CN114634731A - 油墨组合物和使用油墨组合物制造的发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及油墨组合物和使用油墨组合物制造的发光装置。用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物包括：包括氧化膦部分的电子传输化合物；和由式1表示的溶剂，式1(P＝O)(OR₁)(OR₂)(OR₃)其中，在式1中，R₁至R₃各自彼此独立地为氢、氘或C₁‑C₃₀烷基，并且R₁至R₃中的至少一个为C₁‑C₃₀烷基。

Description

油墨组合物和使用油墨组合物制造的发光装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月15日提交的韩国专利申请第10-2020-0175825号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用并入本文，如同在本文中充分地陈述。

技术领域

本发明的实施方式大体上涉及显示装置，并且更具体地，涉及用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物，和使用油墨组合物制造的发光装置。

背景技术

发光装置包括堆叠在阳极和阴极之间的多个有机薄膜，并且聚合物材料和低分子量材料已知为用于形成有机薄膜的材料。另外，由于其合成途径的便利性和高纯度纯化的可能性，正在开发低分子量有机发光材料。

在这些低分子量有机发光材料当中，已经报道了在效率、寿命和颜色纯度方面显著卓越并且正投入实际使用的材料。当低分子量有机发光材料用于形成薄膜时，通常采用真空沉积方法。在这种方法中，低分子量有机发光材料沉积在基板上，以从而获得高性能有机发光装置。

尽管真空沉积方法具有良好的热稳定性，但是要求高真空设施或复杂的制造工艺，以生产高性能有机发光装置。

在该背景技术章节中公开的上面的信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且所以，其可含有不构成现有技术的信息。

发明内容

提供了用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物并且根据本发明的原理和阐释性实施制造的包括油墨组合物的发光装置可使用溶解工艺中可用的油墨组合物制造。

通过使用根据本发明的原理和一个或多个实施方式的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，可通过溶解工艺形成在第一电极和第二电极之间的所有有机层。

另外，通过使用根据本发明的原理和一个或多个实施方式的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，消除了必须通过沉积方法形成作为公共层的电子传输层的限制，并且因此可形成包括对于发射层R、发射层G和发射层B中的每一个不同的电子传输层化合物的电子传输层。

本发明构思的另外特征将在下面的描述中陈述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过本发明构思的实践而了解到。

根据本发明的一个方面，用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物包括：包括氧化膦部分的电子传输化合物；和由式1表示的溶剂，

式1

(P＝O)(OR₁)(OR₂)(OR₃)

其中，在式1中，R₁至R₃各自彼此独立地为氢、氘或C₁-C₃₀烷基，并且R₁至R₃中的至少一个为C₁-C₃₀烷基。

溶剂可具有约9或更大的汉森(Hansen)参数的dP值。

溶剂可具有约9或更大的汉森参数的dH值。

电子传输化合物可具有约9或更大的汉森参数的dP值。

电子传输化合物可具有约5或更大的汉森参数的dH值。

在室温下溶剂可具有约10cP或更低的粘度。

溶剂可具有约30达因/cm至约35达因/cm的表面张力。

式1中的变量R₁至R₃可相同。

式1中的变量R₁至R₃可各自彼此独立地为直链C₁-C₃₀烷基。

在式1中，变量R₁可为氢或氘；变量R₂可为氢或氘；或变量R₃可为氢或氘。

在式1中，变量R₁和R₂可各自彼此独立地为氢或氘；变量R₂和R₃可各自彼此独立地为氢或氘；或变量R₁和R₃可各自独立地为氢或氘。

溶剂可由式1表示并且包括化合物1至化合物12中的任何一种。

电子传输化合物可包括化合物101至化合物107中的任何一种。

根据本发明的另一方面，显示装置的发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和设置在第一电极和第二电极之间并且包括发射层和电子传输层的夹层，其中电子传输层通过使用用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物，通过溶解工艺来制备，油墨组合物包括：包括氧化膦部分的电子传输化合物；和由式1表示的溶剂，

式1

(P＝O)(OR₁)(OR₂)(OR₃)

其中，在式1中，R₁至R₃各自彼此独立地为氢、氘或C₁-C₃₀烷基，并且R₁至R₃中的至少一个为C₁-C₃₀烷基。

溶解工艺可包括旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特沉积或喷墨打印。

发射层可接触电子传输层。

发射层可包括主体和掺杂剂，并且主体和掺杂剂中的每一个可具有640g/mol或更大的分子量。

夹层可进一步包括空穴注入层和空穴传输层，并且空穴注入层、空穴传输层和发射层可通过溶解工艺来制备。

电子设备可包括如上述的发光装置。

电子设备可包括具有源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光装置的第一电极可电连接至薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。

应理解，前述的一般性描述和下述的详细描述二者都是阐释性和解释性的，并且旨在提供如要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

为提供本发明的进一步理解而包括的并且并入本说明书中以及构成本说明书的一部分的所附附图，阐释了本发明的阐释性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。

图1为根据本发明的原理构造的发光装置的结构的实施方式的示意性横截面图。

图2为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的实施方式的横截面图。

图3为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的另一实施方式的横截面图。

具体实施方式

在以下描述中，为了解释的目的，陈述了许多具体的细节，以便提供对本发明的各种实施方式或实施的透彻理解。如本文使用的，“实施方式”和“实施”为可互换的词语，其为采用本文公开的一个或多个本发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可在没有这些具体的细节或具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施方式。在其他情况下，熟知的结构和设备以框图形式显示，以避免不必要地混淆各种实施方式。进一步，各种实施方式可为不同的，但是不必是排他性的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方式的具体形状、配置和特点可在另一实施方式中使用或实施。

