CN114614538B - 一种开关型充电电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电路，具体说是开关型充电电路。它包括功率级电路、驱动电路、逻辑控制电路、恒流运算放大器和恒压运算放大器。所述驱动电路分别与功率级电路和逻辑控制电路适配连接。其特点是功率级电路的输出端与MOS管Q0<0>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>的另一个源漏极形成电路的VOUT。所述MOS管Q0<0>的两个源漏极间有启动反馈电路，启动反馈电路与恒流运算放大器的反相输入端适配连接。所述VOUT与恒压运算放大器的反相输入端适配连接。所述逻辑控制电路适配连接有选择比较电路，所述恒流运算放大器和恒压运算放大器的输出端均与选择比较电路适配连接。所述功率级电路的采样端与选择比较电路适配连接。

Description

一种开关型充电电路
技术领域
本发明涉及一种电路，具体说是将电流检测功能集成到芯片中的开关型充电电路。
背景技术
目前，传统结构的开关型充电电路中，为了实现对充电电流的检测，通常需要在芯片外面增加低阻值的高精度电阻RSNS。用运算放大器检测电阻RSNS两端的电压，从而实现对充电电流的检测，如图1所示。然而，这种开关型充电电路中，检测电阻RSNS的精度直接决定了充电电流的精度。为了精准的控制充电电流，检测电阻RSNS的精度必须很高，其误差通常在±1％以内。高精度电阻的价格昂贵，导致整个系统的成本较高。同时，为了减少电阻RSNS消耗的功耗，电阻RSNS的阻值通常都比较小，其两端压降也很小，因此对噪声非常敏感。为了很好的降低噪声的干扰，就需要提高PCB板的布线要求，导致PCB板布线的难度较高。而且，一旦出现电阻RSNS被短路的情况，则无法监控充电电流，导致充电电流无法控制.充电电流会远超出客户要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种开关型充电电路，该充电电路的成本较低，PCB板布线的难度较低，不会出现电流检测电阻的情况。
为解决上述问题，提供以下技术方案：
本发明的开关型充电电路包括功率级电路、驱动电路、逻辑控制电路、恒流运算放大器和恒压运算放大器。所述驱动电路分别与功率级电路和逻辑控制电路适配连接，逻辑控制电路用于控制驱动电路运行，驱动电路用于驱动功率级电路中功率管的导通。其特点是所述功率级电路的输出端与MOS管Q0的一个源漏极相连，MOS管Q0的另一个源漏极形成电路的VOUT。所述MOS管Q0的两个源漏极间有启动反馈电路，启动反馈电路与恒流运算放大器的反相输入端适配连接。所述VOUT与恒压运算放大器的反相输入端适配连接；所述逻辑控制电路适配连接有选择比较电路，所述恒流运算放大器和恒压运算放大器的输出端均与选择比较电路适配连接。所述功率级电路的采样端与选择比较电路适配连接。
其中，所述MOS管Q0含有MOS管Q0<0>和MOS管Q0<1>；所示功率级电路的输出端与MOS管Q0<0>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>的另一个源漏极形成电路的VOUT；MOS管Q0<0>的一个源漏极与MOS管Q0<1>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>另一个源漏极与MOS管Q0<1>的另一个源漏极相连。
所述启动反馈电路包括栅极控制电路、MOS管QS、MOS管QREG、电阻RS_Qs和电流镜运算放大器；靠近功率级电路的那个MOS管Q0<0>的源漏极与MOS管QS的一个源漏极相连，MOS管QS的另一个源漏极分别与MOS管QREG的一个源漏极和电流镜运算放大器反相输入端相连，MOS管QREG的另一个源漏极分别与恒流运算放大器的反相输入端和电阻RS_Qs的一端相连，电阻RS_Qs的另一端接地。所述MOS管Q0<0>、MOS管Q0<1>和MOS管QS的栅极均与所述栅极控制电路相连，远离功率级电路的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电流镜运算放大器的同相输入端相连，电流镜运算放大器的输出端与MOS管QREG的栅极相连。
远离功率级电路的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电阻Rf1的一端相连，电阻Rf1的另一端与电阻Rf2的一端相连，电阻Rf2的另一端接地。靠近电阻Rf1的Rf2一端与所述恒压运算放大器的反相输入端相连。
所述选择比较电路包括数据选择器和比较器。所述恒流运算放大器和恒压运算放大器的输出端均与数据选择器适配连接，数据选择器与比较器的正相输入端相连；所述功率级电路的采样端与选择比较电路中比较器的反相输入端相连。所述逻辑控制电路与选择比较电路中比较器的输出端相连。
所述逻辑控制电路适配连接有导通时间/关断时间模块。
所述功率级电路的采样端与电阻RS_Q1的一端相连，RS_Q1的另一端接地。
所述功率级电路为BUCK电路，该BUCK电路含有MOS管Q1、MOS管Q2和电感L。所述MOS管Q1的一个源漏极为功率级电路的输入端，MOS管Q1的另一个源漏极分别与电感L的一端和MOS管Q2的一个源漏极相连，电感L的另一端为功率级电路的输出端，MOS管Q2的另一个源漏极接地。所述采样端输出的电流为MOS管Q1导通后，Q1按比例采样后的电流。
所述功率级电路为BOOST电路，该BOOST电路含有电感L、MOS管Q1和MOS管Q2。所述电感L的一端为功率级电路的输入端，电感L的另一端分别与MOS管Q1的一个源漏极和MOS管Q2的一个源漏极相连，MOS管Q1的另一个源漏极接地，MOS管Q2的另一个源漏极为功率级电路的输出端。所述采样端输出的电流为MOS管Q1导通后，Q1按比例采样后的电流。
所述功率级电路为BUCK-BOOST电路，该BUCK-BOOST电路含有MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4和电感L。所述MOS管Q1的一个源漏极为功率级电路的输入端，MOS管Q1的另一个源漏极分别与电感L的一端和MOS管Q2的一个源漏极相连，电感L的另一端分别与MOS管Q4的一个源漏极和MOS管Q3的一个源漏极相连，MOS管Q2和MOS管Q3的另一个源漏极接地，MOS管Q4的另一个源漏极为功率级电路的输出端。所述采样端输出的电流为MOS管Q1和MOS管Q2导通后，Q1按比例采样后的电流。
采取以上方案，具有以下优点：
由于本发明的开关型充电电路的功率级电路的输出端与MOS管Q0<0>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>的另一个源漏极形成电路的VOUT，MOS管Q0<0>的两个源漏极间有启动反馈电路，启动反馈电路与恒流运算放大器的反相输入端适配连接，VOUT与恒压运算放大器的反相输入端适配连接，逻辑控制电路适配连接有选择比较电路，恒流运算放大器和恒压运算放大器的输出端均与选择比较电路适配连接，功率级电路的采样端与选择比较电路适配连接。这种开关型充电电路利用电流检测MOS管对电流进行检测，与背景技术中采用价格昂贵的高精度电阻相比，大大降低了整个系统的成本。同时，采用电流检测MOS无需考虑噪声问题，从而避免为了降低噪声而提高PCB板的布线要求的问题，使得PCB板的布线简单、方便。而且，采用电流检测MOS管不会出现电阻被短路的情况，确保电路的充电电流始终可控。
附图说明
图1是背景技术中传统的开关型充电电路的电路原理图；
图2本发明的开关型充电电路的电路原理图；
图3是本发明的BUCK型充电电路的电路原理图；
图4是本发明的BOOST型充电电路的电路原理图；
图5是本发明的BUCK-BOOST型充电电路的电路原理图；
图6是本发明的BUCK-BOOST型充电电路恒流充电的开关波形；
图7是本发明的BUCK-BOOST型充电电路恒流到恒压充电的时序图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步详细说明。
实施例一
如图2和图3所示，本发明的开关型充电电路包括功率级电路U1、驱动电路U2、逻辑控制电路U3、恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9。所述驱动电路U2分别与功率级电路U1和逻辑控制电路U3适配连接，逻辑控制电路U3用于控制驱动电路U2运行，驱动电路U2用于驱动功率级电路U1中功率管的导通。所述逻辑控制电路U3适配连接有导通时间/关断时间模块U10。逻辑控制电路U3适配连接有导通时间/关断时间模块U10所述功率级电路U1的输出端与MOS管Q0的一个源漏极相连，MOS管Q0的另一个源漏极形成电路的VOUT。所述MOS管Q0的两个源漏极间有启动反馈电路1，启动反馈电路1与恒流运算放大器U8的反相输入端适配连接。所述VOUT与恒压运算放大器U9的反相输入端适配连接；所述逻辑控制电路U3适配连接有选择比较电路2，所述恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9的输出端均与选择比较电路2适配连接。所述功率级电路U1的采样端与选择比较电路2适配连接。
所述VOUT接电池Battery一端，用于为电池Battery充电，电池Battery的另一端接地。
所述恒流运算放大器U8的同相输入端接入恒流运算放大器U8的基准参考电压VREF_I，所述恒压运算放大器U9的同相输入端接入恒压运算放大器U9的基准参考电压VREF_V。
所述MOS管Q0含有MOS管Q0<0>和MOS管Q0<1>。所示功率级电路U1的输出端与MOS管Q0<0>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>的另一个源漏极形成电路的VOUT。MOS管Q0<0>的一个源漏极与MOS管Q0<1>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>另一个源漏极与MOS管Q0<1>的另一个源漏极相连。利用两个电流检测MOS管并联的方式，可方便的设置电流检测功率管大小。当电路的输出电流较大时，可以将Q0<0>和Q0<1>都导通，使得其导通电阻最小，从而提高效率。当电路的输出电流较小时，可以将Q0<1>关断，仅开启Q0<0>，这样Q0<0>两端的电压信号仍足够大，可确保电流采用的精度。
所述启动反馈电路1包括栅极控制电路U6、MOS管QS、MOS管QREG、电阻RS_Qs和电流镜运算放大器U7。靠近功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与MOS管QS的一个源漏极相连，MOS管QS的另一个源漏极分别与MOS管QREG的一个源漏极和电流镜运算放大器U7反相输入端相连，MOS管QREG的另一个源漏极分别与恒流运算放大器U8的反相输入端和电阻RS_Qs的一端相连，电阻RS_Qs的另一端接地。所述MOS管Q0<0>、MOS管Q0<1>和MOS管QS的栅极均与所述栅极控制电路U6相连，远离功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电流镜运算放大器U7的同相输入端相连，电流镜运算放大器U7的输出端与MOS管QREG的栅极相连。远离功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电阻Rf1的一端相连，电阻Rf1的另一端与电阻Rf2的一端相连，电阻Rf2的另一端接地。靠近电阻Rf1的Rf2一端与所述恒压运算放大器U9的反相输入端相连。
所述选择比较电路2包括数据选择器U5和比较器U4。所述恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9的输出端均与数据选择器U5适配连接，数据选择器U5与比较器U4的正相输入端相连；所述功率级电路U1的采样端与选择比较电路2中比较器U4的反相输入端相连。所述逻辑控制电路U3与选择比较电路2中比较器U4的输出端相连。
所述功率级电路U1为BUCK电路，该BUCK电路含有MOS管Q1、MOS管Q2和电感L。所述MOS管Q1的一个源漏极为功率级电路U1的输入端VIN，MOS管Q1的另一个源漏极分别与电感L的一端和MOS管Q2的一个源漏极相连，电感L的另一端为功率级电路U1的输出端，MOS管Q2的另一个源漏极接地。所述采样端输出的电流为MOS管Q1导通后，Q1按比例采样后的电流。
实施例二
如图4所示，如图2和图3所示，本发明的开关型充电电路包括功率级电路U1、驱动电路U2、逻辑控制电路U3、恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9。所述驱动电路U2分别与功率级电路U1和逻辑控制电路U3适配连接，逻辑控制电路U3用于控制驱动电路U2运行，驱动电路U2用于驱动功率级电路U1中功率管的导通。所述逻辑控制电路U3适配连接有导通时间/关断时间模块U10。所述功率级电路U1的输出端与MOS管Q0的一个源漏极相连，MOS管Q0的另一个源漏极形成电路的VOUT。所述MOS管Q0的两个源漏极间有启动反馈电路1，启动反馈电路1与恒流运算放大器U8的反相输入端适配连接。所述VOUT与恒压运算放大器U9的反相输入端适配连接。所述逻辑控制电路U3适配连接有选择比较电路2，所述恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9的输出端均与选择比较电路2适配连接。所述功率级电路U1的采样端与选择比较电路2适配连接。
所述VOUT接电池Battery一端，用于为电池Battery充电，电池Battery的另一端接地。
所述恒流运算放大器U8的同相输入端接入恒流运算放大器U8的基准参考电压VREF_I，所述恒压运算放大器U9的同相输入端接入恒压运算放大器U9的基准参考电压VREF_V。
所述MOS管Q0含有MOS管Q0<0>和MOS管Q0<1>。所示功率级电路U1的输出端与MOS管Q0<0>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>的另一个源漏极形成电路的VOUT。MOS管Q0<0>的一个源漏极与MOS管Q0<1>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>另一个源漏极与MOS管Q0<1>的另一个源漏极相连。利用两个电流检测MOS管并联的方式，可方便的设置电流检测功率管大小。当电路的输出电流较大时，可以将Q0<0>和Q0<1>都导通，使得其导通电阻最小，从而提高效率。当电路的输出电流较小时，可以将Q0<1>关断，仅开启Q0<0>，这样Q0<0>两端的电压信号仍足够大，可确保电流采用的精度。
所述启动反馈电路1包括栅极控制电路U6、MOS管QS、MOS管QREG、电阻RS_Qs和电流镜运算放大器U7。靠近功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与MOS管QS的一个源漏极相连，MOS管QS的另一个源漏极分别与MOS管QREG的一个源漏极和电流镜运算放大器U7反相输入端相连，MOS管QREG的另一个源漏极分别与恒流运算放大器U8的反相输入端和电阻RS_Qs的一端相连，电阻RS_Qs的另一端接地。所述MOS管Q0<0>、MOS管Q0<1>和MOS管QS的栅极均与所述栅极控制电路U6相连，远离功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电流镜运算放大器U7的同相输入端相连，电流镜运算放大器U7的输出端与MOS管QREG的栅极相连。远离功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电阻Rf1的一端相连，电阻Rf1的另一端与电阻Rf2的一端相连，电阻Rf2的另一端接地。靠近电阻Rf1的Rf2一端与所述恒压运算放大器U9的反相输入端相连。
所述选择比较电路2包括数据选择器U5和比较器U4。所述恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9的输出端均与数据选择器U5适配连接，数据选择器U5与比较器U4的正相输入端相连。所述功率级电路U1的采样端与选择比较电路2中比较器U4的反相输入端相连。所述逻辑控制电路U3与选择比较电路2中比较器U4的输出端相连。
所述功率级电路U1为BOOST电路，该BOOST电路含有电感L、MOS管Q1和MOS管Q2。所述电感L的一端为功率级电路U1的输入端VIN，电感L的另一端分别与MOS管Q1的一个源漏极和MOS管Q2的一个源漏极相连，MOS管Q1的另一个源漏极接地，MOS管Q2的另一个源漏极为功率级电路U1的输出端。所述采样端输出的电流为MOS管Q1导通后，Q1按比例采样后的电流。
实施例三
如图2和图3所示，本发明的开关型充电电路包括功率级电路U1、驱动电路U2、逻辑控制电路U3、恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9。所述驱动电路U2分别与功率级电路U1和逻辑控制电路U3适配连接，逻辑控制电路U3用于控制驱动电路U2运行，驱动电路U2用于驱动功率级电路U1中功率管的导通。所述逻辑控制电路U3适配连接有导通时间/关断时间模块U10。所述功率级电路U1的输出端与MOS管Q0的一个源漏极相连，MOS管Q0的另一个源漏极形成电路的VOUT。所述MOS管Q0的两个源漏极间有启动反馈电路1，启动反馈电路1与恒流运算放大器U8的反相输入端适配连接。所述VOUT与恒压运算放大器U9的反相输入端适配连接；所述逻辑控制电路U3适配连接有选择比较电路2，所述恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9的输出端均与选择比较电路2适配连接。所述功率级电路U1的采样端与选择比较电路2适配连接。
所述VOUT接电池Battery一端，用于为电池Battery充电，电池Battery的另一端接地。
所述恒流运算放大器U8的同相输入端接入恒流运算放大器U8的基准参考电压VREF_I，所述恒压运算放大器U9的同相输入端接入恒压运算放大器U9的基准参考电压VREF_V。
所述MOS管Q0含有MOS管Q0<0>和MOS管Q0<1>。所示功率级电路U1的输出端与MOS管Q0<0>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>的另一个源漏极形成电路的VOUT。MOS管Q0<0>的一个源漏极与MOS管Q0<1>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>另一个源漏极与MOS管Q0<1>的另一个源漏极相连。利用两个电流检测MOS管并联的方式，可方便的设置电流检测功率管大小。当电路的输出电流较大时，可以将Q0<0>和Q0<1>都导通，使得其导通电阻最小，从而提高效率。当电路的输出电流较小时，可以将Q0<1>关断，仅开启Q0<0>，这样Q0<0>两端的电压信号仍足够大，可确保电流采用的精度。
所述启动反馈电路1包括栅极控制电路U6、MOS管QS、MOS管QREG、电阻RS_Qs和电流镜运算放大器U7。靠近功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与MOS管QS的一个源漏极相连，MOS管QS的另一个源漏极分别与MOS管QREG的一个源漏极和电流镜运算放大器U7反相输入端相连，MOS管QREG的另一个源漏极分别与恒流运算放大器U8的反相输入端和电阻RS_Qs的一端相连，电阻RS_Qs的另一端接地。所述MOS管Q0<0>、MOS管Q0<1>和MOS管QS的栅极均与所述栅极控制电路U6相连，远离功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电流镜运算放大器U7的同相输入端相连，电流镜运算放大器U7的输出端与MOS管QREG的栅极相连。远离功率级电路U1的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电阻Rf1的一端相连，电阻Rf1的另一端与电阻Rf2的一端相连，电阻Rf2的另一端接地。靠近电阻Rf1的Rf2一端与所述恒压运算放大器U9的反相输入端相连。
所述选择比较电路2包括数据选择器U5和比较器U4。所述恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9的输出端均与数据选择器U5适配连接，数据选择器U5与比较器U4的正相输入端相连；所述功率级电路U1的采样端与选择比较电路2中比较器U4的反相输入端相连。所述逻辑控制电路U3与选择比较电路2中比较器U4的输出端相连。
所述功率级电路U1为BUCK-BOOST电路，该BUCK-BOOST电路含有MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4和电感L。所述MOS管Q1的一个源漏极为功率级电路U1的输入端VIN，MOS管Q1的另一个源漏极分别与电感L的一端和MOS管Q2的一个源漏极相连，电感L的另一端分别与MOS管Q4的一个源漏极和MOS管Q3的一个源漏极相连，MOS管Q2和MOS管Q3的另一个源漏极接地，MOS管Q4的另一个源漏极为功率级电路U1的输出端。所述采样端输出的电流为MOS管Q1和MOS管Q2导通后，Q1按比例采样后的电流。
以实施例三的BUCK-BOOST型充电电路为例，介绍本发明的开关型充电电路恒流和恒压充电原理：
分别用恒流运算放大器U8和恒压运算放大器U9分别控制恒流充电和恒压充电。
当电池Battery电压较低时，还没有达到设定值VREF_V*(Rf1+Rf2)/Rf1时，恒压运算放大器U9的输出VCV高于恒流运算放大器U8的输出VCC，选择器选择其中最小值MINVCC，VCV，此时最小值为VCC。并将其送入比较器U4的正输入端。比较器U4的负输入端接电流检测电阻RS_Q1的上端。而RS_Q1的电流IS_Q1则为功率管Q1和Q3同时导通时，Q1按比例采样后的电流，且
IS_Q1＝K1IQ1，其中K1为比例系数，IQ1为MOS管Q1的电流；
当Q1和Q3同时导通时，Q1的电流逐渐增加，IS_Q1也相应增加，电阻RS_Q1的压降VS_Q1也随之增加，当VS_Q1达到VCC时，Q1和Q3则关断。
在恒流充电时，存在如下关系，
K0ICCRS_Q0＝VREF_I
其中K0为比例系数，RS_Q0为MOS管Q0的阻值；
即恒流充电的大小ICC为：
恒流充电的开关波形如图6所示。
从如图6可得知，随着充电时间的增加，输出电压VOUT逐步上升，而充电电流ICHRG恒定不变。
当输出电压进一步上升，升至设定VREF_V*(Rf1+Rf2)/Rf1，反馈电压Vfb达到VREF_V时，VCV逐渐下降，当VCV低于VCC时，选择器模块即选择VCC输入到比较器U4的正输入端。设定功率管Q1的峰值电流为IQ1，则有：
K1IQ1RS_Q1＝VCV
由于比较器U4正输入端电压VCV的降低，其负输入端VS_Q1也随之降低，从而功率管Q1的峰值电流也逐步下降，输出电流也随之逐步下降。最后输出电压维持在目标值4.2V。由于负载电流仍有100mA，ICHRG电流则不再减少，如图7所示。
本发明的开关型充电电路还可根据充电电流的大小，方便的设置ICHRG电流检测功率管Q0的大小。在图5中，当ICHRG电流较大时，可以将Q0<0>和Q0<1>都导通，使得其导通电阻最小。从而提高效率；当ICHRG电流较小时，可以将Q0<1>关断，仅开启Q0<0>。这样Q0<0>两端的电压信号仍足够大，可确保电流采用的精度。
本发明的开关型充电电路相对于传统开关式充电电路，本发明在芯片内部设计了充电电流检测电路，降低了系统的应用成本，降低了PCB板布线的复杂度和难度，无需担心电流检测电阻被短路，可根据充电电流的大小，方便设置电流检测MOS管的大小。当充电电流较大时，为了降低功耗，电流检测MOS管W/L可设置到最大值，从而RDSON最小。当充电电流较小时，为了提高检测精度，电流检测MOS管W/L可设置到较小值，从而其电压信号仍较大，仍有足够的精度。

Claims (8)

1.一种开关型充电电路，包括功率级电路(U1)、驱动电路(U2)、逻辑控制电路(U3)、恒流运算放大器(U8)和恒压运算放大器(U9)；所述驱动电路(U2)分别与功率级电路(U1)和逻辑控制电路(U3)适配连接，逻辑控制电路(U3)用于控制驱动电路(U2)运行，驱动电路(U2)用于驱动功率级电路(U1)中功率管的导通；其特征在于所述功率级电路(U1)的输出端与MOS管Q0的一个源漏极相连，MOS管Q0的另一个源漏极形成电路的VOUT；所述MOS管Q0的两个源漏极间有启动反馈电路(1)，启动反馈电路(1)与恒流运算放大器(U8)的反相输入端适配连接；所述VOUT与恒压运算放大器(U9)的反相输入端适配连接；所述逻辑控制电路(U3)适配连接有选择比较电路2，所述恒流运算放大器(U8)和恒压运算放大器(U9)的输出端均与选择比较电路2适配连接；所述功率级电路(U1)的采样端与选择比较电路2适配连接；所述MOS管Q0含有MOS管Q0<0>和MOS管Q0<1>；所述功率级电路(U1)的输出端与MOS管Q0<0>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>的另一个源漏极形成电路的VOUT；MOS管Q0<0>的一个源漏极与MOS管Q0<1>的一个源漏极相连，MOS管Q0<0>另一个源漏极与MOS管Q0<1>的另一个源漏极相连；所述启动反馈电路(1)包括栅极控制电路(U6)、MOS管QS、MOS管QREG、电阻RS_Qs和电流镜运算放大器(U7)；靠近功率级电路(U1)的那个MOS管Q0<0>的源漏极与MOS管QS的一个源漏极相连，MOS管QS的另一个源漏极分别与MOS管QREG的一个源漏极和电流镜运算放大器(U7)反相输入端相连，MOS管QREG的另一个源漏极分别与恒流运算放大器(U8)的反相输入端和电阻RS_Qs的一端相连，电阻RS_Qs的另一端接地；所述MOS管Q0<0>、MOS管Q0<1>和MOS管QS的栅极均与所述栅极控制电路(U6)相连，远离功率级电路(U1)的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电流镜运算放大器(U7)的同相输入端相连，电流镜运算放大器(U7)的输出端与MOS管QREG的栅极相连。
2.如权利要求1所述的开关型充电电路，其特征在于远离功率级电路(U1)的那个MOS管Q0<0>的源漏极与电阻Rf1的一端相连，电阻Rf1的另一端与电阻Rf2的一端相连，电阻Rf2的另一端接地；靠近电阻Rf1的Rf2一端与所述恒压运算放大器(U9)的反相输入端相连。
3.如权利要求1所述的开关型充电电路，其特征在于所述选择比较电路2包括数据选择器(U5)和比较器(U4)；所述恒流运算放大器(U8)和恒压运算放大器(U9)的输出端均与数据选择器(U5)适配连接，数据选择器(U5)与比较器(U4)的正相输入端相连；所述功率级电路(U1)的采样端与选择比较电路2中比较器(U4)的反相输入端相连；所述逻辑控制电路(U3)与选择比较电路2中比较器(U4)的输出端相连。
4.如权利要求1所述的开关型充电电路，其特征在于所述逻辑控制电路(U3)适配连接有导通时间/关断时间模块(U10)。
5.如权利要求1～4中任一项所述的开关型充电电路，其特征在于所述功率级电路(U1)的采样端与电阻RS_Q1的一端相连，RS_Q1的另一端接地。
6.如权利要求5所述的开关型充电电路，其特征在于所述功率级电路(U1)为BUCK电路，该BUCK电路含有MOS管Q1、MOS管Q2和电感L；所述MOS管Q1的一个源漏极为功率级电路(U1)的输入端，MOS管Q1的另一个源漏极分别与电感L的一端和MOS管Q2的一个源漏极相连，电感L的另一端为功率级电路(U1)的输出端，MOS管Q2的另一个源漏极接地；所述采样端输出的电流为MOS管Q1导通后，Q1按比例采样后的电流。
7.如权利要求5所述的开关型充电电路，其特征在于所述功率级电路(U1)为BOOST电路，该BOOST电路含有电感L、MOS管Q1和MOS管Q2；所述电感L的一端为功率级电路(U1)的输入端，电感L的另一端分别与MOS管Q1的一个源漏极和MOS管Q2的一个源漏极相连，MOS管Q1的另一个源漏极接地，MOS管Q2的另一个源漏极为功率级电路(U1)的输出端；
所述采样端输出的电流为MOS管Q1导通后，Q1按比例采样后的电流。
8.如权利要求5所述的开关型充电电路，其特征在于所述功率级电路(U1)为BUCK-BOOST电路，该BUCK-BOOST电路含有MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4和电感L；所述MOS管Q1的一个源漏极为功率级电路(U1)的输入端，MOS管Q1的另一个源漏极分别与电感L的一端和MOS管Q2的一个源漏极相连，电感L的另一端分别与MOS管Q4的一个源漏极和MOS管Q3的一个源漏极相连，MOS管Q2和MOS管Q3的另一个源漏极接地，MOS管Q4的另一个源漏极为功率级电路(U1)的输出端；所述采样端输出的电流为MOS管Q1和MOS管Q2导通后，Q1按比例采样后的电流。
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