CN114606407B - 一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法 - Google Patents
一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114606407B CN114606407B CN202210189373.2A CN202210189373A CN114606407B CN 114606407 B CN114606407 B CN 114606407B CN 202210189373 A CN202210189373 A CN 202210189373A CN 114606407 B CN114606407 B CN 114606407B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mixture
- sintering
- entropy
- entropy alloy
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 375
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 112
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 121
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 120
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 175
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 142
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 100
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 100
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 100
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 38
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 claims description 29
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 claims description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 11
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 10
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical group [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- -1 perovskite structure Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000011215 ultra-high-temperature ceramic Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
- C22C1/051—Making hard metals based on borides, carbides, nitrides, oxides or silicides; Preparation of the powder mixture used as the starting material therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F3/105—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/04—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from solid material, e.g. by crushing, grinding or milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
- C22C29/005—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides comprising a particular metallic binder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
- C22C29/02—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides
- C22C29/06—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds
- C22C29/067—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds comprising a particular metallic binder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
- C22C29/12—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
- C22C29/14—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
- C22C29/16—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
- C22C29/18—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
- C22C30/02—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent containing copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
- C22C30/04—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent containing tin or lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
- C22C30/06—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
- C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
- C22C32/0052—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
- C22C32/0068—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
- C22C32/0073—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/0047—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
- C22C32/0078—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only silicides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F3/105—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding
- B22F2003/1051—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding by electric discharge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/04—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from solid material, e.g. by crushing, grinding or milling
