生断裂。当发生导通时，两列触点中只有靠近悬臂梁1末端的一列发生接触且只在棱边一侧，接触面积较小，此时接触电阻的仿真阻值为6Ω。为了验证仿真结果的准确性，对MEMS继电器的接触电阻进行了实际测量，实测阻值为6.2Ω。由于仿真计算所采用的均为理想数据，因此与实测阻值是有区别的，若预设标准为偏差0.5Ω，则接触电阻的仿真误差0.2Ω符合预设标准，能够用于对继电器的结构优化；若接触电阻的仿真阻值与实测阻值之间的仿真误差超过0.5Ω，则不符合预设标准，对有限元模型重新仿真直至接触电阻的仿真误差符合预设标准。
本实施例中，基于接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，在不符合预设标准时，对有限元模型重新仿真直至接触电阻的仿真误差符合预设标准，提高了有限元模型的仿真精度，提高了对MEMS悬臂梁器件的结构优化精度。
在一个实施例中，如图4所示，所述判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准包括：
步骤402，将所述接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，若所述接触电阻的仿真阻值小于所述阻值阈值，则所述接触电阻符合预设优化标准；
步骤404，若所述接触电阻的仿真阻值大于或等于所述阻值阈值，则所述接触电阻不符合预设优化标准。
具体地，将接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，判断接触电阻的仿真阻值是否小于预设的阻值阈值，若接触电阻的仿真阻值小于阻值阈值，则接触电阻符合预设优化标准，不需要对MEMS悬臂梁器件进行结构优化。若接触电阻的仿真阻值大于或等于阻值阈值，则接触电阻的仿真阻值过大，不符合预设优化标准，需要进一步降低接触电阻的阻值。
本实施例中，通过将接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，判断接触电阻是否符合预设优化标准，实现了对接触电阻的优化，降低了MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
在一个实施例中，所述有限元模型包括悬臂梁，所述悬臂梁的一端设置有多个触点，所述调整所述有限元模型的结构包括：
降低所述有限元模型中悬臂梁的刚度，增大所述有限元模型中各触点的触点面积。
具体地，有限元模型包括悬臂梁1，且悬臂梁的一端设置有多个触点2，触点2处的接触电阻随着触点处材料的电导率增大而减小，随着的粗糙度和硬度的增大而增大，且粗糙度和硬度对接触电阻的影响程度相当。在不改变材料属性的情况下，可以通过改变接触力和各触点处的接触面积来减小接触电阻，因此降低有限元模型的悬臂梁刚度，增大有限元模型各触点处的触点面积，能够降低接触电阻。
本实施例中，通过降低有限元模型各触点处的悬臂梁刚度，增大有限元模型的触点面积，实现了对有限元模型的结构调整，降低了MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
在一个实施例中，所述接触电阻的仿真阻值通过以下方式获取：
基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值；
计算所述收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为所述接触电阻的仿真阻值。
具体地，对于平面接触，若两种接触材料不同，基于接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取接触电阻的收缩电阻值时，收缩电阻计算公式为：
Figure 737322DEST_PATH_IMAGE026
其中
Figure 858862DEST_PATH_IMAGE027
和
Figure 822139DEST_PATH_IMAGE028
是两种接触材料的电阻率，
Figure 447155DEST_PATH_IMAGE029
为接触区域内导电斑点的半径。实际中 两接触平面间有若干分散接触斑点，在均匀洁净的接触面接触时，
Figure 339150DEST_PATH_IMAGE029
型触点的空间分布并 不重要，只有接近边界区域的触点分布才对接触电阻产生影响，多个
Figure 416827DEST_PATH_IMAGE029
型触点也常常等效 为单个
Figure 324740DEST_PATH_IMAGE029
型触点，
Figure 928897DEST_PATH_IMAGE030
为所有触点的等效半径，其计算公式为：
Figure 365695DEST_PATH_IMAGE031
当两接触材料为同种材料时，等效后的收缩电阻表达式为:
Figure 461827DEST_PATH_IMAGE032
在高压或低压强电流电器中，触头的接触压力通常都很大，足以将表面膜压碎，故接触电阻主要收缩电阻。
作为一种实施例，接触电阻通过计算MEMS悬臂梁器件在接触面的收缩电阻和表面膜电阻的和获取，接触电阻的计算公式如下:
Figure 766906DEST_PATH_IMAGE033
其中，
Figure 366515DEST_PATH_IMAGE034
为接触电阻，
Figure 505372DEST_PATH_IMAGE035
为收缩电阻，
Figure 416696DEST_PATH_IMAGE036
为表面膜电阻。
计算收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为接触电阻的仿真阻值，在本实施例中，由于继电器触点为线接触，接触应力较高，所以不考虑表面膜电阻的影响，因此接触电阻的仿真阻值近似采用收缩电阻表示。
本实施例中，基于接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取接触电阻的收缩电阻值，计算收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为接触电阻的仿真阻值，有利于MEMS悬臂梁器件的接触电阻的降低，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
