CN114696168A - 一种低信号泄露的高频连接器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低信号泄露的高频连接器，具有外部端子，其与所述同轴电缆的外导体电性连接；绝缘本体，其固定于所述外部端子；内部端子，与所述内导体电性连接并固定于所述绝缘本体；电构件，其以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体的外部并可电性连接于所述外部端子上；所述外部端子具备支承部、圆筒部以及设有第一、第二接合部的铆接卡合部；所述导电构件的一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述外导体的位置，其另一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上可被所述第一接合部卡合形成电性连接的位置。与现有技术相比，能对整个内导体的前端部屏蔽，屏蔽效果好，防止信号泄露。

Description

一种低信号泄露的高频连接器

技术领域

本发明涉及电连接器技术领域，尤其涉及一种低信号泄露的高频连接器。

背景技术

常规的高频连接器，例如，现有技术1(公开号为CN110416839)，包括外部端子120、绝缘本体140和内部端子160，外部端子120和同轴电缆的外导体201固定地电性连接，内部端子160与同轴电缆的内导体203的前端部固定地电性连接。但此技术方案中，所述外部端子120和同轴电缆的外导体201没有完全覆盖内部端子160和内导体203形成的信号通路,存在诸如以下的电气间隙，导致信号屏蔽效果不理想，而且，频率越高，对外辐射的抑制效果越差，尤其对5G毫米波应用来说，这种弊病越发明显：

1)壳体(或称外部端子)120的卡合固定到绝缘本体140上的扣合部124与卡合到外导体201的线夹部125之间的区域外露、无屏蔽；

2)壳体(或称外部端子)120的卡合固定到绝缘本体140上的扣合部124与接合部121之间的区域外露、无屏蔽；

3)壳体(或称外部端子)120的圆周内壁上设有卡合固定绝缘本体140的多个缺口121a，导致此处周围也会存在信号泄露问题。

基于以上的不足，有必要克服上述不足研制一种低信号泄露的、屏蔽效果优良的高频连接器。

发明内容

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案是：一种低信号泄露的高频连接器，可与对方连接器配合连接，包括：同轴电缆，其具有内导体和在所述内导体周围同轴地配置的外导体；外部端子，其与所述同轴电缆的外导体电性连接；绝缘本体，其固定于所述外部端子；内部端子，与所述内导体电性连接并固定于所述绝缘本体；导电构件，其以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体的外部并可电性连接于所述外部端子上；所述外部端子具备沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸并对上述两者进行支承地保持的支承部、从所述支承部的一端垂直地折弯延伸形成的圆筒部以及从所述支承部朝向所述同轴电缆铆接的铆接卡合部；所述铆接卡合部具有在所述内导体与所述内部端子连接部分的周围朝着所述绝缘本体和导电构件进行卡合的第一接合部和与所述外导体卡合形成电性连接的第二接合部；所述导电构件的一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述外导体的位置，其另一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上可被所述第一接合部卡合形成电性连接的位置。

优选地，所述导电构件的位于与所述内导体所在侧的方向相反的另一端在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置。

优选地，所述导电构件与所述绝缘本体通过镶嵌成型工艺形成为一体。

优选地，所述绝缘本体具有基体部、从所述基体部延伸形成的凸伸部、由所述凸伸部的端面突出的台阶部；所述导电构件具有包围所述内导体与所述内部端子的连接部分周围且其一端延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述内导体的前端位置的盖状部，该盖状部的表面与所述台阶部的表面平齐地设置；所述导电构件还具有固强部，该固强部的一端通过一倾斜段与所述盖状部相连；所述固强部镶嵌于所述凸伸部内且其表面与所述凸伸部的表面平齐地设置。

优选地，所述导电构件为通过冲压工艺制成的截面为“Π”形的盖状结构，与所述外部端子的所述支承部盖合形成第一容置槽，所述内导体的前端被完全包覆在所述第一容置槽中。

优选地，所圆筒部的圆周内壁上通过刺破工艺形成有第一凸部，该第一凸部从所述圆筒部的内壁面凸出，与所述绝缘本体的基体部的侧缘上设有的第一凹槽相互卡合。

优选地，所述第一凸部为周围无破洞的凸起。

优选地，所述导电构件的在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置上设有凸包部，用以与对方连接器插合时与其电性连接。