除非另外指出，否则阐释的实施方式应理解为提供其中可在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的阐释性特征。因此，除非另外指出，否则在不背离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文单独或共同称为“元件”)可以以其他方式组合、分开、互换和/或重排。

通常提供所附附图中的交叉影线和/或阴影的使用，以阐明邻近元件之间的边界。正因如此，除非另外指出，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传递或指示对特定材料、材料特性、维度、比例、阐释的元件之间的共性和/或元件的任何其他特点、属性、特性等的任何偏好或要求。进一步，在所附附图中，为了清楚起见和/或描述性目的，可放大元件的尺寸和相对尺寸。当可不同地实施实施方式时，可与描述的顺序不同地进行具体的工艺顺序。例如，可基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行两个连续描述的工艺。而且，相同的附图标记表示相同的元件。

当元件，比如层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层，或可存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为了该目的，术语“连接”可指用或不用居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴，比如x轴、y轴和z轴，并且可在更宽的意义上解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可解释为仅X，仅Y，仅Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，比如，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。

尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。

空间相对术语，比如“之下”、“下面”、“下方”、“下”、“上面”、“上”、“之上”、“高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等可在本文中用于描述性目的，并且从而描述如附图中阐释的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语也旨在囊括使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果将附图中的设备翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下面”或“在”其他元件或特征“之下”的元件将接着定向“在”其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可囊括上面和下面的两种定向。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他定向)，并且，正因如此，相应地解释本文使用的空间相对描述符。

本文使用的术语用于描述特定的实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。如本文使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式。而且，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”当在本说明书中使用时，指定存在叙述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。也应注意，如本文使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似的术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且，正因如此，用于考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。

本文参考作为理想化的实施方式和/或中间结构的示意图的截面图和/或分解图描述了各种实施方式。正因如此，应预期由例如制造技术和/或公差造成的阐释的形状的变型。因此，本文公开的实施方式不应必须解释为限于特定阐释的区域的形状，而是包括由例如制造造成的形状的偏差。如此，附图中阐释的区域本质上可为示意性的并且这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状，并且，正因如此，不必旨在是限制性的。

除非以其他方式限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语，比如在常用的词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文明确地如此限定。

在通过使用低分子量或聚合物有机发光材料的涂布方法制造有机发光装置的情况下，与通过沉积方法制造的有机发光装置相比，有机发光装置的特点仍然不足。

迄今为止已经开发的溶液加工的有机发光装置各自具有其中通过涂布方法形成空穴注入层、空穴传输层和发射层，但是通过沉积方法形成电子传输层的装置结构。因此，缺少对通过涂布方法制造的有机发光装置的研究和开发。

根据本发明的方面的用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物可包括：氧化膦类电子传输化合物；和由式1表示的溶剂。

式1

(P＝O)(OR₁)(OR₂)(OR₃)

在式1中，R₁至R₃可各自独立地指示氢、氘或C₁-C₃₀烷基，并且

R₁至R₃中的至少一个可指示C₁-C₃₀烷基。

烷基可具有直链或支链结构。

烷基可为未取代的烷基。

在实施方式中，在式1中，R₁至R₃可各自独立地指示氢、氘或C₁-C₂₀烷基。在实施方式中，在式1中，R₁至R₃可各自独立地指示氢、氘或C₁-C₁₀烷基。

在实施方式中，用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物中的溶质的量基于总组合物可为约0.01wt％至约5wt％。在实施方式中，用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物中的氧化膦类电子传输化合物的量基于总组合物可为约0.01wt％至约5wt％。在实施方式中，用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物中的溶质的量基于总组合物可为约0.1wt％至约3wt％。在实施方式中，用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物中的氧化膦类电子传输化合物的量基于总组合物可为约0.1wt％至约3wt％。当用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物的量在上述范围内时，油墨组合物通过喷墨打印被顺利地涂布，并且可顺利地形成通过烘烤和蒸发溶剂而形成的层。

在实施方式中，溶剂的汉森参数的dP值可为约9或更大。在实施方式中，溶剂的汉森参数的dH值可为约9或更大。汉森参数为用于预测材料可在另一材料中溶解而形成溶液的程度的参数。汉森参数的dP值与来自分子之间的偶极力的能量相关，并且汉森参数的dH值与来自分子之间的氢键的能量相关。当溶剂的dP值和dH值为约9或更大时，由用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物形成的层的下面的膜不能充分地溶解。

在实施方式中，氧化膦类电子传输化合物的汉森参数的dP值可为约9或更大。在实施方式中，氧化膦类电子传输化合物的汉森参数的dH值可为约5或更大。在实施方式中，在室温下溶剂的粘度可为约10厘泊(cP)或更低。在实施方式中，溶剂的表面张力可为约30达因/cm(达因/厘米)至约35达因/cm。

在溶解工艺中排出的微滴的尺寸越小，所得产物的分辨率越高。当根据实施方式的用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物中的溶剂的粘度和表面张力在上述范围内时，微滴的尺寸可足够小以具有高的分辨率(大于约200ppi[像素每英寸])。

在实施方式中，当溶剂的汉森参数的dP值的范围和dH值的范围在上述范围内，溶剂的表面张力在上述范围内，并且氧化膦类电子传输化合物的汉森参数的dP值的范围和dH值的范围在上述范围内时，用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物被优化用于溶解工艺(例如，通过喷墨打印的涂布)，并且对由用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物形成的层的下面的膜的损坏被最小化。

