CN114566577A - 一种led外延结构及其制备方法、led芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，在MQW层和P型半导体层之间依次设有最后一个量子垒层、P型复合层；其中，最后一个量子垒层包括GaN‑AlGaN‑AlN复合层状结构；所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。通过GaN‑AlGaN‑AlN复合结构的整体设计，再配合P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层的设置，可实现势垒层到P型半导体层的平滑过渡，无突变的势垒高度，有利于提升晶体质量，削弱强极化电场带来的能带弯曲，从而达到提亮发光功率的目的。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片。
背景技术
近来年，III-V族氮化物由于其优异的物理和化学特性(禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和迁移率高等)，在电学、光学领域受到广泛的关注与应用，比如目前市场上炙手可热的蓝绿光显屏产品，以及新冠疫情后热捧的紫外光杀菌消毒模组等。然而现实应用中由于材料、结构以及工艺的限制，各类新兴LED产品大规模应用依旧存在许多问题，比如电子束缚不足导致的溢流严重；空穴注入效率低，限制了发光效率的进一步提升；大晶格失配带来的强极化场等等，这些都阻碍了载流子在有源区的高效复合，给LED大规模商业化带来了巨大的挑战。因此，减小电子泄露、增加空穴注入效率、削弱强极化电场、促进载流子在有源区的高效复合，成为提升LED发光效率的关键。
目前，为了减少电子泄露，通常在在P型半导体层的一侧插入AlGaN层或AlGaN渐变组分所构成的EBL。然而，上述AlGaN渐变组分的EBL，增加电子阻挡的同时，也阻挡空穴注入；AlGaN插入层主要是为了减少价带势垒高度，增加空穴注入；上述两种都会面临一些挑战，比如与邻近层的晶格失配带来的强极化场以及晶体质量的下降，无法形成一个良好的衔接(组分、掺杂等等)。
有鉴于此，本发明人专门设计了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，本案由此产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，以促进载流子在有源区的高效复合从而提升LED的发光效率。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种LED外延结构，包括：
衬底，及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、MQW层、最后一个量子垒层、P型复合层以及P型半导体层；
其中，所述MQW层包括沿第一方向交替层叠的量子垒和量子阱，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层；
最后一个量子垒层包括GaN-AlGaN-AlN复合层状结构；
所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。
优选地，在所述P型复合层中，沿所述第一方向的最后一个AlGaN层的厚度小于其余任意一AlGaN层的厚度。
优选地，在所述最后一个量子垒层中，所述GaN层的厚度不小于所述AlGaN层的厚度。
优选地，在所述最后一个量子垒层中，所述AlN层的厚度不大于所述AlGaN层的厚度。
优选地，所述P型复合层包括依次堆叠且Al组分逐渐减少的P型AlxGa1-xN层、P型AlyGa1-yN层及P型AlzGa1-zN层；
其中，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层与所述P型复合层晶格失配所引起的极化电场；
所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入；
所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。
优选地，在所述P型AlxGa1-xN层中，x逐渐减小，且0<x≤1。
优选地，在所述P型AlyGa1-yN层中，y恒定。
优选地，在所述P型AlzGa1-zN层中，z逐渐减小，且0<z＜1。
优选地，在所述P型AlzGa1-zN层中，z的起始点值大于所述y，且0＜z-y≤0.1。
优选地，所述N型半导体层包括N-GaN层，所述P型半导体层包括P-GaN层。
本发明还提供了一种LED外延结构的制备方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面依次生长N型半导体层、MQW层、最后一个量子垒层、P型复合层以及P型半导体层；
其中，所述MQW层包括沿第一方向交替层叠的量子垒和量子阱，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层；
最后一个量子垒层包括GaN-AlGaN-AlN复合层状结构；
所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。
优选地，在所述P型复合层中，沿所述第一方向的最后一个AlGaN层的厚度小于其余任意一AlGaN层的厚度。
优选地，在所述最后一个量子垒层中，所述GaN层的厚度不小于所述AlGaN层的厚度；所述AlN层的厚度不大于所述AlGaN层的厚度。
优选地，所述P型复合层包括依次堆叠且Al组分逐渐减少的P型AlxGa1-xN层、P型AlyGa1-yN层及P型AlzGa1-zN层；
其中，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层与所述P型复合层晶格失配所引起的极化电场；
所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入；