优选地，所述外部端子的圆筒部在沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸的两侧设有突出部，该突出部朝着所述导电构件进行卡合并形成第一接缝，所述导电构件的外表面至少设置一个电性连接到所述突出部的侧凸部。

优选地，所述第一接合部朝着所述绝缘本体和导电构件卡合到所述突出部上并形成第二接缝，该第二接缝与所述第一接缝处于彼此相对错开的位置。

根据本发明的结构，在满足制造工艺可实现的前提下最大程度地消除了上述提到的现有技术中可能存在的电气间隙，能够最大程度地有效抑制信号辐射问题，获得信号泄露低而实现屏蔽效果优良的抗EMI性能。

附图说明

图1为本发明实施例的一种低信号泄露的高频连接器的结构示意图；

图2为本发明实施例的一种低信号泄露的高频连接器的分解示意图；

图3为本发明实施例的对方连接器的结构示意图；

图4为本发明实施例的绝缘本体的结构示意图；

图5为本发明实施例的外部端子的结构示意图；

图6为本发明实施例的导电构件的结构示意图；

图7为本发明实施例的导电构件与绝缘本体镶嵌成型后的组合件的结构示意图；

图8为本发明实施例的示意第一接合部、导电构件与突出部之间组装关系的放大后的剖切示意图；

图9为本发明实施例的示意圆筒部的第一凸部和第一凹槽关系的放大后的剖切示意图。

图10为本发明实施例的一种低信号泄露的高频连接器与对方连接器的配合连接的结构示意图；

图11为本发明实施例的一种低信号泄露的高频连接器与对方连接器的组合状态的剖切示意图；

符号说明：

高频连接器00 对方连接器01 对插端子011 对插外壳012

同轴电缆400 内导体401 外导体402

外部端子310 绝缘本体320 内部端子330 导电构件340

支承部311 第二接缝311a 圆筒部312 铆接卡合部313

第一接合部313a 第二接合部313b 突出部314 基体部321

凸伸部322 台阶部323 第一凸部312a 第一凹槽321a

第一接缝314a 盖状部341 固强部342 第一容置槽343

凸包部344 侧凸部345

具体实施方式

本申请实施例通过提供一种低信号泄露的高频连接器，解决现有技术屏蔽效果不理想和信号泄露的技术难题。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

本发明所公开的技术方案结构是以导电构件为辅助屏蔽功能件，能够有效地屏蔽高频连接器中从电气间隙中泄露出去的信号，使高频连接器及其同轴电缆的整个传输通道(尤其组件的结合处)都能实现信号泄露低的EMI解决方案成为可能，结构简化且便于加工制造。

如图1至图11所示，公开了本申请的一实施例：一种低信号泄露的高频连接器00(以下简称为“高频连接器”)，与对方连接器01配合连接，实现电子设备的通信传输。

如图1和图2所示，高频连接器00包括外部端子310、绝缘本体320、内部端子330、导电构件340以及同轴电缆400，所述外部端子310、绝缘本体320、内部端子330和导电构件340组成连接体300，构成高频连接器00与对方连接器01(如图3)对接配合的端接部分，同轴电缆400作为高频连接器00的传输通道可以任意长度延伸的延长部分，与连接体300相互组合电性连接形成高频连接器00。更具体地，所述同轴电缆400包括由高频介质绝缘地保持的内导体401(或称芯线)及外导体402(或称屏蔽层)，外导体420在内导体401的周围同轴地配置，在所述同轴电缆的末端(在本文中，同轴电缆的与连接体相接合连接的位置也称为前端)依次地暴露。所述内导体401通过压接或焊接等方式与内部端子330的一端电性连接，所述外导体402的一端与外部端子310电性连接，所述内部端子330和外部端子310通过绝缘性的绝缘本体320相互电气绝缘。

