CN114624493A - 电流检测电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及集成电路技术领域，提供了一种用于检测流经负载端的负载电流的电流检测电路，利用输入模块根据该正输入信号得到该输入模块中正输入端接入的共模输入信号；通过与输入模块连接的控制模块，根据共模输入信号的电压范围，调节输入模块中正输入端提供的第一电流和提供至输入模块中负输入端的第二电流的大小，该第一电流和/或该第二电流用于调节该电流检测电路的输出电压；再通过连接在输入模块与控制模块之间的输出检测模块，跟随前述共模输入信号的变化检测该电流检测电路的输出电压的大小，其中，该输出电压用以表征前述的负载电流。由此可以实现宽电压范围内对负载端电流的精确检测，同时提高了该电路的稳定性。

Description

电流检测电路

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种电流检测电路。

背景技术

在电源系统中需要实时检测负载电流，在现有技术中检测点在电源线或者地线上时，输入的共模电压为电源电压或地线电压，比较器容易实现。

图1a和图1b分别示出现有技术中的一种低端电流检测电路和一种高端电流检测电路的电路示意图，其中，电阻Rload为负载端的等效阻抗。

参考图1a，在现有的低端电流检测电路中例如包括：连接在负载端到地之间的采样电阻Rs，以及运算放大器OPA和连接在OPA同相输入端与输出端之间的电阻R0；参考图1b，在现有的高端电流检测电路中例如包括：连接在供电端VCC与负载端之间的采样电阻Rs，以及连接在采样电阻Rs两端的运算放大器OPA，这两种拓扑结构的电路中利用运放的虚短和虚断特性，以及合理设计各个电阻阻值即可通过单片机的ADC采样实现负载电流检测，且电路制造成本低，检测精度高。但这两种拓扑结构，都存在一定的风险性，低端检测电路中易对地线造成干扰；高端检测电路中电阻与运放的选择要求高。检测电阻，成本低廉的一般精度较低且温漂大，而如果要选用精度高且温漂小的，则需要用到合金电阻，其成本将大大提高。同样的，运放成本低的，钳位电压低，而特殊工艺(宽输入共模电压范围)的，则制造成本会增加。

在有些应用中，运放的输入电平要求在较宽的范围内变化，例如-0.5V～5.5V(以5V工艺举例说明)，而电流检测电路的的输出电压依旧要求保持大于0V。

如共模电压在负载导通与关闭过程中大范围变化时，由于感性负载以及连线电感，直接在负载上检测到的电流甚至于会高于电源电压或者低于地线电平，对应的运算放大器的输入共模电压的范围就要求从负压到高于电源电压的变化范围之间，这就需要提供额外的高压电压器件，但这样会占用芯片面积以及提高芯片制造成本，为此需设计一种宽输入共模电压范围的电流检测电路来优化上述问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本公开提供了一种电流检测电路，可以实现宽电压范围内对负载端电流的精确检测。

本公开提供了一种电流检测电路，用于检测流经负载端的负载电流，该电流检测电路包括：

输入模块，用于根据正负输入信号的电压差得到第一偏置电压，以及根据该正输入信号得到该输入模块中正输入端接入的共模输入信号；

控制模块，该控制模块与前述输入模块的输出端连接，用于根据共模输入信号的电压范围，调节前述输入模块中正输入端提供的第一电流和提供至前述流入输入模块中负输入端的第二电流的大小，该第一电流和/或该第二电流用于调节该电流检测电路的输出电压；

输出检测模块，该输出检测模块连接于前述输入模块与前述控制模块之间，用于跟随前述共模输入信号的变化检测前述输出电压的大小，

其中，前述输出电压用以表征前述的负载电流。

优选地，前述输入模块包括运算放大器、第一电阻和第二电阻，

该运算放大器的正输入端通过该第一电阻连接至该电流检测电路的第一输入端，获取所述共模输入信号，负输入端通过该第二电阻连接至该电流检测电路的第二输入端，输出端提供前述第一偏置电压到前述的控制模块，

