CN114637352B - 一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统 - Google Patents
一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开提供的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统。该基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统包括待填充芯片基本信息提取模块、待填充芯片基本信息预处理模块、芯片填充前基础参数检测与分析模块、芯片填充数据库、芯片填充过程基础参数检测与分析模块、芯片填充调控终端、芯片填充完成基础参数检测与分析模块和芯片填充质量分析结果反馈终端;本发明通过对芯片填充前、填充过程和填充完成后进行全流程监测与控制,有效的解决了当前技术具有一定局限性的问题,进而大幅度降低了芯片胶体填充对应的不良率和返修率,同时大大的保障了芯片胶体填充质量和芯片胶体填充效果。
Description
技术领域
本发明属于芯片制作管理技术领域,涉及到一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统。
背景技术
随着人工智能产业和智能制作越来越普遍,智能产品不断涌现,芯片产业规模在不断扩大,半导体芯片几乎遍布了所有产品,为了保障产品的正常运维,需要对芯片制作过程中进行严格质量把控。
芯片底料填充作为芯片制作中的一大重要组成部分,具有保护芯片不受外界损坏的作用,而点胶机作为芯片底料填充设备,直接决定了芯片底料填充效果,当前对芯片底填充点胶机在线控制主要是对点胶机对应的点胶过程进行控制,如点胶机点胶定位、点胶路径等进行控制,很显然,当前技术还存在以下几个方面的弊端:
1、当前对芯片点胶机控制主要是针对点胶机本体控制,而忽略了对点胶机对应点胶芯片状态的控制,芯片自身的温度和湿度很大程度上影响了点胶机的点胶效果,当前没有在点胶机进行胶体填充前对芯片进行监测和控制,无法进一步降低芯片胶体填充对应的不良率和返修率;
2、当前对芯片点胶机控制属于单一化的控制方式,而芯片由于其结构的特殊性和对填充环境要求的特殊性,需要对填充前、填充过程和填充完成后进行全流程监测,因此,当前对芯片填充控制具有一定的局限性,无法实现芯片胶体填充的全流程监测和控制,进而无法保障芯片胶体填充质量和芯片胶体填充效果。
发明内容
鉴于此,为解决上述背景技术中所提出的问题,现提出一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,实现了对智慧楼宇电能和水能的精准分析和针对调控;
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
本发明提供了一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,包括:
待填充芯片基本信息提取模块,用于对待填充胶芯片对应的尺寸参数进行提取,其中,该芯片对应的尺寸参数包括芯片基本尺寸参数和芯片焊点尺寸参数;
待填充芯片基本信息预处理模块,用于基于该芯片基本尺寸参数和该芯片焊点尺寸参数,检索得到该芯片对应的标准填充胶量;
芯片填充前基础参数检测与分析模块,用于在该芯片胶体填充前对待填充胶体的基础参数进行检测,并进行分析,统计该芯片对应的可填充指数,进而确认该芯片对应的可填充状态,若该芯片对应的可填充状态为不可填充,分析芯片不可填充因素,并启动芯片填充调控终端进行对应调控,且在调控结束后重复芯片填充前基础参数检测与分析步骤,若该芯片对应的可填充状态为可填充,启动芯片填充过程参数检测与分析模块;
芯片填充过程基础参数检测与分析模块,用于在该芯片待填充胶填充过程中对应的基准填充参数进行检测和对目标点胶机对应的基准填充参数进行检测,并进行分析,统计该芯片填充过程符合指数,进而确认该芯片在填充过程中对应的状态,若该芯片在填充过程中对应的状态为异常状态,分析芯片异常因素,且启动芯片填充调控终端进行对应调控,并对调控后的芯片重复待填充胶填充过程基础参数检测与分析步骤,若该芯片在填充过程对应的状态为正常状态,启动芯片填充完成基础参数检测与分析模块;