在一个实施例中，所述基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值包括：
计算所述接触材料的电阻率和与接触区域内导电斑点的半径的商；所述接触材料的电阻率和是将所述接触电阻的接触材料的电阻率相加获取的；
计算所述商与预设系数的乘积作为所述接触电阻的收缩电阻值。
具体地，对于相同的接触材料，基于接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内 导电斑点的半径获取接触电阻的收缩电阻值时，接触材料的电阻率和与接触区域内导电斑 点的半径的商为：
Figure 400833DEST_PATH_IMAGE037
计算商与预设系数的乘积作为接触电阻的收缩电阻值，作为一种实施例，预设系数为四分之一，则收缩电阻计算公式为：
Figure 386106DEST_PATH_IMAGE026
其中
Figure 787875DEST_PATH_IMAGE027
和
Figure 61862DEST_PATH_IMAGE028
是两种接触材料的电阻率，
Figure 115268DEST_PATH_IMAGE029
为接触区域内导电斑点的半径。实际中 两接触平面间有若干分散接触斑点。
作为一种实施例，在均匀洁净的接触面接触时，
Figure 548524DEST_PATH_IMAGE029
型触点的空间分布并不重要，只 有接近边界区域的触点分布才对接触电阻产生影响，多个
Figure 29184DEST_PATH_IMAGE029
型触点也常常等效为单个
Figure 56046DEST_PATH_IMAGE029
型 触点，
Figure 241039DEST_PATH_IMAGE030
为所有触点的等效半径，其计算公式为：
Figure 200905DEST_PATH_IMAGE031
作为一种实施例，当两接触材料为同种材料时，且在均匀洁净的接触面接触时，接 触材料的电阻率和与接触区域内导电斑点的半径的商为：
Figure 321308DEST_PATH_IMAGE038
当预设系数为四分之一时，等效后的收缩电阻表达式为:
Figure 694520DEST_PATH_IMAGE032
在高压或低压强电流电器中，触头的接触压力通常都很大，足以将表面膜压碎，故接触电阻主要收缩电阻。
本实施例中，通过基于接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取接触电阻的收缩电阻值，有利于根据收缩电阻值获取接触电阻的仿真阻值，实现对MEMS悬臂梁器件的结构优化，降低MEMS悬臂梁器件的接触电阻。
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的MEMS悬臂梁器件结构优化方法的MEMS悬臂梁器件结构优化装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个MEMS悬臂梁器件结构优化装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于MEMS悬臂梁器件结构优化方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，如图5所示，提供了一种MEMS悬臂梁器件结构优化装置，包括：构建模块501、获取模块502和优化模块503，其中：
构建模块501，用于基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
获取模块502，用于对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
优化模块503，用于判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
在一个实施例中，所述优化模块503还用于：基于所述接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断所述接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，若不符合，对所述有限元模型重新仿真直至所述接触电阻的仿真误差符合预设标准。
在一个实施例中，所述优化模块503还用于：将所述接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，若所述接触电阻的仿真阻值小于所述阻值阈值，则所述接触电阻符合预设优化标准；若所述接触电阻的仿真阻值大于或等于所述阻值阈值，则所述接触电阻不符合预设优化标准。
在一个实施例中，所述优化模块503还用于：降低所述有限元模型中悬臂梁的刚度，增大所述有限元模型中各触点的触点面积。
在一个实施例中，所述优化模块503还用于：基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值；计算所述收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为所述接触电阻的仿真阻值。
在一个实施例中，所述优化模块503还用于：计算所述接触材料的电阻率和与接触区域内导电斑点的半径的商；所述接触材料的电阻率和是将所述接触电阻的接触材料的电阻率相加获取的；计算所述商与预设系数的乘积作为所述接触电阻的收缩电阻值。
上述MEMS悬臂梁器件结构优化装置，基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型，对有限元模型进行仿真，获取有限元模型的接触电阻的仿真阻值，判断接触电阻是否符合预设优化标准，若否，调整有限元模型的结构，直至有限元模型的接触电阻符合预设优化标准。通过对MEMS悬臂梁器件的结构进行优化，降低了MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
上述MEMS悬臂梁器件结构优化装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图6所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种MEMS悬臂梁器件结构优化方法。