如果用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物中的氧化膦类电子传输化合物的量在上述范围内，则包括在溶剂中的溶质的量可显著较低。相应地，在该情况下，溶剂的特性决定了油墨组合物的特性。

在实施方式中，用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物的溶剂可为单一溶剂或混合溶剂。在实施方式中，用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物的溶剂可包括第一溶剂和第二溶剂。例如，在该情况下，第一溶剂的表面张力和第二溶剂的表面张力之间的差或第一溶剂的蒸气压和第二溶剂的蒸气压之间的差可为大的，并且因此可表现出马兰各尼(Marangoni)效应。相应地，在溶解工艺中可增加像素的均匀性。

在实施方式中，包括在第一溶剂中的烷基的链长和包括在第二溶剂中的烷基的链长之间的差可为两个至六个碳原子。在实施方式中，包括在第一溶剂中的烷基的链长可为两个碳原子，并且包括在第二溶剂中的烷基的链长可为四个碳原子。在实施方式中，包括在第一溶剂中的烷基的链长可为两个碳原子，并且包括在第二溶剂中的烷基的链长可为六个碳原子。第一溶剂和第二溶剂可各自由式1表示。

在实施方式中，在式1中，R₁至R₃可相同。在实施方式中，在式1中，R₁至R₃可各自为直链C₁-C₃₀烷基。在实施方式中，就式1中的R₁至R₃而言，R₁可为氢或氘；R₂可为氢或氘；或R₃可为氢或氘。在实施方式中，就式1中的R₁至R₃而言，R₁可为氢或氘，并且R₂和R₃可为相同的烷基；R₂可为氢或氘，并且R₁和R₃可为相同的烷基；或R₃可为氢或氘，并且R₁和R₂可为相同的烷基。

在实施方式中，就式1中的R₁至R₃而言，R₁可为氢或氘，并且R₂和R₃可为不同的烷基；R₂可为氢或氘，并且R₁和R₃可为不同的烷基；或R₃可为氢或氘，并且R₁和R₂可为不同的烷基。在实施方式中，就式1中的R₁至R₃而言，R₁和R₂可各自独立地为氢或氘；R₂和R₃可各自独立地为氢或氘；或R₁和R₃可各自独立地为氢或氘。

在实施方式中，由式1表示的溶剂可包括下述化合物中的任何一种：

化合物1

化合物2

化合物3

化合物4

化合物5

化合物6

化合物7

化合物8

化合物9

化合物10

化合物11

化合物12。

在实施方式中，氧化膦类电子传输化合物可为包括P＝O的化合物。

在实施方式中，氧化膦类电子传输化合物可包括下述化合物中的任何一种：

化合物101

化合物102

化合物103

化合物104

化合物105

化合物106

化合物107。

另外，当需要时，油墨组合物可进一步包括用于增加分散性的分散剂、用于增加对基板的粘附性的粘附促进剂、用于提高涂布特性的匀化剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂或其任何组合。根据本发明的另一方面的发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及定位在第一电极和第二电极之间并且包括发射层和电子传输层的夹层，并且电子传输层通过使用用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物，通过溶解工艺来制造。

在实施方式中，第一电极可为阳极并且第二电极可为阴极，夹层可进一步包括在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，溶解工艺可以为旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积或喷墨打印。在实施方式中，发射层可接触电子传输层。

在实施方式中，发射层可包括主体和掺杂剂，并且主体的分子量和掺杂剂的分子量中的每一个可为约640g/mol或更大。在主体的分子量和掺杂剂的分子量中的每一个小于约640g/mol的情况下，当根据实施方式的用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物涂布在发射层上时，可损坏作为下面的膜的发射层。

在实施方式中，用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物可进一步包括含金属材料。下面描述含金属材料。

在实施方式中，夹层可进一步包括空穴注入层和空穴传输层，并且空穴注入层、空穴传输层和发射层可通过溶解工艺(例如，旋涂、浇铸、LB沉积，或喷墨打印)来制造。通过溶解工艺形成空穴注入层、空穴传输层和发射层是熟知的，并且因此省略了其详细描述。

根据本发明的另一方面的电子设备可包括发光装置。在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可电连接至薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

图1的描述

图1为根据本发明的原理构造的发光装置的结构的实施方式的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将结合图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外定位在第一电极110下方或第二电极150上面。作为基板，可使用玻璃基板或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合可用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可具有由单层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130可定位在第一电极110上。夹层130可包括发射层。夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极150之间的电子传输区。除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和无机材料比如量子点等。在一个或多个实施方式中，夹层130可包括，i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射层，和ii)定位在两个发射层之间的电荷生成层。当夹层130包括如上述的发射层和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有：i)由单层组成的单层结构，单层由单一材料组成，ii)由单层组成的单层结构，单层由多种不同的材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括不同的材料。空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

在实施方式中，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每个结构中，从第一电极110依次堆叠层。空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可为*-O-*’、*-S-*’、*-N(Q₂₀₁)-*’、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个。

式CY201至式CY217中的R_10b和R_10c与结合R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可为未取代的或被R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。在实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201中的xa1为1，R₂₀₁为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团。在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203表示的基团，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY217表示的基团。