芯片填充调控终端,用于当芯片处于不可填充状态时或者芯片在填充过程中处于异常状态时,对该芯片进行调控;
芯片填充完成基础参数检测与分析模块,用于对该芯片完成胶体填充后对应的基础参数进行检测,并分析该芯片胶体填充质量,进而确认该芯片对应的填充质量等级;
芯片填充质量分析结果反馈终端,用于将该芯片对应的填充质量等级反馈至该芯片填充管理人员。
优选地,所述该芯片对应的基本尺寸参数具体为该芯片对应的长度、该芯片对应的宽度和该芯片与基板之间的高度;芯片焊点尺寸参数具体为该芯片各焊点对应的直径、该芯片各焊点之间的间距。
优选地,所述该芯片对应的标准填充胶量的具体检索过程包括以下步骤:
基于该芯片对应的长度和宽度,得到该芯片对应的面积,基于该芯片各焊点对应的直径,利用平均值计算方法得到该芯片对应的平均焊点直径,同时获取该芯片各焊点之间的间距,利用平均值方法计算得到该芯片对应的平均焊点间距;
将该芯片对应的面积、该芯片与基板之间的高度和该芯片对应的平均焊点直径和该芯片对应的平均焊点间距作为芯片填充胶量选取信息,将该芯片填充胶量对应的选取信息与芯片填充数据库中各标准填充胶量对应的芯片填充胶量选取信息进行匹配对比,得到该芯片对应的标准填充胶量。
优选地,所述该芯片胶体填充前对应待填充胶体的基础参数包括该芯片对应的当前环境参数、待填充胶对应的环境参数和目标点胶机的布设参数,其中,目标点胶机为该芯片当前对应的点胶机,该芯片对应的当前环境参数具体为该芯片对应的温度、该芯片对应的湿度、该芯片对应基板的温度、该芯片对应基板的湿度,待填充胶对应的环境参数为待填充胶对应的温度;该目标点胶机的布设参数具体为目标点胶机中点胶指针与对应芯片边缘之间的水平间距和目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度。
优选地,所述统计该芯片对应的可填充指数,进而确认该芯片对应的可填充状态的具体操作过程包括以下步骤:
获取该芯片对应的温度和湿度,将该芯片对应的温度和湿度代入芯片单体信息符合指数计算公式中,得到芯片单体信息符合指数,并记为ε1;
获取该芯片对应基板的温度和湿度,将该芯片对应基板的温度和湿度代入芯片基板信息符合指数计算公式中,得到芯片基板信息符合指数,并记为ε2;
获取该芯片待填充胶对应的温度,将芯片待填充胶对应的温度代入待填充胶状态符合指数计算公式中,得到芯片待填充胶状态符合指数,并记为ε3;
将该目标点胶机中点胶指针与其对应芯片边缘之间的水平间距和目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度代入芯片目标点胶机状态符合指数计算公式中,得到该目标点胶机状态符合指数,并记为ε4;
将该芯片对应的单体信息符合指数、基板信息符合指数、待填充胶状态符合指数和该目标点胶机状态符合指数代入计算公式δ=a1*ε1+a2*ε2+a3*ε3+a3*ε4中,得到该芯片对应的可填充指数δ,其中,a1、a2、a3、a4分别为预设系数;
将该芯片对应的可填充指数与预设的芯片标准可填充指数进行对比,若该芯片对应的可填充指数大于或者等于预设的芯片标准可填充指数,将该芯片对应的可填充状态记为可填充,反之则记为不可填充。
优选地,所述该芯片对应的基准填充参数具体包括该芯片填充过程中待填充胶表面对应的张力和待填充胶与基板之间的润湿角;该目标点胶机的基准填充参数为该目标点胶机在各次填充时对应的填充胶量,将该目标点胶机对应的各次填充按照其填充时间先后依次进行编号,并标记为1,2,...i,...m。
优选地,所述统计该芯片填充过程符合指数,进而确认该芯片在填充过程中对应的状态的具体执行过程如下:
获取待填充胶表面对应的张力、待填充胶与基板之间的润湿角、待填充胶与芯片之间的润湿角,利用计算公式计算得出该芯片对应的基准填充参数符合指数,并记为μ1;
获取该目标点胶机的基准填充参数,并利用计算公式计算得出该芯片点胶机基准填充参数符合指数,并记为μ2;
利用计算公式计算该芯片对应的填充过程符合指数,其具体计算公式为γ=b1*μ1+b2*μ2,其中γ表示该芯片对应的填充过程符合指数,b1,b2分别表示为为预设系数;
将该芯片对应的填充过程符合指数与预设的芯片标准填充过程符合指数进行对比,若该芯片对应的填充过程符合指数大于或者预设的芯片标准填充过程符合指数,则将该芯片在填充过程中对应的状态记为正常状态,若该芯片对应的填充过程符合指数小于预设的芯片标准填充过程符合指数,则将该芯片在填充过程中对应的状态记为异常状态。