本领域技术人员可以理解，图6中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：基于所述接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断所述接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，若不符合，对所述有限元模型重新仿真直至所述接触电阻的仿真误差符合预设标准。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：将所述接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，若所述接触电阻的仿真阻值小于所述阻值阈值，则所述接触电阻符合预设优化标准；若所述接触电阻的仿真阻值大于或等于所述阻值阈值，则所述接触电阻不符合预设优化标准。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：降低所述有限元模型中悬臂梁的刚度，增大所述有限元模型中各触点的触点面积。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值；计算所述收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为所述接触电阻的仿真阻值。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：计算所述接触材料的电阻率和与接触区域内导电斑点的半径的商；所述接触材料的电阻率和是将所述接触电阻的接触材料的电阻率相加获取的；计算所述商与预设系数的乘积作为所述接触电阻的收缩电阻值。
上述计算机设备，基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型，对有限元模型进行仿真，获取有限元模型的接触电阻的仿真阻值，判断接触电阻是否符合预设优化标准，若否，调整有限元模型的结构，直至有限元模型的接触电阻符合预设优化标准。通过对MEMS悬臂梁器件的结构进行优化，降低了MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：基于所述接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断所述接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，若不符合，对所述有限元模型重新仿真直至所述接触电阻的仿真误差符合预设标准。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：将所述接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，若所述接触电阻的仿真阻值小于所述阻值阈值，则所述接触电阻符合预设优化标准；若所述接触电阻的仿真阻值大于或等于所述阻值阈值，则所述接触电阻不符合预设优化标准。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：降低所述有限元模型中悬臂梁的刚度，增大所述有限元模型中各触点的触点面积。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值；计算所述收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为所述接触电阻的仿真阻值。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：计算所述接触材料的电阻率和与接触区域内导电斑点的半径的商；所述接触材料的电阻率和是将所述接触电阻的接触材料的电阻率相加获取的；计算所述商与预设系数的乘积作为所述接触电阻的收缩电阻值。
上述存储介质，基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型，对有限元模型进行仿真，获取有限元模型的接触电阻的仿真阻值，判断接触电阻是否符合预设优化标准，若否，调整有限元模型的结构，直至有限元模型的接触电阻符合预设优化标准。通过对MEMS悬臂梁器件的结构进行优化，降低了MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：基于所述接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断所述接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，若不符合，对所述有限元模型重新仿真直至所述接触电阻的仿真误差符合预设标准。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：将所述接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，若所述接触电阻的仿真阻值小于所述阻值阈值，则所述接触电阻符合预设优化标准；若所述接触电阻的仿真阻值大于或等于所述阻值阈值，则所述接触电阻不符合预设优化标准。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：降低所述有限元模型中悬臂梁的刚度，增大所述有限元模型中各触点的触点面积。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值；计算所述收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为所述接触电阻的仿真阻值。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：计算所述接触材料的电阻率和与接触区域内导电斑点的半径的商；所述接触材料的电阻率和是将所述接触电阻的接触材料的电阻率相加获取的；计算所述商与预设系数的乘积作为所述接触电阻的收缩电阻值。
上述计算机程序产品，基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型，对有限元模型进行仿真，获取有限元模型的接触电阻的仿真阻值，判断接触电阻是否符合预设优化标准，若否，调整有限元模型的结构，直至有限元模型的接触电阻符合预设优化标准。通过对MEMS悬臂梁器件的结构进行优化，降低了MEMS悬臂梁器件的接触电阻，提高了MEMS悬臂梁器件的可靠性。
