CN114703520B - 无氰电镀金液及其制备方法和应用、镀金件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及无氰镀金技术领域，公开了一种无氰电镀金液及其制备方法和应用、镀金件及其制备方法。无氰电镀金液包括亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3‑硝基苯甲酸盐、有机胺、硫脲衍生物和溶剂，所述亚硫酸金盐以金元素计的含量为5‑20g/L，所述亚硫酸盐的含量为30‑200g/L，所述3‑硝基苯甲酸盐的含量为1‑12g/L，所述有机胺的含量为5‑40g/L，所述硫脲衍生物的含量为0.1‑20mg/L。本发明中提供的无氰电镀金液，各组分之间相互作用，可提高镀层中晶面(220)的占比，利用直流电电镀制备出表面哑光、色泽均匀、晶面(220)高度取向的电镀金。
Description
技术领域
本发明涉及无氰镀金技术领域，具体涉及一种无氰电镀金液及其制备方法和应用、镀金件及其制备方法。
背景技术
金是导电导热方面仅次于银和铜的金属，常温或加热条件下不会被氧化，且与大部分化学物质都不发生反应，具有极佳的化学稳定性，可焊性好，可热压键合，接触电阻低。因此，镀金在PCB、电子插接件、半导体芯片制造等领域应用广泛。
电镀金的晶面一般包括(111)、(200)、(220)和(311)晶面，晶面取向度越高，电镀金的性能越优异。这是因为：首先，晶面取向度高，则意味着晶界少，电镀金用作导体时，电子在传输的过程中在晶界的散射程度低，更耐电迁移，可靠性好。Nakoshi(Crystallinitydependence of reliability of electroplated gold thin film interconnections."The Proceedings of Conference of Tohoku Branch 2019.54:170)指出减少电镀金的晶界可以提高电镀金互连的可靠性，通过退火处理可以减少电镀金中晶界的数量，由电迁移引起的原子晶界扩散活化能可以从0.54eV增加到0.61eV，从而提高了互连线路的寿命。高取向度的电镀金由于趋近单一取向，晶界的密度很少，因此可靠性高。其次，在退火的过程中，由于晶界容易融合，硬度容易降低，低硬度的电镀金可保证镀层良好的焊接性能。再者，相同高度取向的电镀金材料做热压键合时，电镀金更容易键合，且键合强度高。
目前的电镀金晶面以(111)晶面和(200)晶面为主。R.J.Morrissey(A VERSATILENON-CYANIDE GOLD PLATING SYSTEM.Plating and Surface Finishing 1993 80(4):75-79)报道了使用亚硫酸盐体系的无氰电镀金，研究表明，在电流密度为0.4ASD时，当镀液不含晶体调整剂时，镀层以(200)晶面为主，(200)晶面占比为60％；当镀液中使用砷作为晶体调整剂时，镀层以(111)为主，(111)晶面占比为60％；当镀液中使用有机化合物作为晶体调整剂时，镀层以(111)为主，(111)晶面占比为65％。
安茂忠(Electrochemical behavior of gold(III)in cyanide-free bath with5,5′-dimethylhydantoin as complexing agent."Electrochimica Acta 58:516-522)报道了DMH体系的无氰电镀金，电镀金的晶面以(111)为主，伴随有(200)，(220)和(311)晶面；晶面取向同时受添加剂的影响，加入添加剂增加了镀液的阴极极化，细化了电沉积晶粒，使电沉积的择优取向由(111)方向变为(200)方向。
R.J.Morrissey(Some Further Studies on Porosity in GoldElectrodeposits.Transactions of the IMF 1980 58(1):97-103)报道了氰化物镀金，镀液包含柠檬酸盐、磷酸盐和氰化亚金钾，使用添加剂Bi时，在0.4-0.6ASD电镀可以制备(111)面高度择优取向的金镀层，但是氰化物镀金由于和正光刻胶不兼容，很难用于化合物半导体的制备。