所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。
本发明还提供了一种LED芯片，包括；
前述的LED外延结构；
N型电极，所述N型电极与所述N型半导体层形成欧姆接触；
P型电极，所述P型电极与所述P型半导体层形成欧姆接触。
经由上述的技术方案可知，本发明提供的LED外延结构，在MQW层和P型半导体层之间依次设有最后一个量子垒层、P型复合层；其中，最后一个量子垒层包括GaN-AlGaN-AlN复合层状结构；所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。通过GaN-AlGaN-AlN复合结构的整体设计，较大程度解决了晶格失配的问题，从而避免强极化场带来的辐射发光功率的降低；同时，AlGaN-AlN的堆叠，可提高导带势垒高度，从而减少电子溢流。然后，再配合P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层的设置，可实现势垒层到P型半导体层的平滑过渡，无突变的势垒高度，有利于提升晶体质量，削弱强极化电场带来的能带弯曲，从而达到提亮发光功率的目的。
进一步地，在所述P型复合层中，沿所述第一方向的最后一个AlGaN层的厚度小于其余任意一AlGaN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlGaN层有利于空穴通过隧穿作用集聚于前面的AlGaN层，从而达到减小价带势垒高度、增强空穴注入的目的。
再者，在所述最后一个量子垒层中，所述GaN层的厚度不小于所述AlGaN层的厚度，所述AlN层的厚度不大于所述AlGaN层的厚度，通过较薄的AlGaN-AlN层有利于空穴的隧穿，从而达到增加空穴注入的目的。
最后，所述P型复合层包括依次堆叠且Al组分逐渐减少的P型AlxGa1-xN层、P型AlyGa1-yN层及P型AlzGa1-zN层；其中，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层与所述P型复合层晶格失配所引起的极化电场；所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入；所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。
本发明还提供了一种LED外延结构的制备方法，在实现上述技术效果的同时，其操作简单，易于实现。
本发明还提供了一种LED芯片，利用前述的LED外延结构所形成，结构简单且很好地提高了LED芯片的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的LED外延结构的结构示意图；
图2为本发明实施例所提供的LED外延结构中沿生长方向P型复合层的铝组分变化示意图；
图中符号说明：1、衬底，2、缓冲层，3、uGaN层，4、N型半导体层，5、MQW层，51、量子垒，52、量子阱，6、最后一个量子垒层，61、GaN层，62、AlGaN层，63、AlN层，7、P型复合层，8、P型半导体层。
具体实施方式
为使本发明的内容更加清晰，下面结合附图对本发明的内容作进一步说明。本发明不局限于该具体实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，一种LED外延结构，包括：
衬底1，及依次层叠于所述衬底1表面的N型半导体层4、MQW层5、最后一个量子垒层6、P型复合层7以及P型半导体层8；
其中，所述MQW层5包括沿第一方向交替层叠的量子垒51和量子阱52，所述量子垒51包括GaN层，所述量子阱52包括InGaN层；所述第一方向垂直于所述衬底1，且由所述衬底1指向所述N型半导体层4；
最后一个量子垒层6包括GaN-AlGaN-AlN复合层状结构；
所述P型复合层7包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。
值得一提的是，衬底1的类型在本实施例中不受限制，例如，衬底1包括蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝中的任意一种。另外，N型半导体层4、P型半导体层8的类型也可以不受限制，例如，N型半导体层4可以是但不限于氮化镓层，相应地，P型半导体层8可以是但不限于氮化镓层。
进一步的，基于本发明上述实施例，在衬底1与N型半导体层4之间还设有缓冲层2和uGaN层3。
进一步的，基于本发明上述实施例，在所述P型复合层7中，沿所述第一方向的最后一个AlGaN层的厚度小于其余任意一AlGaN层的厚度。
进一步的，基于本发明上述实施例，在所述最后一个量子垒层6中，所述GaN层的厚度不小于所述AlGaN层的厚度。
进一步的，基于本发明上述实施例，在所述最后一个量子垒层6中，所述AlN层的厚度不大于所述AlGaN层的厚度。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述P型复合层7包括依次堆叠且Al组分逐渐减少的P型AlxGa1-xN层、P型AlyGa1-yN层及P型AlzGa1-zN层；
其中，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层6与所述P型复合层7晶格失配所引起的极化电场；
所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入；
所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。
进一步的，基于本发明上述实施例，在所述P型AlxGa1-xN层中，x逐渐减小，且0<x≤1。
进一步的，基于本发明上述实施例，在所述P型AlyGa1-yN层中，y恒定。
进一步的，基于本发明上述实施例，在所述P型AlzGa1-zN层中，z逐渐减小，且0<z＜1。
进一步的，基于本发明上述实施例，在所述P型AlzGa1-zN层中，z的起始点值大于所述y，且0＜z-y≤0.1。