该第一输入端用以接入前述正输入信号，该第二输入端用以接入前述负输入信号，且前述第一电阻与该正输入端的中间节点用以提供前述的第一电流，前述第二电阻与该负输入端的连接节点用以提供第三电流。

优选地，前述控制模块包括：

串联连接在供电端与地之间的第一晶体管和第三电阻，该第一晶体管与该第三电阻的连接节点用以提供第三偏置电压；

串联连接在供电端与地之间的第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第一电流源，该第二晶体管的控制端与前述第一晶体管的控制端连接，且该第二晶体管的控制端与其自身的第二端连接，该第三晶体管的控制端与前述运算放大器的正输入端连接，而该第四晶体管的控制端与前述运算放大器的输出端连接并接收前述第一偏置电压；

并联连接在供电端与前述第三晶体管的第二端之间的第四电阻和第五晶体管，且该第四电阻和第五晶体管的连接节点用以提供第二偏置电压。

优选地，前述控制模块还包括：

第六晶体管，串联连接在供电端与前述运算放大器的负输入端之间，用于提供前述第三电流，且该第六晶体管的控制端连接前述第四电阻和第五晶体管的连接节点，用以接入前述第二偏置电压；

第七晶体管，串联连接在供电端与前述第五晶体管的控制端之间，用以提供前述第二电流，且该第七晶体管的控制端与前述第六晶体管的控制端连接，该第七晶体管的第二端作为前述电流检测电路的输出端，用以提供前述输出电压。

优选地，前述第六晶体管和第七晶体管的宽长比为1：1，前述第二电流与前述第三电流的值相等。

优选地，前述输出检测模块包括：

串联连接在前述运算放大器的正输入端与地之间的第八晶体管和第五电阻，且该第八晶体管和第五电阻的连接节点与前述第七晶体管的第二端连接。

优选地，前述第一电阻与前述第二电阻的阻值相等。

优选地，前述输入模块还包括：

采样电阻，该采样电阻的第一端连接在前述第一输入端与前述第一电阻的连接节点，第二端连接在前述第二输入端与前述第二电阻的连接节点之间，且该采样电阻的第二端作为前述负载端连接有外部负载，

前述正负输入信号的电压差在该采样电阻上产生的电流为前述的负载电流，前述负载电流与前述的输出电压成正比。

优选地，前述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管的其中任一为金属氧化物半导体场效应晶体管。

优选地，前述第一晶体管、第二晶体管、第六晶体管和第七晶体管均为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，

且前述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、和第八晶体管均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

本公开的有益效果是：本公开提供的一种用于检测流经负载端的负载电流的电流检测电路，该电流检测电路能利用输入模块根据正负输入信号的电压差得到第一偏置电压，以及根据该正输入信号得到该输入模块中正输入端接入的共模输入信号；通过与输入模块的输出端连接的控制模块，根据共模输入信号的电压范围，调节输入模块中正输入端提供的第一电流和流入输入模块中负输入端的第二电流的大小，该第一电流和/或该第二电流用于调节该电流检测电路的输出电压；再通过连接于输入模块与控制模块之间的输出检测模块，跟随前述共模输入信号的变化检测该电流检测电路的输出电压的大小，其中，前述输出电压用以表征前述的负载电流。由此可以实现共模输入信号在全工作电压范围内变化时，对负载电流的检测，且在该共模输入信号从大到小的变化过程中，该电流检测电路可以使输出平滑过渡，提高该电路的稳定性。

附图说明

通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。

图1a和图1b分别示出现有技术中的一种低端电流检测电路和一种高端电流检测电路的电路示意图；

图2示出本公开实施例提供的电流检测电路的示意框图；

图3示出图2中电流检测电路在一种实施方式中的电路结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本公开，下面将参照相关附图对本公开进行更全面的描述。附图中给出了本公开的较佳实施例。但是，本公开可以通过不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反的，提供这些实施例的目的是使对本公开的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文在本公开的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本公开。

下面，参照附图对本公开进行详细说明。

图2示出本公开实施例提供的电流检测电路的示意框图，图3示出图2中电流检测电路在一种实施方式中的电路结构示意图。

参考图2和图3，本公开实施例提供了一种用于检测流经负载端的负载电流Iload的电流检测电路100，该电流检测电路100至少包括：输入模块110、控制模块120和输出检测模块130，其中，输入模块110用于根据正负输入信号(VINP和VINN)的电压差得到第一偏置电压Vg，以及根据该正输入信号VINP得到该输入模块110中正输入端接入的共模输入信号V1；控制模块120用于根据共模输入信号V1的电压范围，调节前述的输入模块110中正输入端提供的第一电流I6和流入输入模块110中负输入端的第二电流I5的大小，该第一电流I6和/或该第二电流I5用于调节该电流检测电路100的输出电压Vout；而输出检测模块130连接于输入模块110与控制模块120之间，受第三偏置电压VA的控制，跟随共模输入信号V1的变化检测该电流检测电路100的输出电压Vout的大小，其中，该输出电压Vout用以表征前述的负载电流Iload。

进一步地，该输入模块110包括运算放大器111、第一电阻R1和第二电阻R2，该运算放大器111的正输入端通过该第一电阻R1连接至该电流检测电路100的第一输入端，负输入端通过该第二电阻R2连接至该电流检测电路100的第二输入端，输出端提供第一偏置电压Vg到前述的控制模块120，其中，该第一输入端用以接入前述的正输入信号VINP，该第二输入端用以接入前述的负输入信号VINN，且该第一电阻R1与该正输入端的中间节点用以提供前述的第一电流I6和第一电压(即共模输入信号)V1，前述第二电阻R2与该负输入端的连接节点用以提供前述的第三电流I4和第二电压V2。

进一步地，该第一电阻R1与该第二电阻R2的阻值相等，即R1＝R2＝R。

进一步地，该输入模块110还包括采样电阻Rs，该采样电阻Rs的第一端连接在前述第一输入端与第一电阻R1的连接节点，第二端连接在前述第二输入端与第二电阻R2的连接节点之间，且该采样电阻Rs的第二端作为前述的负载端连接有外部负载，其中，该正输入信号VINP和负输入信号VINN的电压差在该采样电阻Rs上产生的电流为前述的负载电流Iload，该负载电流Iload与前述的输出电压Vout成正比。

进一步地，该控制模块120至少包括：第一晶体管M1、第三电阻R3、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第一电流源Ia、第四电阻R4和第五晶体管M5。

其中，该第一晶体管M1和第三电阻R3串联连接在供电端与地之间，且该第一晶体管M1与该第三电阻R3的连接节点用以提供前述的第三偏置电压VA；

该第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4和第一电流源Ia依次串联连接在供电端与地之间，且该第二晶体管M2的控制端与第一晶体管M1的控制端连接，该第二晶体管M2的控制端与其自身的第二端连接，该第三晶体管M3的控制端与运算放大器111的正输入端连接，而该第四晶体管M4的控制端与运算放大器111的输出端连接并接收前述的第一偏置电压Vg；

该第四电阻R4和第五晶体管M5并联连接在供电端与第三晶体管M3的第二端之间，且该第四电阻R4和第五晶体管M5的连接节点用以提供第二偏置电压VB。

进一步地，该控制模块120还包括：第六晶体管M6和第七晶体管M7，其中，该第六晶体管M6串联连接在供电端与运算放大器111的负输入端之间，用于提供前述的第三电流I4，且该第六晶体管M6的控制端连接第四电阻R4和第五晶体管M5的连接节点，用以接入前述的第二偏置电压VB；该第七晶体管M7串联连接在供电端与第五晶体管M5的控制端之间，用以提供第二电流I5，且该第七晶体管M7的控制端与第六晶体管M6的控制端连接，该第七晶体管M7的第二端作为该电流检测电路100的输出端，用以提供前述的输出电压Vout。

