CN114649239A - 基板处理装置及基板移动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置及基板移动方法，更具体地提供一种在腔体内将基板随着旋转及台移动而能够最大化抑制基板的处理工艺的不均匀性的基板处理装置及基板移动方法。

Description

基板处理装置及基板移动方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置及基板移动方法，更具体地涉及一种在腔体内将基板随着旋转及台而移动，由此，最大化抑制基板的处理工艺的不均匀的基板处理装置及基板移动方法。
背景技术
一般而言，基板处理装置在腔体内部配置基板，并执行对基板的沉积或蚀刻等处理工艺。近来研发在腔体内部具有多个台的基板处理装置等。
图7显示在腔体主体105内部具有四个台的现有技术的基板处理装置中执行对基板12、14、16、18的处理工艺的情况。为了便于说明所述基板12、14、16、18的明暗而显示。
如图7显示所示，在腔体主体105的内侧具有四个台，在各个基板支撑部35A、35B、35C、35D安装所述基板12、14、16、18而执行对所述基板12、14、16、18的沉积、蚀刻等工艺。
但与图7一样，对于在四个台的基板支撑部35A、35B、35C、35D分别安装基板12、14、16、18而执行对基板的处理工艺的情况，各个基板12、14、16、18的腔体内环境不同而无法均匀执行对基板12、14、16、18的处理。
即，四个基板支撑部35A、35B、35C、35D的中央部和外侧的传热速率不同，例如，四个基板支撑部35A、35B、35C、35D的中央部的温度与外侧相比相对更高。根据情况，四个基板支撑部35A、35B、35C、35D的中央部的温度与外侧相比相对更低。
尤其对于安装在狭缝110、112所处的第一基板支撑部35A和第二基板支撑部35B的基板12、14的情况，与安装在第三基板支撑部35C和第四基板支撑部35D的基板16、18相比热损失较大。
并且，通过处于腔体主体105的中央部的轴心单元400的装载臂410A、410B、410C、410D而将基板12、14、16、18移动至其它台的基板支撑部35A、35B、35C、35D的情况下，轴心单元400在腔体100的中央部旋转，并移动基板，由此，在基板被移送至其它台的基板支撑部35A、35B、35C、35D的情况下，朝向基板的中央部的区域不发生变化，而不能解决上述问题。
由此，在处理工艺中，因各个基板支撑部35A、35B、35C、35D的环境不同而不均匀地对基板12、14、16、18进行处理工艺的情况下，难以保持对基板12、14、16、18的沉积或蚀刻等处理工艺的均匀度。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明是为了解决如上所述的问题，其目的在于提供一种即使在腔体内的基板环境不同的情况下，也能够最大化抑制对各个基板的处理工艺的不均匀性的基板处理装置。
用于解决问题的技术方案
如上所述的本发明的目的通过基板处理装置实现，该基板处理装置具有：腔体；多个台，设置在所述腔体内侧而提供基板的反应空间；基板支撑部，配置在所述台而支撑所述基板；旋转单元，设置在所述腔体的下部外侧而使所述基板支撑部旋转；上下移动单元，设置在所述腔体的下部外侧而使所述基板支撑部上下移动；及风箱，在所述腔体的下部外侧与所述旋转单元或上下移动单元中的一个连接。
并且，如上所述的本发明的目的通过基板处理装置的基板移动方法实现，该基板处理装置的基板移动方法的基板处理装置包括：多个基板支撑部，设置在腔体内侧而支撑基板，并能够上下移动及旋转；顶升销，在所述基板支撑部使所述基板升降；轴心单元，配置在所述多个基板支撑部之间而将所述基板在所述基板支撑部之间移动，该基板处理装置的基板移动方法包括如下步骤：在所述多个基板支撑部安装所述基板的状态下，将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度；将所述基板从所述基板支撑部分隔；及将所述基板支撑部以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度。
在此，所述第二角度与所述第一角度相同。
另外，将所述基板从所述基板支撑部分隔的步骤包括以下步骤：使所述顶升销上升而将所述基板在所述基板支撑部上升；将所述轴心单元的装载臂向所述顶升销的下部旋转，使所述轴心单元上升而将所述基板在所述顶升销上升。
并且，将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤、将所述基板从所述基板支撑部分隔的步骤、将所述基板支撑部以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度的步骤在对所述基板的工艺中执行。
