CN114686986B - 一种SnSe2单晶的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种SnSe2单晶的制备方法,包括如下步骤:彻底清洗石英管,将其置于恒温干燥箱中干燥后,自然冷却至室温,装入高纯Sn粒、Se粒与碘颗粒;抽真空至真空度≤0.01Pa,再向其中通入高纯氩气至1000Pa,重复操作两次;在管内压强500~3000Pa的氩气保护下,将石英管密封;将已密封的石英管平放于小型箱式炉中,由室温升温至最高温,并保持48~144h后,以2~5℃/min的降温速率将炉膛温度降至300℃后,自然冷却至室温,即获得SnSe2单晶。本发明生长出来的SnSe2单晶取向性强,便于剥离;无杂质、少缺陷;大片、高质量;并且所需设备简单、能耗更低、操作便捷,同时制备周期短。
Description
技术领域
本发明涉及凝聚态物理领域,具体涉及一种SnSe2单晶的制备方法。
背景技术
二维层状半导体材料SnSe2化学稳定性强,是良好的相变材料;且具有原料储备丰富、廉价环保、无毒无污染等优点;尤其SnSe2单晶材料的优异光电、热电与电学性能使其在太阳能电池、传感器和电子器件等领域拥有广泛的应用前景。但是,目前已报道的人工生长的SnSe2单晶材料普遍具有以下的局限:1.普遍存在杂质与缺陷,这导致所制备的器件信号不稳定且寿命短;2.单晶取向性不强导致片层不易剥离,较难获得制备器件所需的具有良好输运性能的高质量的ab面SnSe2单晶薄层;3.具有样品生长过程周期长、能耗高的缺点。
目前,SnSe2单晶材料常用的制备方法有:熔体法、化学气相输运法和助溶剂法。其中,通过熔体法制备的SnSe2单晶材料是含有SnSe单晶的欠Se混合体系,且片层不易剥离,因此很难得到纯净的SnSe2单晶薄片材料;而通过化学气相输运法制备的SnSe2单晶材料,由于其制备过程中使用较高浓度的碘单质作为气相输运的介质,使得SnSe2单晶材料中混有杂质碘,并且此方法需采用双温区炉,其能耗高,不易操作,单晶制备周期长;通过助溶剂法制备单晶材料,其最终产物为SnSe2+x的过Se体系,而非SnSe2单晶,且样品含有大量的本征缺陷。因此,制备取向性强、无杂质、少缺陷的大片高质量SnSe2单晶材料,并且使用的生长方法能耗更低、操作简便、制备周期短是本发明要实现的目标。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供了一种SnSe2单晶的制备方法,生长出来的SnSe2单晶取向性强,便于剥离;无杂质、少缺陷;大片、高质量;并且所需设备简单、能耗更低、操作便捷,同时制备周期短,可为以SnSe2单晶为基材的各种功能型器件的制作提供材料支持。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种SnSe2单晶的制备方法,包括如下步骤:
S1.彻底清洗石英管后,将其置于恒温干燥箱中,120℃干燥30min,自然冷却至室温;
S2.配料与封装
S21.将化学配比为1:1.7~1:2.2的高纯Sn粒与Se粒共5g与5~50mg的碘颗粒共同置于石英管中,抽真空至真空度≤0.01Pa,再向其中通入高纯氩气至1000Pa,重复操作两次;
S22.在管内压强500~3000Pa的氩气保护下,使用火焰封口设备将盛有样品的石英管密封;
S3.高温烧制
将已密封的石英管平放于小型箱式炉中,将原料集中在石英管一端,并将此端置于炉膛内侧的热电偶处,无原料的一端置于炉门处,由室温经36h升温至600~800℃,在最高温保持48~144h后,以2~5℃/min的降温速率将炉膛温度降至300℃后,自然冷却至室温,在玻璃管近箱式炉炉门一端,即获得SnSe2单晶。
作为本技术方案的进一步改进,所述步骤S1中,彻底清洗石英管时,首先,将石英管用洗涤皂液清洗,用蒸馏水冲洗,然后置于恒温干燥箱中,120℃干燥30min,自然冷却至室温后,取出,用浓度为0.05%的稀盐酸浸泡,同时超声10min后,取出,用蒸馏水清洗,然后用无水乙醇浸泡,同时超声10min,取出,再用蒸馏水清洗。
作为本技术方案的进一步改进,所述步骤S2中,高纯Sn粒与Se粒的化学配比为1:2.05~1:2.15,可进一步优选为1:2.12;碘颗粒的用量可在9.0~11.0mg,可进一步优选为9.5mg。
作为本技术方案的进一步改进,所述步骤S3中,最高温度在675~725℃,可进一步优选为710℃;在最高温度710℃保持75~125h,可进一步优选为100h。
作为本技术方案的进一步改进,所述步骤S3中,以4.0~4.5℃/min的降温速率将炉膛温度降至300℃。
本发明采用低浓度输运介质的简易化学气相输运法,操作过程简单,制备周期短,能耗低,符合绿色环保理念,且可制备出具有强c轴取向、无杂质、少缺陷、大片的纯相SnSe2单晶,在单晶合成与器件制备等方向具有重要的研究意义和科学价值。具体体现在以下几个方面:
1.相较于已报道的使用化学气相输运法制备SnSe2单晶的文章,此方法使用碘的质量仅为10mg。高温时,安瓿管中碘的浓度约为1mg/cm3,所制备合成的SnSe2单晶在XRD与EDX测试中未发现碘元素的存在。
2.本方法使用简单的小型箱式炉,充分利用自炉腔内部至炉门处自然形成的温度梯度。相比于通常化学气相输运法所使用的双温区炉,能耗更低,且生长周期更短,仅需9.5天。
3.使用本方法制备合成的SnSe2单晶具有较高的质量,从粉末XRD和片层样品XRD对应晶面的衍射峰与标准卡片的峰位完全一致可知。