与(111)晶面和(200)晶面相比，晶面(220)高度取向的金镀层难以利用电镀法进行制备，一般采用PVD、CVD的方法进行制备。与电镀相比，PVD或CVD技术设备造价昂贵，且生产效率低，不利于工业化生产。
因此，亟待提供一种利用电镀制备镀层为晶面(220)高度取向的电镀金的镀金件的方法。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术存在的难以利用电镀法制备晶面(220)高度取向的金镀层的问题，提供一种无氰电镀金液及其制备方法和应用、镀金件及其制备方法。
为了实现上述目的，本发明的第一方面提供了一种无氰电镀金液，其中，所述无氰电镀金液包括亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺、硫脲衍生物和溶剂；
其中，基于所述无氰电镀金液的总量，所述亚硫酸金盐以金元素计的含量为5-20g/L，所述亚硫酸盐的含量为30-200g/L，所述3-硝基苯甲酸盐的含量为1-12g/L，所述有机胺的含量为5-40g/L，所述硫脲衍生物的含量为0.1-20mg/L。
本发明的第二方面提供了一种无氰电镀金液的制备方法，其中，所述方法包括：将亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺、硫脲衍生物和溶剂进行混合，得到无氰电镀金液。
本发明的第三方面提供了一种本发明第一方面所述的无氰电镀金液在镀金件制备中的应用。
本发明的第四方面提供了一种镀金件的制备方法，所述方法包括：将待镀件放在本发明第一方面所述的无氰电镀金液中利用直流电进行电镀，得到镀金件；其中，所述电镀的温度为35-70℃，电流密度为0.7-0.9ASD，电镀时间为5-150min。
本发明的第五方面提供了一种由本发明第四方面所述的制备方法制备得到的镀金件；其中，所述镀金件的镀层为晶面(220)高度取向的电镀金，其中，所述晶面(220)的占比≥95％，优选≥98％。
通过上述技术方案，本发明所取得的有益技术效果如下：
1)本发明中提供的无氰电镀金液，亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺和硫脲衍生物之间相互作用，可提高镀层中晶面(220)的占比，利用直流电电镀制备出晶面(220)高度取向的电镀金；
2)本发明中提供的无氰电镀金液，制备方法简单，在电镀过程中稳定性好，得到的镀金件表面哑光，且色泽均匀；
3)本发明中提供的镀金件，制备方法简单，镀金件的镀层具有高度的(220)晶面择优取向，晶面(220)的占比≥95％，在270℃下热处理30min后测得的硬度为40-80HV。
附图说明
图1是本发明实施例1中所制备的镀金件镀层的XRD表征图；
图2是本发明实施例2中所制备的镀金件镀层的XRD表征图；
图3是本发明对比例1中所制备的镀金件镀层的XRD表征图；
图4是本发明对比例2中所制备的镀金件镀层的XRD表征图；
图5是本发明对比例3中所制备的镀金件镀层的XRD表征图；
图6是本发明实施例1中所制备的镀金件镀层的SEM表征图。
图7是测试例3中制备得到的半导体镀金件的轮廓显微镜表征图。
具体实施方式
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
本发明的第一方面提供了一种无氰电镀金液，其中，所述无氰电镀金液包括亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺、硫脲衍生物和溶剂；
其中，基于所述无氰电镀金液的总量，所述亚硫酸金盐以金元素计的含量为5-20g/L，所述亚硫酸盐的含量为30-200g/L，所述3-硝基苯甲酸盐的含量为1-12g/L，所述有机胺的含量为5-40g/L，所述硫脲衍生物的含量为0.1-20mg/L。
其中，本发明对溶剂不做特殊限定，所述溶剂可以是水。本发明的发明人经过研究发现，包含有亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺和硫脲衍生物的无氰电镀金液，可提高镀层中晶面(220)的占比，利用直流电电镀制备出晶面(220)高度取向的电镀金。