- B22F2009/043—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from solid material, e.g. by crushing, grinding or milling by ball milling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Abstract
本发明提供一种高熵陶瓷‑高熵合金梯度材料及其制备方法。该材料由N层材料层烧结而成,其中N≥5;各层材料层中,硅的质量百分比为0wt%~5wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的0.01wt%~30wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的50wt%~100wt%。本发明方法通过备料、分组配料、奇数组料组烧结、连接烧结步骤制备了该材料。
Description
技术领域
本发明属于陶瓷和金属复合材料领域,特别涉及一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法。
背景技术
高熵陶瓷材料是近年提出和发展的一种新材料,通常是指由5种或以上陶瓷组元形成的多主元固溶体。2015年,美国北卡罗莱纳州立大学的Rost和杜克大学的Curtarolo等人在《Entropy-stabilized oxides》一文中,合作报道了一种岩盐结构的熵稳定氧化物陶瓷,即高熵陶瓷。随后,越来越多的高熵陶瓷,包括萤石结构、钙钛矿结构、尖晶石结构的高熵氧化物陶瓷以及硼化物、碳化物、氮化物、硅化物等非氧化物高熵陶瓷如雨后春笋般涌现出来。其独特性能吸引了众多的科研工作者的广泛关注,成为陶瓷领域的研究热点。
作为一种典型的高熵材料,高熵陶瓷的基本规律和特点可以概括为热力学的高熵效应、结构的晶格畸变效应、动力学的迟滞扩散效应和组元的协同增效效应。正是由于组成和结构上的这些特点,使得高熵陶瓷具备优异的力学、电学、热学性能。这其中,多组元固溶体的迟滞扩散和协同增效效应,理论上会增加高熵陶瓷抵抗高温高压变形和化学腐蚀的能力,使其在极端温度、压力和化学环境下保持单相,在各种应用条件下极具稳定性。如三组元碳化物陶瓷的高温强度在某些温度区间超过了所有的单一组元,这就使得高熵陶瓷在航空航天领域超高温条件下,具有很好的工程应用前景。
通常情况下,超高温材料在航空航天装备中并不能单独使用。例如在航天飞机超音速燃烧冲压式发动机中,燃烧室壁一侧要承受超过2000℃的燃烧气体热冲击,另一侧又要经受-200℃左右的液氢冷却,单一材料显然满足不了这一要求。人们想到可以用超高温陶瓷去对付高温,用低温性能较好的金属材料来对付低温,将陶瓷和金属联合起来使用。但是,用传统的技术将金属和陶瓷结合起来时,由于二者的界面热力学特性匹配不好,在高温和热应力条件下会引起开裂,从而导致结构失效,造成不可挽回的严重后果。
针对这种情况,日本科学家平井敏雄于20世纪80年代在《功能梯度材料》一文中提出了功能梯度材料的设想。这种材料和结构设计概念主要创新点在于选择两种具有不同性能的材料,通过连续式或者阶梯式改变两种材料的组成和结构,在得到性能相应于各部分组成变化而渐变的非均质材料的同时,降低其在极端环境下的内部应力,从而减小界面的性能不匹配因素。如果选择的两种材料本身已具备较好的物理化学匹配性,那构造的功能梯度材料可行性将会更高。
高熵合金与高熵陶瓷同为高熵材料,具有一致的热力学、动力学、结构组成特性和相近的物理化学性质。同时,高熵合金具备极其优异的低温力学性能。美国劳伦斯伯克利国家实验室的Bernd Gludovatz等人就在《A fracture-resistant high-entropy alloy forcryogenic applications》一文中就指出高熵合金在-200℃条件下具有目前最优异的低温韧性,且随着温度降低韧性依然可以保持很高的水平。因此与单质金属和其他合金相比,高熵合金与高熵陶瓷的组合更加匹配,更能适应极端环境条件。在此成分选择基础上,进一步采用高熵陶瓷-高熵合金渐进式成分变化的形式构造梯度结构材料,会使整个结构件更具稳定性。
梯度结构材料最常用的制备方法为铺层烧结法,即以不同配比的粉体物料在模具中依次铺层,再将其整体烧结的制备方法。但对于高熵陶瓷-高熵合金体系,由于不同配比的粉体物料最佳烧结温度不同,因此这种方法不能保证各层都有高的密实度,尤其在多层梯度材料中这种缺点更为明显。
受此启发,本文以高熵陶瓷粉体和高熵合金粉体作为主要原料,加入少量硅粉,采用分段烧结再连接的铺层烧结法制备了一种梯度结构材料。
发明内容
针对背景技术存在的问题,本发明提供一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法,解决高熵陶瓷和金属材料因热物理性能不匹配而无法有效连接的问题,同时提供其制备方法,解决现有梯度材料制备方法中各梯度层无法统一致密的问题。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料,其特征在于,其由N层材料层烧结而成,其中N≥5;各层材料层中,硅的质量百分比均为0wt%~5wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的0.01wt%~30wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的50wt%~100wt%。
进一步,相邻两层材料层之间高熵合金所占质量百分数比的变化量为1wt%~10wt%。
进一步,每层材料层的厚度为1mm~10mm。
进一步,所述高熵陶瓷是由Mg、Al、Sc、Ti、V、Co、Cr、Fe、Ni、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Ir、Pb、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb、Lu等元素中选取五种或五种以上以等原子比组成的固溶体氧化物、硼化物、碳化物、氮化物或硅化物陶瓷材料。
进一步,所述高熵合金是由机械合金方法制备的商业合金材料,其元素是以Mg、Al、Sc、Ti、V、Co、Cr、Fe、Ni、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Ir、Pb、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb、Lu等元素中选取五种或五种以上以等原子比混合制备。
一种所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:
步骤S1:备料
将N份原料分别利用滚筒球磨机混料,混合后的料浆经干燥过筛后,得到N份混合料,N≥5;
N份混合料中,硅的质量百分比均为0wt%~5wt%,其余为高熵合金粉体和高熵陶瓷粉体;将所述N份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从1至N标上序号,且从第1份混合料顺次到第N份混合料中,高熵合金粉体在每份混合料中的质量百分比由第1份的0.01wt%~30wt%,呈逐份梯度增大,最后增大至第N份的50wt%~100wt%;
步骤S2:分组配料
将所述N份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分为2M-1组,得到2M-1组料组,M=2~4,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料;
步骤S3:奇数组料组烧结
将M个奇数组料组的混合料分别置入M个石墨模具中,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将装填有混合料的M个石墨模具分别在1000℃~1800℃的不同温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结,得到M个烧结料;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1500℃~1700℃温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结,得到多层梯度材料;
若M=2,则连接结束,所述多层梯度材料即为制得的梯度材料;若M>2,继续按照混合料序号逐渐增大的顺序,将所述多层梯度材料和对应5号料组的烧结料中间夹以4号料组的混合料,置于石墨模具中,在1200℃~1600℃温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结;
如此继续,直至将对应第2M-1组的烧结料进行热压烧结或放电等离子体烧结,最后烧结温度为1100℃~1500℃,得到梯度材料。
进一步,步骤S1中,所述高熵合金粉体纯度大于或等于99.5%,粒度小于或等于200目,其中氧质量百分比小于或等于0.3wt%;所述硅粉纯度大于或等于99.99%,粒度小于或等于200目,氧质量百分比小于或等于0.1wt%;所述高熵陶瓷粉体纯度大于或等于99.0%,平均粒径0.1-10μm。