4.用本方法制备合成的SnSe2单晶各向异性强。片层样品XRD衍射c轴对应的(001)、(002)、(003)、(004)等衍射峰在XRD扫描步进速率为10°/min时,(001)晶面对应衍射峰峰强计数高达29792(一般情况下,以此步进速率进行XRD扫描时,峰强计数大致在2000左右),说明此SnSe2单晶的c轴取向性极强;粉末XRD衍射结果标准化后,c轴对应的(001)、(002)、(003)、(004)等衍射峰强度比标准卡片对应峰的强度明显偏高;且粉末XRD衍射结果中(001)晶面对应的衍射峰强度成为所有衍射峰中最强,而在标准卡片中(011)晶面对应的衍射峰强度是所有衍射峰中最强,也证明了使用此方法制备的SnSe2单晶的c轴取向性极强。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明实施例获得的SnSe2单晶照片。
图2为SnSe2单晶粉末XRD衍射与标准卡片对照图。
图3为片状SnSe2单晶的XRD衍射图。
图4为SnSe2单晶SEM图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
一种SnSe2单晶的制备方法,包括如下步骤:
S1.彻底清洗石英管,清洗时,首先,将石英管用洗涤皂液清洗,用蒸馏水冲洗,然后置于恒温干燥箱中,120℃干燥30min,自然冷却至室温后,取出,用浓度为0.05%的稀盐酸浸泡,同时超声10min后,取出,用蒸馏水清洗,然后用无水乙醇浸泡,同时超声10min,取出,再用蒸馏水清洗,然后将其置于恒温干燥箱中,120℃干燥30min,自然冷却至室温;
S2.配料与封装
S21.将化学配比为1:2.1的高纯Sn粒(纯度≥99.99%)与Se粒(纯度≥99.99%)共5g(其中,Sn粒2.0861g,Se粒2.9139g)与10mg的碘颗粒共同置于石英管(20cm长,内径1cm,壁厚2mm)中,抽真空至真空度≤0.01Pa,再向其中通入高纯氩气(纯度≥99.99%)至1000Pa,重复操作两次,已达到高纯氩气清洗石英管,去除原石英管内的氧气、二氧化碳、水蒸气等杂质的目的;
S22.在管内压强1000Pa的氩气保护下,使用火焰封口设备将盛有样品的石英管密封(密封后石英管10cm长);
S3.高温烧制
将已密封的石英管平放于小型箱式炉中,将原料集中在石英管一端,并将此端置于炉膛内侧的热电偶处,无原料的一端置于炉门处,由室温经36h升温至700℃,在700℃保持96h后,以4.2℃/min的速率将炉膛温度降至300℃后,自然冷却至室温,在玻璃管近箱式炉炉门一端,即获得SnSe2单晶。
图1为本发明实施例获得的SnSe2单晶照片,其中的小网格为1mm×1mm的正方形,可见,此法生长的SnSe2单晶为片状,具有光滑且平整的表面,表面尺寸可达20mm×10mm,厚度在0.001mm~0.01mm。
图2为SnSe2单晶粉末XRD衍射与标准卡片对照图。与标准卡片对照,可确认实验获得的单晶属于三方晶系、空间群P3—M1的纯净SnSe2单晶,无其他杂质相,所制备的SnSe2单晶(001)、(002)、(003)、(004)衍射峰强度均高于标准卡片相应衍射峰强度,证实所制备的SnSe2单晶c轴取向性强。
图3为片状SnSe2单晶的XRD衍射图。本发明所制备的SnSe2单晶(001)方向系列衍射峰清晰可见,且强度高。在XRD测试步进速率10°/min时,(001)晶面衍射峰强度已高达29792,证实所制备的SnSe2单晶c轴取向性强。
图4为SnSe2单晶SEM图。可见,本发明所制备的SnSe2单晶层状结构明显,无杂质与缺陷。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。
Claims (4)
1.一种SnSe2单晶的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1.彻底清洗石英管后,将其置于恒温干燥箱中,120℃干燥30min,自然冷却至室温;
S2.配料与封装
S21.将化学配比为1:2.05~1:2.15的高纯Sn粒与Se粒共5g与9.0~11.0mg的碘颗粒共同置于石英管中,抽真空至真空度≤0.01Pa,再向其中通入高纯氩气至1000Pa,重复操作两次;
S22.在管内压强500~3000Pa的氩气保护下,使用火焰封口设备将盛有样品的石英管密封;
S3.高温烧制
将已密封的石英管平放于小型箱式炉中,将原料集中在石英管一端,并将此端置于炉膛内侧的热电偶处,无原料的一端置于炉门处,由室温经36h升温至600~800℃,在最高温保持48~144h后,以2~5℃/min的降温速率将炉膛温度降至300℃后,自然冷却至室温,即获得SnSe2单晶。
2.如权利要求1所述的一种SnSe2单晶的制备方法,其特征在于:所述步骤S1中,彻底清洗石英管时,首先,将石英管用洗涤皂液清洗,用蒸馏水冲洗,然后置于恒温干燥箱中,120℃干燥30min,自然冷却至室温后,取出,用浓度为0.05%的稀盐酸浸泡,同时超声10min后,取出,用蒸馏水清洗,然后用无水乙醇浸泡,同时超声10min,取出,再用蒸馏水清洗。
3.如权利要求1所述的一种SnSe2单晶的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,最高温度在675~725℃,在最高温度710℃保持75~125h。
4.如权利要求1所述的一种SnSe2单晶的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,以4.0~4.5℃/min的降温速率将炉膛温度降至300℃。
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