而且，在执行将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤、将所述基板从所述基板支撑部分隔的步骤、将所述基板支撑部以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度的步骤中，停止向所述腔体内部供应原料气体和反应气体。
另外，在将所述基板支撑部以所述第二方向旋转的步骤之后还包括将所述基板向相邻的基板支撑部移送的步骤，将所述基板向相邻的基板支撑部移送的步骤包括如下步骤：使所述轴心单元发生旋转；使所述轴心单元下降，而使所述基板安装在所述顶升销；及使所述顶升销下降而将所述基板安装在所述基板支撑部。
而且，在将所述基板安装在所述多个基板支撑部的状态下，反复执行两次以上将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤。
并且，在所述基板被安装至所述多个基板支撑部的状态下，在执行将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤中，停止向所述腔体内部供应原料气体和反应气体。
另外，在将所述基板支撑部以所述第二方向旋转的步骤之后还包括将所述基板从所述腔体取出的步骤。
发明的效果
根据具有如上结构的本发明，即使在腔体内的基板环境不同的情况下，使各个基板自身进行旋转，同时根据腔体内的台而移动所述基板，由此，能够最大化抑制基板的处理工艺的不均匀性。
附图说明
图1为本发明的一实施例的基板处理装置的分解立体图；
图2为显示基板支撑部的结构的局部侧截面图；
图3为显示本发明的一实施例的基板移动方法的顺序图；
图4至图6为显示在基板处理装置的台上旋转及移动基板的平面图；
图7为现有技术的基板处理装置的平面图。
附图标记说明
12、14、16、18:基板
100:腔体
105:腔体主体
120:腔体导件
110、112:狭缝
300A、300B、300C、300D:台
305A、305B、305C、305D:基板支撑部
310A、310B、310C、310D:顶升销
400:轴心单元
410A、410B、410C、410D:装载臂
500A、500B、500C、500D:气体供应部
1000:基板处理装置
具体实施方式
下面，参照附图而对本发明的实施例的基板处理装置的结构及基板移动方法进行具体说明。
图1为本发明的一实施例的基板处理装置1000的立体图，图2为显示基板支撑部305A的结构的局部侧截面图。
参照图1及图2，所述基板处理装置1000包括：腔体100，提供容纳基板的空间；基板支撑部305A、305B、305C、305D，配置在所述腔体100的内侧而支撑所述基板12、14、16、18(参照图4)；旋转单元3000，设置在所述腔体100的下部外侧而使所述基板支撑部305A、305B、305C、305D旋转；上下移动单元3900，设置在所述腔体100的下部外侧，而使所述基板支撑部305A、305B、305C、305D上下移动；及风箱106，在所述腔体100的下部外侧与所述旋转单元3000或上下移动单元3900连接。
所述腔体100形成所述基板处理装置1000的外观，通过形成于所述腔体100的一侧的狭缝110、112而基板12、14、16、18被引入所述腔体100内部，或从所述腔体100向外部取出。所述腔体100由腔体主体105、密封所述腔体主体105的上部的腔体导件120构成。
所述基板贯通所述狭缝110、112而被移动至所述腔体100的内部，进而安装至顶升销310A、310B、310C、310D的上部。并且，通过所述狭缝110、112，在所述腔体100的内部而所述基板12、14、16、18被移送至述腔体100的外部。
另外，在所述腔体100的内部102设置分别提供所述基板12、14、16、18的反应空间的多个台300A、300B、300C、300D。
例如，所述各个台300A、300B、300C、300D具有：第一台300A及第二台300B，与所述狭缝110、112邻接配置而供引入及取出基板；及第三台300C及第四台300D，与所述狭缝110、112分隔配置。
对于该情况，所述各个台300A、300B、300C、300D因另外提供基板的反应空间，能够同时执行对多个基板12、14、16、18沉积工艺，能够提高所述基板处理装置1000的生产量(Throughput)。
例如，所述基板处理装置1000在通过原子层沉积方法(ALD:Atomic LayerDeposition)而在基板12、14、16、18沉积薄膜的情况下，与通过现有原子层沉积方法沉积的装置相比，能够显著提高生产量。但并非限定于此，所述基板处理装置1000也能够通过等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD:Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition)而在基板12、14、16、18沉积薄膜。