进一步,步骤S1中,利用滚筒球磨机混料的条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为4:1~10:1,转速为60转/分钟~120转/分钟,混料时间为12小时~24小时。
进一步,步骤S1中,干燥过程为,混合后的料浆通过旋转蒸发仪在60℃~80℃温度条件下干燥1小时~2小时,再在恒温真空干燥箱中在50℃~70℃温度条件下干燥12小时~24小时。
进一步,步骤S3和步骤S4中,采用热压烧结的参数为:升温速率10℃/min~20℃/min,压力1MPa~50MPa,气氛为真空,保温0.1小时~2小时;
采用放电等离子体烧结的参数为:升温速率100℃/min~200℃/min,压力为1MPa~50MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟~10分钟。
进一步,石墨模具所装填的混合料的序号越大,混合料中的高熵合金粉体含量越高,烧结温度越低。
进一步,各奇数组料组中,各份混合料的高熵合金粉体含量的变化量在20wt%之内。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
1.本发明以高熵陶瓷粉和高熵合金粉体作为基体,采取分层、分段烧结的方式,在不同烧结温度下分段制备出硬度高、致密度好、化学性质稳定且具有明显梯度结构和性能的梯度材料,高熵合金粉体与高熵陶瓷的物理化学性能相近,使其在烧结致密的同时依然保持优良的力学性能,也可使梯度材料的性质由陶瓷性逐渐向金属性转变。
2.采用分段烧结制备梯度材料,可根据不同高熵合金含量制定相应的烧结制度,使得每层都具有很高的致密度;热连接可将几段少层梯度材料连接成多层梯度材料,使材料整体梯度结构更加丰富。
3.加入少量硅粉作为烧结助剂,可降低体系烧结温度,增加致密度,减少了烧结成本,达到节能环保的效果。
附图说明
图1为由实施例1所制得的梯度材料梯度截面结构示意图;
图2为由实施例3所制得的直径为20mm的梯度材料光学照片。
具体实施方式
实施例1
步骤S1:备料
将11份原料分别倒入混料罐,利用滚筒球磨机混料,混料条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为4:1,转速为60转/分钟,混料时间为12小时;混合后的料浆通过旋转蒸发仪在60℃下干燥1小时,再在恒温真空干燥箱中在50℃下干燥12小时,最后过200目筛,得到11份混合料,将所述11份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从Ⅰ到Ⅺ顺次标上序号,各份混合料的组成见表1-1;
表1-1
上述高熵合金粉体为CoCrFeNiAl高熵合金粉体,高熵陶瓷粉为(Ti0.2Zr0.2Nb0.2Ta0.2Mo0.2)C高熵陶瓷粉。
步骤S2:分组配料
取步骤S1中备好的Ⅰ-Ⅺ共11份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分成5组,得到5组料组,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料,各料组的的组成见表1-2;
表1-2
料组号 | 组成 |
1 | 0.805gⅠ、0.819gⅡ和0.848gⅢ |
2 | 0.880gⅣ |
3 | 0.914gⅤ、0.951gⅥ和0.992gⅦ |
4 | 1.036gⅧ |
5 | 1.083gⅨ、1.135gⅩ和1.193gⅪ |
步骤S3:奇数组料组烧结
将1号料组、3号料组和5号料组分别置入1号、2号和3号石墨模具中,石墨模具内径尺寸均为Φ20mm,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将1号石墨模具在1700℃下进行放电等离子体烧结,2号石墨模具在1500℃下进行放电等离子体烧结,3号石墨模具在1200℃下进行放电等离子体烧结,脱模后得到3个3层烧结料;
步骤S3中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率100℃/min,压力为30MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1600℃温度下进行放电等离子体烧结,得到7层梯度材料;
继续按照混合料序号逐渐增大的顺序,将所述7层梯度材料和对应5号料组的烧结料中间夹以4号料组的混合料,置于石墨模具中,在1300℃温度下进行放电等离子体烧结,最终得到11层梯度材料;
步骤S4中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率100℃/min,压力为30MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟。
如图1所示,该梯度材料由11层材料烧结为一体,各层材料层中,硅的质量百分比为1wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的5wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的99wt%,相邻两层之间高熵合金质量百分比的变化量为5wt%~10wt%;每层材料层厚度为1mm。
实施例2
步骤S1:备料
将7份原料分别倒入混料罐,利用滚筒球磨机混料,混料条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为10:1,转速为120转/分钟,混料时间为24小时;混合后的料浆通过旋转蒸发仪在80℃下干燥2小时,再在恒温真空干燥箱中在70℃下干燥24小时,最后过200目筛,得到7份混合料,将所述7份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从Ⅰ到Ⅶ顺次标上序号,各份混合料的组成见表2-1;
表2-1
上述高熵合金粉体为CoCrFeCuZn高熵合金粉体,高熵陶瓷粉为(Mg0.2Ni0.2Co0.2Cu0.2Zn0.2)O高熵陶瓷粉。
步骤S2:分组配料
取步骤S1中备好的Ⅰ-Ⅶ共7份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分成3组,得到3组料组,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料,各料组的的组成见表2-2;
表2-2
料组号 | 组成 |
1 | 0.819gⅠ、0.848gⅡ和0.880gⅢ |
2 | 0.914gⅣ |
3 | 0.951gⅤ、0.992gⅥ和1.036gⅦ |
步骤S3:奇数组料组烧结
将1号料组和3号料组分别置入1号和2号石墨模具中,石墨模具内径尺寸均为Φ20mm,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将1号石墨模具在1650℃下进行放电等离子体烧结,2号石墨模具在1450℃下进行放电等离子体烧结,脱模后得到2个3层烧结料;
步骤S3中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率200℃/min,压力为50MPa,气氛为真空,保温时间为10分钟;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1550℃温度下进行放电等离子体烧结,得到7层梯度材料;
步骤S4中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率200℃/min,压力为50MPa,气氛为真空,保温时间为10分钟。
该梯度材料由7层材料烧结为一体,各层材料层中,硅的质量百分比为0wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的10wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的70wt%,相邻两层之间高熵合金质量百分比的变化量为10wt%;每层材料层厚度为1mm。
实施例3
步骤S1:备料
将8份原料分别倒入混料罐,利用滚筒球磨机混料,混料条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为6:1,转速为80转/分钟,混料时间为16小时;混合后的料浆通过旋转蒸发仪在70℃下干燥1小时,再在恒温真空干燥箱中在60℃下干燥24小时,最后过200目筛,得到8份混合料,将所述8份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从Ⅰ到Ⅶ顺次标上序号,各份混合料的组成见表3-1;
表3-1
混合料序号 | 高熵合金粉体 | 硅粉 | 余量 |