进一步的，基于本发明上述实施例，所述N型半导体层4包括N-GaN层，所述P型半导体层8包括P-GaN层。
本发明实施例还提供了一种LED外延结构的制备方法，包括：
S01、提供一衬底1；
在该步骤中，衬底1包括但不限于蓝宝石衬底1。
S02、在衬底1上依次形成缓冲层2、uGaN层3及N型半导体层4
在该步骤中，将衬底1放入MOCVD反应室中，在1100℃左右的温度环境下，通入高纯氢气氢化5分钟左右，然后降温至960℃左右，通入Al源和N源生长10nm左右厚度的未掺杂的AlN缓冲层2。
继续升温至1050℃-1100℃，关闭Al源，通入TMGa源，生长2.0μm-2.5μm的未掺杂的GaN层，其目的是通过生长高质量的uGaN层3，减小蓝宝石衬底11与后续生长膜层材料之间的晶格失配。
接着再通入Al源，环境温度为980℃-1020℃，生长AlGaN层，生长厚度为10nm-20nm左右；关闭Al源，通入硅烷，生长5nm-10nm左右，掺杂Si元素的GaN层，掺杂浓度为5×1018cm-3-10×1018cm-3；这两层交替生长，形成10-20个周期，最终获得N型半导体层4。
S03、在N型半导体层4的表面形成MQW层5；
其中，MQW层5包括沿生长方向交替层叠的量子垒51和量子阱52，且所述量子垒51包括GaN层，所述量子阱52包括InGaN层；
在该步骤中，关闭掺杂源，持续通入TMGa源和N源，生长10-15nm厚的GaN量子垒51；
接着再通入In源生长2-4nm厚的InGaN量子阱52；
重复以上周期，生长5-10周期，构成MQW层5。
S04、在MQW层5的表面形成最后一个量子垒层6；最后一个量子垒层6包括GaN-AlGaN-AlN(61、62、63)复合层状结构；且，所述GaN层61的厚度不小于所述AlGaN层62的厚度；所述AlN层63的厚度不大于所述AlGaN层的厚度。
在该步骤中，关闭In源，先生长一层GaN层；
然后通入Al源，生长AlGaN；
最后关掉Ga源，生长一层薄的AlN层，得以形成最后一个量子垒层6；
且，最后一个量子垒层6的厚度为10-15nm，其中，GaN层的厚度为5-10nm，AlN层的厚度不大于AlGaN层的厚度。
S05、在最后一个量子垒层6的表面形成P型复合层7，所述P型复合层7包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层；且沿所述生长方向的最后一个AlGaN层的厚度小于其余任意一AlGaN层的厚度；
如图2所示，在该步骤中，通入TMGa源和P型掺杂源，先生长一AlxGa1-xN层，厚度为L1，Al组分为x，x渐变减小，且0<X≤1；
接着生长AlyGa1-yN层，厚度为L2，Al组分为y，y恒定；
然后生长AlzGa1-ZN层，厚度为L3，Al组分为z，z渐变减小,z的起始点值大于所述y，且0＜z-y≤0.1；
其中，L1+L2+L3的厚度为20-40nm，L1＝20-30nm，L3＜L2；
通过该步骤，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层6与所述P型复合层7晶格失配所引起的极化电场；
所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入；
所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。
S06、在P型复合层7的表面形成P型半导体层8；
在该步骤中，将温度调整至900-1000℃，通入TMGa源、氮源、二茂镁生长P型GaN层，厚度为100-150nm，掺杂浓度为5*1018cm-3至10*1018cm-3；最终得以形成P型半导体层88。
本发明实施例还提供了一种LED芯片，包括；
前述的LED外延结构；
N型电极，所述N型电极与所述N型半导体层4形成欧姆接触；
P型电极，所述P型电极与所述P型半导体层8形成欧姆接触。
需要说明的是，本实施例不限定LED芯片的具体结构，其可以是倒装LED芯片、正装LED芯片，亦可以是水平结构LED芯片或垂直结构LED芯片，视具体情况而定。
经由上述的技术方案可知，本发明提供的LED外延结构，在MQW层5和P型半导体层8之间依次设有最后一个量子垒层6、P型复合层7；其中，最后一个量子垒层6包括GaN-AlGaN-AlN复合层状结构；所述P型复合层7包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。通过GaN-AlGaN-AlN复合结构的整体设计，较大程度解决了晶格失配的问题，从而避免强极化场带来的辐射发光功率的降低；同时，AlGaN-AlN的堆叠，可提高导带势垒高度，从而减少电子溢流。然后，再配合P型复合层7包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层的设置，可实现势垒层到P型半导体层8的平滑过渡，无突变的势垒高度，有利于提升晶体质量，削弱强极化电场带来的能带弯曲，从而达到提亮发光功率的目的。
进一步地，在所述P型复合层7中，沿所述第一方向的最后一个AlGaN层的厚度小于其余任意一AlGaN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlGaN层有利于空穴通过隧穿作用集聚于前面的AlGaN层，从而达到减小价带势垒高度、增强空穴注入的目的。
再者，在所述最后一个量子垒层6中，所述GaN层的厚度不小于所述AlGaN层的厚度，所述AlN层的厚度不大于所述AlGaN层的厚度，通过较薄的AlGaN-AlN层有利于空穴的隧穿，从而达到增加空穴注入的目的。
最后，所述P型复合层7包括依次堆叠且Al组分逐渐减少的P型AlxGa1-xN层、P型AlyGa1-yN层及P型AlzGa1-zN层；其中，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层6与所述P型复合层7晶格失配所引起的极化电场；所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入；所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。