参考图2、图4、图6所示，本实施方式的内部端子330和外部端子310、导电构件340都是由一金属板制成的，在本实施例中，在铜合金材料的表面实施镍和金的镀敷而形成。

如图2，并结合图1所示，所述内部端子330，用以与所述对插端子011相互嵌合电性连接(参考图10和图11),固定于所述绝缘本部320内，所述绝缘本体320固定于所述外部端子310。它们通过绝缘本体320的绝缘作用间隔开，所述320的材质为高频介质的绝缘塑胶材料，优选液晶聚合物LCP，从而实现良好的高频指标。

接下来，如图4，并结合图1所示，所述绝缘本体320具备基体部321、凸伸部322和台阶部323。

在本实施例中，基体部321大致呈圆柱体，是形成绝缘本体320的基础的构件，基体部321收容于作为壳体的外部端子310中，在基体部321上形成所述凸伸部322和台阶部323。

所述凸伸部322是从所述基体部321上延伸形成的。

所述台阶部323是由所述凸伸部322的端面突出形成的。

如4图所示，优选地，所述基体部321的侧缘上设置有第一凹槽321a。

如图5所示，结合图2所示，所述外部端子310具备沿着所述同轴电缆400与所述绝缘本体320延伸并对上述两者进行支承地保持的支承部311、从所述支承部311的一端垂直地折弯延伸形成的圆筒部312以及从所述支承部311朝向所述同轴电缆400铆接的铆接卡合部313。

需要注意的是，其中图2中所示的是所述外部端子310未安装组合绝缘本体320的安装前的结构，此时，铆接卡合部313未与圆筒部312及其突出部314进行卡合固定，支撑部311、铆接卡合部313与圆筒部312、突出部314这间呈一定的夹角(优选地为钝角，便于绝缘本体320的组合安装)。其中图5中所示的是所述外部端子310安装组合绝缘本体320后的结构，此时，铆接卡合部313与圆筒部312及其突出部314已处处于卡合固定状态，支撑部311、铆接卡合部313与圆筒部312、突出部314的结构与位置关系与图1的组装成品的状态相同。

所述支承部311是在配置状态下为沿着所述绝缘本体320和同轴电缆400横向地延伸的板状构件，该支承部311支承并保持所述绝缘本体320和同轴电缆400，在所述支承部311上形成有圆筒部312、铆接卡合部313。

所述圆筒部312为筒状的构件，用以与对方连接器01的对接外壳012(接地电位部件)相互嵌合，形成电性连接(参考图10所示)。

所述铆接卡合部313为朝向绝缘本体320和同轴电缆400铆接的构件，具有第一接合部313a和第二接合部313b，所述第一接合部313a在所述内导体401与所述内部端子330连接部分的周围朝着所述绝缘本体320和导电构件340进行卡合，所述第二接合部313b与所述外导体402卡合形成电性连接。由上动作，通过对铆接卡合部313进行铆接，从而使得所述同轴电缆400、绝缘本体320和导电构件340一体地固定在一起。

所述铆接卡合部313还具有第三接合部313c，用以铆接于同轴电缆的外皮上用以使连接体与同轴电缆之间固定。

如图6、图7所示，所述导电构件340与所述绝缘本体320通过镶嵌成型工艺(insert-molding)形成为一体，以实现两者之间的高可靠结合地固定，同时，也便于制造。

更具体地，再次参考图6，并结合图7所示，所述导电构件340为通过冲压工艺制成的截面为“Π”形的盖状结构，具有盖状部341和固强部342，所述固强部342的一端通过一倾斜段340a与所述盖状部341相连，所述盖状部341的表面设置为与所述绝缘本体的台阶部323的表面平齐，所述固强部342镶嵌于所述凸伸部322内,并设置为其表面与所述凸伸部322的表面平齐，如此以来，可保证导电构件340的结构作为绝缘本体320内的一部分设置，一方面加强了结绝本体320的结构强度，从而可靠地保证所述导电构件340始终以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体401的外部，以屏蔽外露的内导体401的相应前端部分和内部端子330，并可借由导电构件340的作用将绝缘本体320的此段区域实现金属化(或称导电化)，从而在实现对内部端子330和内导体外露的前端进行屏蔽的同时，能够电性连接于所述外部端子310上形成阻抗的完整的参考地，保证了阻抗的连续性，可获得优越的VSWR指标；另一方面，也不会额外地增加连接体的外形(尤其不会增加其高度)，从而适用于小型化。