Ⅰ | 30wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅱ | 40wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅲ | 50wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅳ | 60wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅴ | 70wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅵ | 80wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅶ | 90wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅷ | 99wt% | 1wt% | 0 |
上述高熵合金粉体为TiMnZrNiAl高熵合金粉体,高熵陶瓷粉为(Ti0.2Zr0.2Nb0.2Hf0.2Ta0.2)B2高熵陶瓷粉。
步骤S2:分组配料
取步骤S1中备好的Ⅰ-Ⅷ共8份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分成5组,得到5组料组,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料,各料组的的组成见表3-2;
表3-2
料组号 | 组成 |
1 | 0.880gⅠ和0.914gⅡ |
2 | 0.951gⅢ |
3 | 0.992gⅣ和1.036gⅤ |
4 | 1.083gⅥ |
5 | 1.135gⅦ和1.193gⅧ |
步骤S3:奇数组料组烧结
将1号料组、3号料组和5号料组分别置入1号、2号和3号石墨模具中,石墨模具内径尺寸均为Φ20mm,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将1号石墨模具在1600℃下进行放电等离子体烧结,2号石墨模具在1400℃下进行放电等离子体烧结,3号石墨模具在1100℃下进行放电等离子体烧结,脱模后得到3个2层烧结料;
步骤S3中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率100℃/min,压力为50MPa,气氛为真空,保温时间为10分钟;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1500℃温度下进行放电等离子体烧结,得到5层梯度材料;
继续按照混合料序号逐渐增大的顺序,将所述5层梯度材料和对应5号料组的烧结料中间夹以4号料组的混合料,置于石墨模具中,在1200℃温度下进行放电等离子体烧结,最终得到8层梯度材料;
步骤S4中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率100℃/min,压力为50MPa,气氛为真空,保温时间为10分钟。
该梯度材料由8层材料烧结为一体,各层材料层中,硅的质量百分比为1wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的30wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的99wt%,相邻两层之间高熵合金质量百分比的变化量为9wt%~10wt%;每层材料层厚度为1mm。
本实施例所制得的梯度材料光学照片如图2所示。
实施例4
步骤S1:备料
将11份原料分别倒入混料罐,利用滚筒球磨机混料,混料条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为8:1,转速为100转/分钟,混料时间为20小时;混合后的料浆通过旋转蒸发仪在60℃下干燥1小时,再在恒温真空干燥箱中在50℃下干燥12小时,最后过200目筛,得到11份混合料,将所述11份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从Ⅰ到Ⅺ顺次标上序号,各份混合料的组成见表4-1;
表4-1
混合料序号 | 高熵合金粉体 | 余量 |
Ⅰ | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅱ | 3wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅲ | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅳ | 10wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅴ | 15wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅵ | 20wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅶ | 25wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅷ | 30wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅸ | 40wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅹ | 45wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅺ | 50wt% | 高熵陶瓷粉 |
上述高熵合金粉体为CoTaSnNiAl高熵合金粉体,高熵陶瓷粉为(Ti0.2Nb0.2Zr0.2Hf0.2Ta0.2)C高熵陶瓷粉。
步骤S2:分组配料
取步骤S1中备好的Ⅰ-Ⅺ共11份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分成5组,得到5组料组,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料,各料组的的组成见表4-2;
表4-2
料组号 | 组成 |
1 | 3.176gⅠ、3.198gⅡ和3.219gⅢ |
2 | 3.276gⅣ |
3 | 3.333gⅤ、3.394gⅥ和3.456gⅦ |
4 | 3.520gⅧ |
5 | 3.657gⅨ、3.731gⅩ和3.806gⅪ |
步骤S3:奇数组料组烧结
将1号料组、3号料组和5号料组分别置入1号、2号和3号石墨模具中,石墨模具内径尺寸均为Φ40mm,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将1号石墨模具在1800℃下进行放电等离子体烧结,2号石墨模具在1650℃下进行放电等离子体烧结,3号石墨模具在1550℃下进行放电等离子体烧结,脱模后得到3个3层烧结料;
步骤S3中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率200℃/min,压力为30MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1700℃温度下进行放电等离子体烧结,得到7层梯度材料;
继续按照混合料序号逐渐增大的顺序,将所述7层梯度材料和对应5号料组的烧结料中间夹以4号料组的混合料,置于石墨模具中,在1600℃温度下进行放电等离子体烧结,最终得到11层梯度材料;
步骤S4中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率200℃/min,压力为30MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟。
该梯度材料由11层材料烧结为一体,各层材料层中,硅的质量百分比为0wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的1wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的50wt%,相邻两层之间高熵合金质量百分比的变化量为2wt%~10wt%;每层材料层厚度为1mm。
实施例5
步骤S1:备料
将7份原料分别倒入混料罐,利用滚筒球磨机混料,混料条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为10:1,转速为120转/分钟,混料时间为24小时;混合后的料浆通过旋转蒸发仪在80℃下干燥2小时,再在恒温真空干燥箱中在70℃下干燥24小时,最后过200目筛,得到7份混合料,将所述7份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从Ⅰ到Ⅶ顺次标上序号,各份混合料的组成见表5-1;
表5-1
混合料序号 | 高熵合金粉体 | 余量 |
Ⅰ | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅱ | 10wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅲ | 20wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅳ | 30wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅴ | 40wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅵ | 50wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅶ | 60wt% | 高熵陶瓷粉 |