本发明还提供了一种LED外延结构的制备方法，在实现上述技术效果的同时，其操作简单，易于实现。
本发明还提供了一种LED芯片，利用前述的LED外延结构所形成，结构简单且很好地提高了LED芯片的发光效率。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (14)
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：
衬底，及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、MQW层、最后一个量子垒层、P型复合层以及P型半导体层；
其中，所述MQW层包括沿第一方向交替层叠的量子垒和量子阱，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层；
最后一个量子垒层包括GaN-AlGaN-AlN复合层状结构；
所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，在所述P型复合层中，沿所述第一方向的最后一个AlGaN层的厚度小于其余任意一AlGaN层的厚度。
3.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，在所述最后一个量子垒层中，所述GaN层的厚度不小于所述AlGaN层的厚度。
4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，在所述最后一个量子垒层中，所述AlN层的厚度不大于所述AlGaN层的厚度。
5.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述P型复合层包括依次堆叠且Al组分逐渐减少的P型AlxGa1-xN层、P型AlyGa1-yN层及P型AlzGa1-zN层；
其中，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层与所述P型复合层晶格失配所引起的极化电场；
所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入；
所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。
6.根据权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，在所述P型AlxGa1-xN层中，x逐渐减小，且0<x≤1。
7.根据权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，在所述P型AlyGa1-yN层中，y恒定。
8.根据权利要求7所述的LED外延结构，其特征在于，在所述P型AlzGa1-zN层中，z逐渐减小，且0<z＜1。
9.根据权利要求8所述的LED外延结构，其特征在于，在所述P型AlzGa1-zN层中，z的起始点值大于所述y，且0＜z-y≤0.1。
10.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面依次生长N型半导体层、MQW层、最后一个量子垒层、P型复合层以及P型半导体层；
其中，所述MQW层包括沿第一方向交替层叠的量子垒和量子阱，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层；
最后一个量子垒层包括GaN-AlGaN-AlN复合层状结构；
所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。
11.根据权利要求10所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，在所述P型复合层中，沿所述第一方向的最后一个AlGaN层的厚度小于其余任意一AlGaN层的厚度。
12.根据权利要求10所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，在所述最后一个量子垒层中，所述GaN层的厚度不小于所述AlGaN层的厚度；所述AlN层的厚度不大于所述AlGaN层的厚度。
13.根据权利要求10所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述P型复合层包括依次堆叠且Al组分逐渐减少的P型AlxGa1-xN层、P型AlyGa1-yN层及P型AlzGa1-zN层；
其中，所述P型AlxGa1-xN层用于与所述AlN层实现衔接，以减少因所述最后一个量子垒层与所述P型复合层晶格失配所引起的极化电场；
所述P型AlyGa1-yN层通过减小价带势垒高度，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的注入；
所述P型AlzGa1-zN层的厚度小于所述P型AlyGa1-yN层的厚度，通过厚度较薄的所述P型AlyGa1-yN层提高导带势垒，以增加空穴在所述P型AlyGa1-yN层的集聚并减小电子泄露。
14.一种LED芯片，其特征在于，包括；
权利要求1-9任一项所述的LED外延结构；
N型电极，所述N型电极与所述N型半导体层形成欧姆接触；
P型电极，所述P型电极与所述P型半导体层形成欧姆接触。
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| CN202210269980.XA CN114566577A (zh) | 2022-03-18 | 2022-03-18 | 一种led外延结构及其制备方法、led芯片 |
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