需要说明的是，本申请所涉及的用户信息（包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等）和数据（包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等），均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种MEMS悬臂梁器件结构优化方法，其特征在于，所述方法包括：
基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准之前还包括：
基于所述接触电阻的仿真阻值和实测阻值，判断所述接触电阻的仿真误差是否符合预设标准，若不符合，对所述有限元模型重新仿真直至所述接触电阻的仿真误差符合预设标准。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准包括：
将所述接触电阻的仿真阻值与预设的阻值阈值进行对比，若所述接触电阻的仿真阻值小于所述阻值阈值，则所述接触电阻符合预设优化标准；
若所述接触电阻的仿真阻值大于或等于所述阻值阈值，则所述接触电阻不符合预设优化标准。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有限元模型包括悬臂梁，所述悬臂梁的一端设置有多个触点，所述调整所述有限元模型的结构包括：
降低所述有限元模型中悬臂梁的刚度，增大所述有限元模型中各触点的触点面积。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触电阻的仿真阻值通过以下方式获取：
基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值；
计算所述收缩电阻值和表面膜电阻值的和作为所述接触电阻的仿真阻值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述接触电阻的接触材料的电阻率和接触区域内导电斑点的半径获取所述接触电阻的收缩电阻值包括：
计算所述接触材料的电阻率和与接触区域内导电斑点的半径的商；所述接触材料的电阻率和是将所述接触电阻的接触材料的电阻率相加获取的；
计算所述商与预设系数的乘积作为所述接触电阻的收缩电阻值。
7.一种MEMS悬臂梁器件结构优化装置，其特征在于，所述装置包括：
构建模块，用于基于MEMS悬臂梁器件的预设几何参数，建立MEMS悬臂梁器件的有限元模型；
获取模块，用于对所述有限元模型进行仿真，获取所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值；
优化模块，用于判断所述接触电阻的仿真阻值是否符合预设优化标准，若否，调整所述有限元模型的结构，直至所述有限元模型的接触电阻的仿真阻值符合预设优化标准。
8.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
CN202210643741.6A 2022-06-09 2022-06-09 Mems悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备 Active CN114722689B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210643741.6A CN114722689B (zh) 2022-06-09 2022-06-09 Mems悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210643741.6A CN114722689B (zh) 2022-06-09 2022-06-09 Mems悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114722689A true CN114722689A (zh) 2022-07-08
CN114722689B CN114722689B (zh) 2022-09-20

Family

ID=82232683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210643741.6A Active CN114722689B (zh) 2022-06-09 2022-06-09 Mems悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114722689B (zh)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101567021A (zh) * 2009-04-09 2009-10-28 中国人民解放军国防科学技术大学 用于振动发电的矩形悬臂梁压电振子优化设计有限元方法
CN102117946A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 北京大学 采用弹片接触的射频微机电系统开关及其制备方法
US20110204999A1 (en) * 2008-10-14 2011-08-25 Nxp B.V. Frame-shaped mems piezoresistive resonator
CN103678804A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 上海工程技术大学 一种mems开关仿真分析方法
CN104462680A (zh) * 2014-11-26 2015-03-25 工业和信息化部电子第五研究所 静电驱动阶梯型微悬臂梁吸合电压的预测方法和系统
US20160364515A1 (en) * 2015-06-15 2016-12-15 Cadence Design Systems, Inc. Methods and devices for extraction of mems structures from a mems layout
