CN114551303A - 一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备 - Google Patents

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Abstract

本发明属于晶圆加工领域，公开了一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备。本发明在利用清洗组件对晶圆的上表面进行清洗的同时和/或之后，利用去水组件对晶圆下表面的指定区域进行去水处理，实现将晶圆搬运至太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对晶圆的下表面进行去水处理，使晶圆的下表面保持干燥状态，实现在晶圆的下表面与UV解胶装置的UV框架接触后，通过微调机械手对晶圆进行对中调整时，实现晶圆下表面与UV框架的接触面之间无水，无需增大微调机械手的力度，避免过大的外力作用于晶圆而对晶圆造成损伤。

Description

一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备
技术领域
本发明涉及太鼓环切设备领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备。
背景技术
采用太鼓环切设备对晶圆进行切割的流程如下：将晶圆搬运至环切工作台上进行环切，再对晶圆进行清洗干燥，之后将晶圆搬运至UV照射台进行UV照射，并配合微调机械手对晶圆进行精准对位，以准确解胶环切外环；再之后将晶圆搬运至取环工作台，配合取环机械手去除解胶后的外环。
在太鼓环切设备对晶圆进行清洗时，主要是对晶圆的上表面进行吹洗，并通过吹气的方式去除晶圆上表面粘附的水渍。但在对晶圆进行环切以及对晶圆的上表面进行清洗的过程中，不可避免地会有少量的水渍粘附在晶圆的背面。
在将晶圆搬运至UV照射台之后，由于水滴的吸附性，晶圆背面的水滴将会把晶圆和UV照射台上的UV框架吸附在一起，将会造成通过微调机械手对处于UV照射台上的晶圆进行对中时，不便于通过微调机械手将晶圆调整至对中位置；此外，若需将晶圆调整至对中位置，则需要增大微调机械手的力度，微调机械手的力度过大极易导致晶圆破碎。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备，能够避免晶圆和UV框架吸附在一起，以对晶圆进行保护。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种晶圆清洗装置，用于太鼓环切设备；包括：
清洗工作台，所述清洗工作台用于放置晶圆且能够对所述晶圆进行固定；
清洗组件，用于对置于所述清洗工作台上的所述晶圆的上表面进行清洗；
去水组件，用于在所述清洗组件工作的同时和/或之后对所述晶圆下表面的指定区域进行去水处理；所述指定区域至少包括所述晶圆的下表面上能够与所述太鼓环切设备的UV解胶装置的UV框架接触的区域。
作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述指定区域还包括所述晶圆下表面的边缘区域；所述去水组件包括：
第一背面吹气单元，所述第一背面吹气单元位于所述清洗工作台的下方，用于向所述指定区域吹气。
作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述清洗工作台能够绕其竖直轴线转动，以使所述第一背面吹气单元能够吹扫到整个所述指定区域。
作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述指定区域还包括所述晶圆下表面的边缘区域。
作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述晶圆清洗装置还包括：
搬运单元，用于将所述清洗工作台上的所述晶圆搬离所述清洗工作台，使所述晶圆的下表面全部外露；
所述去水组件还包括：
第二背面吹气单元，所述第二背面吹气单元用于在所述晶圆的下表面全部外露时对所述晶圆下表面吹气。
作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述搬运单元还用于控制所述晶圆水平移动，以使所述第二背面吹气单元能够吹扫到所述晶圆的整个下表面。
作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述去水组件还包括：
吸水单元，用于对所述晶圆的下表面进行吸水。
作为上述晶圆清洗装置的一种可选技术方案，所述清洗组件包括：
喷液单元，所述喷液单元用于向所述晶圆的上表面喷射清洗液，所述喷液单元能够摆动，以使所述喷液单元能够喷射到所述晶圆的整个上表面；
正面吹气单元，所述正面吹气单元用于对所述晶圆的上表面进行吹气，所述正面吹气单元能够摆动，以使所述正面吹气单元能够吹扫到所述晶圆的整个上表面。
本发明还提供了一种太鼓环切设备，包括UV解胶装置及上述任一方案所述的晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置位于所述UV解胶装置的上游。
本发明还提供了一种晶圆清洗方法，采用上述任一方案所述的晶圆清洗装置，所述晶圆清洗方法包括以下步骤：
在将晶圆搬运至所述太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对所述晶圆的上表面进行清洗；
并在对所述晶圆的上表面进行清洗的同时和/或之后，对所述晶圆下表面的指定区域进行去水处理。
作为上述晶圆清洗方法的一种可选技术方案，在对所述晶圆的上表面进行清洗之后，对所述晶圆下表面的指定区域进行去水处理，包括：
在结束对所述晶圆上表面的清洗之后，对处于清洗工作台上的所述晶圆下表面的指定区域进行吹气；
将所述清洗工作台上的晶圆搬离所述清洗工作台，使所述晶圆的下表面全部外露；之后对所述晶圆的下表面进行吹气。
本发明的有益效果：本发明提供的晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备，在利用清洗组件对晶圆的上表面进行清洗的同时和/或之后，利用去水组件对晶圆下表面的指定区域进行去水处理，实现将晶圆搬运至太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对晶圆的下表面进行去水处理，使晶圆的下表面保持干燥状态，实现在晶圆的下表面与UV解胶装置的UV框架接触后，通过微调机械手对晶圆进行对中调整时，实现晶圆下表面与UV框架的接触面之间无水，无需增大微调机械手的力度，避免过大的外力作用于晶圆而对晶圆造成损伤。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的将晶圆搬运至清洗工作台之前晶圆清洗装置的状态图；
图2是本发明实施例提供的晶圆放置于清洗工作台上且对晶圆进行清洗之前的晶圆清洗装置的状态图；
图3是本发明实施例提供的晶圆清洗装置对晶圆进行清洗过程中的状态图；
图4是本发明实施例提供的将晶圆搬离清洗工作台后的晶圆清洗装置的一状态图；
图5是本发明实施例提供的晶圆清洗方法的详细流程图。
图中：
11、清洗工作台；12、清洗桶；13、旋转驱动件；
21、清洗摆臂；22、喷液单元；23、正面吹气单元；
31、第一背面吹气单元；32、第二背面吹气单元；33、吸水单元；34、升降驱动件；35、安装支架；
41、水平搬运驱动；42、竖直搬运驱动；43、安装盘；44、吸嘴；
5、晶圆。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。
如图1至图4所示，本实施例提供了一种晶圆清洗装置及太鼓环切设备，其中，太鼓环切设备包括环切装置、晶圆清洗装置和UV解胶装置，其中，环切装置用于对晶圆5进行环切，晶圆清洗装置用于对环切后的晶圆5进行清洗干燥，晶圆清洗装置位于UV解胶装置的上游，UV解胶装置用于对清洗干燥后的晶圆5进行UV照射。
上述晶圆清洗装置包括搬运单元、清洗工作台11和清洗组件，其中，搬运单元用于将晶圆5搬运至清洗工作台11上，清洗工作台11用于放置晶圆5且能够对晶圆5进行固定；清洗组件用于对置于清洗工作台11上的晶圆5的上表面进行清洗。
具体地，搬运单元包括搬运驱动件和吸嘴44，其中，吸嘴44用于吸附晶圆5，搬运驱动件用于驱动吸嘴44移动，可以通过搬运驱动件驱动吸附有晶圆5的吸嘴44移动，将晶圆5搬运至清洗工作台11。本实施例中，搬运驱动件包括水平搬运驱动41和竖直搬运驱动42，其中，水平搬运驱动41可以选用电机丝杠结构，用于驱动吸嘴44水平移动，竖直搬运驱动42可以选用气缸，用于驱动吸嘴44升降。为了保证吸嘴44吸附晶圆5的稳定性，吸嘴44设有多个，多个吸嘴44周向间隔分布。本实施例中，多个吸嘴44安装在同一安装盘43上，通过搬运驱动件驱动安装盘43水平移动和升降，安装盘43上设有负压通道，负压通道连接有真空泵等负压吸附单元，控制负压吸附单元工作，使负压通道和吸嘴44内产生负压，从而使吸嘴44吸附晶圆5，便于搬运单元搬运晶圆5。需要说明的是，还可以采用其他能够实现晶圆5搬运的结构，在此不再详细说明。
为了对放置于清洗工作台11上的晶圆5进行固定，清洗工作台11上设有多个真空通道，真空通道的一端贯穿清洗工作台11的上表面，真空通道的另一端连接有真空泵等负压吸附单元。在将晶圆5放置于清洗工作台11的上表面之后，控制负压吸附单元工作，对晶圆5的下表面和清洗工作台11的上表面之间的缝隙进行吸真空，以对晶圆5进行固定，避免通过清洗组件对晶圆5进行清洗的过程中晶圆5不稳定。
上述清洗组件包括喷液单元22和正面吹气单元23，其中，喷液单元22用于对晶圆5的上表面喷射清洗液，正面吹气单元23用于对晶圆5的上表面进行吹气。通过对晶圆5的上表面喷射清洗液，来清除晶圆5上表面的附着物；清洗液可以为水、去离子水等，优选地，清洗液为去离子水。在通过喷射去离子水去除晶圆5上表面的附着物后，晶圆5的上表面附着有去离子水，本实施例通过向晶圆5的上表面吹气的方式对晶圆5进行干燥处理。
示例性地，喷液单元22包括喷液通道、喷液泵和清洗液存放容器，其中，喷液泵的进口与清洗液存放容器连通，喷液泵的出口连接于喷液通道的一端，喷液通道的另一端形成喷液嘴。控制喷液泵工作时，喷液泵将把清洗液存放容器中的清洗液通过喷液通道喷射至晶圆5的上表面。
为了保证清洗效果，清洗工作台11连接有旋转驱动件13如电机等。通过旋转驱动件13驱动清洗工作台11绕其竖直轴线转动；上述喷液单元22能够摆动，以使喷液单元22能够喷射到晶圆5的整个上表面；正面吹气单元23能够摆动，以使正面吹气单元23能够吹扫到晶圆5的整个上表面。
本实施例中，上述清洗组件还包括位于清洗工作台11上方的清洗摆臂21，喷液单元22和正面吹气单元23均连接于清洗摆臂21，清洗摆臂21连接有摆动驱动件如电机等，通过摆动驱动件驱动清洗摆臂21摆动，以使清洗摆臂21沿着晶圆5的直径方向于晶圆5的一侧边缘和晶圆5的另一侧边缘之间反复移动，使晶圆5的整个上表面都能够被正面吹气单元23吹扫到，且能够被喷液单元22喷射到。
上述正面吹气单元23所喷射的气体可以为空气、气态二氧化氮、气态氮气等。本实施例中，正面吹气单元23所喷射的气体为空气，正面吹气单元23包括正面吹气通道和正面吹气泵，正面吹气泵用于将外界空气通过正面吹气通道喷射至晶圆5的上表面。
进一步地，上述晶圆清洗装置包括清洗桶12，清洗工作台11设于清洗桶12内，清洗工作台11的外周壁和清洗桶12的内周壁之间间隔设置，旋转驱动件13设于清洗桶12外，旋转驱动件13的输出轴贯穿清洗桶12并伸入清洗桶12内与清洗工作台11固定连接。摆动驱动件的固定端固定于清洗桶12，清洗摆臂21位于清洗桶12内，清洗桶12的开口端面高于清洗工作台11的上表面，清洗桶12的开口端面和清洗工作台11的上表面之间的间隔大于晶圆5的厚度。通过清洗桶12收集喷液单元22清洗晶圆5时的清洗液，避免清洗液四处飞溅。
为了避免搬运单元将晶圆5放置于清洗工作台11的上表面时，清洗摆臂21对搬运单元造成干涉，清洗摆臂21能够摆动至清洗工作台11的外周壁和清洗桶12的内周壁之间的间隔内。在将晶圆5搬运至清洗工作台11的上表面以及将清洗工作台11上晶圆5搬运至其他位置时，将控制摆动驱动件驱动清洗摆臂21摆动至清洗工作台11的一侧。
进一步地，在将晶圆5放置到UV解胶装置的UV照射工作台上之后，会通过微调机械手对晶圆5进行对中调整，以将晶圆5调整至对中位置。一旦晶圆5下表面接触UV解胶装置的UV支架的部分存在水滴，将会增大微调机械手的调整力度，微调机械手的力度过大极易导致晶圆5破碎。而在对晶圆5进行环切以及对晶圆5的上表面进行清洗的过程中，不可避免地会有少量的水渍粘附在晶圆5的背面。
为此，本实施例提供的晶圆清洗装置还包括去水组件，用于在清洗组件工作的同时和之后对晶圆5下表面的指定区域进行去水处理；指定区域至少包括晶圆5下表面能够与太鼓环切设备的UV解胶装置的UV框架接触的区域。需要说明的是，采用环切装置对晶圆5进行环切后，晶圆5的边缘存在切割道，切割道内残留有磨切产生的泥及水渍，因此晶圆5的边缘区域为重点清洗区域，上述指定区域还包括晶圆5背面的边缘区域，晶圆5背面的边缘区域和晶圆5下表面能够与UV框架接触的区域会有重合区域。
值得说明的是，本实施例所谓的晶圆5包括晶圆框架、晶圆本体和UV膜，晶圆框架固定于晶圆本体的上表面，UV膜完全覆盖式地贴合在晶圆的下表面。本实施例中，搬运单元所吸附的是晶圆框架，对晶圆5进行清洗是指对晶圆框架、外露的晶圆本体上表面进行吹水和吹气；对晶圆5的下表面进行吹气指的是对UV膜的下表面进行吹气。
本实施例中，清洗工作台11为圆盘，晶圆5为圆片，晶圆5的直径大于清洗工作台11的直径，在通过搬运单元将晶圆5放置于清洗工作台11上时，控制搬运单元驱动晶圆5水平移动至清洗工作台11的上方，以使清洗工作台11中心轴线和晶圆5的中心轴线重合，再控制搬运单元驱动晶圆5下降以将晶圆5放置在清洗工作台11上，使晶圆5上的指定区域伸出清洗工作台11。
具体地，去水组件包括位于清洗工作台11下方的第一背面吹气单元31，用于向指定区域吹气，以去除指定区域附着的水渍。本实施例中，第一背面吹气单元31设于清洗桶12内且位于清洗工作台11的下方，第一背面吹气单元31的结构与正面吹气单元23的结构相同，第一背面吹气单元31包括第一背面吹气通道，为了简化结构，可以为正面吹气泵配设换向阀，以使正面吹气泵选择性地通过第一背面吹气通道向指定区域吹气或通过正面吹气通道向晶圆5的上表面吹气。
进一步地，在通过第一背面吹气单元31对晶圆5的下表面进行吹气处理后，晶圆5的下表面可能仍会有少量的水渍，为此，上述去水单元还包括第二背面吹气单元32，搬运单元还用于将清洗工作台11上的晶圆5搬离清洗工作台11，使晶圆5下表面全部外露；第二背面吹气单元32在晶圆5的下表面全部外露时对晶圆5下表面吹气，以对晶圆5下表面进行进一步的去水处理。需要说明的是，第二背面吹气单元32和第一背面吹气单元31的结构相同，在此不再详细赘叙。
本实施例通过搬运单元将清洗工作台11上的晶圆5搬运至目标高度，之后控制搬运单元驱动晶圆5水平移动，并控制第二背面吹气单元32对晶圆5的下表面进行吹气，以使晶圆5的整个下表面都能够被吹扫到。于其他实施例中，还可以对搬运单元的结构进行改进，实现控制搬运单元驱动晶圆5转动或水平移动，并控制第二背面吹气单元32对晶圆5的下表面进行吹气，以使晶圆5的整个下表面都能够被吹扫到。
进一步地，上述晶圆清洗装置还包括吸水单元33，用于对晶圆5的下表面进行吸水。上述吸水单元33可以采用柔性物体，如海绵、棉布等，用于去除晶圆5下表面附着的大水滴。
为了简化结构并提高去水效果，吸水单元33和第二背面吹气单元32安装在同一安装支架35上，利用吸水单元33对晶圆5的下表面进行吸水，以去除晶圆5下表面附着的大水滴，并利用第二背面吹气单元32对晶圆5的下表面进行吹气，以吹掉晶圆5下表面的水渍，并对晶圆5的下表面进行吹干。
由于吸水单元33采用直接接触的方式对晶圆5的下表面进行吸水处理时，可能会导致晶圆5脏污。为此，在采用吸水单元33对晶圆5的下表面进行吸水时，吸水单元33和晶圆5的下表面之间设置间隔，通过吸水单元33吸附附着在晶圆5下表面的大水滴。至于具体的间隔大小，可以根据所选吸水单元33的性能，通过多次重复试验确定，以实现确保吸水单元33始终与晶圆5的下表面不接触的前提下，对晶圆5的下表面进行吸水。
进一步地，在吸水单元33工作一定时间后，吸水单元33的吸水量增大，吸水单元33的吸水能力降低。为此，上述安装支架35连接有升降驱动件34如气缸等，在安装盘43上的吸嘴44所吸附的晶圆5被释放后，通过升降驱动件34驱动安装支架35带动吸水单元33升降；利用安装盘43挤压吸水单元33，以对吸水单元33进行挤干，保证吸水单元33始终处于可吸水状态；同时增设升降驱动件34可以避免增加搬运单元自身运动的复杂性。于其他实施例中，还可以取消升降驱动件34，使吸水单元33固定不动，通过搬运单元控制安装盘43升降，以利用安装盘43挤压吸水单元33，以对吸水单元33进行挤干，使吸水单元33始终处于可吸水状态。
本实施例中，升降驱动件34的固定端安装于清洗桶12外壁，为了提高安装支架35升降时的稳定性，安装支架35和清洗桶12的外壁通过沿竖直方向延伸的滑轨结构滑动连接。
为了避免安装盘43挤压吸水单元33时，吸嘴44和吸水单元33、第二背面吹气单元32接触，吸嘴44和吸水单元33、第二背面吹气单元32错位分布。为了避免对吸水单元33进行挤干时第二背面吹气单元32影响安装盘43对吸水单元33进行挤干，要求第二背面吹气单元32不高于吸水单元33的上表面。上述安装支架35上设有排水通道，用于排出吸水单元33吸附的水以及对吸水单元33进行挤干时挤出的水。需要说明的是，由于吸水单元33和晶圆5的下表面之间的间距不宜把控，为了提高第二背面吹气单元32的吹气效果，可以取消吸水单元33，并使第二背面吹气单元32尽可能地靠近晶圆5的下表面，此时第二背面吹气单元32吹气的力道更大，更容易去掉晶圆5下表面残存的水渍。
本实施例还提供了一种晶圆清洗方法，采用上述的晶圆清洗装置，该晶圆清洗方法包括以下步骤：
在将晶圆5搬运至太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对晶圆5的上表面进行清洗；
并在对晶圆5的上表面进行清洗的同时和之后，对晶圆5下表面的指定区域进行去水处理。
本实施例中，对晶圆5的上表面进行清洗包括喷液过程、吹气过程和甩干过程。对晶圆5下表面的指定区域进行去水处理包括在对晶圆5的上表面进行清洗的同时对晶圆5下表面的指定区域进行吹气的过程，及完成对晶圆5的上表面进行清洗的过程后对晶圆5的下表面进行吹气的过程。
图5是本发明实施例提供的晶圆清洗方法的详细流程图，下面结合图1至图5，对本实施例提供的晶圆清洗方法进行详细介绍。
S1、对晶圆5进行环切后，将晶圆5搬运至清洗工作台11，并将晶圆5固定在清洗工作台11的上表面。
如图1所示，在将晶圆5搬运至清洗工作台11之前，控制清洗摆臂21摆动至清洗工作台11的外壁和清洗桶12的内壁之间，以避免清洗摆臂21对晶圆5的搬运造成干涉。
在将晶圆5放置在清洗工作台11上之后，利用通过负压吸附将晶圆5固定在清洗工作台11上，之后控制吸盘44松开晶圆，控制安装盘43上升；之后控制清洗摆臂21摆动，以便于安装在清洗摆臂21上的喷液单元22和正面吹气单元23工作，实现将晶圆清洗装置切换至图2所示的状态。
S2、喷液过程：控制清洗工作台11转动，控制喷液单元22向晶圆5的上表面喷射清洗液，同时控制清洗摆臂21往复摆动，以使喷液单元22能够喷射到晶圆5的整个上表面；同时控制第一背面吹气单元31向晶圆5的指定区域吹气。
在采用喷液单元22向晶圆5的上表面喷射清洗液的同时，控制第一背面吹气单元31向晶圆5的指定区域吹气，以去除晶圆5下表面指定区域附着的水雾及水滴等水渍，以尽可能地减少附着在晶圆5下表面指定区域的水渍等。需要说明的是，在完成晶圆5的环切和清洗后，晶圆5背面的边缘区域的水渍相对较多，因此在采用第一背面吹气单元31向晶圆5的指定区域吹气时，重点对晶圆5背面的边缘区域进行吹气。
为了保证清洗效果，执行上述步骤S2的过程中，喷液单元22扫过边缘区域时摆动驱动件的转速和旋转驱动件13的转速分别为N21和M21，喷液单元22扫过非边缘区域时摆动驱动件的转速和旋转驱动件13的转速分别为N22和M22，N21小于N22，M21大于M22，以实现对边缘区域进行重点清洗。
为了减少附着在晶圆5下表面的水渍，第一背面吹气单元31的吹气方向与竖直向上的方向之间的夹角为锐角，第一背面吹气单元31向逆向清洗工作台11转动方向的一侧吹气。可选地，第一背面吹气单元31的吹气方向与竖直向上的方向之间的夹角为45°。
S3、吹气过程：控制清洗工作台11转动，控制正面吹气单元23向晶圆5的上表面吹气；同时控制清洗摆臂21往复摆动，以使正面吹气单元23能够扫过晶圆5的整个上表面；同时控制第一背面吹气单元31向晶圆5的指定区域吹气。
为了减少附着在晶圆5上表面的水渍，正面吹气单元23的吹气方向与竖直向下的方向之间的夹角为锐角，正面吹气单元23向顺向清洗工作台11转动方向的一侧吹气。可选地，正面吹气单元23的吹气方向与竖直向下的方向之间的夹角小于45°。
步骤S3主要用于将晶圆5表面的水渍吹干，为了达到吹干晶圆5表面水渍的目的，在步骤S3中旋转驱动件13的转速大于步骤S2中旋转驱动件13的转速。为了保证吹干效果，执行上述步骤S3的过程中，喷液单元22扫过边缘区域时摆动驱动件的转速和旋转驱动件13的转速分别为N31和M31，喷液单元22扫过非边缘区域时摆动驱动件的转速和旋转驱动件13的转速分别为N32和M32，N22＜N31＜N32，M31大于M32，以实现对边缘区域进行重点吹干。
步骤S3中第一背面吹气单元31的吹气方向与步骤S2中第一背面吹气单元31的吹气方向相同。
在采用正面吹气单元23对晶圆5的上表面进行吹干的同时，控制第一背面吹气单元31向晶圆5的指定区域吹气，以去除晶圆5下表面指定区域附着的水雾及水滴等水渍，以进一步地减少附着在晶圆5下表面指定区域的水雾和水滴等。
S4、甩干过程：控制清洗工作台11转动，同时控制第一背面吹气单元31向晶圆5的指定区域吹气。
步骤S4中旋转驱动件13的转速大于步骤S3中旋转驱动件13的转速，以使清洗工作台11高速旋转，以利用离心力将晶圆5表面的水渍甩出去；同时向晶圆5的指定区域吹气，以进一步去除晶圆5下表面指定区域的水渍；在步骤S4中，清洗摆臂21不摆动。
步骤S4中第一背面吹气单元31的吹气方向与步骤S2和步骤S3中第一背面吹气单元31的吹气方向相同。
S5、在完成甩干过程时，控制旋转驱动件13停止工作后，控制第一背面吹气单元31停止工作。
S6、将清洗工作台11上的晶圆5搬离清洗工作台11使晶圆5的整个下表面全部外露；在晶圆5的下表面全部外露时控制第二背面吹气单元32对处于目标高度的晶圆5下表面进行吹气，并利用吸水单元33对处于目标高度的晶圆5下表面进行吸水，同时控制晶圆5水平移动，以使第二背面吹气单元32能够吹到晶圆5的整个下表面。
在执行步骤S6之前，控制清洗摆臂21摆动至清洗工作台11的外壁和清洗桶12的内壁之间，以避免清洗摆臂21对晶圆5的搬运造成干涉，将晶圆清洗装置切换至图3所示的状态。之后再控制安装盘43下降，控制吸盘44吸附晶圆5，之后控制清洗工作台11松开晶圆5，控制安装盘43上升，之后再控制安装盘43平移，以将晶圆清洗装置切换至图4所示的状态。
利用吸水单元33去除晶圆5下表面较大的水滴，同时第二背面吹气单元32吹落晶圆5下表面的水渍并对晶圆5的下表面进行吹干。通过控制晶圆5水平移动，以使晶圆5的整个下表面都能够被第二背面吹气单元32吹到，以提高晶圆5的去水效果。
在步骤S6结束后，将晶圆5搬运至UV解胶装置，在经过上述步骤对晶圆5的下表面进行去水处理后，晶圆5的下表面基本处于干燥状态，在晶圆5与UV解胶装置的UV框架接触后，通过微调机械手对晶圆5进行对中调整时，无需增大微调机械手的力度，避免过大的外力作用于晶圆5而对晶圆5造成损伤。
步骤S6中，第二背面吹气单元32的吹气方向与竖直向上的方向之间的夹角为锐角，第二背面吹气单元32的吹气方向与晶圆5水平移动方向之间的夹角为锐角。可选地，第二背面吹气单元32的吹气方向与竖直向上的方向之间的夹角为30°-60°，第二背面吹气单元32的吹气方向与晶圆5水平移动方向之间的夹角为30°-60°。优选地，第二背面吹气单元32的吹气方向与竖直向上的方向之间的夹角为45°，第二背面吹气单元32的吹气方向与晶圆5水平移动方向之间的夹角为45°。
本实施例在利用清洗组件对晶圆5的上表面进行清洗的同时和/或之后，利用去水组件对晶圆5下表面的指定区域进行去水处理，实现将晶圆5搬运至太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对晶圆5的下表面进行去水处理，使晶圆5的下表面保持干燥状态，实现在晶圆5的下表面与UV解胶装置的UV框架接触后，通过微调机械手对晶圆5进行对中调整时，实现晶圆5下表面与UV框架的接触面之间无水，无需增大微调机械手的力度，避免过大的外力作用于晶圆5而对晶圆5造成损伤。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中，术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

Claims (10)

1.一种晶圆清洗装置，用于太鼓环切设备；其特征在于，包括：
清洗工作台(11)，所述清洗工作台(11)用于放置晶圆(5)且能够对所述晶圆(5)进行固定；
清洗组件，用于对置于所述清洗工作台(11)上的所述晶圆(5)的上表面进行清洗；
去水组件，用于在所述清洗组件工作的同时和/或之后对所述晶圆(5)下表面的指定区域进行去水处理；所述指定区域至少包括所述晶圆(5)的下表面上能够与所述太鼓环切设备的UV解胶装置的UV框架接触的区域。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述去水组件包括：
第一背面吹气单元(31)，所述第一背面吹气单元(31)位于所述清洗工作台(11)的下方，用于向所述指定区域吹气。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗工作台(11)能够绕其竖直轴线转动，以使所述第一背面吹气单元(31)能够吹扫到整个所述指定区域。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述指定区域还包括所述晶圆(5)下表面的边缘区域。
5.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括：
搬运单元，用于将所述清洗工作台(11)上的所述晶圆(5)搬离所述清洗工作台，使所述晶圆(5)的下表面全部外露；
所述去水组件还包括：
第二背面吹气单元(32)，所述第二背面吹气单元(32)用于在所述晶圆(5)的下表面全部外露时对所述晶圆(5)下表面吹气。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述搬运单元还用于控制所述晶圆(5)水平移动，以使所述第二背面吹气单元(32)能够吹扫到所述晶圆(5)的整个下表面。
7.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗组件包括：
喷液单元(22)，所述喷液单元(22)用于向所述晶圆(5)的上表面喷射清洗液，所述喷液单元(22)能够摆动，以使所述喷液单元(22)能够喷射到所述晶圆(5)的整个上表面；
正面吹气单元(23)，所述正面吹气单元(23)用于对所述晶圆(5)的上表面进行吹气，所述正面吹气单元(23)能够摆动，以使所述正面吹气单元(23)能够吹扫到所述晶圆(5)的整个上表面。
8.一种太鼓环切设备，其特征在于，包括UV解胶装置及如权利要求1至7任一项所述的晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置位于所述UV解胶装置的上游。
9.一种晶圆清洗方法，其特征在于，采用权利要求1至7任一项所述的晶圆清洗装置，所述晶圆清洗方法包括以下步骤：
在将晶圆(5)搬运至所述太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对所述晶圆(5)的上表面进行清洗；
并在对所述晶圆(5)的上表面进行清洗的同时和/或之后，对所述晶圆(5)下表面的指定区域进行去水处理。
10.根据权利要求9所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在对所述晶圆(5)的上表面进行清洗之后，对所述晶圆(5)下表面的指定区域进行去水处理，包括：
在结束对所述晶圆(5)上表面的清洗之后，对处于清洗工作台(11)上的所述晶圆(5)下表面的指定区域进行吹气；
将所述清洗工作台(11)上的晶圆(5)搬离所述清洗工作台(11)，使所述晶圆(5)的下表面全部外露；之后对所述晶圆(5)的下表面进行吹气。
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