CN114672775A - 溅射装置以及晶圆镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种溅射装置以及晶圆镀膜方法，该溅射装置包括反应单元，反应单元包括反应室、置物架和加热件，反应室内设有多种靶材，多种靶材沿反应室的周向间隔设置，置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位，置物架能够在反应室内转动，以驱使承托位与多种靶材中的任一种对应设置，加热件的数量与承托位的数量一致，加热件与承托位对应设置。在一个反应室内设置多种靶材，以及通过置物架的转动实现晶圆与不同靶材对应设置，实现了晶圆在一个反应室内能够进行多工艺镀膜，提高了生产的效率，另外，减少了反应室的数量，使得溅射装置的制造成本得到降低，此外，无需晶圆频繁离开反应室，避免了环境对晶圆制造过程中产生不良影响。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种溅射装置以及晶圆镀膜方法。
背景技术
本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
晶圆镀膜通常利用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)溅射的方法来完成，并且通过溅射装置来具体实施。溅射装置包括反应室以及机械手，反应室内设有单一种类的靶材，晶圆进行镀膜时，机械手将晶圆放置到反应室内，利用靶材对晶圆进行溅射处理。
当需要对晶圆进行多种靶材的镀膜时，需要对应每一种靶材设置一个反应室，镀膜过程中，晶圆在一个反应室溅射处理完成后，机械手将晶圆转移至下一个反应室进行再次溅射，直至将晶圆完成所有靶材的溅射。
在溅射装置上设置多个反应室增加了溅射装置的成本，另外，晶圆在多个反应室之间切换以进行溅射处理的方式效率较低。
发明内容
本发明的第一方面提出了一种溅射装置，所述溅射装置包括反应单元，所述反应单元包括：
反应室，所述反应室内设有多种靶材，所述多种靶材沿所述反应室的周向间隔设置；
置物架，所述置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位，所述置物架能够在所述反应室内转动，以驱使所述承托位与所述多种靶材中的任一种对应设置；
加热件，所述加热件的数量与所述承托位的数量一致，所述加热件与所述承托位对应设置。
本发明的第二方面提出了一种晶圆镀膜方法，该晶圆镀膜方法根据如上所述的溅射装置来实施的，所述晶圆镀膜方法包括：
S10：将晶圆放置到一个反应室的置物架的承托位上，使得晶圆与一种靶材对应设置；
S20：对晶圆进行溅射处理；
S30：待晶圆被溅射处理完毕后，驱动置物架转动，使得晶圆与另一种靶材对应设置；
S40：再次对晶圆进行溅射处理；
S50：若一个反应室内的靶材种类能够满足晶圆的镀膜需求，则重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成；
S60：若一个反应室内的靶材种类不能够满足晶圆的镀膜需求，将未处理完成的晶圆放置到另一个反应室的置物架的承托位上，使得未处理完成的晶圆与另一个反应室的一种靶材对应设置，重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中：
图1示意性地示出了根据本发明第一实施方式的溅射装置结构简图；
图2示意性地示出了根据本发明第二实施方式的溅射装置结构简图
图3为图1中所示的溅射装置的局部剖视图；
图4为图3中所示的溅射装置的置物架结构示意图(局部结构)；
图5为图4中所示的置物架的支撑部的结构示意图；
图6示意性地示出了根据本发明的晶圆镀膜方式的流程图。
附图标记如下：
100为溅射装置；
10为反应单元；
11为反应室，111为靶材；
12为置物架，121为通孔，122为承托位，1221为支撑部，1222为过孔；
13为加热件，131为加热部，132为举升部；
14为阻断结构；
20为取放单元。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
应理解的是，文中使用的术语仅出于描述特定示例实施方式的目的，而无意于进行限制。除非上下文另外明确地指出，否则如文中使用的单数形式“一”、“一个”以及“所述”也可以表示包括复数形式。术语“包括”、“包含”、“含有”以及“具有”是包含性的，并且因此指明所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或者添加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组合。文中描述的方法步骤、过程、以及操作不解释为必须要求它们以所描述或说明的特定顺序执行，除非明确指出执行顺序。还应当理解，可以使用另外或者替代的步骤。
尽管可以在文中使用术语第一、第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部段，但是，这些元件、部件、区域、层和/或部段不应被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部段与另一区域、层或部段区分开。除非上下文明确地指出，否则诸如“第一”、“第二”之类的术语以及其它数字术语在文中使用时并不暗示顺序或者次序。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部段在不脱离示例实施方式的教导的情况下可以被称作第二元件、部件、区域、层或部段。
为了便于描述，可以在文中使用空间相对关系术语来描述如图中示出的一个元件或者特征相对于另一元件或者特征的关系，这些相对关系术语例如为“内部”、“外部”、“内侧”、“外侧”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等。这种空间相对关系术语意于包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中装置的不同方位。例如，如果在图中的装置翻转，那么描述为“在其它元件或者特征下面”或者“在其它元件或者特征下方”的元件将随后定向为“在其它元件或者特征上面”或者“在其它元件或者特征上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括在上和在下的方位。装置可以另外定向(旋转90度或者在其它方向)并且文中使用的空间相对关系描述符相应地进行解释。
如图1至图5所示，根据本发明的实施方式，本发明提出了一种溅射装置100，溅射装置100包括反应单元10，反应单元10包括反应室11、置物架12和加热件13，反应室11内设有多种靶材111，多种靶材111沿反应室11的周向间隔设置，置物架12上设有至少一个用于放置晶圆的承托位122，置物架12能够在反应室11内转动，以驱使承托位122与多种靶材111中的任一种对应设置，加热件13的数量与承托位122的数量一致，加热件13与承托位122对应设置。
具体地，上述溅射装置100的反应室11内设有多种靶材111，多种靶材111靠近反应室11的顶部设置，并且多种靶材111沿反应室11的周向间隔设置，置物架12以可转动的方式设置在反应室11内，并且置物架12靠近反应室11的底部设置，通过置物架12在反应室11内的转动，能够使得承托位122与任一靶材111对应设置。
当对晶圆进行镀膜时，将晶圆放置在承托位122上，驱动置物架12转动，使得承托位122对应在一个靶材111的底部，此时位于承托位122上的晶圆与该靶材111对应设置，此时，一个靶材111、承托位122以及与承托位122对应的加热件13形成一个溅射工位，启动该溅射工位(靶材111被离子轰击以实现对晶圆的溅射，并且加热件13对晶圆进行加热)，使得晶圆在该溅射工位上被溅射处理，当溅射处理完成后，该溅射工位停止工作；置物架12转动，使得承托位122带动晶圆与下一个靶材111对应设置，此时，另一个靶材111、承托位122以及与承托位122对应的加热件13形成另一个溅射工位，启动该溅射工位，使得晶圆在该溅射工位上被溅射处理，当溅射处理完成后，该溅射工位停止工作；重复晶圆的位置切换实现了对晶圆的多工艺镀膜处理。
通过在一个反应室11内设置多种靶材111，以及通过置物架12的转动实现晶圆与不同靶材111对应设置，从而实现了晶圆在一个反应室11内能够进行多工艺镀膜，整个过程无需对晶圆进行频繁取放，从而提高了生产的效率，另外，减少了反应室11的数量，使得溅射装置100的制造成本得到降低，此外，无需晶圆频繁离开反应室11，避免了环境对晶圆制造过程中产生不良影响(例如离开反应室11后由于灰尘导致晶圆出现坏点等)。
需要指出的是，多种靶材111沿反应室11的周向等间隔设置，通过将多种靶材111等间隔设置，使得置物架12的转动幅度一致，从而简化的控制逻辑，进一步提高了生产的效率。
进一步理解的是，承托位122的数量与多种靶材111的数量一致，承托位122与多种靶材111对应设置。具体地，承托位122的数量为多个，并且承托位122的数量与反应室11内靶材111的种类一致，当一个承托位122与其中的一个靶材111对应设置时，其它承托位122与其它的靶材111一一对应，多种靶材111按照晶圆镀膜的顺序设置，并且置物架12的转动方向与多种靶材111的设置顺序一致。
当对晶圆进行镀膜时，在每一承托位122上分别放置一个晶圆，随着置物架12的转动，每一个承托位122上的晶圆分别按照镀膜顺序与每一种靶材111对应设置，晶圆在于每一种靶材111对应设置后可进行溅射处理。通过在置物架12上设置多个承托位122，并且设置多种靶材111，使得产品的生产的效率得到了进一步地提升。
需要指出的是，多个承托位122沿置物架12的转动方向等间隔设置，并且多种靶材111也沿置物架12的转动方向等间隔设置，置物架12切换一次可实现每一个承托位122的位置切换，进一步提高了产品生产过程中的效率。
进一步地，如图3所示，加热件13包括加热部131和举升部132，举升部132与加热部131传动连接，以驱动加热部131向靠近或者远离置物架12的方向移动。具体地，加热件13的数量与靶材111的种类相对应，并且每一种靶材111的下方均对应设置一个加热件13，当承托位122与靶材111对应时，靶材111、承托位122以及加热件13构成一个溅射工位，位于承托工位上的晶圆可被溅射处理。
当晶圆放置在承托位122上且处于溅射工位时，在对晶圆进行溅射处理的过程中，举升部132带动加热部131向靠近置物架12的承托位122的方向运动，直至加热部131靠近晶圆设置，加热部131启动对晶圆的加热，靶材111对晶圆进行溅射处理，当对晶圆溅射处理完成后，举升部132带动加热部131向远离置物架12的承托位122的方向运动。通过举升部132驱动加热部131的运动，实现了加热部131靠近或者远离晶圆的运动，从而保证了对晶圆的加热效果，进而保证了晶圆被溅射处理的效果。
需要指出的是，置物架12上过孔1222，并且在过孔1222内设有多个支撑部1221，多个支撑部1221沿过孔1222的周向等间隔设置，并且支撑部1221向过孔1222的孔心位置延伸，过孔1222及支撑部1221构成了置物架12的承托位122。当晶圆放置在承托位122上时，晶圆位于过孔1222内(过孔1222的形状与晶圆的形状一致，并且过孔1222的尺寸大于晶圆的尺寸)，晶圆的底部边缘抵靠在各个支撑部1221上，加热件13的加热部131对应过孔1222设置，当需要对晶圆进行加热时，举升部132向靠近过孔1222的方向运动，使得加热部131靠近晶圆设置，进一步保证了晶圆受热均匀，使得晶圆的处理效果得到了进一步地保证。
另外，加热部131的面积小于或等于过孔1222的面积，同时加热部131的加热面积大于或等于晶圆的面积，进一步保证了位于过孔1222内的晶圆受热均匀，使得产品的质量得到了保证。
此外，举升部132可以为气缸、油缸或者丝杠螺母副(丝杠与电机传动连接，螺母与加热件13连接)等，在此对于举升部132的具体结构形式本发明不再进行进一步地限定，即使本发明不进行具体限定，能够实现对加热部131进行举升的一切结构均视为本发明的保护范围。
加热部131为电发热管或电发热丝等，在此对于加热部131的具体结构形式本发明不再进行进一步地限定，即使本发明不进行具体限定，能够实现加热功能的一切结构均视为本发明的保护范围。
进一步地，加热件13的温度维持在室温至600℃之间。具体地，在对晶圆进行溅射处理时，靶材111被离子化之后逐渐沉积到晶圆上，通过将加热件13的温度维持在室温至600℃之间，从而能够满足不同靶材的撑膜需求，进而保证了靶材111的粒子在成膜时，具有良好的活性，迁移更加充分，利于薄膜有序结晶，减少了薄膜中的各种缺陷，使得晶界散射、杂质离华散射发生几率降低，使得成膜的质量得到了提高。
具体地，加热件13与多种靶材111之间的距离为5cm～20cm。靶材111位于反应室11的顶部，加热件13位于反应室11的底部，置物架12位于靶材111和加热件13之间，在对晶圆进行溅射时，靶材111被离子化后形成粒子，粒子在晶圆的表面沉积以形成薄膜，通过将靶材111与加热件13之间的距离设置为5cm～20cm，从而控制了晶圆与靶材111之间的距离，进而保证了靶材111粒子能够快速在晶圆上沉积，使得产品的制造效率得到了进一步地提升。
需要理解的是，加热件13与多种靶材111之间的距离为5cm～20cm，即为加热件13与其相对应的靶材111之间的距离为5cm～20cm。
需要指出的是，本发明中，加热件13与靶材111之间距离可以为5cm、10cm、15cm以及20cm等。
进一步地，反应室11的反应压力为10-2Torr～10-3Torr。具体地，在对晶圆进行溅射处理时，需要反应室11处于真空状态，从而减少空气(空气中的杂质以及活性气体)对溅射处理产生的不良影响(出现坏点等情况)，使得晶圆的镀膜质量得到了进一步提升。
将反应室11的反应压力设置为10-2Torr～10-3Torr，进一步避免了空气对晶圆溅射处理过程中产生的不良影响，使得晶圆的镀膜质量得到保证。
需要理解的是，本发明中，反应室11的反应压力为10-2Torr、10-1.5Torr以及10- 3Torr等。
需要指出的是，溅射装置100还包括抽真空组件，该抽真空组件包括气泵、压力表、管路以及控制阀，气泵通过管路与反应室11连通，压力表和控制阀分别设置在管路上，开启控制阀和气泵，以实现对反应室11的抽真空处理，当压力表显示的数据到达预设范围时，关闭控制阀和气泵即可。当反应室11的真空度降低后，再次开启控制阀及气泵对反应室11进行处理即可。
另外，在反应室11的开启位置以及接缝位置均设置密封件，从而进一步保证反应室11内的真空度，以降低空气对晶圆溅射处理的影响，使得晶圆的镀膜质量得到了进一步地提高。
进一步地，如图3所示，反应单元10还包括阻隔结构14，阻隔结构14用于将相邻承托位122彼此隔离。具体地，置物架12上设有与靶材111数量一致的承托位122，当一个承托位122与一个靶材111对应设置时，该位置的承托位122、靶材111以及加热件13构成一个溅射工位，阻隔结构14位于该溅射工位的两侧，以将该溅射工位隔离在一个相对封闭的空间内，从而避免反应室11内其它材料或部件对该溅射工位的影响，进一步保证了晶圆的镀膜质量。
需要指出的是，阻隔结构14的数量为多个，通过阻隔结构14实现对反应室11的内部空间进行分隔，从而保证各个溅射工位彼此独立，避免相互之间产生不良的影响。
在一些实施方式中，阻隔结构14为惰性气体形成的气幕。具体地，置物架12位于承托位122的两侧分别开设有通孔121，两个通孔121为狭长孔且向置物架12的中心延伸，两个通孔121均连通惰性气源，在对晶圆进行溅射处理时，惰性气源经通孔121向反应室11内通入高压惰性气体(氩气和/氮气等)，使得承托位122的两侧形成气幕结构，从而将溅射工位隔离，避免溅射工位受到影响，以提高晶圆的镀膜质量。
在一些实施方式中，如图3所示，阻隔结构14为可升降的阻断隔板。具体地，置物架12位于承托位122的两侧分别开设有通孔121，两个通孔121为狭长孔且向置物架12的中心延伸，每一个通孔121对应设置一个阻断隔板，在对晶圆进行溅射处理时，阻断隔板经通孔121进入到反应室11内，从而将溅射工位隔离，以避免溅射工位受到影响，使得晶圆的镀膜质量得到了提高。
需要指出的是，阻断隔板通过气缸、油缸或者电机驱动升降，在此，本申请对于阻断隔板具体采用何种驱动方式进行升降不再进行赘述。
进一步地，如图1或图2所示，溅射装置100还包括取放单元20，取放单元20设置在反应室11的外侧，取放单元20用于将晶圆放入或取出反应室11。具体地，反应室11上设有取放口，在取放口以可开合的方式设有闸门，取放单元20靠近闸门设置，当需要对晶圆进行溅射处理时，闸门开启，取放单元20将晶圆经取放口放置到反应室11内部的承托位122上，取放单元20复位，闸门关闭，反应室11对晶圆进行溅射处理，待晶圆在反应室11内被溅射处理完成后，闸门开启，取放单元20将晶圆经取放口取出即可。通过设置取放单元20，实现了晶圆的自动放入及取出，使得产品的生产效率得到了进一步地提升。
需要指出的是，取放单元20可以为机械手或者静电吸盘等。
进一步地，如图1或图2所示，反应单元10的数量为多个，多个反应单元10在取放单元20的周向间隔设置。具体地，多个反应单元10在取放单元20的周向间隔设置，便于取放单元20对各个反应单元10的操作，另外，通过设置多个反应单元10，能够进一步提高溅射装置100的处理能力，使得产品的生产效率得到了进一步地提高。
在本发明的一种实施方式中，如图1所示，反应室11的数量为三个，每一个反应室11内可设置四种靶材111，当晶圆镀膜所需要的靶材111小于或等于4时，每一个反应室11即可实现对晶圆的镀膜处理，即该溅射装置100可同步生产3件产品；当晶圆镀膜所需要的靶材111大于4时，在一种反应室11内设有四种靶材111，在另外的反应室11设置其它靶材111，三个反应室11最多可设置12种靶材111，即可对晶圆进行12层镀膜处理，从而有效提高了溅射装置100的处理能力，减少了反应室11增加的数量，使得溅射装置100的成本到了降低。
在本发明的另一种实施方式中，如图2所示，反应室11的数量为四个，每一个反应室11内可设置四种靶材111，当晶圆镀膜所需要的靶材111小于或等于4时，每一个反应室11即可实现对晶圆的镀膜处理，即该溅射装置100可同步生产4件产品；当晶圆镀膜所需要的靶材111大于4时，在一种反应室11内设有四种靶材111，在另外的反应室11设置其它靶材111，三个反应室11最多可设置16种靶材111，即可对晶圆进行16层镀膜处理，从而有效提高了溅射装置100的处理能力，减少了反应室11增加的数量，进一步降低了溅射装置100的成本。
如图1至图6所示，本发明还提出了一种晶圆镀膜方法，该晶圆镀膜方法根据如上所述的溅射装置100来实施的，晶圆镀膜方法包括：
S10：将晶圆放置到一个反应室11的置物架12的承托位122上，使得晶圆与一种靶材111对应设置。具体地，反应室11的闸门开启，取放单元20将晶圆经反应室11的取放口放入到置物架12的承托位122上，取放单元20复位，闸门关闭。
S20：对晶圆进行溅射处理。具体地，阻隔结构14启动，使得由靶材111、承托位122以及加热件13形成的溅射工位被隔离，在溅射过程中，靶材111被离子化且加热件13对晶圆进行加热，靶材111粒子在晶圆上沉积成膜。
S30：待晶圆被溅射处理完毕后，驱动置物架12转动，使得晶圆与另一种靶材111对应设置。具体地，在需要对晶圆进行多工艺镀膜时，置物架12在被驱动时发生转动，使得被初次镀膜的晶圆移动至有承托位122、靶材111以及加热件13组成的下一个溅射工位上。
S40：再次对晶圆进行溅射处理。具体地，被初次镀膜的晶圆在溅射过程中，靶材111被离子化且加热件13对晶圆进行加热，靶材111粒子在晶圆上沉积再次成膜。
S50：若一个反应室11内的靶材111种类能够满足晶圆的镀膜需求，则重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成。具体地，当一个反应室11内的靶材111种类能够满足晶圆的镀膜需求时，通过置物架12的转动，使得晶圆依次在各个溅射工位上被溅射处理，直至所有溅射处理全部完成即可。
S60：若一个反应室11内的靶材111种类不能够满足晶圆的镀膜需求，将未处理完成的晶圆放置到另一个反应室11的置物架12的承托位122上，使得未处理完成的晶圆与一种靶材111对应设置，重复步骤S30和S40。具体地，当一个反应室11内的靶材111种类无法满足晶圆的镀膜需求时，通过置物架12的转动，使得晶圆依次在各个溅射工位上被溅射处理，直至所有溅射处理完成，该反应室11的闸门开启，取放单元20将晶圆取出，并且经另一个反应室11的取放口放入到另一个反应室11内的承托位122上，取放单元20复位，另一个反应室11的闸门关闭，另一个反应室11对晶圆继续进行溅射处理，直至晶圆被溅射处理完成。
本发明的晶圆镀膜方法通过在一个反应室11内设置多种靶材111，以及通过置物架12的转动实现晶圆与不同靶材111对应设置，从而实现了晶圆在一个反应室11内能够进行多工艺镀膜，整个过程无需对晶圆进行频繁取放，从而提高了生产的效率，另外，减少了反应室11的数量，使得溅射装置100的制造成本得到降低，此外，无需晶圆频繁离开反应室11，避免了环境对晶圆制造过程中产生不良影响(例如离开反应室11后由于灰尘导致晶圆出现坏点等)。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种溅射装置，其特征在于，所述溅射装置包括反应单元，所述反应单元包括：
反应室，所述反应室内设有多种靶材，所述多种靶材沿所述反应室的周向间隔设置；
置物架，所述置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位，所述置物架能够在所述反应室内转动，以驱使所述承托位与所述多种靶材中的任一种对应设置；
加热件，所述加热件的数量与所述承托位的数量一致，所述加热件与所述承托位对应设置。
2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述承托位的数量与所述多种靶材的数量一致，所述承托位与所述多种靶材对应设置。
3.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述加热件包括加热部和举升部，所述举升部与所述加热部传动连接，以驱动所述加热部向靠近或者远离所述置物架的方向移动。
4.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述加热件的温度维持在室温至600℃之间；
并且/或者所述加热件与所述多种靶材之间的距离为5cm～20cm。
5.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述反应室的反应压力为10-2Torr～10-3Torr。
6.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，所述反应单元还包括阻隔结构，所述阻隔结构用于将相邻所述承托位彼此隔离。
7.根据权利要求6所述的溅射装置，其特征在于，所述阻隔结构为惰性气体形成的气幕或为可升降的阻断隔板。
8.根据权利要求1至7任一项所述的溅射装置，其特征在于，所述溅射装置还包括取放单元，所述取放单元设置在所述反应室的外侧，所述取放单元用于将所述晶圆放入或取出所述反应室。
9.根据权利要求8所述的溅射装置，其特征在于，所述反应单元的数量为多个，多个所述反应单元在所述取放单元的周向间隔设置。
10.一种晶圆镀膜方法，该晶圆镀膜方法根据权利要求1至9任一项所述的溅射装置来实施的，其特征在于，所述晶圆镀膜方法包括：
S10：将晶圆放置到一个反应室的置物架的承托位上，使得晶圆与一种靶材对应设置；
S20：对晶圆进行溅射处理；
S30：待晶圆被溅射处理完毕后，驱动置物架转动，使得晶圆与另一种靶材对应设置；
S40：再次对晶圆进行溅射处理；
S50：若一个反应室内的靶材种类能够满足晶圆的镀膜需求，则重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成；
S60：若一个反应室内的靶材种类不能够满足晶圆的镀膜需求，将未处理完成的晶圆放置到另一个反应室的置物架的承托位上，使得未处理完成的晶圆与另一个反应室内的一种靶材对应设置，重复步骤S30和S40，直至晶圆被溅射处理完成。
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