进一步地，该第六晶体管M6和第七晶体管M7的宽长比为1：1，则流过该第六晶体管M6的第三电流I4和第七晶体管M7的第二电流I5相等，即：I4＝I5。

进一步地，该输出检测模块130包括第八晶体管M8和第五电阻R5，其中，该第八晶体管M8和第五电阻R5串联连接在运算放大器111的正输入端与地之间，且该第八晶体管M8和第五电阻R5的连接节点与第七晶体管M7的第二端连接。

进一步地，该第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7和第八晶体管M8的其中任一为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)。

更进一步地，该第一晶体管M1、第二晶体管M2、第六晶体管M6和第七晶体管M7均为P型MOS管，且该第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5和第八晶体管M8均为N型MOS管。

在本实施例中，该第一晶体管M1和第二晶体管M2为镜像关系。假设该第一晶体管M1和第二晶体管M2的宽长比为1：1，则流过该第一晶体管M1和第二晶体管M2的电流相等，即：I1＝I3。而第六晶体管M6和第七晶体管M7的栅极电压和源极电压均相等，假设该第六晶体管M6和第七晶体管M7的宽长比为1：1，则流过该第六晶体管M6和第七晶体管M7的电流相等，即：I4＝I5。

该电流检测电路100的功能为当负载电流Iload流经采样电阻Rs时，会有和该负载电流Iload成比例的电流I0流过第五电阻R5，在该第五电阻R5上产生输出电压Vout，通过测量输出电压Vout的值便可以推算出负载电流Iload的值，从而实现检测负载电流Iload值的目的。

具体的，当正输入信号VINP较大，使得第一电压V1>>输出电压Vout时，VGS_M3>>VGS_M5，所以流过第三晶体管M3的电流I1>>流过第五晶体管M5的电流I2，可等效为I2＝0A，第四电阻R4上没有产生压降，所以第二偏置电压VB与供电端输入的电压Vin数值相等，此时的第六晶体管M6和第七晶体管M7均处于截至状态，则I4＝I5＝0A。即没有电流留过第二电阻R2。

在该电流检测电路100中，运算放大器111、第四晶体管M4、第三晶体管M3、第五晶体管M5、第四电阻R4、第二晶体管M2、第一晶体管M1和第八晶体管M8构成负反馈。

当正输入信号VINP增加时，第一电压V1增加。该第一电压V1为第三晶体管M3控制端的栅极电压，所以该第三晶体管M3的VGS增加，流过该第三晶体管M3的电流I1增加，因为I3＝I1，所以电流I3也增加，而该第三偏置电压VA＝I3*R3，所以该第三偏置电压VA增加，即第八晶体管M8控制端的栅极电压增加，所以该第八晶体管M8的漏极电压即第一电压V1会减小，所以运算放大器111、第四晶体管M4、第三晶体管M3、第五晶体管M5、第三电阻R3、第二晶体管M2、第一晶体管M1和第八晶体管M8构成负反馈。由于此环路为负反馈，根据虚短原理，运算放大器111的正输入端接入的第一电压V1与负输入端接入的第二电压V2相等。

当负载电流Iload留经采样电阻Rs时，会在该采样电阻Rs上形成压降△V＝Iload*Rs，故

VINP-VINN＝Iload*Rs (1)

由于V1＝V2，且没有电流留过第二电阻R2，所以会有第一电流I6流过第一电阻R1，故I6＝△V/R1＝Iload*Rs/R1＝Iload*Rs/R。

而I0＝I5+I6＝0+Iload*Rs/R＝Iload*Rs/R。

又因为Vout＝I0*R5＝Iload*Rs*R5/R (2)

可以得到：

Iload＝Vout*R/Rs/R5 (3)

因此，可以通过测量输出电压Vout的值计算出负载电流Iload的值。

当正输入信号VINP减小，使得第一电压V1逐渐减小至接近输出电压Vout时，VGS_M3接近VGS_M5，所以该第三晶体管M3的电流I1近似等于流过该第五晶体管M5的电流I2，而第二偏置电压VB＝Vin-R4*I2，所以VGS_M6＝Vin-VB＝R4*I2，

当R4*I2>Vth_M6时，此时的第六晶体管M6和第七晶体管M7处于导通状态，第三电流I4从该第六晶体管M6通过第二电阻R2流进第二输入端接入的负输入信号VINN。同时也有和该第三电流I4相等的第二电流I5流进第五电阻R5，此时，

I6＝(VINP-V1)/R1＝(VINP-V1)/R (4)

I5＝I4＝(V2-VINN)/R2＝(V1-VINN)/R (5)

由公式(4)和(5)可得

I6+I5＝(VINP-VINN)/R＝△V/R＝Iload*Rs/R (6)

所以，I0＝Iload*Rs/R，结合公式(2)，可以得到：

Iload＝Vout*R/Rs/R5 (7)

因此，可以通过测量输出电压Vout的值计算出负载电流Iload的值。

当正输入信号VINP继续减小，使得第一电压V1<<输出电压Vout时，VGS_M3<<VGS_M5，所以I1<<I2，等效为I1＝0A＝I3，I2＝Ia，VA＝R3*I3＝0V，第八晶体管M8截止，I6＝0A。

此时，VB＝Vin-I2*R4，VGS_M6＝Vin-VB＝R4*I2＝R4*Ia，第六晶体管M6和第七晶体管M7导通，第三电流I4从该第六晶体管M6通过第二电阻R2流进第二输入端接入的负输入信号VINN。当负载电流Iload流经采样电阻Rs时，会在该采样电阻Rs上形成压降：△V＝Iload*Rs，故VINP-VINN＝Iload*Rs。

由于V1＝V2，且留过该第一电阻R1的电流I6＝0A，所以会有该第三电流I4从该第六晶体管M6通过第二电阻R2流进第二输入端接入的负输入信号VINN，此时

I4＝△V/R2＝Iload*Rs/R2＝Iload*Rs/R (8)

同时也有和该第三电流I4相等的第二电流I5流进第五电阻R5，此时，I0＝I5。

结合公式(2)，可以得到：

Iload＝Vout*R/Rs/R5 (9)

因此，可以通过测量输出电压Vout的值计算出负载电流Iload的值。

总之，在正输入信号VINP变化时，例如该正输入信号VINP从高到低变化的变化过程中，开始时流过第五电阻R5的电流为I6，之后，流过第五电阻R5的电流为(I5+I6)，随着电流I5逐渐变大，流过第一电阻R1的第一电流I6逐渐变小，最后，流过第五电阻R5的电流变为第二电流I5。由此可以看出，在正输入信号VINP的全工作电压范围内，均可以实现对负载电流Iload的检测，并且当正输入信号VINP从最大值变到最小值过程中，该电流检测电路100的输出可以平滑地过渡。

综上所述，本公开实施例提供的一种用于检测流经负载端的负载电流Iload的电流检测电路100，该电流检测电路100能利用输入模块110根据正负输入信号(VINP和VINN)的电压差得到第一偏置电压Vg，以及根据该正输入信号VINP得到该输入模块110中正输入端接入的共模输入信号V1；控制模块120用于根据共模输入信号V1的电压范围，调节前述的输入模块110中正输入端提供的第一电流I6和流入输入模块110中负输入端的第二电流I5的大小，该第一电流I6和/或该第二电流I5用于调节该电流检测电路100的输出电压Vout；而输出检测模块130连接于输入模块110与控制模块120之间，受第三偏置电压VA的控制，跟随共模输入信号V1的变化检测该电流检测电路100的输出电压Vout的大小，其中，该输出电压Vout用以表征前述的负载电流Iload。由此可以实现共模输入信号(即第一电压)V1在全工作电压范围内变化时，对负载电流Iload的检测，且在该共模输入信号(即第一电压)V1从大到小的变化过程中，该电流检测电路100可以使输出平滑过渡，提高该电路的稳定性。

应当说明的是，在本公开的描述中，需要理解的是，术语“高”、“低”、“上”、“下”、“内”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

此外，在本文中，所含术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本公开所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本公开的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种电流检测电路，用于检测流经负载端的负载电流，该电流检测电路包括：

输入模块，用于根据正负输入信号的电压差得到第一偏置电压，以及根据所述正输入信号得到该输入模块中正输入端接入的共模输入信号；

控制模块，所述控制模块与所述输入模块的输出端连接，用于根据所述共模输入信号的电压范围，调节所述输入模块中正输入端提供的第一电流和提供至所述输入模块中负输入端的第二电流的大小，所述第一电流和/或所述第二电流用于调节所述电流检测电路的输出电压；

输出检测模块，所述输出检测模块连接于所述输入模块与所述控制模块之间，用于跟随所述共模输入信号的变化检测所述输出电压的大小，

其中，所述输出电压用以表征所述负载电流。

2.根据权利要求1所述的电流检测电路，其中，所述输入模块包括运算放大器、第一电阻和第二电阻，

所述运算放大器的正输入端通过所述第一电阻连接至所述电流检测电路的第一输入端，获取所述共模输入信号，负输入端通过所述第二电阻连接至所述电流检测电路的第二输入端，输出端提供所述第一偏置电压到所述控制模块，

所述第一输入端用以接入所述正输入信号，所述第二输入端用以接入所述负输入信号，且所述第一电阻与所述正输入端的中间节点用以提供所述第一电流，所述第二电阻与所述负输入端的连接节点用以提供第三电流。

3.根据权利要求2所述的电流检测电路，其中，所述控制模块包括：

串联连接在供电端与地之间的第一晶体管和第三电阻，所述第一晶体管与所述第三电阻的连接节点用以提供第三偏置电压；

串联连接在供电端与地之间的第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第一电流源，该第二晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，且该第二晶体管的控制端与其自身的第二端连接，所述第三晶体管的控制端与所述运算放大器的正输入端连接，所述第四晶体管的控制端与所述运算放大器的输出端连接并接收所述第一偏置电压；

并联连接在供电端与所述第三晶体管的第二端之间的第四电阻和第五晶体管，所述第四电阻和第五晶体管的连接节点用以提供第二偏置电压。

4.根据权利要求3所述的电流检测电路，其中，所述控制模块还包括：

第六晶体管，串联连接在供电端与所述运算放大器的负输入端之间，用于提供所述第三电流，且所述第六晶体管的控制端连接所述第四电阻和第五晶体管的连接节点，用以接入所述第二偏置电压；

第七晶体管，串联连接在供电端与所述第五晶体管的控制端之间，用以提供所述第二电流，且所述第七晶体管的控制端与所述第六晶体管的控制端连接，所述第七晶体管的第二端作为所述电流检测电路的输出端，用以提供所述输出电压。

5.根据权利要求4所述的电流检测电路，其中，所述第六晶体管和第七晶体管的宽长比为1：1，

所述第二电流与所述第三电流的值相等。

6.根据权利要求5所述的电流检测电路，其中，所述输出检测模块包括：

串联连接在所述运算放大器的正输入端与地之间的第八晶体管和第五电阻，且所述第八晶体管和第五电阻的连接节点与所述第七晶体管的第二端连接。

7.根据权利要求6所述的电流检测电路，其中，所述第一电阻与所述第二电阻的阻值相等。

8.根据权利要求7所述的电流检测电路，其中，所述输入模块还包括：

采样电阻，所述采样电阻的第一端连接在所述第一输入端与所述第一电阻的连接节点，第二端连接在所述第二输入端与所述第二电阻的连接节点之间，且所述采样电阻的第二端作为所述负载端连接有外部负载，

所述正负输入信号的电压差在所述采样电阻上产生的电流为所述负载电流，所述负载电流与所述输出电压成正比。

9.根据权利要求6所述的电流检测电路，其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管的其中任一为金属氧化物半导体场效应晶体管。

10.根据权利要求9所述的电流检测电路，其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第六晶体管和第七晶体管均为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，

且所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、和第八晶体管均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

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