在实施方式中，空穴传输区可包括4,4’,4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1-N,1-N-双[4-(二苯基氨基)苯基]-4-N,4-N-二苯基苯-1,4-二胺(TDATA)、4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺(NPB或NPD)、N4,N4’-二(2-萘基)-N4,N4’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(β-NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基联苯胺(TPD)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-9,9-螺联芴-2,7-二胺(螺-TPD)、N2,N7-二-1-萘基-N2,N7-二苯基-9,9’-螺二[9H-芴]-2,7-二胺(螺-NPB)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-2,2’-二甲基-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺(甲基化的NPB)、4,4’-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N,N’,N’-四(3-甲基苯基)-3,3’-二甲基联苯胺(HMTPD)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其组合。

空穴传输区的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的空穴传输特点。

发射辅助层可通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡来自发射层的电子泄漏至空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于提高导电特性的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

在实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为约-3.5eV或更小。在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物或其任何组合。醌衍生物的示例可包括四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)等。

含氰基化合物的示例可包括1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)和由下面式221表示的化合物等。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其任何组合。

在含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其组合。

金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。非金属的示例可包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在实施方式中，含元素EL1和元素EL2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。碱土金属卤化物的示例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

夹层130中的发射层

当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素而图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。如上述，主体的分子量和掺杂剂的分子量中的每一个可为约640g/mol或更大。发射层中的掺杂剂的量基于100重量份的主体可为约0.01重量份至约15重量份。在实施方式中，发射层可包括量子点。在实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当发射层的厚度在该范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得卓越的光发射特点。

主体

主体可包括由下面式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21。

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃与结合Q₂₀₁描述的相同。

在实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可经单键彼此连接。

在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可为O、S、N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁各自独立地与结合式301描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄各自独立地与结合L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4各自独立地与结合xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄与结合R₃₀₁描述的相同。

在实施方式中，主体可包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。在实施方式中，主体可包括Be络合物、Mg络合物、Zn络合物或其组合。

在实施方式中，主体可包括9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(2-萘基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCP)或其任何组合。

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。磷光掺杂剂可为电中性的。

在实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2。

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

式402

在式402中，

X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可为单键、-O-、-S-、-C(＝O)-、-N(Q₄₁₁)-、-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-、

-C(Q₄₁₁)＝或＝C＝，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄与结合Q₂₀₁描述的相同，R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃与结合Q₂₀₁描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*’各自指示与式401中的M的结合位点。

在实施方式中，在式402中，i)X₄₀₁为氮并且X₄₀₂为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个为氮。

在实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地经作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，并且两个环A₄₀₂可任选地经作为连接基团的T₄₀₃彼此连接。变量T₄₀₂和变量T₄₀₃与结合T₄₀₁描述的相同。

式401中的变量L₄₀₂可为有机配体。在实施方式中，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-C(＝O)基、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

在实施方式中，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。

在实施方式中，式501中的xd4可为2。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括DPVBi、DPAVBi或其任何组合：

延迟荧光材料

发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。包括在发射层中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可大于或等于约0eV并且小于或等于约0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可有效发生延迟荧光材料从三重态至单重态的上转换，并且因此，可提高发光装置10的发射效率。

在实施方式中，延迟荧光材料可包括i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(B)的同时稠合的C₈-C₆₀多环基团的材料。

在实施方式中，延迟荧光材料可包括下述化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

量子点

发射层可包括量子点。量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射各种发射波长的光的任何材料。量子点的直径可，例如，在约1nm至约10nm的范围内。量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或任何类似的工艺来合成。

根据湿化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合，以使量子点颗粒晶体生长。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可通过比气相沉积方法，比如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)更容易进行并且需要低的成本的工艺来控制。

量子点可包括：第II-VI族的半导体化合物；第III-V族的半导体化合物；第III-VI族的半导体化合物；第I-III-VI族的半导体化合物；第IV-VI族的半导体化合物；第IV族的元素或化合物；或其任何组合。

第II-VI族的半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或其任何组合。

第III-V族的半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb等；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb等；四元化合物，比如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaAlNP、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb等；或其任何组合。在实施方式中，第III-V族的半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族的半导体化合物的示例可包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

第III-VI族的半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂Se₃或InTe；三元化合物，比如InGaS₃或InGaSe₃；或其任何组合。第I-III-VI族的半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂；或其任何组合。

第IV-VI族的半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe等；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe等；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe等；或其任何组合。

第IV族的元素或化合物可包括：单元素，比如Si或Ge；二元化合物，比如SiC或SiGe；或其任何组合。

包括在多元素化合物，比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中的每种元素可以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。

在实施方式中，量子点可具有单一结构或核壳双重结构。在具有单一结构的量子点的情况下，包括在对应的量子点中的每种元素的浓度是均匀的。在实施方式中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可彼此不同。

量子点的壳可充当保护层，以防止核的化学变性，以保持半导体特点和/或充当充电层，以赋予量子点电泳特点。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝向中心减小的浓度梯度。

量子点的壳的示例可为金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物；半导体化合物；和其任何组合。金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物的示例可包括：二元化合物，比如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄或NiO；三元化合物，比如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄或CoMn₂O₄；或其任何组合。半导体化合物的示例可包括如本文描述的第II-VI族的半导体化合物，第III-V族的半导体化合物，第III-VI族的半导体化合物，第I-III-VI族的半导体化合物，第IV-VI族的半导体化合物或其任何组合。另外，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度或色域。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可提高宽视角。

另外，量子点可为大体球形纳米颗粒、大体锥体纳米颗粒、大体多臂纳米颗粒、大体立方体纳米颗粒、大体纳米管状颗粒、大体纳米线状颗粒、大体纳米纤维状颗粒或大体纳米板状颗粒。

因为可通过控制量子点的尺寸来调节能带隙，所以可从量子点发射层获得具有各种波长带的光。所以，通过使用不同尺寸的量子点，可实施发射各种波长的光的发光装置。在实施方式中，可选择量子点的尺寸，以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可配置为通过将各种颜色的光组合而发射白光。

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)由单层组成的单层结构，单层由单一材料组成，ii)由单层组成的单层结构，单层由多种不同的材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括不同的材料。

电子传输区包括电子传输层。电子传输区可进一步包括空穴阻挡层、电子注入层或其任何组合。电子传输层可通过使用油墨组合物，通过溶解工艺来制造，油墨组合物包括：氧化膦类电子传输化合物；和由式1表示的溶剂。

在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每个结构中，从发射层依次堆叠构成层。

电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可包括无金属化合物，无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，电子传输区可包括由下面式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21。

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃与结合Q₂₀₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可经单键连接。

在实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃与结合L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613与结合xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃与结合R₆₀₁描述的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团，或未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、3-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(1-萘基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)或其任何组合：

电子传输区的厚度可为约

至约

例如，约

至约

当电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层或其任何组合时，空穴阻挡层和电子传输层的厚度可各自独立地为约

至约

例如，约

至约

并且电子传输层的厚度可为约

至约

例如，约

至约

当空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度在上述范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特点。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碱金属络合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

在实施方式中，含金属材料可包括Li络合物。Li络合物可包括，例如，化合物ET-D1(8-羟基喹啉锂，Liq)或ET-D2：

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。

电子注入层可具有：i)由单层组成的单层结构，单层由单一材料组成，ii)由单层组成的单层结构，单层由多种不同的材料组成，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括不同的材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或其任何组合。

含碱金属化合物可包括碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O或K₂O；碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI；或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)或Ba_xCa_1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。在实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)例如，作为与金属离子键合的配体的羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

电子注入层可由如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合组成。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可由以下组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在实施方式中，电子注入层可为KI:Yb共沉积层或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

至约

并且例如，约

至约

的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子注入特点。

第二电极150

第二电极150可定位在具有这种结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任何组合。

在实施方式中，第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。第二电极150可具有单层结构，或包括两个或更多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层(未显示)可定位在第一电极110外侧，和/或第二封盖层(未显示)可定位在第二电极150外侧。详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。

在发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第一电极110和第一封盖层朝向外侧提取，或在发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第二电极150和第二封盖层朝向外侧提取。

根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可增加外部发射效率。相应地，增加了发光装置10的光提取效率，从而可提高发光装置10的发射效率。第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括折射率(在589nm下)为约1.6或更大的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物CP1至化合物CP6中的一种、N4,N4’-二(2-萘基)-N4,N4’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(β-NPB)或其任何组合：

电子设备

发光装置可包括在各种电子设备中。在实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可定位在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方式中，从发光装置发射的光可为蓝光。发光装置可与如上述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如本文描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区，滤色器可包括分别对应于多个子像素区的多个滤色器区，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区的多个颜色转换区。

像素限定层可定位在多个子像素区之间，以限定多个子像素区中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区和定位在多个滤色器区之间的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区和定位在多个颜色转换区之间的遮光图案。

滤色器区(或颜色转换区)可包括发射第一颜色光的第一区、发射第二颜色光的第二区和/或发射第三颜色光的第三区，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，滤色器区(或颜色转换区)可包括量子点。详细地，第一区可包括红色量子点，第二区可包括绿色量子点，并且第三区可不包括量子点。量子点与本文描述的相同。第一区、第二区和/或第三区可各自包括散射体。

在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区可吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有不同的最大发射波长。详细地，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。

除了如上述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任何一个可电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任何一个。薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可放置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取至外侧，而同时防止环境空气和水分渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的使用，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外定位在密封部分上。功能层可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可采用下述的形式或应用于下述：各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、飞机和船只的仪表)和投影仪等。

图2和图3的描述

图2为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的实施方式的横截面图。

图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装层300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止杂质通过基板100的渗透并且可在基板100上提供基本上平坦的表面。

TFT可定位在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可定位在有源层220上，并且栅电极240可定位在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250定位在栅电极240上。夹层绝缘膜250可放置在栅电极240和源电极260之间，以将栅电极240与源电极260绝缘，并且放置在栅电极240和漏电极270之间，以将栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可定位在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接至漏电极270的暴露部分。

含有绝缘材料的像素限定层290可定位在第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区域，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区域中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，而以公共层的形式定位。

第二电极150可定位在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可定位在封盖层170上。封装部分300可定位在发光装置上，以保护发光装置免受水分或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，其包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或其任何组合；有机膜，其包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其组合；或无机膜和有机膜的组合。

图3为包括根据本发明的原理构造的发光装置的发光设备的另一实施方式的横截面图。

图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区域400另外定位在封装部分300上。功能区域400可为：i)滤色器区，ii)颜色转换区，或iii)滤色器区和颜色转换区的组合。在实施方式中，包括在图3的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。

制造方法

包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨打印、激光打印和激光诱导热成像中的一个或多个适当的方法形成在某些区域中。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋涂形成时，通过考虑待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，旋涂可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度和在约80℃至200℃的热处理温度下进行。

术语的限定

如本文使用的，术语“夹层”指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单层和/或所有的多个层。

如本文使用的，术语“混合溶剂”指包括至少两种化合物的溶剂，并且例如，当使用其中式1中的R₁至R₃彼此不同的溶剂时，溶剂可为混合溶剂。

如本文使用的，术语包括氧化膦部分的电子传输化合物可包括氧化膦类电子传输化合物。

如本文使用的，术语“原子”可意味着与一个或多个其他原子键合的元素或其对应的自由基。

如本文使用的，单价基团，例如，烷基的取代基也可独立地为对应的二价基团，例如，亚烷基的取代基。

如本文使用的，术语“C₃-C₆₀碳环基团”指仅由碳作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文使用的，术语“C₁-C₆₀杂环基团”指具有1至60个碳原子并且除了碳之外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。在实施方式中，C₁-C₆₀杂环基团具有3至61个成环原子。

如本文使用的，“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的，术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*’作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的，术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子并且包括*-N＝*’作为成环部分的杂环基团。

在实施方式中，C₃-C₆₀碳环基团可为i)基团T1或ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合的稠环基团，例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基。

C₁-C₆₀杂环基团可为i)基团T2，ii)其中两个或更多个基团T2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团，例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等。

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为i)基团T1，ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合的稠环基团，iii)基团T3，iv)其中两个或更多个基团T3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团，例如，C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等。

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为i)基团T4，ii)其中两个或更多个基团T4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团，例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等。

基团T1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

基团T2可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

基团T3可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

基团T4可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如本文使用的，术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基团”、“C₁-C₆₀杂环基团”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指与任何环状基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团，这取决于结合该术语使用的式的结构。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，其可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构而容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的示例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的示例可包括C₃-C₁₀环亚烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。

如本文使用的，术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，C₁-C₂₀烷基或C₁-C₁₀烷基，并且其示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的，术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有对应于C₁-C₆₀烷基的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的，术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有对应于C₂-C₆₀烯基的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的，术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有对应于C₂-C₆₀炔基的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，例如，C₁-C₂₀烷氧基，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如本文使用的，术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，并且其示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指具有对应于C₃-C₁₀环烷基的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个作为成环原子的杂原子并且具有1至10个碳原子的单价环状基团，并且其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有对应于C₁-C₁₀杂环烷基的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“C₃-C₁₀环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且无芳香性的单价环状基团，并且其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指具有对应于C₃-C₁₀环烯基的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环结构中除了碳原子以外具有至少一个作为成环原子的杂原子、1至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有对应于C₁-C₁₀杂环烯基的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“C₆-C₆₀芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的，术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。

如本文使用的，术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个作为成环原子的杂原子，和1至60个碳原子。如本文使用的，术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个作为成环原子的杂原子，和1至60个碳原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。

如本文使用的，术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子，并且当整体考虑时在其分子结构中为非芳香性的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的，术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合多环基团的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，至少一个除了碳原子(例如，具有1至60个碳原子)之外的杂原子作为成环原子，并且当整体考虑时在其分子结构中为非芳香性的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的，术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有对应于单价非芳族稠合杂多环基团的结构的二价基团。

如本文使用的，术语“C₆-C₆₀芳氧基”指示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如本文使用的，术语“C₆-C₆₀芳硫基”指示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如本文使用的，术语“C₇-C₆₀芳基烷基”指-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄可为C₁-C₅₄亚烷基，并且A₁₀₅可为C₆-C₅₉芳基)，并且如本文使用的，术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基”指-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆可为C₁-C₅₉亚烷基，并且A₁₀₇可为C₁-C₅₉杂芳基)。

R_10a可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；各自被以下取代或未取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

如本文使用的，Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；各自未取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团：氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合；C₇-C₆₀芳基烷基；或C₂-C₆₀杂芳基烷基。

如本文使用的，术语“杂原子”指碳原子之外的任何原子。杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任何组合。

本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和金(Au)等。

如本文使用的，术语“Ph”指苯基，如本文使用的，术语“Me”指甲基，如本文使用的，术语“Et”指乙基，如本文使用的，术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如本文使用的，术语“OMe”指甲氧基。

如本文使用的，术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如本文使用的，术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外限定，否则如本文使用的*和*’各自指与对应的式或部分中的邻近原子的结合位点。

下文，将参考实施例详细地描述根据本发明的原理和一个或多个实施方式制备的油墨组合物和包括其的发光装置。

实施例

汉森参数值

关于作为单一溶剂的磷酸三乙酯(TEP)或磷酸三丁酯(TBP)；含有磷酸三乙酯和磷酸三丁酯的混合溶剂；含有乙二醇(EG)和二甘醇一丁醚(DGBE)的混合溶剂；以及氧化膦类电子传输化合物101、氧化膦类电子传输化合物102和氧化膦类电子传输化合物103等的汉森参数值显示在表1中。

表1

MPa^0.5意思是的MPa的平方根值。

溶剂的物理特性

就作为单一溶剂的磷酸三乙酯(TEP)或磷酸三丁酯(TBP)；含有磷酸三乙酯和磷酸三丁酯的混合溶剂；含有乙二醇(EG)和二甘醇单丁基醚(DGBE)的混合溶剂而言，粘度和表面张力值显示在表2中。

表2

溶剂	粘度(cP)[室温]	表面张力(达因/cm)
			TEP	2.5	29.0
TBP	5.0	29.0
			TEP和TBP(8:2的体积比)	3.1	29.0
EG和DGBE(8:2的体积比)	14.0	35.2

对下面的膜的损坏的评估

根据下述程序评估包括在用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物中的溶剂对下面的膜的损坏。

1)玻璃基板：制备基板以制造发射层(EML)单一膜

2)EML涂布：进行旋涂，以与玻璃上油墨的目标厚度相匹配(样品特定厚度变化规格<±3％)，并且在140℃下进行烘烤10分钟。

3)EML UV吸光度的确定：通过涂布总共10个或更多个样品，测量EML单一膜的中心部分的UV吸收光谱。UV吸光度波长(λ)最大值设置为100(初始状态)。

4)溶剂滴加：通过使用注射器在EML单一膜的中心滴加50mg的含有第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂。

5)静置：在液滴不移动或流动的情况下，将混合溶剂的液滴在罩中静置(30分钟)。

6)混合溶剂的去除：通过使用纤维直径为20μm或更小的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)微纤维擦拭器去除混合溶剂(擦拭器停留时间为10秒)。

7)烘烤：在热板的测量温度为110℃的条件下进行烘烤15分钟。

8)UV吸光度的测量：测量紫外吸光度λ最大值的差。基于初始吸光度为100，相对吸光度表示为百分比(％)(例如，当初始吸光度为10并且处理后的吸光度为9时，相对吸光度为90％)。

实施例1-1

将B EML-1旋涂在玻璃基板(50x50 mm)上，以形成厚度为100nm的膜，并且然后根据用于评估对下面的膜的损坏的方法评估对下面的膜的损坏的程度。溶剂为磷酸三乙酯(TEP)。

实施例1-2

以与实施例1-1中相同的方式进行实施例1-2，只是使用G EML-1代替B EML-1。

实施例1-3

以与实施例1-1中相同的方式进行实施例1-3，只是使用R EML-1代替B EML-1。

实施例1-4

以与实施例1-1中相同的方式进行实施例1-4，只是使用磷酸三丁酯(TBP)代替TEP作为溶剂。

实施例1-5

以与实施例1-4中相同的方式进行实施例1-5，只是使用G EML-1代替B EML-1。

实施例1-6

以与实施例1-4中相同的方式进行实施例1-6，只是使用R EML-1代替B EML-1。

实施例1-7

以与实施例1-1中相同的方式进行实施例1-7，只是使用含有TEP和TBP(8:2的体积比)的混合溶剂代替TEP作为溶剂。

比较例1-1

以与实施例1-1中相同的方式进行比较例1-1，只是使用B EML-2代替B EML-1。

比较例1-2

以与实施例1-1中相同的方式进行比较例1-2，只是使用G EML-2代替B EML-1。

比较例1-3

以与实施例1-1中相同的方式进行比较例1-3，只是使用R EML-2代替B EML-1。

比较例1-4

以与实施例1-1中相同的方式进行比较例1-4，只是使用含有EG和DGBE(8:2的体积比)的混合溶剂代替TEP作为溶剂。

比较例1-5

以与实施例1-2中相同的方式进行比较例1-5，只是使用含有EG和DGBE(8:2的体积比)的混合溶剂代替TEP作为溶剂。

比较例1-6

以与实施例1-3中相同的方式进行比较例1-6，只是使用含有EG和DGBE(8:2的体积比)的混合溶剂代替TEP作为溶剂。

吸光度的差显示在下面表3中。

表3

	UV吸光度差(％)
		实施例1-1	99
实施例1-2	99
		实施例1-3	100
实施例1-4	97
		实施例1-5	97
实施例1-6	98
		实施例1-7	98
比较例1-1	45
		比较例1-2	56
比较例1-3	51
		比较例1-4	55
比较例1-5	39
		比较例1-6	42

吸光度的差越小，对下面的膜的损坏越大。在比较例1-1至比较例1-3的情况下，在发射层中存在具有小于640g/mol的分子量的化合物，并且因此发生了由溶剂引起的损坏。在比较例1-4至比较例1-6的情况下，具有相对小的dH值和dP值的混合溶剂使发射层溶解。

根据实施方式的用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物的量显著较低，并且因此溶剂对下面的膜的损坏的评估可视为处在与用于形成发光装置的电子传输层的油墨组合物对下面的膜的损坏相等的水平。

油墨组合物的制备

用于形成电子传输层的油墨组合物

用下面表4中显示的组合物制备用于形成电子传输层的油墨组合物。

表4

油墨组合物名称	电子传输化合物	溶剂	溶质的量<sup>1</sup>
				ETL-1	化合物101	TEP	1wt％
ETL-2	化合物102	TBP	1wt％
				ETL-3	化合物102	TEP和TBP(8:2的体积比)	1wt％
ETL-4	化合物103	EG和DGBE(8:2的体积比)	1wt％

¹基于总计为100重量份的油墨组合物，溶质的wt％

用于形成发射层的油墨组合物

用表5中显示的组合物制备用于形成发射层的油墨组合物。

表5

²基于总计为100重量份的油墨组合物，溶质的wt％

发光装置的制造

实施例2-1

将ITO玻璃基板(50X50 mm，15Ω/□(欧姆每平方))，其为有机发光装置(OLED)玻璃基板(由韩国牙山市三星康宁制造)，依次使用蒸馏水和异丙醇进行超声清洁，随后UV臭氧清洁30分钟。

在清洁之后，将PEDOT/PSS旋涂在其上附着有透明电极线的玻璃基板上，以形成厚度为60nm的膜，并且然后在200℃下烘烤30分钟，以形成空穴注入层。

将N-(4-丁-2-基苯基)-4-甲基-N-[4-(7-甲基-9,9-二辛基芴-2-基)苯基]苯胺(TFB)旋涂在空穴注入层上，以形成厚度为20nm的膜，并且然后在240℃下烘烤10分钟，以形成空穴传输层。

将B EML-1油墨组合物旋涂在空穴传输层上，以形成厚度为30nm的膜，并且然后在140℃下烘烤10分钟，以形成发射层。

将ETL-1油墨组合物旋涂在发射层上，以形成厚度为20nm的电子传输层。

将Al沉积在电子传输层上，以形成厚度为100nm的阴极，从而完成有机发光装置的制造。

用于沉积的装备是由韩国京畿道的Sunic Systems，以商品名Suicel plus 200售卖的蒸发器。

TFB(n：100-100,000)

实施例2-2至实施例2-7

以与实施例2-1中相同的方式制造发光装置，只是使用表6的油墨组合物来形成发射层和电子传输层。

比较例2-1至比较例2-6

以与实施例2-1中相同的方式制造发光装置，只是使用表6的油墨组合物来形成发射层和电子传输层。

表6

	发射层油墨组合物	电子传输层油墨组合物
			实施例2-1	B EML-1	ETL-1
实施例2-2	B EML-1	ETL-2
			实施例2-3	G EML-1	ETL-1
实施例2-4	G EML-1	ETL-2
			实施例2-5	R EML-1	ETL-1
实施例2-6	R EML-1	ETL-2
			实施例2-7	B EML-1	ETL-3
比较例2-1	B EML-2	ETL-1
			比较例2-2	G EML-2	ETL-1
比较例2-3	R EML-2	ETL-1
			比较例2-4	B EML-1	ETL-4
比较例2-5	G EML-1	ETL-4
			比较例2-6	R EML-1	ETL-4

使用下述方法测量根据实施例2-1至实施例2-7和比较例2-1至比较例2-6制造的有机发光装置的驱动电压、效率颜色纯度和寿命，并且其结果显示在表7中。

-颜色坐标：由电流电压计(源测量单元，由俄勒冈州比弗顿的Tektronix公司Keithley Instrument，2400系列以商品名SMU 236售卖(Keithley SMU 236))提供电源，并且使用由日本东京的Konica Minolta公司以商品名PR650售卖的亮度计(PR650)进行测量。

-亮度：由电流电压计(Keithley SMU 236)提供电源，并且通过使用亮度计PR650进行测量。

-效率：由电流电压计(Keithley SMU 236)提供电源，并且使用亮度计PR650进行测量。

寿命T95是当初始亮度为100％时，亮度(在10mA/cm²下)下降至95％需要的时间(小时)。

表7

表7中总结的数据显示，当比较发射层B、发射层G和发射层R中的每一个的结果时，与比较例2-1至比较例2-6的发光装置相比，实施例2-1至实施例2-7在效率和寿命二者方面显示出显著的、出乎意料的和卓越的结果。

通过使用根据本发明的原理和一个或多个实施方式的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，在第一电极和第二电极之间的所有有机层可通过溶解工艺形成。

另外，通过使用根据本发明的原理和一个或多个实施方式的用于形成显示制造的发光装置的电子传输层的油墨组合物，消除了必须通过沉积方法将电子传输层形成为公共层的限制，并且因此可形成包括对于发射层R、发射层G和发射层B中的每一个不同的电子传输层化合物的电子传输层。

尽管本文已经描述了某些实施方式和实施，但是其他实施方式和修改从该描述中将是显而易见的。相应地，本发明构思不限于这种实施方式，而是限于所附权利要求的更宽的范围以及将对于本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等效布置。

Claims (16)

1.一种用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，所述油墨组合物包括：

包括氧化膦部分的电子传输化合物；和

由式1表示的溶剂，

式1

(P＝O)(OR₁)(OR₂)(OR₃)

其中，在式1中，R₁至R₃各自彼此独立地为氢、氘或C₁-C₃₀烷基，并且

R₁至R₃中的至少一个为C₁-C₃₀烷基。

2.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中所述溶剂具有9或更大的汉森参数的dP值。

3.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中所述溶剂具有9或更大的汉森参数的dH值。

4.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中所述电子传输化合物具有9或更大的汉森参数的dP值。

5.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中所述电子传输化合物具有5或更大的汉森参数的dH值。

6.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中在室温下所述溶剂具有10cP或更低的粘度。

7.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中所述溶剂具有30达因/cm至35达因/cm的表面张力。

8.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中式1中的R₁至R₃相同。

9.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中式1中的R₁至R₃各自彼此独立地为直链C₁-C₃₀烷基。

10.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中在式1中：R₁为氢或氘；R₂为氢或氘；或R₃为氢或氘。

11.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中在式1中：R₁和R₂各自彼此独立地为氢或氘；R₂和R₃各自彼此独立地为氢或氘；或R₁和R₃各自独立地为氢或氘。

12.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中所述由式1表示的溶剂包括下述化合物中的任何一种：

13.根据权利要求1所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，其中所述电子传输化合物包括下述化合物中的任何一种：

14.一种显示装置的发光装置，所述发光装置包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；和

设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层和电子传输层的夹层，

其中所述电子传输层通过使用根据权利要求1-13中任一项所述的用于形成显示装置的发光装置的电子传输层的油墨组合物，通过溶解工艺来制备。

15.根据权利要求14所述的发光装置，其中所述发射层接触所述电子传输层。

16.根据权利要求14所述的发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，并且

所述主体和所述掺杂剂中的每一个具有640g/mol或更大的分子量。

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