上述高熵合金粉体为CoYMoVNiAl高熵合金粉体,高熵陶瓷粉为(Ti0.2Zr0.2Nb0.2Mo0.2W0.2)Si2高熵陶瓷粉。
步骤S2:分组配料
取步骤S1中备好的Ⅰ-Ⅶ共7份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分成3组,得到3组料组,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料,各料组的的组成见表5-2;
表5-2
料组号 | 组成 |
1 | 7.243gⅠ、7.370gⅡ和7.636gⅢ |
2 | 7.921gⅣ |
3 | 8.229gⅤ、8.563gⅥ和8.925gⅦ |
步骤S3:奇数组料组烧结
将1号料组和3号料组分别置入1号和2号石墨模具中,石墨模具内径尺寸均为Φ60mm,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将1号石墨模具在1700℃下进行放电等离子体烧结,2号石墨模具在1500℃下进行放电等离子体烧结,脱模后得到2个3层烧结料;
步骤S3中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率100℃/min,压力为50MPa,气氛为真空,保温时间为10分钟;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1600℃温度下进行放电等离子体烧结,得到7层梯度材料;
步骤S4中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率100℃/min,压力为50MPa,气氛为真空,保温时间为10分钟。
该梯度材料由7层材料烧结为一体,各层材料层中,硅的质量百分比为0wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的5wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的60wt%,相邻两层之间高熵合金质量百分比的变化量为5wt%~10wt%;每层材料层厚度为1mm。
实施例6
步骤S1:备料
将14份原料分别倒入混料罐,利用滚筒球磨机混料,混料条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为10:1,转速为120转/分钟,混料时间为24小时;混合后的料浆通过旋转蒸发仪在60℃下干燥2小时,再在恒温真空干燥箱中在60℃下干燥24小时,最后过200目筛,得到14份混合料,将所述14份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从Ⅰ到Ⅺ顺次标上序号,各份混合料的组成见表6-1;
表6-1
混合料序号 | 高熵合金粉体 | 余量 |
Ⅰ | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅱ | 3wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅲ | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅳ | 10wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅴ | 20wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅵ | 30wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅶ | 40wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅷ | 50wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅸ | 60wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅹ | 70wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅺ | 80wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅻ | 90wt% | 高熵陶瓷粉 |
XIII | 95wt% | 高熵陶瓷粉 |
XIV | 100wt% | 0 |
上述高熵合金粉体为NbWIrNiAl高熵合金粉体,高熵陶瓷粉为(V0.2Cr0.2Zr0.2Nb0.2Mo0.2)N高熵陶瓷粉。
步骤S2:分组配料
取步骤S1中备好的Ⅰ-XIV共14份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分成7组,得到7组料组,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料,各料组的的组成见表6-2;
表6-2
/>
步骤S3:奇数组料组烧结
将1号料组、3号料组、5号料组和7号料组分别置入1号、2号、3号和4号石墨模具中,石墨模具内径尺寸均为Φ60mm,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将1号石墨模具在1800℃下进行放电等离子体烧结,2号石墨模具在1600℃下进行放电等离子体烧结,3号石墨模具在1300℃下进行放电等离子体烧结,4号石墨模具在1000℃下进行放电等离子体烧结,脱模后得到4个烧结料;
步骤S3中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率100℃/min,压力为50MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1700℃温度下进行放电等离子体烧结,得到7层梯度材料;
继续按照混合料序号逐渐增大的顺序,将所述7层梯度材料和对应5号料组的烧结料中间夹以4号料组的混合料,置于石墨模具中,在1500℃温度下进行放电等离子体烧结,得到11层梯度材料;
继续按照混合料序号逐渐增大的顺序,将所述11层梯度材料和对应7号料组的烧结料中间夹以6号料组的混合料,置于石墨模具中,在1100℃温度下进行放电等离子体烧结,最终得到14层梯度材料;
步骤S4中,放电等离子体烧结的参数均为:升温速率100℃/min,压力为50MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟。
该梯度材料由14层材料烧结为一体,各层材料层中,硅的质量百分比为0wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的1wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的100wt%,相邻两层之间高熵合金质量百分比的变化量为2wt%~10wt%;每层材料层厚度为1mm。
实施例7
步骤S1:备料
将5份原料分别倒入混料罐,利用滚筒球磨机混料,混料条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为4:1,转速为100转/分钟,混料时间为20小时;混合后的料浆通过旋转蒸发仪在60℃下干燥1小时,再在恒温真空干燥箱中在60℃下干燥24小时,最后过200目筛,得到5份混合料,将所述5份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从Ⅰ到Ⅴ顺次标上序号,各份混合料的组成见表7-1;
表7-1
混合料序号 | 高熵合金粉体 | 硅粉 | 余量 |
Ⅰ | 30wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅱ | 40wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅲ | 50wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅳ | 60wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅴ | 70wt% | 1wt% | 高熵陶瓷粉 |
上述高熵合金粉体为CoCrCdNiAl高熵合金粉体,高熵陶瓷粉为(Ti0.2Nb0.2Mo0.2Cr0.2Hf0.2)B2高熵陶瓷粉。
步骤S2:分组配料