优选的，如图10所示，在本实施例中，所述盖状部341与所述外部端子310的所述支承部311盖合形成第一容置槽343，从而包围所述内导体401与所述内部端子330的连接部分周围且其一端延伸至在所述同轴电缆400的轴向上覆盖所述内导体401的前端位置，如此，使得所述内导体401外露的需要内部端子330相接合连接的前端被完全包覆在所述第一容置槽343中，屏蔽效果好，结构简单。

在现有技术中，绝缘本体160的位于接合部121与扣合部124之间以及位于扣合部124与线夹部125之间的两个部位内的信号传输通道都没有被壳体120完全包覆、导致屏蔽效果差，信号泄露(参考背景技术中的内容)。为了解决上技术问题，如图11，并结合图1所示，所述导电构件340的一端至少延伸至在所述同轴电缆400的轴向上覆盖所述外导体402的位置X，其另一端至少延伸至在所述同轴电缆400的轴向上可被所述第一接合部313a卡合形成电性连接的位置Y。优选地，所述导电构件340的位于与所述内导体401所在侧的方向相反的另一端在所述同轴电缆400的轴向上延伸至与所述圆筒部312形成重叠的位置Z。这样，该内部端子330位于圆筒部312与第一接合部313a之间的部位以及内部端子330与外露的内导体401的前端401a接合部分所在的第一接合部313a与第二接合部313b之间的部分，都由所述导电构件340和外部端子310组成的共同屏蔽结构下实现了完全包覆，与现有技术1相比，实现对整个传输通道的全屏蔽，防止了信号泄露，大大提升了抗EMI能力。

优选地，如图9，并结合图1、图4等所示，注意，图9为为按图1中的B-B剖切线进行剖切后的剖切图，在本实施例的外部端子310中，所述圆筒部312的圆周内壁上通过刺破工艺形成有第一凸部312a，该第一凸部312a从所述圆筒部312的内壁面凸出，用以与基体部321的第一凹槽321a相互卡合固定以实现对所述绝缘本体320限位，使绝缘本体320稳定地固定在外部端子310内，省去了其它复杂固定方式，简化了结构，组装方便。

上述第一凸部312a的形成方式之所以采用这种刺破工艺，是因为可以因此将第一凸部312a设置为周围无破洞的凸起，不会使内部端子330从此处暴露，避免了现有技术采用卡合固定工艺缺口方式而出现信号泄露问题，从而确保此处没有信号泄露的风险，进一步提高了抗EMI能力。

进一步地，如图8并参考图1、图5、图6所示，其中，需要说明的是，图8为按图1中的A-A剖切线进行剖切后的剖切图，本实施例中，所述圆筒部312在沿着所述同轴电缆400与所述绝缘本体320延伸的两侧还设有突出部314(在本实施例中，数量为两个或一对)，被所述第一接合部313a卡合固定，该突出部314朝着所述导电构件340进行卡合时形成第一接缝314a，位于相对的突出部314的两端面之间的位置V1，所述导电构件340的外表面至少设置一个电性连接到所述突出部314的侧凸部345(参考图6和图8)，用以保证导电构件340与所述外部端子310电性连接在一起，形成完整的参考接地电位，进一步增强了抗EMI能力。