优选地,所述该芯片完成胶体填充后对应的基础参数具体包括该芯片对应的胶体填充区域面积和该芯片对应的胶体填充边缘厚度。
优选地,所述分析该芯片胶体填充质量,进而确认该芯片对应的填充质量等级的具体过程如下:
将该芯片对应的胶体填充区域面积和该芯片对应的面积进行作比,得到该芯片对应的面积和对应胶体填充区域面积的比值,将该比值记为填充面积比,并记为f;
将该芯片对应的填充面积比和该芯片对应的胶体填充边缘厚度代入计算公式中,得到该芯片对应的胶体填充质量指数λ,ω1,ω2分别表示为预设系数,f′表示为预设胶体标准填充面积比,h表示该芯片对应的胶体填充边缘厚度,h′表示为预设的胶体标准填充边缘厚度;
将该芯片对应的胶体填充质量指数与预设的各芯片填充质量等级对应的标准胶体填充质量指数进行对比,筛选得到该芯片对应的填充质量等级。
优选地,所述该系统还包括芯片填充数据库,所述芯片填充数据库用于存储各标准待填充胶量对应的芯片填充胶量选取信息。
本发明的有益效果:
(1)本发明提供的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,通过芯片填充前基础参数检测与分析模块、芯片填充过程基础参数检测与分析模块和芯片填充完成基础参数检测与分析模块,实现了对待填充芯片填充前、填充过程中和填充完成后的全流程检测与控制,有效的降低了芯片胶体填充对应的不良率和返修率,打破了现有技术在对芯片底料填充控制技术中存在的局限性,有效的保障了芯片胶体填充质量和芯片胶体填充效果,同时完成对芯片胶体填充的闭环分析与控制。
(2)本发明在芯片填充调控终端,通过当芯片处于不可填充状态时或者芯片在填充过程中处于异常状态时,对该芯片进行调控,实现了对芯片填充过程中出现问题的及时处理,从而确保了芯片进行胶体填充对应的合格率,保障了芯片胶体填充流程的合理性和规范性。
(3)本发明在芯片填充质量分析结果反馈终端,通过将该芯片对应的填充质量等级反馈至该芯片填充管理人员,可以为芯片填充管理人员对该目标点胶机对应工作状态的分析提供了信息基础,同时还便于芯片管理人员对芯片的分类管理。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明系统各模块连接示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明,所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本发明的保护范围。
请参阅图1所示,一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,包括:待填充芯片基本信息提取模块、待填充芯片基本信息预处理模块、芯片填充前基础参数检测与分析模块、芯片填充数据库、芯片填充过程基础参数检测与分析模块、芯片填充调控终端、芯片填充完成基础参数检测与分析模块和芯片填充质量分析结果反馈终端;所述待填充芯片基本信息预处理模块分别与待填充芯片基本信息提取模块、芯片填充前基础参数检测与分析模块和芯片填充数据库连接,芯片填充前基础参数检测与分析模块分别与芯片填充前基础参数检测与分析模块和芯片填充过程基础参数检测与分析模块连接,芯片填充过程基础参数检测与分析模块分别与芯片填充过程基础参数检测与分析模块和芯片填充完成基础参数检测与分析模块连接,芯片填充完成基础参数检测与分析模块和芯片填充质量分析结果反馈终端连接;
待填充芯片基本信息提取模块,用于对待填充胶芯片对应的尺寸参数进行提取,其中,该芯片对应的尺寸参数包括芯片基本尺寸参数和芯片焊点尺寸参数,所述该芯片对应的基本尺寸参数具体为该芯片对应的长度、该芯片对应的宽度和该芯片与基板之间的高度;芯片焊点尺寸参数具体为该芯片各焊点对应的直径和该芯片各焊点之间的间距。
本发明实施例通过获取待填充芯片对应的基本信息,为待填充芯片对应的标准填充胶量的获取提供了数据服务。
待填充芯片基本信息预处理模块,用于基于该芯片基本尺寸参数和该芯片焊点尺寸参数,检索得到该芯片对应的标准填充胶量;
所述该芯片对应的标准填充胶量的具体检索过程包括以下步骤:
基于该芯片对应的长度和宽度,得到该芯片对应的面积,基于该芯片各焊点对应的直径,利用平均值计算方法得到该芯片对应的平均焊点直径,同时获取该芯片各焊点之间的间距,利用平均值方法计算得到该芯片对应的平均焊点间距;
将该芯片对应的面积、该芯片与基板之间的高度和该芯片对应的平均焊点直径和该芯片对应的平均焊点间距作为芯片填充胶量选取信息,将该芯片填充胶量对应的选取信息与芯片填充数据库中各标准填充胶量对应的芯片填充胶量选取信息进行匹配对比,得到该芯片对应的标准填充胶量,为芯片填充过程参数分析提供了铺垫,保障了分析结果的可靠性。
芯片填充数据库,用于存储各标准待填充胶量对应的芯片填充胶量选取信息;
芯片填充前基础参数检测与分析模块,用于在该芯片胶体填充前对待填充胶体的基础参数进行检测,并进行分析,统计该芯片对应的可填充指数,进而确认该芯片对应的可填充状态,若该芯片对应的可填充状态为不可填充,分析芯片不可填充因素,并启动芯片填充调控终端进行对应调控,且在调控结束后重复芯片填充前基础参数检测与分析步骤,若该芯片对应的可填充状态为可填充,启动芯片填充过程参数检测与分析模块;
具体地,所述该芯片胶体填充前对应待填充胶体的基础参数包括该芯片对应的当前环境参数、待填充胶对应的环境参数和目标点胶机的布设参数,其中,目标点胶机为该芯片当前对应的点胶机,该芯片对应的当前环境参数具体为该芯片对应的温度、该芯片对应的湿度、该芯片对应基板的温度、该芯片对应基板的湿度,待填充胶对应的环境参数为待填充胶对应的温度;该目标点胶机的布设参数具体为目标点胶机中点胶指针与对应芯片边缘之间的水平间距和目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度。
示例性地,所述该芯片对应的温度和该芯片对应的湿度通过该芯片放置区域内布设的温度传感器和湿度传感器进行检测,其中,待填充胶对应的温度通过待填充胶放置位置的温度传感器进行检测,目标点胶机中点胶指针与对应芯片边缘之间的水平间距和目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度,通过利用目标点胶机搭载的检测摄像头进行检测,通过提取芯片与点胶指针的轮廓,得到目标点胶机中点胶指针与对应芯片边缘之间的水平间距和目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度,其具体获取过程为较为成熟技术,在此不进行赘述。
又一示例性地,统计该芯片对应的可填充指数,进而确认该芯片对应的可填充状态的具体操作过程包括以下步骤:
A1、获取该芯片对应的温度和湿度,将该芯片对应的温度和湿度代入芯片单体信息符合指数计算公式中,得到芯片单体信息符合指数,并记为ε1,其中,芯片单体信息符合指数计算公式为ε1表示为该芯片对应的芯片单体信息符合指数,xw,xs分别表示为该芯片对应的温度、湿度,xw′,xs′为预设的芯片对应的标准可填充温度、标准可填充湿度,Δw,Δs分别表示为预设的芯片对应许可填充温度差、许可填充湿度差;
A2、获取该芯片对应基板的温度和湿度,将该芯片对应基板的温度和湿度代入芯片基板信息符合指数计算公式中,得到芯片基板信息符合指数,并记为ε2,其中,芯片基板信息符合指数计算公式为ε2表示为该芯片对应的基板信息符合指数,jw,js分别表示为该芯片对应基板的温度、湿度,jw′,js′分别表示为预设的芯片基板对应的标准可填充温度、标准可填充湿度,Δw′,Δs′分别表示为预设的芯片基板对应的许可填充温度差、许可填充填充湿度差;
A3、获取该芯片待填充胶对应的温度,将芯片待填充胶对应的温度代入待填充胶状态符合指数计算公式中,得到芯片待填充胶状态符合指数,并记为ε3,其中,芯片待填充胶状态符合指数计算公式为ε3表示为芯片待填充胶对应的状态符合指数,Δw″表示为预设的芯片待填充胶对应的许可温度差,tw表示为该芯片待填充胶对应的温度,tw′表示为预设的芯片待填充胶对应的标准温度;
A4、将该目标点胶机中点胶指针与其对应芯片边缘之间的水平间距和目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度代入目标点胶机状态符合指数计算公式中,得到该目标点胶机状态符合指数,并记为ε4,其中,该目标点胶机状态符合指数计算公式为ε4表示为该目标点胶机对应的状态符合指数,sl表示为该目标点胶机中点胶指针与对应芯片边缘之间的水平间距,sl′表示为预设的点胶指针与对应芯片边缘之间的标准水平间距,Δc为预设的点胶指针与基板对应的许可垂直高度差,cl表示为该目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度,cl′表示为预设的点胶指针与基板之间对应的标准垂直高度差;