US20170308633A1 (en) * 2016-04-26 2017-10-26 The Boeing Company System for finite element modeling and analysis of a structural product
CN107609308A (zh) * 2017-10-11 2018-01-19 广州供电局有限公司 电缆接头连接管处等效电阻的测量方法及装置
CN109460616A (zh) * 2018-11-12 2019-03-12 广东电网有限责任公司 接触电阻计算方法及装置
CN112269060A (zh) * 2020-09-09 2021-01-26 国联汽车动力电池研究院有限责任公司 一种接触电阻及接触电导率辨识方法及系统
US11209843B1 (en) * 2020-12-15 2021-12-28 Institute Of Automation, Chinese Academy Of Sciences Control method for flexible carbon cantilever beam actuated by smart material
WO2022000936A1 (zh) * 2020-06-28 2022-01-06 瑞声声学科技(深圳)有限公司 悬浮系统等效参数修正方法及系统、介质、电子设备
CN113990412A (zh) * 2021-10-26 2022-01-28 西安交通大学 一种标定材料变形行为的方法、系统、装置及仿真平台
WO2022028629A2 (zh) * 2021-01-26 2022-02-10 深圳顺络电子股份有限公司 一种nr型功率电感及基于有限元仿真的优化设计方法
CN114444365A (zh) * 2022-04-08 2022-05-06 淄博高新技术产业开发区Mems研究院 静电驱动微执行器吸合电压的计算方法、系统及存储介质

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110204999A1 (en) * 2008-10-14 2011-08-25 Nxp B.V. Frame-shaped mems piezoresistive resonator
CN101567021A (zh) * 2009-04-09 2009-10-28 中国人民解放军国防科学技术大学 用于振动发电的矩形悬臂梁压电振子优化设计有限元方法
CN102117946A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 北京大学 采用弹片接触的射频微机电系统开关及其制备方法
CN103678804A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 上海工程技术大学 一种mems开关仿真分析方法
CN104462680A (zh) * 2014-11-26 2015-03-25 工业和信息化部电子第五研究所 静电驱动阶梯型微悬臂梁吸合电压的预测方法和系统
US20160364515A1 (en) * 2015-06-15 2016-12-15 Cadence Design Systems, Inc. Methods and devices for extraction of mems structures from a mems layout
US20170308633A1 (en) * 2016-04-26 2017-10-26 The Boeing Company System for finite element modeling and analysis of a structural product
CN107609308A (zh) * 2017-10-11 2018-01-19 广州供电局有限公司 电缆接头连接管处等效电阻的测量方法及装置
CN109460616A (zh) * 2018-11-12 2019-03-12 广东电网有限责任公司 接触电阻计算方法及装置
WO2022000936A1 (zh) * 2020-06-28 2022-01-06 瑞声声学科技(深圳)有限公司 悬浮系统等效参数修正方法及系统、介质、电子设备
CN112269060A (zh) * 2020-09-09 2021-01-26 国联汽车动力电池研究院有限责任公司 一种接触电阻及接触电导率辨识方法及系统
US11209843B1 (en) * 2020-12-15 2021-12-28 Institute Of Automation, Chinese Academy Of Sciences Control method for flexible carbon cantilever beam actuated by smart material
WO2022028629A2 (zh) * 2021-01-26 2022-02-10 深圳顺络电子股份有限公司 一种nr型功率电感及基于有限元仿真的优化设计方法
CN113990412A (zh) * 2021-10-26 2022-01-28 西安交通大学 一种标定材料变形行为的方法、系统、装置及仿真平台
CN114444365A (zh) * 2022-04-08 2022-05-06 淄博高新技术产业开发区Mems研究院 静电驱动微执行器吸合电压的计算方法、系统及存储介质

Non-Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
V. MAHARSHI等: "Contact Study of MEMS High g Impact Sensor", 《2020 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON EMERGING ELECTRONICS (ICEE)》 *
孙俊峰: "RFMEMS器件及其集成技术研究", 《中国博士学位论文全文数据库(工程科技Ⅱ辑)》 *
左海青等: "汽车连接器接触电阻替代模型的分析", 《机电元件》 *
张永华等: "静电式RF MEMS开关的可靠性", 《微纳电子技术》 *
潘晓琳等: "MEMS开关悬臂梁建模及有限元分析", 《机械》 *