进一步地，参考图8，所述第一接合部313a朝着所述绝缘本体320和导电构件340卡合到所述突出部314上并形成第二接缝311a，处于位置V2，该第二接缝311a的V2位置与所述第一接缝314a所处的V1位置处于彼此相对错开的位置，即在纵向上不在一条线上，因而，不会在纵向上形成一条使内部端子330向外暴露的通槽缝。如上设置，可保证第一接缝314a和第二接缝311a所在的位置区域都有屏蔽遮蔽的覆盖，相对于现有技术方案的由于第一接缝314a和第二接缝311a处于同一位置造成信号泄露存在干扰问题，本实施例完全设有此问题，EMC效果更好。

如图11、并参考6、图7所示，为进一步实现更低的信号泄露，所述导电构件340的在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部312形成重叠的位置上设有凸包部344，用以进一步额外地增加一个导电构件340与对接外壳012电性连接的电连接点，防止在高频连接器00与对方连接器01插合过程中导电构件340意外与对接外壳012断开时保证两者之间能够还有一个电性连接点，从而在包括对方连接器在内的所有传输通道都具有良好的外屏蔽能力，实现更加有效的低信号泄露的高频连接器方案。

通过以上如此设置，本发明克服了技术背景中提及的三区段处存在的信号泄露问题，抗EMI能力优越，从而获得低信号泄露的高频电连接器，另外，本结构简单可靠，容易实现。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种低信号泄露的高频连接器，可与对方连接器配合连接，其特征在于，包括：

同轴电缆，其具有内导体和在所述内导体周围同轴地配置的外导体；

外部端子，其与所述同轴电缆的外导体电性连接；

绝缘本体，其固定于所述外部端子；

内部端子，与所述内导体电性连接并固定于所述绝缘本体；

导电构件，其以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体的外部并可电性连接于所述外部端子上；

所述外部端子具备沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸并对上述两者进行支承地保持的支承部、从所述支承部的一端垂直地折弯延伸形成的圆筒部以及从所述支承部朝向所述同轴电缆铆接的铆接卡合部；

所述铆接卡合部具有在所述内导体与所述内部端子连接部分的周围朝着所述绝缘本体和导电构件进行卡合的第一接合部和与所述外导体卡合形成电性连接的第二接合部；

所述导电构件的一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述外导体的位置，其另一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上可被所述第一接合部卡合形成电性连接的位置。

2.如权利要求1所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述导电构件的位于与所述内导体所在侧的方向相反的另一端在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置。

3.如权利要求1或2所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述导电构件与所述绝缘本体通过镶嵌成型工艺形成为一体。

4.如权利要求3所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述绝缘本体具有基体部、从所述基体部延伸形成的凸伸部、由所述凸伸部的端面突出的台阶部；所述导电构件具有包围所述内导体与所述内部端子的连接部分周围且其一端延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述内导体的前端位置的盖状部，该盖状部的表面与所述台阶部的表面平齐地设置；所述导电构件还具有固强部，该固强部的一端通过一倾斜段与所述盖状部相连；所述固强部镶嵌于所述凸伸部内且其表面与所述凸伸部的表面平齐地设置。

5.如权利要求4所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述导电构件为通过冲压工艺制成的截面为“Π”形的盖状结构，与所述外部端子的所述支承部盖合形成第一容置槽，所述内导体的前端被完全包覆在所述第一容置槽中。

6.如权利要求1或2所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述圆筒部的圆周内壁上通过刺破工艺形成有第一凸部，该第一凸部从所述圆筒部的内壁面凸出，与所述绝缘本体的基体部的侧缘上设有的第一凹槽相互卡合。

7.如权利要求6所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述第一凸部为周围无破洞的凸起。

8.如权利要求3所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述导电构件的在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置上设有凸包部，用以与对方连接器插合时与其电性连接。

9.如权利要求1所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述外部端子的圆筒部在沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸的两侧设有突出部，该突出部朝着所述导电构件进行卡合并形成第一接缝，所述导电构件的外表面至少设置一个电性连接到所述突出部的侧凸部。

10.如权利要求9所述的一种低信号泄露的高频连接器，其特征在于：所述第一接合部朝着所述绝缘本体和导电构件卡合到所述突出部上并形成第二接缝，该第二接缝与所述第一接缝处于彼此相对错开的位置。

Images