取步骤S1中备好的Ⅰ-Ⅴ共5份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分成3组,得到3组料组,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料,各料组的的组成见表7-2;
表7-2
步骤S3:奇数组料组烧结
将1号料组和3号料组分别置入1号和2号石墨模具中,石墨模具内径尺寸均为Φ48mm,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将1号石墨模具在1550℃下进行热压烧结,2号石墨模具在1450℃下进行热压烧结,脱模后得到2个2层烧结料;
步骤S3中,热压烧结的参数均为:升温速率10℃/min,压力为30MPa,气氛为真空,保温时间为60分钟;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1500℃温度下进行热压烧结,得到5层梯度材料;
步骤S4中,热压烧结的参数均为:升温速率10℃/min,压力为30MPa,气氛为真空,保温时间为60分钟。
该梯度材料由5层材料烧结为一体,各层材料层中,硅的质量百分比为1wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的30wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的70wt%,相邻两层之间高熵合金质量百分比的变化量为10wt%;每层材料层厚度为10mm。
实施例8
步骤S1:备料
将21份原料分别倒入混料罐,利用滚筒球磨机混料,混料条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为4:1,转速为60转/分钟,混料时间为24小时;混合后的料浆通过旋转蒸发仪在60℃下干燥1小时,再在恒温真空干燥箱中在60℃下干燥12小时,最后过200目筛,得到21份混合料,将所述21份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从Ⅰ到XXI顺次标上序号,各份混合料的组成见表8-1;
表8-1
混合料序号 | 高熵合金粉体 | 硅粉 | 余量 |
Ⅰ | 30wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅱ | 31wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅲ | 32wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅳ | 33wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅴ | 34wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅵ | 35wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅶ | 36wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅷ | 37wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅸ | 38wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅹ | 39wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅺ | 40wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
Ⅻ | 41wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XIII | 42wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XIV | 43wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XV | 44wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XVI | 45wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XVII | 46wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XVIII | 47wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XIX | 48wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XX | 49wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
XXI | 50wt% | 5wt% | 高熵陶瓷粉 |
上述高熵合金粉体为CoTiZrNiAl高熵合金粉体,高熵陶瓷粉为(Ce0.2La0.2Nd0.2Pr0.2Sm0.2)O高熵陶瓷粉。
步骤S2:分组配料
取步骤S1中备好的Ⅰ-XXI共21份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分成3组,得到3组料组,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料,各料组的的组成见表8-2;
表8-2
步骤S3:奇数组料组烧结
将1号料组和3号料组分别置入1号和2号石墨模具中,石墨模具内径尺寸均为Φ48mm,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将1号石墨模具在1600℃下进行热压烧结,2号石墨模具在1500℃下进行热压烧结,脱模后得到2个10层烧结料;
步骤S3中,热压烧结的参数均为:升温速率20℃/min,压力50MPa,气氛为真空,保温2小时;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1550℃温度下进行放电等离子体烧结,得到21层梯度材料;
步骤S4中,热压烧结的参数为:升温速率20℃/min,压力50MPa,气氛为真空,保温2小时。
该梯度材料由21层材料烧结为一体,各层材料层中,硅的质量百分比为5wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的30wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的50wt%,相邻两层之间高熵合金质量百分比的变化量为1wt%;每层材料层厚度为1mm。
实施例1~8中,高熵合金粉体纯度大于或等于99.5%,粒度小于或等于200目,其中氧质量百分比小于或等于0.3wt%;硅粉纯度大于或等于99.99%,粒度小于或等于200目,氧质量百分比小于或等于0.1wt%;高熵陶瓷粉体纯度大于或等于99.0%,平均粒径0.1~10μm。
Claims (10)
1.一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料,其特征在于,其由N层材料层烧结而成,其中N≥5;各层材料层中,硅的质量百分比均为0wt%~5wt%,其余为高熵合金和高熵陶瓷;且从顶层材料层向下至底层材料层,高熵合金在每层材料层中的质量百分比由顶层的0.01wt%~30wt%,呈逐层梯度增大,最后增大至底层的50wt%~100wt%;
所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料的制备方法,包含如下步骤:
步骤S1:备料
将N份原料分别利用滚筒球磨机混料,混合后的料浆经干燥过筛后,得到N份混合料,N≥5;
N份混合料中,硅粉的质量百分比均为0wt%~5wt%,其余为高熵合金粉体和高熵陶瓷粉体;将所述N份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从1至N标上序号,且从第1份混合料顺次到第N份混合料中,高熵合金粉体在每份混合料中的质量百分比由第1份的0.01wt%~30wt%,呈逐份梯度增大,最后增大至第N份的50wt%~100wt%;
步骤S2:分组配料
将所述N份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分为2M-1组,得到2M-1组料组,M=2~4,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料;
步骤S3:奇数组料组烧结
将M个奇数组料组的混合料分别置入M个石墨模具中,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将装填有混合料的M个石墨模具分别在1000℃~1800℃的不同温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结,得到M个烧结料;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1500℃~1700℃温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结,得到多层梯度材料;