另外，所述各个台300A、300B、300C、300D分别具有支撑基板，并分别能够进行升降运动的基板支撑部305A、305B、305C、305D。在所述各个基板支撑部305A、305B、305C、305D能够以升降的方式配置顶升销310A、310B、310C、310D。在附图中，在各个基板支撑部305A、305B、305C、305D虽显示三个顶升销310A、310B、310C、310D，但能够适当变形。
并且，在所述腔体100的上部设置腔体导件120，在所述腔体导件120设置与所述各个基板支撑部305A、305B、305C、305D对应的气体供应部500A、500B、500C、500D。因此，对于所述各个气体供应部500A、500B、500C、500D而在所述基板支撑部305A、305B、305C、305D上升的情况下，在所述各个气体供应部500A、500B、500C、500D和基板支撑部305A、305B、305C、305D之间形成反应空间。
图1中显示了在所述腔体100的内侧设置四个台300A、300B、300C、300D，但并非限定于此，所述台300A、300B、300C、300D的数量能够适当变化。
另外，移送至所述腔体100的内侧的所述基板12、14、16、18被安装至所述各个台300A、300B、300C、300D。为此，在所述腔体100的内侧中央部设置轴心单元(spindle unit)400作为移动所述基板12、14、16、18的移送装置。
所述轴心单元400被设置在所述腔体100的内部，具体地，设置在所述腔体100的中央部或所述各个台300A、300B、300C、300D的中央部。
所述轴心单元400包括：主体部420，进行转动及升降运动；多个装载臂410A、410B、410C、410D，从所述主体部420延伸形成，而供安装所述基板12、14、16、18。所述装载臂410A、410B、410C、410D的数量与所述台300A、300B、300C、300D的数量对应确定。即所述装载臂410A、410B、410C、410D的数量与所述台300A、300B、300C、300D的数量相同。
所述轴心单元400进行升降运动及旋转运动而将通过所述狭缝110、112引入至所述腔体100的第一台300A及第二台300B的基板移动而安装在第三台300C及第四台300D。
并且，所述轴心单元400从所述第三台300C及第四台300D向第一台300A及第二台300B移送基板，从所述第一台300A及第二台300B将所述基板12、14、16、18向所述腔体100的外部取出。
本发明中提供一种基板处理装置，即使在上述的问题，即在腔体100内的基板环境不同的情况下，也能够最大化抑制发生对各个基板12、14、16、18的处理工艺的不均匀的问题。
图2为显示处于上述腔体100内的第一台300A的基板支撑部305A的结构的局部侧截面图。
参照图2，所述基板处理装置1000配置在所述腔体100的内侧而设置支撑所述基板12的基板支撑部305A。所述基板支撑部305A设置向下部延伸的驱动杆3100。并且，在所述基板支撑部305A以可升降的方式配置顶升销310A。在所述基板支撑部305A的下部设置固定部150。因此，在所述基板支撑部305A下降的情况下，所述顶升销310A的下端部通过所述固定部150支撑，而所述顶升销310A能够突出至所述基板支撑部305A的上部。
另外，所述驱动杆3100通过所述腔体100的下部的开口部108而突出至外部。对于该情况，风箱106以包裹所述腔体100的开口部108的方式配置而保持密封腔体100内部。
在所述腔体100的下部外侧设置使所述基板支撑部305A旋转的旋转单元3000和使所述基板支撑部305A上下移动的上下移动单元3900。
例如，所述旋转单元3000包括：密封部3200，与设置在所述驱动杆3100的下端部的延伸部3120连接；第一驱动部3300，使所述延伸部3120进行旋转。
通过所述第一驱动部3300的驱动而使所述延伸部3120旋转，与所述延伸部3120一起而使所述驱动杆3100及基板支撑部305A旋转。
另外，所述上下移动单元3900包括：上下模块3500，使所述延伸部3120上下移动；及第二驱动部3600，与所述上下模块3500连接。所述上下模块3500与所述密封部3200连接，对于该情况，在所述上下模块3500和密封部3200之间还设置连接部3400。通过所述第二驱动部3600的驱动而所述上下模块3500上下移动，根据上下模块3500的上下移动而所述驱动杆3100及基板支撑部305A一起上下移动。
图2中显示了所述旋转单元3000与所述延伸部3120连接，所述上下移动单元3900与所述旋转单元3000连接，但相反地，也能够为所述上下移动单元3900与所述延伸部3120连接，旋转单元3000与所述上下移动单元3900连接的结构。
并且，上述风箱106在所述腔体100的下部和所述旋转单元3000之间连接而密封。附图虽未图示，但对于所述上下移动单元3900与所述延伸部3120连接的情况，所述风箱106在所述腔体100的下部和所述上下移动单元3900之间连接。
对于具有上述结构的基板处理装置1000的情况，通过使所述基板支撑部305A、305B、305C、305D旋转而使安装至所述基板支撑部305A、305B、305C、305D的基板12、14、16、18进行旋转，由此，均匀地对基板12、14、16、18执行处理工艺。
尤其，对于本发明的基板处理装置1000，通过旋转所述基板支撑部305A、305B、305C、305D而最大化抑制发生颗粒。例如，对于利用配置在腔体100内部的轴心单元而使基板12、14、16、18自身发生旋转的情况，轴心单元构成非常复杂。对于该情况，对于所述轴心单元运行以用于使所述基板旋转的情况，可能因复杂的结构而发生颗粒等。因所述轴心单元处于腔体100的内侧，而在所述轴心单元发生的颗粒对基板造成坏影响。在本发明中，将使基板发生旋转的旋转单元3000配置在腔体100的外侧，而且，使基板支撑部305A、305B、305C、305D本身发生旋转而在腔体内部最大化抑制颗粒。
下面，对具有上述结构的基板处理装置1000进行基板移动方法进行说明。
图3为显示本发明的一实施例的基板移动方法的顺序图。
参照图3，所述基板移动方法包括如下过程：在所述多个基板支撑部305A、305B、305C、305D安装所述基板12、14、16、18的状态下，将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转提前确定的第一角度(S310)；将所述基板12、14、16、18从所述基板支撑部305A、305B、305C、305D分隔(S330)；将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度(S350)。
图4显示在执行上述基板移动方法之前在腔体100内部的各个基板支撑部305A、305B、305C、305D安装基板的状态。在图4中显示为了便于说明在基板12、14、16、18显示的区域区分的情况。各个基板12、14、16、18的区域被划分为四个而按顺时针方向区分为‘A’、‘B’、‘C’及‘D’区域，朝向腔体100的中央部的区域显示为‘A’区域。
参照图4，在所述多个基板支撑部305A、305B、305C、305D分别安装所述基板12、14、16、18的状态下，将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转提前确定的第一角度。
即，在所述各个基板支撑部305A、305B、305C、305D安装所述基板12、14、16、18的状态下，使所述基板支撑部305A、305B、305C、305D发生旋转。
所述各个基板支撑部305A、305B、305C、305D通过上述的旋转单元3000的驱动而旋转。在此，第一方向按顺时针方向或逆时针方向规定。下面，以第一方向与顺时针方向相应的情况进行说明。
另外，所述各个基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转提前确定的第一角度。此时，所述第一角度提前规定为大于0度小于360度的角度。例如，所述第一角度设定为90度，下面将所述第一角度设定为90度而进行说明。
图5显示在图4中各个基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向(例如，顺时针方向)旋转第一角度(例如，90度)的状态。
参照图5，各个基板支撑部305A、305B、305C、305D旋转90度而各个基板12、14、16、18的‘D’区域朝向腔体100的中央部。
进而，将所述基板12、14、16、18从基板支撑部305A、305B、305C、305D分隔。
例如，将所述基板12、14、16、18从基板支撑部305A、305B、305C、305D分隔的步骤首先使所述顶升销310A、310B、310C、310D上升而将所述基板12、14、16、18从所述基板支撑部305A、305B、305C、305D上升。
之后，使配置在所述腔体100的中央部的所述轴心单元400旋转而使所述轴心单元400的各个装载臂410A、410B、410C、410D处于顶升销310A、310B、310C、310D的下部。进而，将所述轴心单元400上升地比所述顶升销310A、310B、310C、310D高度高，而将所述基板12、14、16、18从所述顶升销310A、310B、310C、310D上升而分隔。
另外，对于将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度的步骤，在所述基板12、14、16、18通过所述轴心单元400而从所述顶升销310A、310B、310C、310D分隔中执行。
例如，对于所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度的步骤，在使所述轴心单元400上升，而将所述基板12、14、16、18从所述顶升销310A、310B、310C、310D分隔之后执行。
将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以与所述第一方向相反的第二方向再次旋转理由为，对于所述轴心单元400向所述顶升销310A、310B、310C、310D的下部旋转进入的情况，为了防止所述顶升销310A、310B、310C、310D和所述轴心单元400的装载臂410A、410B、410C、410D的干扰。例如，所述第二角度具有与上述第一角度相同的角度。
另外，在将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度的步骤之后执行将所述基板12、14、16、18向相邻的基板支撑部305A、305B、305C、305D移送的步骤。
即，在结束对所述基板12、14、16、18的处理工艺之前，或对所述基板12、14、16、18的处理工艺中可以执行本发明的基板移送方法。
对于该情况，在完全结束所述基板12、14、16、18的处理工艺之前，在将所述基板12、14、16、18向相邻的台移动中执行。
并且，在执行所述基板移动方法中，停止向所述腔体100内部供应原料气体和反应气体等工艺气体。而且，停止用于等离子体的高频功率的供应。在基板的移动中，无法顺畅执行处理工艺。但与向所述腔体100内部供应的惰性气体等一样，持续供应周围环境营造气体。
另外，对于将所述基板12、14、16、18向相邻的基板支撑部305A、305B、305C、305D移送的步骤，在将所述基板12、14、16、18从所述顶升销310A、310B、310C、310D上升，之后，将所述轴心单元400按第一方向或第二方向旋转而使各个基板12、14、16、18处于相邻的台300A、300B、300C、300D的基板支撑部305A、305B、305C、305D上。在本说明中，以所述轴心单元400以顺时针方向旋转而移动基板12、14、16、18情况进行说明。
进而，使所述轴心单元400下降而将所述基板12、14、16、18安装至所述顶升销310A、310B、310C、310D，使所述顶升销310A、310B、310C、310D下降而将所述基板12、14、16、18安装至所述基板支撑部305A、305B、305C、305D。
图6显示在图5中通过所述轴心单元400而基板12、14、16、18以顺时针方向旋转而被安装至相邻的台的基板支撑部305A、305B、305C、305D状态。
参照图6，安装至所述各个基板支撑部305A、305B、305C、305D的基板12、14、16、18以‘D’区域朝向中央部的方式配置。即，在基板12、14、16、18的‘A’区域朝向中央部的图4的配置中，基板12、14、16、18发生旋转而使‘D’区域朝向中央部。
并且，对于所述第一台300A及第二台300B的情况，因与所述狭缝110、112邻接配置，所述第一台300A及第二台300B的热损失只能与第三台300C及第四台300D不同。对于本发明的情况，使基板12、14、16、18本身发生旋转，同时将基板12、14、16、18向相邻的台300A、300B、300C、300D移动，由此，最大化抑制上述基板12、14、16、18和腔体100内壁之间的环境变化导致的处理工艺的不均匀。
并且，在对基板的处理工艺中反复执行本发明的基板移动方法的情况下，基板分别全部经过各个台，并执行工艺，由此，更均匀地执行对基板的处理工艺。
另外，在所述多个基板支撑部305A、305B、305C、305D安装所述基板12、14、16、18的状态下，反复执行两次以上将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤。
即，在结束所述基板12、14、16、18的处理工艺之前，反复执行两次以上将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转的步骤。
对于该情况，第一角度提前确定为大于0度小于360度的角度。例如，在所述第一角度定为90度的情况下，反复三次执行将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转的步骤。即，在所述基板12、14、16、18被安装至所述基板支撑部305A、305B、305C、305D的状态下，在最初工艺后，在反复执行三次将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转90度的步骤，并执行工艺的情况下，在配置使得基板12、14、16、18的所有区域朝向中央部的状态下进行工艺，而解决处理工艺的不均匀性。在该情况下，即使未将所述基板12、14、16、18沿着台300A、300B、300C、300D移送的情况下，也能够解决对所述基板12、14、16、18的处理工艺的不均匀性。
但在执行将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转的步骤中，向所述腔体100内部停止供应原料气体和反应气体等工艺气体。而且，停止用于等离子体的高频功率的供应。是因为在供应等离子体的状态下，在旋转所述基板支撑部305A、305B、305C、305D的情况下，发生弧光及等离子体剖面变化等。