在一个优选的实施方式中，本发明对亚硫酸金盐不做特殊限定，本领域常用亚硫酸金盐均可用在本发明中。例如，所述亚硫酸金盐可以选自亚硫酸金钠、亚硫酸金钾和亚硫酸金铵中的一种或多种。
其中，在本发明中，所述亚硫酸金盐为金源，其含量可以是5g/L、6g/L、7g/L、8g/L、9g/L、10g/L、11g/L、12g/L、13g/L、14g/L、15g/L、16g/L、17g/L、18g/L、19g/L、20g/L，以及上述任意两个数值组成的范围中的任意值，优选为10-15g/L。
在一个优选的实施方式中，本发明对亚硫酸盐不做特殊限定，本领域常用亚硫酸盐均可用在本发明中。例如，所述亚硫酸盐可以选自亚硫酸钠、亚硫酸氢钠、亚硫酸钾、亚硫酸氢钾、亚硫酸铵和亚硫酸氢铵中的一种或多种。
其中，在本发明中，所述亚硫酸盐为络合剂，其含量可以是30g/L、40g/L、45g/L、50g/L、55g/L、60g/L、65g/L、70g/L、75g/L、80g/L、90g/L、100g/L、110g/L、120g/L、150g/L、160g/L、180g/L、190g/L、200g/L，以及上述任意两个数值组成的范围中的任意值，优选为40-80g/L。
在一个优选的实施方式中，所述3-硝基苯甲酸盐选自3-硝基苯甲酸钠、3-硝基苯甲酸钾以及3-硝基苯甲酸与无机碱形成的混合物中的一种或多种；其中，所述无机碱选自氢氧化钠和/或氢氧化钾。其中，本发明对3-硝基苯甲酸与无机碱的混合比例不做特殊限定，按照本领域的常规比例进行混合即可。
在进一步优选的实施方式中，所述3-硝基苯甲酸盐选自3-硝基苯甲酸钠或3-硝基苯甲酸与氢氧化钠形成的混合物。
其中，在本发明中，3-硝基苯甲酸盐的含量可以是1g/L、2g/L、3g/L、4g/L、5g/L、6g/L、6.5g/L、7g/L、7.5g/L、8g/L、8.5g/L、9g/L、9.5g/L、10g/L、11g/L、12g/L，以及上述任意两个数值组成的范围中的任意值，优选为6-10g/L。
在一个优选的实施方式中，所述有机胺选自乙二胺化合物、二乙烯三胺、三乙烯二胺和四乙烯五胺中的一种或多种。
其中，所述乙二胺化合物以乙二胺、乙二胺一水合物、乙二胺硫酸盐和乙二胺盐酸盐中的至少一种形式添加于无氰电镀金液中。其中，乙二胺水合物可以为乙二胺一水合物。在本发明所述的无氰电镀金液中，乙二胺化合物可以以上述任意一种形式添加于镀金液时，其投料量均以乙二胺的重量计。
在进一步优选的实施方式中，所述有机胺选自乙二胺、二乙烯三胺、四乙烯五胺中的一种或多种。
其中，在本发明中，有机胺可以提高亚硫酸金盐的稳定性，并且起到极化的效果，可增加金镀层的光亮性。所述有机胺的含量可以是5g/L、6g/L、7g/L、8g/L、9g/L、10g/L、12g/L、14g/L、16g/L、18g/L、20g/L、25g/L、30g/L、35g/L、40g/L，以及上述任意两个数值组成的范围中的任意值，优选为10-20g/L。
在一个优选的实施方式中，所述硫脲衍生物选自硫脲、双硫脲、甲硫脲、乙硫脲、四甲基硫脲、二乙基硫脲、氨基硫脲中的一种或多种，优选选自硫脲、双硫脲、甲硫脲中的一种或多种。
其中，在本发明中，所述硫脲衍生物的含量可以是0.1mg/L、0.5mg/L、1mg/L、1.5mg/L、2mg/L、2.5mg/L、3mg/L、3.5mg/L、4mg/L、4.5mg/L、5mg/L、6mg/L、7mg/L、8mg/L、9mg/L、10mg/L、11mg/L、12mg/L、13mg/L、14mg/L、15mg/L、16mg/L、17mg/L、18mg/L、19mg/L、20mg/L，以及上述任意两个数值组成的范围中的任意值，优选为5-15mg/L。
在一个优选的实施方式中，所述3-硝基苯甲酸盐、有机胺、硫脲衍生物的质量比为1g：0.5-5g：0.1-10mg；优选为1g：1-2.5g：0.5-4mg。
其中，在本发明中，3-硝基苯甲酸盐、有机胺和硫脲衍生物协同作用，可提高镀层中晶面(220)的占比，利用直流电电镀制备出晶面(220)高度取向的电镀金。