A5、将该芯片对应的单体信息符合指数、基板信息符合指数、待填充胶状态符合指数和该目标点胶机状态符合指数代入计算公式δ=a1*ε1+a2*ε2+a3*ε3+a3*ε4中,得到该芯片对应的可填充指数δ,其中,a1、a2、a3、a4分别为预设系数;
A6、将该芯片对应的可填充指数与预设的芯片标准可填充指数进行对比,若该芯片对应的可填充指数大于或者等于预设的芯片标准可填充指数,将该芯片对应的可填充状态记为可填充,反之则记为不可填充。
需要说明是,所述对芯片不可填充因素的具体分析过程为:获取该芯片对应的单体信息符合指数、基板信息符合指数、待填充胶状态符合指数和目标点胶机状态符合指数,将该芯片对应的单体信息符合指数、基板信息符合指数、待填充胶状态符合指数和目标点胶机状态符合指数分别与对应的标准芯片单体信息符合指数、标准芯片基板信息符合指数、标准芯片待填充胶状态符合指数和标准目标点胶机状态符合指数进行对应对比,若该芯片某信息符合指数小于其标准符合指数,则将该信息作为需调控参数,如:若该芯片对应的单体信息符合指数小于标准芯片单体信息符合指数,将该芯片对应的单体信息作为不可填充因素,将芯片对应的标准单体信息记为芯片单体目标调控数据。
芯片填充过程基础参数检测与分析模块,用于在该芯片待填充胶填充过程中对应的基准填充参数进行检测和对目标点胶机对应的基准填充参数进行检测,并进行分析,统计该芯片填充过程符合指数,进而确认该芯片在填充过程中对应的状态,若该芯片在填充过程中对应的状态为异常状态,分析芯片异常因素,且启动芯片填充调控终端进行对应调控,并对调控后的芯片重复待填充胶填充过程基础参数检测与分析步骤,若该芯片在填充过程对应的状态为正常状态,启动芯片填充完成基础参数检测与分析模块;
具体地,所述该芯片对应的基准填充参数具体包括该芯片填充过程中待填充胶表面对应的张力和待填充胶与基板之间的润湿角;该目标点胶机的基准填充参数为该目标点胶机在各次填充时对应的填充胶量,将该目标点胶机对应的各次填充按照其填充时间先后依次进行编号,并标记为1,2,...i,...m。
在一个具体实施例中,当润湿角大于0且小于90度时,表示液滴能润湿固体表面,当润湿角大于90且小于180度时,表示液滴不能润湿固体表面,当润湿角等于0度表示液滴完全润湿固体表面,当润湿角等于180度表示液滴完全不润湿固体表面。
示例性地,所述该芯片填充过程中待填充胶表面对应的张力通过目标点胶机搭载的张力测试仪进行检测,润湿角通过目标点胶机搭载的润湿角测量仪进行检测,填充胶量通过目标点胶机内部的胶量检测仪进行检测。
进一步地,所述统计该芯片填充过程符合指数,进而确认该芯片在填充过程中对应的状态的具体执行过程如下:
B1、获取待填充胶表面对应的张力和待填充胶与基板之间的润湿角,利用计算公式计算得出该芯片对应的基准填充参数符合指数,并记为μ1,其中,芯片对应的基准填充参数符合指数计算公式为μ1表示为该芯片对应的基准填充参数符合指数,s1,s2分别为预设补偿因子,zn,xr分别表示为该芯片填充过程中待填充胶表面对应的张力、待填充胶与基板之间的润湿角、zn′,xr′分别表示为预设的芯片填充过程中待填充胶表面对应的标准张力、待填充胶与基板之间对应的标准润湿角,Δn,Δr分别表示为预设的待填充胶表面对应的许可张力差值、填充胶与基板之间对应的许可润湿角差值。
B2、获取该目标点胶机的基准填充参数,并利用计算公式计算得出该芯片点胶机基准填充参数符合指数,并记为μ2,其中,该目标点胶机对应的基准填充参数的具体计算公式为其中,μ2表示为该芯片点胶机对应的基准填充参数符合指数,dli表示为该目标点胶机在第i次填充时对应的填充胶量,dl′表示该芯片对应的标准填充胶量,σ表示为预设填充胶量对应的补偿系数。
B3、利用计算公式计算该芯片对应的填充过程符合指数,其具体计算公式为γ=b1*μ1+b2*μ2,其中γ表示该芯片对应的填充过程符合指数,b1,b2分别表示为为预设系数;
B4、将该芯片对应的填充过程符合指数与预设的芯片标准填充过程符合指数进行对比,若该芯片对应的填充过程符合指数大于或者预设的芯片标准填充过程符合指数,则将该芯片在填充过程中对应的状态记为正常状态,若该芯片对应的填充过程符合指数小于预设的芯片标准填充过程符合指数,则将该芯片在填充过程中对应的状态记为异常状态。
需要说明的是,所述分析芯片异常因素的具体分析过程:将待填充胶表面对应的张力、待填充胶与基板之间的润湿角分别与预设的待填充胶表面对应的标准张力、待填充胶与基板之间的标准润湿角进行对比,将对比差值分别记为待填充胶表面对应的实际张力差值和填充待填充胶与基板之间对应的实际润湿角差值,将各实际差值分别与对应各许可差值进行对比,若某实际差值大于其许可差值,则将该实际差值对应的信息记为该芯片对应的异常因素,如待填充胶表面对应的实际张力差值大于待填充胶表面对应的许可张力差值,则将该待填充胶表面对应的张力记为该芯片对应的异常因素;同时获取目标点胶机对应的综合填充胶量与其标准填充胶量的对比差值,并记为填充胶量差值,将该芯片对应的填充胶量差值与预设的标准填充胶量差值进行对比,若大于标准填充胶量差值,则将该芯片对应的异常因素记为填充胶量异常。
芯片填充调控终端,用于当芯片处于不可填充状态时或者芯片在填充过程中处于异常状态时,对该芯片进行调控;
具体地,当芯片处于不可填充状态时,获取该芯片对应的不可填充因素和各不可填充因素对应的目标调控数据,启动不可填充因素对应的调控设备进行调控,如:当该芯片对应的不可填充因素为芯片对应的温度和湿度时,获取该芯片进行胶体填充对应的标准温度和标准湿度,启动该芯片放置位置内的加热终端进行芯片加热,需要说明的是,芯片的温度会低于其进行底料填充对应的标准温度,所以在此仅考虑芯片温度低于标准的情况,主要用于防止未对待进行底料填充设备进行预热情况的出现。
具体地,当该芯片在填充过程中处于异常状态时,获取该芯片对应的异常因素,并根据各异常因素进行对应调控:如:当该芯片对应的异常因素为点胶机对应的填充胶量时,发送胶量异常指令至该点胶机对应的调控终端,进行胶量填充控制。
本发明实施例在芯片填充调控终端,通过当芯片处于不可填充状态时或者芯片在填充过程中处于异常状态时,对该芯片进行调控,实现了对芯片填充过程中出现问题的及时处理,从而确保了芯片进行胶体填充对应的合格率,保障了芯片胶体填充流程的合理性和规范性。
芯片填充完成基础参数检测与分析模块,用于对该芯片完成胶体填充后对应的基础参数进行检测,其中,该芯片完成胶体填充后对应的基础参数具体包括该芯片对应的胶体填充区域面积和该芯片对应的胶体填充边缘厚度,并分析该芯片胶体填充质量,进而确认该芯片对应的填充质量等级;
需要说明的是,对该芯片完成胶体填充后对应的基础参数进行检测的具体检测过程包括以下步骤:
在芯片完后胶体填充后,利用该目标点胶机搭载3D视觉传感器对该芯片进行图像采集,获取该芯片对应的三维立体图像,通过图像切割技术对将该芯片对应的三维立体图像切割为芯片区域和基板区域,提取基板区域中胶体填充区域对应的轮廓,进而获取该基板区域三维图像中胶体填充区域对应的填充面积,将该填充面积记为该芯片对应的胶体填充区域面积,其中,胶体填充区域为胶体覆盖在基板上的区域,分别提取基板中四周胶体填充边缘对应的胶体面积,利用平均值计算方法计算得到基板中胶体填充边缘对应的平均胶体面积,将基板中胶体填充边缘对应的平均胶体面积作为该芯片对应的胶体填充边缘厚度。
还需要说明的是,所述分析该芯片胶体填充质量,进而确认该芯片对应的填充质量等级的具体过程如下:
将该芯片对应的胶体填充区域面积和该芯片对应的面积进行作比,得到该芯片对应的面积和对应胶体填充区域面积的比值,将该比值记为填充面积比,并记为f;
将该芯片对应的填充面积比和该芯片对应的胶体填充边缘厚度代入计算公式中,得到该芯片对应的胶体填充质量指数λ,ω1,ω2分别表示为预设系数,f′表示为预设胶体标准填充面积比,h表示该芯片对应的胶体填充边缘厚度,h′表示为预设的胶体标准填充边缘厚度;
将该芯片对应的胶体填充质量指数与预设的各芯片填充质量等级对应的标准胶体填充质量指数进行对比,筛选得到该芯片对应的填充质量等级。
本发明实施例通过芯片填充前基础参数检测与分析模块、芯片填充过程基础参数检测与分析模块和芯片填充完成基础参数检测与分析模块,实现了对待填充芯片填充前、填充过程中和填充完成后的全流程检测与控制,有效的降低了芯片胶体填充对应的不良率和返修率,打破了现有技术在对芯片底料填充控制技术中存在的局限性,有效的保障了芯片胶体填充质量和芯片胶体填充效果,同时完成对芯片胶体填充的闭环分析与控制。
芯片填充质量分析结果反馈终端,用于将该芯片对应的填充质量等级反馈至该芯片填充管理人员。
本发明实施例在芯片填充质量分析结果反馈终端,通过将该芯片对应的填充质量等级反馈至该芯片填充管理人员,可以为芯片填充管理人员对该目标点胶机对应工作状态的分析提供了信息基础,同时还便于芯片管理人员对芯片的分类管理。
以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明,所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于,包括:
待填充芯片基本信息提取模块,用于对待填充胶芯片对应的尺寸参数进行提取,其中,该芯片对应的尺寸参数包括芯片基本尺寸参数和芯片焊点尺寸参数;
待填充芯片基本信息预处理模块,用于基于该芯片基本尺寸参数和该芯片焊点尺寸参数,检索得到该芯片对应的标准填充胶量;
芯片填充前基础参数检测与分析模块,用于在该芯片胶体填充前对待填充胶体的基础参数进行检测,并进行分析,统计该芯片对应的可填充指数,进而确认该芯片对应的可填充状态,若该芯片对应的可填充状态为不可填充,分析芯片不可填充因素,并启动芯片填充调控终端进行对应调控,且在调控结束后重复芯片填充前基础参数检测与分析步骤,若该芯片对应的可填充状态为可填充,启动芯片填充过程参数检测与分析模块;
芯片填充过程基础参数检测与分析模块,用于在该芯片待填充胶填充过程中对应的基准填充参数进行检测和对目标点胶机对应的基准填充参数进行检测,并进行分析,统计该芯片填充过程符合指数,进而确认该芯片在填充过程中对应的状态,若该芯片在填充过程中对应的状态为异常状态,分析芯片异常因素,且启动芯片填充调控终端进行对应调控,并对调控后的芯片重复待填充胶填充过程基础参数检测与分析步骤,若该芯片在填充过程对应的状态为正常状态,启动芯片填充完成基础参数检测与分析模块;
芯片填充调控终端,用于当芯片处于不可填充状态时或者芯片在填充过程中处于异常状态时,对该芯片进行调控;
芯片填充完成基础参数检测与分析模块,用于对该芯片完成胶体填充后对应的基础参数进行检测,并分析该芯片胶体填充质量,进而确认该芯片对应的填充质量等级;
芯片填充质量分析结果反馈终端,用于将该芯片对应的填充质量等级反馈至该芯片填充管理人员。
2.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:该芯片对应的基本尺寸参数具体为该芯片对应的长度、该芯片对应的宽度和该芯片与基板之间的高度;芯片焊点尺寸参数具体为该芯片各焊点对应的直径和该芯片各焊点之间的间距。
3.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:该芯片对应的标准填充胶量的具体检索过程包括以下步骤:
基于该芯片对应的长度和宽度,得到该芯片对应的面积,基于该芯片各焊点对应的直径,利用平均值计算方法得到该芯片对应的平均焊点直径,同时获取该芯片各焊点之间的间距,利用平均值方法计算得到该芯片对应的平均焊点间距;
将该芯片对应的面积、该芯片与基板之间的高度和该芯片对应的平均焊点直径和该芯片对应的平均焊点间距作为芯片填充胶量选取信息,将该芯片填充胶量对应的选取信息与芯片填充数据库中各标准填充胶量对应的芯片填充胶量选取信息进行匹配对比,得到该芯片对应的标准填充胶量。
4.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:该芯片胶体填充前对应待填充胶体的基础参数包括该芯片对应的当前环境参数、待填充胶对应的环境参数和目标点胶机的布设参数,其中,目标点胶机为该芯片当前对应的点胶机,该芯片对应的当前环境参数具体为该芯片对应的温度、该芯片对应的湿度、该芯片对应基板的温度、该芯片对应基板的湿度,待填充胶对应的环境参数为待填充胶对应的温度;该目标点胶机的布设参数具体为目标点胶机中点胶指针与对应芯片边缘之间的水平间距和目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度。
5.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:所述统计该芯片对应的可填充指数,进而确认该芯片对应的可填充状态的具体操作过程包括以下步骤:
获取该芯片对应的温度和湿度,将该芯片对应的温度和湿度代入芯片单体信息符合指数计算公式中,得到芯片单体信息符合指数,并记为ε1;
获取该芯片对应基板的温度和湿度,将该芯片对应基板的温度和湿度代入芯片基板信息符合指数计算公式中,得到芯片基板信息符合指数,并记为ε2;
获取该芯片待填充胶对应的温度,将芯片待填充胶对应的温度代入待填充胶状态符合指数计算公式中,得到芯片待填充胶状态符合指数,并记为ε3;
将该目标点胶机中点胶指针与其对应芯片边缘之间的水平间距和目标点胶机中点胶指针与基板之间的垂直高度代入芯片目标点胶机状态符合指数计算公式中,得到该目标点胶机状态符合指数,并记为ε4;
将该芯片对应的单体信息符合指数、基板信息符合指数、待填充胶状态符合指数和该目标点胶机状态符合指数代入计算公式δ=a1*ε1+a2*ε2+a3*ε3+a3*ε4中,得到该芯片对应的可填充指数δ,其中,a1、a2、a3、a4分别为预设系数;
将该芯片对应的可填充指数与预设的芯片标准可填充指数进行对比,若该芯片对应的可填充指数大于或者等于预设的芯片标准可填充指数,将该芯片对应的可填充状态记为可填充,反之则记为不可填充。
6.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:该芯片对应的基准填充参数具体包括该芯片填充过程中待填充胶表面对应的张力和待填充胶与基板之间的润湿角;该目标点胶机的基准填充参数为该目标点胶机在各次填充时对应的填充胶量,将该目标点胶机对应的各次填充按照其填充时间先后依次进行编号,并标记为1,2,...i,...m。
7.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:所述统计该芯片填充过程符合指数,进而确认该芯片在填充过程中对应的状态的具体执行过程如下:
获取待填充胶表面对应的张力、待填充胶与基板之间的润湿角、待填充胶与芯片之间的润湿角,利用计算公式计算得出该芯片对应的基准填充参数符合指数,并记为μ1;
获取该目标点胶机的基准填充参数,并利用计算公式计算得出该芯片点胶机基准填充参数符合指数,并记为μ2;
利用计算公式计算该芯片对应的填充过程符合指数,其具体计算公式为γ=b1*μ1+b2*μ2,其中γ表示该芯片对应的填充过程符合指数,b1,b2分别表示为为预设系数;
将该芯片对应的填充过程符合指数与预设的芯片标准填充过程符合指数进行对比,若该芯片对应的填充过程符合指数大于或者预设的芯片标准填充过程符合指数,则将该芯片在填充过程中对应的状态记为正常状态,若该芯片对应的填充过程符合指数小于预设的芯片标准填充过程符合指数,则将该芯片在填充过程中对应的状态记为异常状态。
8.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:该芯片完成胶体填充后对应的基础参数具体包括该芯片对应的胶体填充区域面积和该芯片对应的胶体填充边缘厚度。
9.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:所述分析该芯片胶体填充质量,进而确认该芯片对应的填充质量等级的具体过程如下:
将该芯片对应的胶体填充区域面积和该芯片对应的面积进行作比,得到该芯片对应的面积和对应胶体填充区域面积的比值,将该比值记为填充面积比,并记为f;
将该芯片对应的填充面积比和该芯片对应的胶体填充边缘厚度代入计算公式中,得到该芯片对应的胶体填充质量指数λ,ω1,ω2分别表示为预设系数,f′表示为预设胶体标准填充面积比,h表示该芯片对应的胶体填充边缘厚度,h′表示为预设的胶体标准填充边缘厚度;
将该芯片对应的胶体填充质量指数与预设的各芯片填充质量等级对应的标准胶体填充质量指数进行对比,筛选得到该芯片对应的填充质量等级。
10.根据权利要求1所述的一种基于机器视觉的芯片制作点胶机在线控制管理系统,其特征在于:该系统还包括芯片填充数据库,所述芯片填充数据库用于存储各标准待填充胶量对应的芯片填充胶量选取信息。
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