另外，在将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以所述第二方向旋转的步骤之后将所述基板12、14、16、18从所述腔体100取出。
即，对于反复多次将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤而结束对所述基板12、14、16、18的处理工艺的情况，在将所述基板支撑部305A、305B、305C、305D以所述第二方向旋转的步骤之后，将所述基板12、14、16、18从所述腔体100取出。
综上，参照本发明的优选的实施例进行了说明，但本技术领域的技术人员在不脱离权利要求范围记载的本发明的思想及领域的范围内能够对本发明进行各种修正及变更实施。因此，在变形的实施基本上包含本发明的权利要求范围的构成要素的情况下，应视为全部包含于本发明的技术范围内。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
包括：
腔体；
多个台，设置在所述腔体内侧而提供基板的反应空间；
基板支撑部，配置在所述台而支撑所述基板；
旋转单元，设置在所述腔体的下部外侧而使所述基板支撑部旋转；
上下移动单元，设置在所述腔体的下部外侧而使所述基板支撑部上下移动；及
风箱，在所述腔体的下部外侧与所述旋转单元或上下移动单元中的一个连接。
2.一种基板处理装置的基板移动方法，该基板处理装置的基板移动方法的基板处理装置包括：多个基板支撑部，设置在腔体内侧而支撑基板，并能够上下移动及旋转；顶升销，在所述基板支撑部使所述基板升降；轴心单元，配置在所述多个基板支撑部之间而将所述基板在所述基板支撑部之间移动，该基板处理装置的基板移动方法特征在于，
包括如下步骤：
在所述多个基板支撑部安装所述基板的状态下，将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度；
将所述基板从所述基板支撑部分隔；及
将所述基板支撑部以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置的基板移动方法，其特征在于，所述第二角度与所述第一角度相同。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置的基板移动方法，其特征在于，
将所述基板从所述基板支撑部分隔的步骤包括以下步骤：
使所述顶升销上升而将所述基板在所述基板支撑部上升；
将所述轴心单元的装载臂向所述顶升销的下部旋转，使所述轴心单元上升而将所述基板在所述顶升销上升。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置的基板移动方法，其特征在于，
将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤、将所述基板从所述基板支撑部分隔的步骤、将所述基板支撑部以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度的步骤在对所述基板的工艺中执行。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置的基板移动方法，其特征在于，
在执行将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤、将所述基板从所述基板支撑部分隔的步骤、将所述基板支撑部以与所述第一方向相反的第二方向旋转提前确定的第二角度的步骤中，停止向所述腔体内部供应原料气体和反应气体。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置的基板移动方法，其特征在于，
在将所述基板支撑部以所述第二方向旋转的步骤之后还包括将所述基板向相邻的基板支撑部移送的步骤，
将所述基板向相邻的基板支撑部移送的步骤包括如下步骤：
使所述轴心单元发生旋转；
使所述轴心单元下降，而使所述基板安装在所述顶升销；及
使所述顶升销下降而将所述基板安装在所述基板支撑部。
8.根据权利要求4所述的基板处理装置的基板移动方法，其特征在于，
在将所述基板安装在所述多个基板支撑部的状态下，反复执行两次以上将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置的基板移动方法，其特征在于，
在所述基板被安装至所述多个基板支撑部的状态下，在执行将所述基板支撑部以第一方向旋转提前确定的第一角度的步骤中，停止向所述腔体内部供应原料气体和反应气体。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置的基板移动方法，其特征在于，
在将所述基板支撑部以所述第二方向旋转的步骤之后还包括将所述基板从所述腔体取出的步骤。
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