在一个优选的实施方式中，所述无氰电镀金液的pH值为6.5-8，优选为6.7-7.5。其中，在本发明中，如果pH值过高，无氰电镀金液会腐蚀光刻胶，无法用于半导体电镀领域；如果pH值过低，无氰电镀金液不稳定性，制备得到的电镀金的综合性能差。在本发明中，无氰电镀金液的pH值可以是6.5、6.6、6.7、6.8、6.9、7.0、7.1、7.2、7.3、7.4、7.5、7.6、7.7、7.8、7.9、8，以及上述任意两个数值组成的范围中的任意值，优选为6.7-7.5。
本发明的第二方面提供了一种无氰电镀金液的制备方法，其中，所述方法包括：将本发明第一方面所述的亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺、硫脲衍生物和溶剂进行混合，得到无氰电镀金液。
其中，在本发明中，亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺和硫脲衍生物既可以直接购买获得，也可以采用本领域的常规方法进行制备。
在一个优选的实施方式中，所述方法包括先将亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺溶解在溶剂中，然后再加入亚硫酸金盐和硫脲衍生物进行混合，得到无氰电镀金液。其中，在本发明中，与直接混合相比，分步混合可以尽可能地避免亚硫酸金盐发生分解，提高无氰电镀金液的稳定性。
本发明的第三方面提供了一种本发明第一方面所述的无氰电镀金液在镀金件制备中的应用，优选在半导体镀金件制备中的应用，进一步优选在晶面(220)高度取向的半导体电镀金制备中的应用。其中，晶面(220)高度取向指的是晶面(220)的占比≥98％。
半导体领域的电镀，对电镀金的硬度和粗糙度有特定的技术要求。本发明中提供的无氰电镀金液，制备出的电镀金尤其可以满足半导体领域对电镀金硬度和粗糙度的技术要求，且制备出的半导体镀金件的线路成形能力好，形状规整，无渗镀缺陷，在半导体领域具有良好的应用前景。
本发明的第四方面提供了一种镀金件的制备方法，所述方法包括：将待镀件放在本发明第一方面所述的无氰电镀金液中利用直流电进行电镀，得到镀金件；其中，所述电镀的温度为35-70℃，电流密度为0.7-0.9ASD，电镀时间为5-150min。
在一个优选的实施方式中，所述电镀的温度为45-60℃，电流密度为0.75-0.85ASD，电镀时间为5-120min。其中，在本发明中，具体电镀时间可根据实际情况进行选择，例如可以优选为5min、6min、7min、8min、9min、10min、15min、20min、25min、30min、35min、40min、50min、60min、70min、80min、90min、100min、110min、120min，以及上述任意两个数值组成的范围中的任意值。
在一个优选的实施方式中，在所述电镀中所述待镀件为阴极，阳极选自铂金钛板。
在一个优选的实施方式中，所述方法还包括清洗。其中，在本发明中，将完成电镀的待镀件从无氰电镀金液中取出，用水优选去离子水进行清洗，可以得到镀层为晶面(220)高度取向的电镀金的镀金件。
本发明的第五方面提供了一种由本发明第四方面所述的制备方法制备得到的镀金件。
在一个优选的实施方式中，所述镀金件的镀层为晶面(220)高度取向的电镀金，其中，所述晶面(220)的占比≥98％。
在一个优选的实施方式中，所述电镀金还包括晶面(311)，其中，所述晶面(311)的占比≤2％。
在一个优选的实施方式中，所述镀金件的表面哑光。
其中，在本发明中，与光亮表面相比，哑光表面的粗糙度高，焊接时面积大，结合力强，尤其适用于制造半导体镀金件。
在一个优选的实施方式中，所述电镀金在270℃下热处理30min后测得的硬度为40-80HV，优选为50-70HV。
在一个优选的实施方式中，所述电镀金的纯度≥99.95％，进一步优选≥99.99％。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
镀层硬度(HV)：利用深圳市浩鑫达仪器有限公司提供的自动转塔维氏硬度计HVX-1000A进行测试。
析出效率：电镀完毕后，采用称重法计算镀液的析出效率，析出效率为电镀金的重量除于电镀过程中通过的电量全部转为一价金的理论重量。
实施例1
在2L的烧杯中，先将60g的亚硫酸钠、10g的乙二胺和10g的3-硝基苯甲酸钠完全溶解在600mL的去离子水中，然后再加入金元素含量为10g的亚硫酸金钠水溶液和5mg的硫脲，之后继续加去离子水配制成1L的pH值为6.7的无氰电镀金液；
将待镀件(黄铜片)作为阴极放入上述无氰电镀金液中，以铂金钛网为阳极，通入直流电进行电镀，电镀结束后用去离子水进行清洗，得到镀金件；其中，阴极的面积为2×2cm2，电镀温度为55℃，电流密度为0.8ASD，电镀时间为70min。
电镀完成后计算析出效率为100％，得到的镀金件的镀层表面哑光、色泽均匀，与光亮表面相比，粗糙度高，焊接时面积大，结合力强。将镀金件在270℃下热处理30min后测得的硬度为56HV。
实施例2
在2L的烧杯中，先将60g的亚硫酸钠、5g的二乙烯三胺和5g的3-硝基苯甲酸钾完全溶解在600mL的去离子水中，然后再加入金元素含量为5g的亚硫酸金钠水溶液和20mg的双硫脲，之后继续加去离子水配制成1L的pH值为7.4的无氰电镀金液；
将待镀件(黄铜片)作为阴极放入上述无氰电镀金液中，以铂金钛网为阳极，通入直流电进行电镀，电镀结束后用去离子水进行清洗，得到镀金件；其中，阴极的面积为2×2cm2，电镀温度为55℃，电流密度为0.8ASD，电镀时间为120min。
电镀完成后计算金的析出效率为99％，得到的镀金件的镀层表面哑光、色泽均匀，将镀金件在270℃下热处理30min后测得的硬度为64HV。
对比例1
与实施例1相同，区别在与：电流密度为0.8ASD改为0.4ASD。
电镀完成后计算析出效率为100％，得到的镀金件的镀层表面光亮、色泽均匀，将镀金件在270℃下热处理30min后测得的硬度为59HV。
对比例2
与实施例1相同，区别在与：乙二胺换成羟基乙叉二膦酸，电流密度为0.8ASD改为0.4ASD。
电镀完成后计算析出效率为47％，得到的镀金件的镀层表面光亮、色泽均匀，将镀金件在270℃下热处理30min后测得的硬度为83HV。
对比例3
与实施例1相同，区别在与：乙二胺换成羟基乙叉二膦酸。电镀完成后计算析出效率为55％，得到的镀金件的镀层表面光亮、色泽均匀，将镀金件在270℃下热处理30min后测得的硬度为79HV。
测试例1
对实施例1-2和对比例1-3中的得到的镀金件的镀层进行XRD表征，结果如图1-5所示。
图1为实施例1中所得镀金件的镀层的XRD表征结果，由图1可知，实施例1所得镀金件的镀层以(220)晶面为主，为晶面(220)高度取向的电镀金。其中，镀层中(220)晶面的占比为99％，其余晶面为(311)晶面。
图2为实施例2中所得镀金件的镀层的XRD表征结果，由图2可知，实施例2所得镀金件的镀层以(220)晶面为主，为晶面(220)高度取向的电镀金。其中，实施例2所得镀金件的镀层中(220)晶面的占比为98％，其余晶面为(311)晶面。
图3为对比例1中所得镀金件的镀层的XRD表征结果，由图3可知，对比例1中得到的镀金件的中镀层中(111)晶面的占比为68％，(200)晶面为的占比为18％，(311)晶面为的占比为14％，晶面取向度小。
图4为对比例2中所得镀金件的镀层的XRD表征结果，由图4可知，对比例2中得到的镀金件的中镀层中(111)晶面的占比为58％，(200)晶面为的占比为10％，(220)晶面为的占比为16％，(311)晶面为的占比为16％，晶面取向度小。
图5为对比例3中所得镀金件的镀层的XRD表征结果，由图4可知，对比例3中得到的镀金件的中镀层中(220)晶面的占比为90％，(111)晶面为的占比为8％，(200)和(311)晶面为的占比各为1％，晶面取向度小。
通过对比实施例和对比例可知，本发明中提供的包含有亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺和硫脲衍生物的无氰电镀金液，可以在0.7-0.9ASD的条件下利用直流电电镀制备出晶面(220)高度取向的电镀金。
测试例2
对实施例1中得到的镀金件的镀层进行SEM表征，结果如图6所示。由图6可知，镀层表面很平滑，观察不到晶粒与晶粒之间的晶界结构。
实施例2和实施例3中所得镀金件的镀层的SEM表征结果与实施例1相似，镀层表面平滑，同样观察不到晶粒与晶粒之间的晶界结构。
测试例3
使用与实施例1中相同的无氰电镀金液对半导体待镀件进行电镀，得到半导体镀金件。其中，半导体待镀件为PVD镀金件，切面结构是Au/TiW/SiO2的硅晶圆，使用正光刻胶AZ4330，光刻胶的高度为5μm。电镀温度为55℃，电流密度为0.8ASD，电镀时间为6min。
对得到的半导体镀金件的外观利用轮廓显微镜(基恩士VK-X3100)进行表征，结果如图7所示。由图7可知，线路的成形能力佳，不存在挤压光刻机导致线路变形以及电镀液向光刻胶侧的渗镀等缺陷，镀层的粗糙度Ra为86nm。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。
Claims (16)
1.一种无氰电镀金液，其特征在于，所述无氰电镀金液包括亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺、硫脲衍生物和溶剂；
其中，基于所述无氰电镀金液的总量，所述亚硫酸金盐以金元素计的含量为5-20g/L，所述亚硫酸盐的含量为30-200g/L，所述3-硝基苯甲酸盐的含量为1-12g/L，所述有机胺的含量为5-40g/L，所述硫脲衍生物的含量为0.1-20mg/L。
2.根据权利要求1所述的无氰电镀金液，其中，所述亚硫酸金盐选自亚硫酸金钠、亚硫酸金钾和亚硫酸金铵中的一种或多种；
和/或，所述亚硫酸盐选自亚硫酸钠、亚硫酸氢钠、亚硫酸钾、亚硫酸氢钾、亚硫酸铵和亚硫酸氢铵中的一种或多种。
3.根据权利要求1或2所述的无氰电镀金液，其中，所述3-硝基苯甲酸盐选自3-硝基苯甲酸钠、3-硝基苯甲酸钾以及3-硝基苯甲酸与无机碱形成的混合物中的一种或多种；其中，所述无机碱选自氢氧化钠和/或氢氧化钾。
4.根据权利要求3所述的无氰电镀金液，其中，所述3-硝基苯甲酸盐选自3-硝基苯甲酸钠或3-硝基苯甲酸与氢氧化钠形成的混合物。
5.根据权利要求1或2所述的无氰电镀金液，其中，所述有机胺选自乙二胺化合物、二乙烯三胺、三乙烯二胺和四乙烯五胺中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的无氰电镀金液，其中，所述硫脲衍生物选自硫脲、双硫脲、甲硫脲、乙硫脲、四甲基硫脲、二乙基硫脲、氨基硫脲中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的无氰电镀金液，其中，所述无氰电镀金液的pH值为6.5-8。
8.根据权利要求7所述的无氰电镀金液，其中，所述无氰电镀金液的pH值为为6.7-7.5。
9.一种无氰电镀金液的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将亚硫酸金盐、亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺、硫脲衍生物和溶剂进行混合，得到无氰电镀金液；
或，所述方法包括先将亚硫酸盐、3-硝基苯甲酸盐、有机胺溶解在溶剂中，然后再加入亚硫酸金盐和硫脲衍生物进行混合，得到无氰电镀金液。
10.权利要求1-8中任意一项所述的无氰电镀金液或权利要求9所述方法制备的无氰电镀金液在镀金件制备中的应用。
11.根据权利要求10所述的应用，其中，所述应用为在半导体镀金件制备中的应用。
12.一种镀金件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将待镀件放在权利要求1-8中任意一项所述无氰电镀金液中利用直流电进行电镀，得到镀金件；其中，所述电镀的温度为35-70℃，电流密度为0.7-0.9 ASD，电镀时间为5-150min。
13.一种利用权利要求12所述制备方法制备得到的镀金件；其中，所述镀金件的镀层为晶面（220）高度取向的电镀金，其中，所述晶面（220）的占比≥95%。
14.根据权利要求13所述的镀金件；其中，所述晶面（220）的占比≥98%。
15.根据权利要求13或14所述的镀金件，其中，所述电镀金还包括晶面（311），其中，所述晶面（311）的占比≤5%；
和/或，所述电镀金在270℃下热处理30min后测得的硬度为40-80 HV。
16.根据权利要求15所述的镀金件，其中，所述晶面（311）的占比≤2%；
和/或，所述电镀金在270℃下热处理30min后测得的硬度为50-70HV。
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