王国涛等: "触点表面接触电阻的测试与统计分析", 《电工材料》 *
谌贵辉等: "RF MEMS悬臂梁开关的设计与仿真", 《传感器与微系统》 *
谭伟: "RFMEMS开关的性能研究", 《万方学位》 *
赵阳等: "小型悬臂梁结构振动参数交互辨识方法", 《机械设计与制造》 *
黄书伟等: "基于内聚力原理的薄膜/基底与微悬臂梁粗糙面间接触分析", 《仪表技术与传感器》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114722689B (zh) 2022-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ohs et al. Meshless analysis of piezoelectric devices
Todoroki The effect of number of electrodes and diagnostic tool for monitoring the delamination of CFRP laminates by changes in electrical resistance
JP7154178B2 (ja) 力覚センサ及び起歪体
Norberg et al. Contact resistance of thin metal film contacts
CN114722689B (zh) Mems悬臂梁器件结构优化方法、装置和计算机设备
Ren et al. Electrical contact resistance of contact bodies with cambered surface
CN116454440A (zh) 一种电池模组膨胀力预测方法、装置、设备及存储介质
Rathinam et al. Static buckling analysis of thin cylindrical shell with centrally located dent under uniform lateral pressure
Yoon et al. System reliability analysis of piezoelectric vibration energy harvesting considering multiple safety events under physical uncertainty
Khiem et al. Effect of piezoelectric patch on natural frequencies of Timoshenko beam made of functionally graded material
Yastrebov et al. Three-level multi-scale modeling of electrical contacts sensitivity study and experimental validation
Seuaciuc-Osório et al. On the reduced-order modeling of energy harvesters
Hoffstadt et al. Modeling approach for the electrodynamics of multilayer de stack-transducers
Li et al. Three-dimensional simulation and prediction of solenoid valve failure mechanism based on finite element model
Chandrasekharan et al. Effects of geometric and material properties on electrical power harvested from a bimorph piezoelectric cantilever beam
Ray Mesh‐free models for static analysis of smart laminated composite beams
Zhang et al. Simulation and experimental investigation of contact spot temperature for electrical contact components
Paik et al. Computational material characterization of active fiber composite
CN115825548B (zh) 一种高压输电线非侵入电压测量模型确定方法和装置
Lindholm Numerical study of asperity distribution in an electrical contact
Ibrahim et al. Optimal strain-deflection analyses of a wedge edged beam for enhanced vibration energy scavenging in patch-like harvester
Dankesreiter et al. Simulation of Rough Electrodes Coupled with Structural Dynamics
Jin et al. Analysis on the Electric-stress Corrosion Characteristics of the Torsion Spring Contact in EHV bushing
Li et al. Effect of compressive pressure on the contact behavior between bipolar plate and gas diffusion layer in a proton exchange membrane fuel cell
JP2019200189A (ja) 圧力センサ、圧力センサモジュール、及びロボットハンド

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant