CN114545564B - 一种光模块 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种光模块，包括：电路板、第一光纤阵列、第二光纤阵列、铌酸锂芯片和硅光芯片。电路板上设置有激光器，激光器发射的信号光经铌酸锂芯片进入第一光芯阵列铌酸锂芯片包含了调制单元，实现光发射功能，同时，通过硅光芯片铌酸锂芯片之间的光耦合连接，实现对调制光路的监测。本申请提供的光收发器件由硅光芯片和铌酸锂芯片共同组合，实现光信号的调制及对调制信号的监测，充分利用铌酸锂调制器高带宽，低驱动电压、低插入损耗以及硅光芯片器件高度集成化的优势。

Description

一种光模块

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种光模块。

背景技术

随着云计算、移动互联网、视频等新型业务和应用模式发展，光通信技术的发展进步变的愈加重要。而在光通信技术中，光模块是实现光电信号相互转换的工具，是光通信设备中的关键器件之一，并且随着光通信技术发展的需求光模块的传输速率不断提高。

目前，硅光芯片作为光模块中的光引擎技术方案，在光模块产品中得到了越来越多的关注。随着光容量的需求提升，单纯基于硅光芯片中在芯片方案中遇到瓶颈。近些年来，铌酸锂调制器凭借其小驱动电压、高调制带宽、低插入损耗等优点开始受到科研以及产业界人士的关注。但是，目前铌酸锂加工工艺与硅基CMOS工艺不兼容，限制了铌酸锂调制器在硅光芯片的集成应用。

发明内容

本申请提供了一种光模块，以解决铌酸锂调制器在硅光芯片的集成应用。

为了解决上述技术问题，本申请实施例公开了如下技术方案：

第一方面，本申请实施例公开了一种光模块，包括：

电路板，所述电路板上设置有激光器；

铌酸锂芯片，用于接收所述激光器发射的光，并将所述光进行调制成信号光；

第一光纤阵列，接收所述铌酸锂芯片的信号光；

第二光纤阵列；

硅光芯片，包括：光接收单元和光监测单元；

所述光接收单元用于接收所述第二光纤阵列的光信号，并将接收到的光信号转化为电信号；

所述光监测单元与所述铌酸锂芯片耦合连接，用于监测所述光发射信号。

与现有技术相比，本申请的有益效果为：

本申请公开了一种光模块，包括：电路板、第一光纤阵列、第二光纤阵列、铌酸锂芯片和硅光芯片。电路板上设置有激光器，激光器发射的信号光经铌酸锂芯片进入第一光芯阵列铌酸锂芯片包含了调制单元，实现光发射功能，同时，通过硅光芯片铌酸锂芯片之间的光耦合连接，实现对调制光路的监测。本申请提供的光收发器件由硅光芯片和铌酸锂芯片共同组合，实现光信号的调制及对调制信号的监测，充分利用铌酸锂调制器高带宽，低驱动电压、低插入损耗以及硅光芯片器件高度集成化的优势。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为光通信终端连接关系示意图；

图2为光网络终端结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种光模块的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种光模块的分解结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图一；

图6为本申请实施例提供的一种硅光芯片和铌酸锂芯片连接示意图一；

图7为本申请实施例提供的一种硅光芯片和铌酸锂芯片连接示意图二；

图8为本申请实施例提供的一种硅光芯片和铌酸锂芯片连接示意图三；

图9为本申请实施例提供的一种光收发器件光路示意图；

图10为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图二；

图11为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图三；

图12为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图四；

图13为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图五。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

光纤通信的核心环节之一是光、电信号的相互转换。光纤通信使用携带信息的光信号在光纤/光波导等信息传输设备中传输，利用光在光纤/光波导中的无源传输特性可以实现低成本、低损耗的信息传输；而计算机等信息处理设备使用的是电信号，为了在光纤/光波导等信息传输设备与计算机等信息处理设备之间建立信息连接，就需要实现电信号与光信号的相互转换。

光模块在光纤通信技术领域中实现上述光、电信号的相互转换功能，光信号与电信号的相互转换是光模块的核心功能。光模块通过其内部电路板上的金手指实现与外部上位机之间的电连接，主要的电连接包括供电、I2C信号、数据信号以及接地等；采用金手指实现的电连接方式已经成为光模块行业的主流连接方式，以此为基础，金手指上引脚的定义形成了多种行业协议/规范。

图1为光通信终端连接关系示意图。如图1所示，光通信终端的连接主要包括光网络终端100、光模块200、光纤101及网线103之间的相互连接；

光纤101的一端连接远端服务器，网线103的一端连接本地信息处理设备，本地信息处理设备与远端服务器的连接由光纤101与网线103的连接完成；而光纤101与网线103之间的连接由具有光模块200的光网络终端100完成。

光模块200的光口对外接入光纤101，与光纤101建立双向的光信号连接；光模块200的电口对外接入光网络终端100中，与光网络终端100建立双向的电信号连接；在光模块内部实现光信号与电信号的相互转换，从而实现在光纤与光网络终端之间建立信息连接；具体地，来自光纤的光信号由光模块转换为电信号后输入至光网络终端100中，来自光网络终端100的电信号由光模块转换为光信号输入至光纤中。

光网络终端具有光模块接口102，用于接入光模块200，与光模块200建立双向的电信号连接；光网络终端具有网线接口104，用于接入网线103，与网线103建立双向的电信号连接；光模块200与网线103之间通过光网络终端100建立连接，具体地，光网络终端将来自光模块的信号传递给网线，将来自网线的信号传递给光模块，光网络终端作为光模块的上位机监控光模块的工作。

至此，远端服务器通过光纤、光模块、光网络终端及网线，与本地信息处理设备之间建立双向的信号传递通道。

常见的信息处理设备包括路由器、交换机、电子计算机等；光网络终端是光模块的上位机，向光模块提供数据信号，并接收来自光模块的数据信号，常见的光模块上位机还有光线路终端等。

图2为光网络终端结构示意图。如图2所示，在光网络终端100中具有PCB电路板105，在PCB电路板105的表面设置笼子106；在笼子106内部设置有电连接器，用于接入金手指等光模块电口；在笼子106上设置有散热器107，散热器107具有增大散热面积的翅片等凸起部。

光模块200插入光网络终端中，具体为光模块的电口插入笼子106内部的电连接器，光模块的光口与光纤101连接。

笼子106位于电路板上，将电路板上的电连接器包裹在笼子中，从而使笼子内部设置有电连接器；光模块插入笼子中，由笼子固定光模块，光模块产生的热量传导给笼子106，然后通过笼子上的散热器107进行扩散。

图3为本发明实施例提供的一种光模块结构示意图，图4为本发明实施例提供光模块分解结构示意图。如图3、图4所示，本发明实施例提供的光模块200包括上壳体201、下壳体202、解锁部件203、电路板300、光收发器件；

上壳体201盖合在下壳体202上，以形成具有两个开口的包裹腔体；包裹腔体的外轮廓一般呈现方形体，具体地，下壳体包括主板以及位于主板两侧、与主板垂直设置的两个侧板；上壳体包括盖板，盖板盖合在上壳体的两个侧板上，以形成包裹腔体；上壳体还可以包括位于盖板两侧、与盖板垂直设置的两个侧壁，由两个侧壁与两个侧板结合，以实现上壳体盖合在下壳体上。

两个开口具体可以是在同一方向的两端开口(204、205)，也可以是在不同方向上的两处开口；其中一个开口为电口204，电路板的金手指从电口204伸出，插入光网络终端等上位机中；另一个开口为光口205，用于外部光纤接入以连接光模块内部的光收发器件；电路板300、光收发器件等光电器件位于包裹腔体中。

采用上壳体、下壳体结合的装配方式，便于将电路板300、光收发器件等器件安装到壳体中，由上壳体、下壳体形成光模块最外层的封装保护壳体；上壳体及下壳体一般采用金属材料，利于实现电磁屏蔽以及散热；一般不会将光模块的壳体做成一体部件，这样在装配电路板等器件时，定位部件、散热以及电磁屏蔽部件无法安装，也不利于生产自动化。

解锁部件203位于包裹腔体/下壳体202的外壁，用于实现光模块与上位机之间的固定连接，或解除光模块与上位机之间的固定连接。

解锁部件203具有与上位机笼子匹配的卡合部件；拉动解锁部件的末端可以在使解锁部件在外壁的表面相对移动；光模块插入上位机的笼子里，由解锁部件的卡合部件将光模块固定在上位机的笼子里；通过拉动解锁部件，解锁部件的卡合部件随之移动，进而改变卡合部件与上位机的连接关系，以解除光模块与上位机的卡合关系，从而可以将光模块从上位机的笼子里抽出。

电路板300上设置有电路走线、电子元件(如电容、电阻、三极管、MOS管)及芯片(如MCU、激光驱动芯片、限幅放大芯片、时钟数据恢复CDR、电源管理芯片、数据处理芯片DSP)等。

电路板通过电路走线将光模块中的用电器件按照电路设计连接在一起，以实现供电、电信号传输及接地等电功能。

电路板一般为硬性电路板，硬性电路板由于其相对坚硬的材质，还可以实现承载作用，如硬性电路板可以平稳的承载芯片；当光收发器件位于电路板上时，硬性电路板也可以提供平稳的承载；硬性电路板还可以插入上位机笼子中的电连接器中，具体地，在硬性电路板的一侧末端表面形成金属引脚/金手指，用于与电连接器连接；这些都是柔性电路板不便于实现的。

部分光模块中也会使用柔性电路板，作为硬性电路板的补充；柔性电路板一般与硬性电路板配合使用，如硬性电路板与光收发器件之间可以采用柔性电路板连接。

图5为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图一。如图5所示，光收发器件设置于电路板300上，同时与第一光纤阵列302和第二光纤阵列303连接，可实现光信号的接收和发射。本申请实施例中，为实现铌酸锂调制器在硅光芯片的集成应用，光收发器件包括：硅光芯片400和铌酸锂芯片500，硅光芯片400包括：监测探测器401和第一耦合器402。铌酸锂芯片500包括光调制单元，用于接收激光器301发射的光，并将所述光进行调制成信号光。第一光纤阵列，接收铌酸锂芯片的信号光，实现光发射。硅光芯片400，包括：光接收单元和光监测单元。光接收单元用于接收第二光纤阵列303的光信号，并将接收到的光信号转化为电信号。光监测单元与铌酸锂芯片耦合连接，用于监测所述光发射信号。

光监测单元包括：监测探测器401和第一耦合器402，铌酸锂芯片500设置第一铌酸锂耦合器501。第一耦合器402与第一铌酸锂耦合器501连接，实现第一铌酸锂耦合器501中的光信号向第一耦合器402的传输。监测探测器401用于监测第一耦合器402接收的光信号的强度。

电路板300上设置有激光器301，激光器301发射的信号光经铌酸锂芯片500进入第一光纤阵列302，实现光发射功能，同时，通过硅光芯片400与铌酸锂芯片500之间的光耦合连接，实现对发射光路的监测。硅光芯片400设置光接收单元，可同时实现光接收功能。本申请提供的光收发器件由硅光芯片和铌酸锂芯片共同组合，实现光信号的调制及对调制信号的监测，将发射光路的光监测单元设置于硅光芯片上，有利于减少充分利用铌酸锂调制器高带宽，低驱动电压、低插入损耗以及硅光芯片器件高度集成化的优势。

铌酸锂芯片500还包括：第二铌酸锂耦合器504、铌酸锂调制器502、分光器503、第三耦合器505。第二铌酸锂耦合器504与激光器301耦合连接，用于接收激光器301发射的发射光信号。所述发射光信号经过第二铌酸锂耦合器504进入铌酸锂芯片500，经铌酸锂调制器502的调制和分光器503分光后，分为两路，一路为信号光，另一路为监测光信号。第一光纤阵列302与分光器503的一个输出端耦合连接，用于接收信号光，实现光发射。监测探测器401与分光器503的另一个输出端耦合连接，用于监测所述监测信号光。本申请实施例中，光调制单元为铌酸锂调制器。电路板300上设置激光器301，第二铌酸锂耦合器504的一端与激光器301耦合连接，用于接收激光器301发射的光信号。第二铌酸锂耦合器504的另一端与铌酸锂调制器502连接，将接收到的光信号传送至铌酸锂调制器502进行调制。铌酸锂调制器502与分光器503连接，调制后的光信号经分光器503分光后，一路作为信号光传送至第三耦合器505，第三耦合器505与外部第一光纤阵列302连接，实现信号光的发射；另一路作为监测光信号经第一铌酸锂耦合器501、第一耦合器402输入监测探测器401。

进一步，铌酸锂调制器502包括：依次连接的第一功分器5021、行波电极5022、移相器5023和第二功分器5024。第一功分器5021通过第二铌酸锂耦合器504接收来自激光器301的光信号，并将所述光信号进行分束。分束后的光信号每一束均与一个行波电极5022连接，用于对光信号进行加载调制。每一个行波电极5022均与一个移相器5023波导连接，对加载调制后的光进行相位调制。第二功分器5024的输入端与多个移相器5023连接，输出端与分光器503连接，形成调制光信号。

为同时实现光接收功能，硅光芯片400包括：依次连接的第二硅耦合器403、偏振调控器404、可调光衰减器405和高速光探测器406，硅光芯片400上各器件之间采用硅光波导连接。其中第二硅耦合器403还与第二光纤阵列303连接，用于将第二光纤阵列303耦合至硅光芯片400硅光波导。偏振调控器404设置于第二硅耦合器403与可调光衰减器405之间，通过第二硅耦合器403接收来自第二光纤阵列303的接收光信号，并控制所述接收光信号的偏振态。可调光衰减器405，用于接收来自偏振调控器404的接收光信号并对所述接收光信号做可调衰减处理。高速光探测器406，与可调光衰减器405的另一端连接，用于将所述接收光信号转化为电信号。

第二光纤阵列303的光信号经第二硅耦合器403耦合进入硅光芯片400，再经过偏振调控器404和可调光衰减器405后，最后经过高速光探测器406实现光电信号的转换。依次连接的第二硅耦合器403、偏振调控器404、可调光衰减器405和高速光探测器406形成一个光接收单元，实现光接收功能。

图6为本申请实施例提供的一种硅光芯片和铌酸锂芯片连接示意图一，图7为本申请实施例提供的一种硅光芯片和铌酸锂芯片连接示意图二，图8为本申请实施例提供的一种硅光芯片和铌酸锂芯片连接示意图三。如图6、图7和图8所示，第一耦合器402与第一铌酸锂耦合器501之间的连接类型可以是端面耦合器，也可以是光栅耦合器。或直接采用光纤连接铌酸锂芯片的铌酸锂波导与硅光芯片的硅光波导，以实现硅光芯片400和铌酸锂芯片500之间的光信号的传输。

图9为本申请实施例提供的一种光收发器件光路示意图，如图9所示激光器301发射的信号光经第二铌酸锂耦合器504耦合进入铌酸锂芯片500的铌酸锂波导，经过铌酸锂调制器502的调制后，经分光器503分为两路，其中一路作为信号光经第三耦合器505进入第一光纤阵列302；另一路监测光信号经第一铌酸锂耦合器501、第一耦合器402输入监测探测器401。铌酸锂芯片500包含了调制单元，实现光发射功能，同时，通过硅光芯片400与铌酸锂芯片500之间的光耦合连接，实现对铌酸锂调制器502调制光路的监测。硅光芯片400设置有偏振调控器404、可调光衰减器405和高速光探测器406组合形成的光接收单元，可实现光接收功能。

图10为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图二，为了实现多路信号并行，铌酸锂芯片500还包括：第三功分器506，设置于第二铌酸锂耦合器504和铌酸锂调制器502之间，第三功分器506的输入端与第二铌酸锂耦合器504连接，第三功分器506的每个输出端与一个铌酸锂调制器502连接。

本申请中第三功分器506的个数可以是1个、2个或多个，具体数量可根据设计需要进行选择。同样的，第二铌酸锂耦合器504的数量则需要根据第三功分器506分路后信号光的路数进行匹配设定。如图10所示，本申请提供了一种四通道发射和接收的实现方式，铌酸锂芯片500上设置：2个激光器301、2个第三功分器506，每个第三功分器506的输出端为2，因此设置与之对应的4个铌酸锂调制器502、4个分光器503、4个第三耦合器505、4个第一铌酸锂耦合器501。而硅光芯片400设置与之对应的4个第一耦合器402、4个监测探测器401。

激光器301作为信号光源，其发射的光经过第三功分器506分为两路，每一路均与一个铌酸锂调制器502连接，调制后的信号光再由分光器分为信号光和监测光信号，每一路监测光信号对应一个监测光信号，每一路信号光对应一条出射光纤，所有的出射光纤组合成第一光纤阵列。同理，为实现4通道信号光接收，硅光芯片400可同时设置四个光接收单元。

本申请实施例提供的光收发器件包括硅光芯片400和铌酸锂芯片500，其中铌酸锂芯片500包含光调制单元，实现光发射功能；硅光芯片400包含了光探测单元，实现光接收功能；此外由于铌酸锂芯片很难集成光探测器，因此对于调制器中所必须的监测探测器，同样由硅光芯片提供，并通过硅光芯片400与铌酸锂芯片500之间的光耦合器，实现调制器光路的监测。本申请实施例由硅光芯片400和铌酸锂芯片500共同组合，实现光信号的调制及对调制信号的监测，充分利用铌酸锂调制器高带宽，低驱动电压、低插入损耗以及硅光芯片器件高度集成化的优势。本申请提出的铌酸锂芯片与硅光芯片协同设计的光收发芯片技术方案，打破了目前硅光芯片与铌酸锂材料在工艺上不兼容的技术壁垒。虽然是两个芯片，但是关键的单元器件比如调制器，是由部分铌酸锂器件和硅光器件共同构成，与目前的独立铌酸锂调制器，以及硅光键合铌酸锂薄膜制作的调制器在结构上有明显的不同。

图11为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图三。如图11所示，为减少移相器等器件的功耗，可将移相器5023、第二功分器5024、分光器503、第三耦合器505设置于硅光芯片400内，同时，为实现铌酸锂芯片500与硅光芯片400之间光信号的传输适应性调整光耦合器的位置，将第一耦合器402与第一铌酸锂耦合器501设置于行波电极5022、移相器5023之间。

本实施例中光调制单元包括：第二铌酸锂耦合器504、第一功分器5021、行波电极5022和第一铌酸锂耦合器501；硅光芯片还包括：移相器5023、第二功分器5024、分光器503和第一耦合器402。第二铌酸锂耦合器504与激光器301光耦合连接，用于接收激光器301发射的光信号。第一功分器5021，通过第二铌酸锂耦合器504接收来自激光器301的的发射光信号，并将所述发射光信号进行分束。行波电极5022与第一功分器5021的光输出端波导连接，接收分束后的光信号并进行加载调制。第一铌酸锂耦合器501接收所述行波电极的光信号。第一耦合器402的一端与第一铌酸锂耦合器501的耦合连接，另一端与移相器5023的输入端波导连接，实现发射光信号从铌酸锂芯片500到硅光芯片400的传输。第二功分器5024的光输入端与移相器5023的输出端波导连接，第二功分器5024的光输出端与分光器503的光输入端波导连接。分光器503将调制后的信号光分为信号光和监测光信号。硅光芯片400设置光监测单元，与分光器503的一个光输出端波导连接，用于监测所述监测光信号，实现对调制后发射光的监测，此处光监测单元为监测探测器。第三耦合器505设置于第一光纤阵列302与分光器503之间，第一光纤阵列302通过第三耦合器505与分光器503的另一个光输出端连接，接收所述信号光，实现光发射。

在该实施例中，激光器301发射的信号光经第二铌酸锂耦合器504耦合进入铌酸锂芯片500的铌酸锂波导，依次经过第三功分器506、第一功分器5021后，进入行波电极5022，经第一铌酸锂耦合器501与第一耦合器402后进入硅光波导；然后经移相器5023、第二功分器5024后进入分光器503分光，一路作为信号光传送至第三耦合器505，第三耦合器505与外部第一光纤阵列302连接，实现信号光的发射；另一路作为监测光信号输入监测探测器401。硅光芯片400中光接收单元与前文所述保持一致，在此不再一一赘述。

本申请实施例中将调制器的器件拆分，第一功分器5021、行波电极5022设置于铌酸锂芯片，将功耗较高的移相器5023设置于硅光芯片中，其他器件根据实际需要进行相应的位置设计，充分铌酸锂调制器高带宽、低驱动电压、低插入损耗以及硅光芯片器件高度集成化的优势，有利于减少芯片功耗。

图12为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图四，图13为本申请实施例提供的一种光收发器件结构示意图五。结合图12和图13所示，本申请还可在铌酸锂芯片500或者硅光芯片400中集成复用器507或者解复用器407，可以实现基于波分复用技术的光收发组件。为进一步实现光模块的多波合束功能，在偏振调控器404与第二光纤阵列303之间设置解复用器407，用于将接收到的混合波长的光信号分解为不同波长的光信号。同理，在第一光纤阵列302与分光器503之间设置复用器，将不同波长的光信号合并为一束混合波长的光信号发射。

如图12所示，光收发器件设置于电路板300上，同时与第一光纤阵列302和第二光纤阵列303连接，可实现光信号的接收和发射。光收发器件包括：硅光芯片400和铌酸锂芯片500，硅光芯片400包括：监测探测器401和第一耦合器402。铌酸锂芯片500包括第二铌酸锂耦合器504、铌酸锂调制器502、分光器503、复用器507和第三耦合器505，用于接收激光器301发射的光，并将所述光进行调制成信号光。铌酸锂调制器502包括：依次连接的第一功分器5021、行波电极5022、移相器5023和第二功分器5024。

电路板300上设置4个激光器301，分别发射不同波长的单一信号光，第一功分器5021通过第二铌酸锂耦合器504接收来自激光器301的信号光，并将所述信号光进行分束。分束后的信号光每一束均与一个行波电极5022连接，用于对信号光进行加载调制。每一个行波电极5022均与一个移相器5023波导连接，对加载调制后的光进行相位调制。第二功分器5024的光输出端与分光器503的光输入端波导连接。分光器503将调制后的信号光分为信号光和监测光信号。第一耦合器402与第一铌酸锂耦合器501连接，实现第一铌酸锂耦合器501中的光信号向第一耦合器402的传输。监测探测器401用于监测第一耦合器402接收的光信号的强度。监测探测器401通过第一铌酸锂耦合器501、与分光器503的一个光输出端波导连接，用于监测所述监测光信号，实现对调制后发射光的监测。第三耦合器505设置于第一光纤阵列302与分光器503之间，复用器507设置于第三耦合器505与分光器503之间，用于4个通道的发射光信号的合波，第一光纤阵列302接收来自复用器507的合波后的光信号，复用器507的输入端可与多个分光器503连接，实现多波长合束的光发射。硅光芯片400还包括：光接收单元。光接收单元用于接收第二光纤阵列303的光信号，并将接收到的光信号转化为电信号。

硅光芯片400还包括：依次连接的第二硅耦合器403、解复用器407、偏振调控器404、可调光衰减器405和高速光探测器406，硅光芯片400上各器件之间采用硅光波导连接。其中第二硅耦合器403还与第二光纤阵列303连接，用于将第二光纤阵列303耦合至硅光芯片400硅光波导。第二光纤阵列303输入的为含有多种波长的信号光，经解复用器407分束成为单一波长的信号光。偏振调控器404设置于第二硅耦合器403与可调光衰减器405之间，通过第二硅耦合器403接收来自第二光纤阵列303的接收光信号，并控制所述接收光信号的偏振态。可调光衰减器405，用于接收来自偏振调控器404的接收光信号并对所述接收光信号做可调衰减处理。高速光探测器406，与可调光衰减器405的另一端连接，用于将所述接收光信号转化为电信号。

第二光纤阵列303的光信号经第二硅耦合器403耦合进入硅光芯片400，经解复用器407分束成为单一波长的信号光，再经过偏振调控器404和可调光衰减器405后，最后经过高速光探测器406实现光电信号的转换。依次连接的第二硅耦合器403、偏振调控器404、可调光衰减器405和高速光探测器406形成一个光接收单元，实现光接收功能。

图13提供的实施例将移相器5023、第二功分器5024、分光器503、复用器507、第三耦合器505设置于硅光芯片400内，同时，为实现铌酸锂芯片500与硅光芯片400之间光信号的传输适应性调整光耦合器的位置，将第一耦合器402与第一铌酸锂耦合器501设置于行波电极5022、移相器5023之间，其他与前文图12所述一直，不再一一赘述。

在该实施例中，激光器301发射的信号光经第二铌酸锂耦合器504耦合进入铌酸锂芯片500的铌酸锂波导，依次经过第三功分器506、第一功分器5021后，进入行波电极5022，经第一铌酸锂耦合器501与第一耦合器402后进入硅光波导；然后经移相器5023、第二功分器5024后进入分光器503分光，一路作为信号光经复用器507合波后形成具有多波长的信号光，传送至第三耦合器505，第三耦合器505与外部第一光纤阵列302连接，实现信号光的发射；另一路作为监测光信号输入监测探测器401。硅光芯片400中光接收单元与前文所述保持一致，在此不再一一赘述。本申请提供了一种铌酸锂芯片与硅光芯片的协同合作的设计方案，由铌酸锂器件和硅光芯片共同组合，实现光信号的调制及对光信号的监测。打破了目前硅光芯片与铌酸锂材料在工艺上不兼容的技术壁垒。虽然是两个芯片，但是关键的单元器件比如调制器，是由部分铌酸锂器件和硅光器件共同构成，与目前已报道的独立铌酸锂调制器，以及硅光键合铌酸锂薄膜制作的调制器在结构上有明显的不同。充分利用铌酸锂调制器高带宽，低驱动电压、低插入损耗以及硅光芯片器件高度集成化的优势，突破硅光调制器传输速率的限制，实现更高的通信容量。

由于以上实施方式均是在其他方式之上引用结合进行说明，不同实施例之间均具有相同的部分，本说明书中各个实施例之间相同、相似的部分互相参见即可。在此不再详细阐述。

需要说明的是，在本说明书中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的电路结构、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种电路结构、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，有语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的电路结构、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里发明的公开后，将容易想到本申请的其他实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由权利要求的内容指出。

以上所述的本申请实施方式并不构成对本申请保护范围的限定。

Claims (10)

1.一种光模块，其特征在于，包括：

电路板，所述电路板上设置有激光器；

铌酸锂芯片包括光调制单元，用于接收所述激光器发射的光，并将所述光进行调制成信号光；

分光器，设置于所述光调制单元的出光光路上，将所述信号光分为两束；

第一光纤阵列，与所述分光器的第一出光口耦合连接，接收所述铌酸锂芯片的信号光；

第二光纤阵列；

硅光芯片，包括：光接收单元和光监测单元；

所述光接收单元用于接收所述第二光纤阵列的光信号，并将接收到的光信号转化为电信号；

所述光监测单元与所述分光器的第二出光口耦合连接，用于监测所述信号光的光功率。

2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述铌酸锂芯片包括：第二铌酸锂耦合器、铌酸锂调制器、分光器和第一铌酸锂耦合器；所述光调制单元为所述铌酸锂调制器；

所述第二铌酸锂耦合器与所述激光器连接，用于接收所述激光器发射的发射光信号；

所述发射光信号经过所述第二铌酸锂耦合器进入所述铌酸锂芯片，经所述铌酸锂调制器的调制和所述分光器分光后，分为信号光和监测光信号；

所述第一光纤阵列与所述分光器的一个输出端耦合连接，用于接收所述信号光，

所述光监测单元包括监测探测器和第一耦合器；

所述第一铌酸锂耦合器与所述第一耦合器连接，用于将所述监测光信号输入所述硅光芯片；

所述监测探测器与所述分光器的另一个输出端耦合连接，用于监测所述监测光信号。

3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述第一铌酸锂耦合器与所述第一耦合器为端面耦合器，或所述第一铌酸锂耦合器与所述第一耦合器通过光纤或光栅连接。

4.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述光接收单元包括：偏振调控器，与所述第二光纤阵列耦合连接，用于接收所述第二光纤阵列的接收光信号，控制所述接收光信号的偏振态；

可调光衰减器，一端与所述偏振调控器连接，用于接收所述偏振调控器的接收光信号并对所述接收光信号做衰减处理；

和高速光探测器，与所述可调光衰减器的另一端连接，用于将所述接收光信号转化为电信号。

5.根据权利要求4所述的光模块，其特征在于，所述偏振调控器与第二光纤阵列通过光耦合器连接。

6.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述铌酸锂调制器包括：

第一功分器，接收所述第二铌酸锂耦合器的光信号，并将所述光信号进行分束；

行波电极，接收分束后的光并进行加载调制；

移相器，与所述行波电极的一端波导连接，用于对加载调制后的光进行相位调制；

第二功分器，输入端与所述移相器连接，输出端与所述分光器连接，形成调制光信号。

7.根据权利要求6所述的光模块，其特征在于，所述铌酸锂芯片还包括：第三功分器；所述第三功分器的输入端与所述第二铌酸锂耦合器连接，输出端均与所述铌酸锂调制器连接。

8.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，所述铌酸锂芯片还包括：第三耦合器，设置于所述分光器与第一光纤阵列，用于将所述信号光输入所述第一光纤阵列。

9.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，所述光调制单元包括：第二铌酸锂耦合器、第一功分器、行波电极和第一铌酸锂耦合器；

所述第二铌酸锂耦合器与所述激光器连接，用于接收所述激光器发射的发射光信号；

第一功分器，接收所述第二铌酸锂耦合器的光信号，并将所述光信号进行分束；

行波电极，接收分束后的光信号并进行加载调制；

第一铌酸锂耦合器接收所述行波电极的光信号；

所述硅光芯片还包括：移相器、第二功分器、分光器和第一耦合器；

所述第一耦合器的一端与所述第一铌酸锂耦合器的耦合连接，另一端与所述移相器波导连接；

第二功分器的光输入端与所述移相器波导连接，光输出端与所述分光器的光输入端波导连接；

所述分光器将调制后的信号光分为信号光和监测光信号；

所述光监测单元与所述分光器的一个光输出端波导连接，用于监测所述监测光信号；

所述第一光纤阵列与所述分光器的另一个光输出端波导连接，接收所述信号光；

所述光接收单元包括：偏振调控器，与所述第二光纤阵列耦合连接，用于接收所述第二光纤阵列的接收光信号，控制所述接收光信号的偏振态；

可调光衰减器，一端与所述偏振调控器连接，用于接收所述偏振调控器的接收光信号并对所述接收光信号做衰减处理；

和高速光探测器，与所述可调光衰减器的另一端连接，用于将所述接收光信号转化为电信号。

10.根据权利要求9所述的光模块，其特征在于，所述硅光芯片还包括：光复用器和光解复用器；

所述光复用器设置于所述分光器与所述第一光纤阵列之间，用于发射光信号的合波；

所述光解复用器设置于所述偏振调控器与第二光纤阵列之间，用于接收光信号的分波。

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