若M=2,则连接结束,所述多层梯度材料即为制得的梯度材料;若M>2,继续按照混合料序号逐渐增大的顺序,将所述多层梯度材料和对应5号料组的烧结料中间夹以4号料组的混合料,置于石墨模具中,在1200℃~1600℃温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结;
如此继续,直至将对应第2M-1组的烧结料进行热压烧结或放电等离子体烧结,最后烧结温度为1100℃~1500℃,得到梯度材料;
其中,步骤S3和步骤S4中,采用热压烧结的参数为:升温速率10℃/min ~20℃/min,压力1MPa~50MPa,气氛为真空,保温0.1小时~2小时;
采用放电等离子体烧结的参数为:升温速率100℃/min~200℃/min,压力为1MPa~50MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟~10分钟。
2.根据权利要求1所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料,其特征在于,相邻两层材料层之间高熵合金所占质量百分数比的变化量为1wt%~10wt%。
3.根据权利要求1所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料,其特征在于,每层材料层的厚度为1mm~10mm。
4.根据权利要求1所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料,其特征在于,所述高熵陶瓷是由Mg、Al、Sc、Ti、V、Co、Cr、Fe、Ni、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Ir、Pb、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb、Lu元素中选取五种或五种以上以等原子比组成的固溶体氧化物、硼化物、碳化物、氮化物或硅化物陶瓷材料。
5.根据权利要求1所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料,其特征在于,所述高熵合金是由机械合金方法制备的商业合金材料,其元素是以Mg、Al、Sc、Ti、V、Co、Cr、Fe、Ni、Mn、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Hf、Ta、W、Ir、Pb、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb、Lu元素中选取五种或五种以上以等原子比混合制备。
6.一种权利要求1至5中任意一项所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:
步骤S1:备料
将N份原料分别利用滚筒球磨机混料,混合后的料浆经干燥过筛后,得到N份混合料,N≥5;
N份混合料中,硅粉的质量百分比均为0wt%~5wt%,其余为高熵合金粉体和高熵陶瓷粉体;将所述N份混合料按所含高熵合金粉体质量百分比逐渐增大的顺序,从1至N标上序号,且从第1份混合料顺次到第N份混合料中,高熵合金粉体在每份混合料中的质量百分比由第1份的0.01wt%~30wt%,呈逐份梯度增大,最后增大至第N份的50wt%~100wt%;
步骤S2:分组配料
将所述N份混合料,按混合料序号逐渐增大的顺序,分为2M-1组,得到2M-1组料组,M=2~4,其中,各偶数组料组仅包括1份混合料,各奇数组料组包括多份混合料;
步骤S3:奇数组料组烧结
将M个奇数组料组的混合料分别置入M个石墨模具中,各奇数组料组内按混合料序号逐渐增大的顺序,将各份混合料依次铺层于各石墨模具中,混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开;
然后将装填有混合料的M个石墨模具分别在1000℃~1800℃的不同温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结,得到M个烧结料;
步骤S4:连接烧结
按照混合料序号逐渐增大的顺序,将对应1号料组和3号料组的两个烧结料中间夹以2号料组的混合料,置于石墨模具中,在1500℃~1700℃温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结,得到多层梯度材料;
若M=2,则连接结束,所述多层梯度材料即为制得的梯度材料;若M>2,继续按照混合料序号逐渐增大的顺序,将所述多层梯度材料和对应5号料组的烧结料中间夹以4号料组的混合料,置于石墨模具中,在1200℃~1600℃温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结;
如此继续,直至将对应第2M-1组的烧结料进行热压烧结或放电等离子体烧结,最后烧结温度为1100℃~1500℃,得到梯度材料。
7.根据权利要求6所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述高熵合金粉体纯度大于或等于99.5%,粒度小于或等于200目,其中氧质量百分比小于或等于0.3wt %;所述硅粉纯度大于或等于99.99%,粒度小于或等于200目,氧质量百分比小于或等于0.1wt%;所述高熵陶瓷粉体纯度大于或等于99.0%,平均粒径0.1-10µm。
8.根据权利要求6所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中,利用滚筒球磨机混料的条件为:介质为无水乙醇和玛瑙球,球料比为4:1~10:1,转速为60转/分钟~120转/分钟,混料时间为12小时~24小时。
9.根据权利要求6所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中,干燥过程为,混合后的料浆通过旋转蒸发仪在60℃~80℃温度条件下干燥1小时~2小时,再在恒温真空干燥箱中在50℃~70℃温度条件下干燥12小时~24小时。
10.根据权利要求6所述的高熵陶瓷-高熵合金梯度材料的制备方法,其特征在于,步骤S3和步骤S4中,采用热压烧结的参数为:升温速率10℃/min ~20℃/min,压力1MPa~50MPa,气氛为真空,保温0.1小时~2小时;
采用放电等离子体烧结的参数为:升温速率100℃/min~200℃/min,压力为1MPa~50MPa,气氛为真空,保温时间为5分钟~10分钟。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210189373.2A CN114606407B (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210189373.2A CN114606407B (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114606407A CN114606407A (zh) | 2022-06-10 |
CN114606407B true CN114606407B (zh) | 2023-07-18 |
Family
ID=81859508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210189373.2A Active CN114606407B (zh) | 2022-02-28 | 2022-02-28 | 一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114606407B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114907121B (zh) * | 2022-06-21 | 2022-12-20 | 西北有色金属研究院 | 一种热导率随温度可调控的高熵陶瓷及其制备方法 |
CN115043664A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-09-13 | 武汉理工大学 | 一种蓝宝石和tc4连接接头及其制作方法 |
CN115417675A (zh) * | 2022-09-28 | 2022-12-02 | 神州创为(苏州)科技有限公司 | 一种高熵高强度耐磨的陶瓷材料的制备方法及在齿科修复中的应用 |
CN115537807B (zh) * | 2022-10-27 | 2023-06-27 | 广东省科学院新材料研究所 | 一种抗冲击耐磨耐蚀高熵合金-陶瓷复合涂层及其制备方法与应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002309323A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-23 | Toyama Prefecture | 低融点金属及び酸化物系セラミックスの傾斜機能材料及びその製造方法 |
JP2006347778A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Gifu Prefecture | 傾斜機能材料の製造方法及び傾斜機能材料 |
CN109207829A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-15 | 武汉理工大学 | 高熵合金与多组元碳化物共晶型复合材料及其原位制备方法 |
CN109504886A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-03-22 | 福建工程学院 | 一种耐高温Ti(C,N)-TiB2-HEAs复合金属陶瓷材料及其制备方法 |
CN109879669A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-14 | 广东工业大学 | 一种具有高强度的高熵陶瓷复合材料及其制备方法和应用 |
TW202130830A (zh) * | 2020-02-12 | 2021-08-16 | 國立成功大學 | 應用高熵合金之通訊元件及其製備方法 |
RU2762897C1 (ru) * | 2020-12-22 | 2021-12-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ получения порошка карбида высокоэнтропийного сплава со сферической формой частиц |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI347978B (en) * | 2007-09-19 | 2011-09-01 | Ind Tech Res Inst | Ultra-hard composite material and method for manufacturing the same |
US20190024198A1 (en) * | 2017-07-19 | 2019-01-24 | The Industry & Academic Cooperation In Chungnam National University (Iac) | Precipitation Hardening High Entropy Alloy and Method of Manufacturing the Same |
CN108687351B (zh) * | 2018-05-04 | 2019-08-27 | 武汉理工大学 | 一种B4C-HEAs梯度材料及其制备方法 |
CN110423930A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-08 | 福建工程学院 | 一种超细晶高熵金属陶瓷复合材料及其制备方法 |
-
2022
- 2022-02-28 CN CN202210189373.2A patent/CN114606407B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002309323A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-23 | Toyama Prefecture | 低融点金属及び酸化物系セラミックスの傾斜機能材料及びその製造方法 |
JP2006347778A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Gifu Prefecture | 傾斜機能材料の製造方法及び傾斜機能材料 |
CN109207829A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-15 | 武汉理工大学 | 高熵合金与多组元碳化物共晶型复合材料及其原位制备方法 |
CN109504886A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-03-22 | 福建工程学院 | 一种耐高温Ti(C,N)-TiB2-HEAs复合金属陶瓷材料及其制备方法 |
CN109879669A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-14 | 广东工业大学 | 一种具有高强度的高熵陶瓷复合材料及其制备方法和应用 |
TW202130830A (zh) * | 2020-02-12 | 2021-08-16 | 國立成功大學 | 應用高熵合金之通訊元件及其製備方法 |
RU2762897C1 (ru) * | 2020-12-22 | 2021-12-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ получения порошка карбида высокоэнтропийного сплава со сферической формой частиц |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
特种陶瓷材料快速烧结新技术研究;季伟;傅正义;;中国材料进展(第09期);全文 * |
高熵陶瓷材料研究进展与展望;陈克丕;李泽民;马金旭;刘腾飞;张建军;李翠伟;张孝文;;陶瓷学报(第02期);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114606407A (zh) | 2022-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN114606407B (zh) | 一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法 | |
CN101850422B (zh) | 热等静压法制备Ni基合金复合基带 | |
CN114163244B (zh) | 一种外硬内韧氮化硅陶瓷及其制备方法 | |
US9822040B1 (en) | Pressureless sintering-based method for making a two-phase ceramic composite body | |
CN108687351B (zh) | 一种B4C-HEAs梯度材料及其制备方法 | |
CN110791682B (zh) | 一种粉末冶金钛合金的制备方法 | |
CN111732437A (zh) | 超高温复相陶瓷粉体的制备方法及其致密化工艺 | |
CN113388770B (zh) | 一种具有正梯度环芯相的Ti(C, N)基金属陶瓷及其制备方法 | |
CN109732077B (zh) | 一种全致密碳化硅增强铝基复合材料坯锭及其制备方法 | |
CN114645180A (zh) | 一种双相增强铝合金及其制备方法 | |
CN1844431A (zh) | Ni基合金复合基带及其放电等离子体制备方法 | |
US6902809B1 (en) | Rhenium tantalum metal alloy | |
CN114737095B (zh) | 一种稀土掺杂的WC-Co硬质合金材料及其制备方法和应用 | |
CN115341113A (zh) | 一种原位合成max相金属陶瓷材料的方法 | |
CN112941391B (zh) | 一种含NbC的高致密复合金属陶瓷材料及其制备方法 | |
JP2663028B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体 | |
EP3309266A1 (en) | Method of making a molybdenum alloy having a high titanium content | |
CN112143944A (zh) | 一种石墨烯改性的硅铝复合材料及其制备方法 | |
CN115353395B (zh) | 一种制备Ti2AlC/B4C复相陶瓷的方法 | |
CN112359237B (zh) | 基于微结构主动构造型α/β双相钛合金材料及制备方法 | |
CN112059175B (zh) | 一种WC增强WCu双梯度结构复合材料的制备方法 | |
CN117417190A (zh) | 碳化钨-氮化硅复合材料及其放电等离子烧结方法 | |
CN1587428A (zh) | 一种低成本的β型钛合金及制备方法 | |
CN115921875A (zh) | 一种max相调控难熔金属基合金中低温延性和抗高温蠕变性能的方法 | |
CN117604363A (zh) | 一种耐热铝基复合材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |