CN114515995B - 一种晶圆研磨头以及晶圆吸附方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种晶圆研磨头已经晶圆吸附方法，所述晶圆研磨头包括研磨头本体以及环绕在研磨头本体外围的固定装置；所述固定装置包括紧密设置的第一圆环和第二圆环；所述研磨头本体、第一圆环与第二圆环保持同心；所述研磨头本体上设置有第一气路以及第二气路；所述第一圆环上均匀设置有通气凹槽；所述通气凹槽与第二气路相通。本发明提供的晶圆研磨头结构简单，便于加工，有利于工业化生产；可以通过对内部气路的分配，而后通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
Description
技术领域
本发明属于化学机械研磨领域，涉及一种晶圆研磨头，尤其涉及一种晶圆研磨头以及晶圆吸附方法。
背景技术
晶圆(Wafer)，是生产集成电路所用的载体，多指单晶硅圆片。
单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶圆。晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格(14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等)。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但要求材料技术和生产技术更高。
在晶圆的生产过程中，对晶圆进行抛光是半导体工艺中的常规步骤，在对晶圆进行抛光时，首先通过机械手把晶圆放置在晶圆承载台上，然后再把晶圆从晶圆承载台上吸附到研磨头上，研磨头会抽取真空产生负压，从而吸附住晶圆，之后研磨头携带晶圆一起进行研磨。
但晶圆从晶圆承载台上被吸附到研磨头的过程中，由于气压或者其他机械压力的存在，晶圆的表面会承压。当晶圆承载台存在不合理的结构，比如晶圆承载台的中部下凹过多，达到5mm左右；或者研磨头存在不合理的结构，比如晶圆传感器凸出较多、弹簧较硬，研雪头上的压力分布不合适等，都会导致晶圆由于受力而破碎。晶圆的破碎将造成很大的经济损失，尤其对于具有高深宽比的TSV(through silicon vias)晶圆来说，晶圆破碎的损失非常严重。
CN 209681910U公开了一种晶圆研磨装置高速研磨头，所述晶圆研磨装置高速研磨头包括研磨头主体、气压板、研磨头隔膜、研磨头主轴、晶圆、研磨垫、弹性限位机构、润滑油导入机构、润滑油导出机构、气体管、气压室、滑槽，所述研磨头主体是一个倒凹形主体，所述研磨头主体的上方设置有研磨头主轴，所述研磨头主体通过研磨头主轴与研磨装置固定连接，所述倒凹形的研磨头主体的两侧主体内设置有滑槽，所述气压板两侧设置有滑块。
CN 104942697A公开了一种晶圆研磨头以及晶圆吸附方法，所述晶圆研磨头呈圆形，晶圆研磨头的下表面平坦，形成晶圆吸附区，所述晶圆吸附区由内至外依次形成第一区、第二区、第三区、外围区和晶圆保持环，所述第一区是圆形，第二区、第三区、外围区和晶圆保持环是环形，第一区、第二区、第三区、外围区和晶圆保持环同心，在吸附晶圆时，第一区和第三区形成负压，第二区和外围区形成正压，吸附完成后，晶圆保持环形成负压；在第一区、第二区或者第三区中布置有晶圆传感器，晶圆传感器安装在形成于晶圆研磨头中的孔中，晶圆传感器的尾部通过弹簧连接到晶圆研磨头，晶圆传感器的端部在未吸附晶圆时延伸超出所述晶圆研磨头的下表面，晶圆吸附完成时晶圆传感器由所吸附的晶圆压回所述孔中，其中所述弹簧的弹性系数符合：所述弹簧形成的弹簧力小于晶圆表面的破碎应力。该专利提供的晶圆研磨头结构复杂，不利用广泛应用。
CN 103831710A公开了一种具有晶圆检测装置的研磨头，所述研磨头与晶圆接触的表面具有数个相对独立的区域，每一区域与一相应的气体管路相连通，通过各气体管路可向各区域注入气体或将各区域抽真空，所述研磨头包括：晶圆检测装置，具有基体，所述基体的底部开有开口，所述基体收容一基座，所述基座放置在所述基体的底部，所述基座的顶部设有弹性丝杆，所述基体的顶部设有压力传感器，所述压力传感器位于所述弹性丝杆顶部的正上方，所述晶圆检测装置可设置在所述研磨头上的任一区域内；及多孔板，具有若干通孔，所述多孔板的表面包覆一与晶圆接触的薄膜，所述薄膜能从所述多孔板的通孔中吸出而顶起所述晶圆检测装置的基座，使所述弹性丝杆抵压所述压力传感器。所述研磨头主要是安装了晶圆检测装置，所述装置增加了研磨头的制作成本，且并没有说明进一步改善晶圆的研磨质量。
综上所述，提供一种改善晶圆的研磨质量，且可以准确与300mm head配套使用的研磨头已是本领域亟需解决的问题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆研磨头以及晶圆吸附方法。所述晶圆研磨头的结构简单，可以通过对内部气路的分配，通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种晶圆研磨头，所述晶圆研磨头包括研磨头本体以及环绕在研磨头本体外围的固定装置；
所述固定装置包括紧密设置的第一圆环和第二圆环；
所述研磨头本体、第一圆环与第二圆环保持同心；
所述研磨头本体上设置有第一气路以及第二气路；
所述第一圆环上均匀设置有通气凹槽；
所述通气凹槽与第二气路相通。
本发明提供的晶圆研磨头结构简单，可以准确与300mm head配套使用。
本发明提供的晶圆研磨头中的第一气路以及第二气路与LK机台的给气抽气口相吻合。通过晶圆研磨头内部的气路的分配，通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
本发明提供的晶圆研磨头中通气凹槽与第二气路相通，其目的为改变气路方向。
优选地，所述研磨头本体的形状包括圆柱体。
优选地，所述研磨头本体的直径为70-80mm，例如可以是70mm、71mm、72mm、73mm、74mm、75mm、76mm、77mm、78mm、79mm或80mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述研磨头本体的高度为65-70mm，例如可以是65mm、66mm、67mm、68mm、69mm或70mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第一气路设置于研磨头本体的中心位置。
优选地，所述第二气路的数目为5个。
优选地，所述第二气路设置于第一气路的外围。
优选地，所述第一气路的深度与研磨头本体的高度相同。
优选地，所述第二气路的深度为30-40mm，例如可以是30mm、31mm、32mm、33mm、34mm、35mm、36mm、37mm、38mm、39mm或40mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述固定装置上均匀设置有贯穿固定装置的螺纹孔。
优选地，所述螺纹孔的数目为6-10个，例如可以是6个、7个、8个、9个或10个。
优选地，所述第一圆环的外围设置有倒角。
优选地，所述第一圆环的厚度为25-35mm，例如可以是25mm、26mm、27mm、28mm、29mm、30mm、31mm、32mm、33mm、34mm或35mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第一圆环的直径为200-205mm，例如可以是200mm、201mm、202mm、203mm、204mm或205mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述通气凹槽的数目为3-5个，例如可以是3个、4个或5个。
优选地，所述通气凹槽的深度与第一圆环的厚度相同。
优选地，所述第二圆环的底面设置有环状凹槽。
优选地，所述环状凹槽的深度为1.2-1.6mm，例如可以是1.2mm、1.25mm、1.3mm、1.35mm、1.4mm、1.45mm、1.5mm、1.55mm或1.6mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述环状凹槽的宽度为1.6-1.8mm，例如可以是1.6mm、1.65mm、1.7mm、1.75mm或1.8mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明提供的晶圆研磨头中设置环状凹槽的目的是：放置橡胶密封圈。
优选地，所述环状凹槽上均匀设置有螺纹孔。
优选地，所述第二圆环的直径与第一圆环的直径相同。
优选地，所述第二圆环的厚度为15-25mm，例如可以是15mm、16mm、17mm、18mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明提供的晶圆研磨头是一个整体，其中研磨头本体的两端均凸出环绕在研磨头本体外围的固定装置。
第二方面，本发明提供了一种晶圆吸附方法，所述晶圆吸附方法采用第一方面提供的晶圆研磨头进行。
优选地，所述晶圆吸附方法包括如下步骤：
(1)将所述晶圆研磨头安装在LK机台上，所述晶圆研磨头的底部设置有吸附膜；
(2)采用晶圆研磨头向吸附膜施加压力，而后抽真空处理，使得晶圆吸附在吸附膜上，完成吸附。
优选地，步骤(2)所述施加压力处理包括：从中心区域向外均匀施加压力；
优选地，所述施加压力中压力为10-20psi，例如可以是10psi、11psi、12psi、13psi、14psi、15psi、16psi、17psi、18psi、19psi或20psi，但不限于所列举的，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(2)所述抽真空处理的真空度为-0.3至-0.8MPa，例如可以是-0.3MPa、-0.4MPa、-0.5MPa、-0.6MPa、-0.7MPa或-0.8MPa，但不限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明的优选技术方案，本方面第二方面提供的晶圆吸附方法包括如下步骤：
(1)将所述晶圆研磨头安装在LK机台上，所述晶圆研磨头的底部设置有吸附膜；
(2)采用晶圆研磨头向吸附膜施加压力，而后抽真空处理至-0.3至-0.8MPa，使得晶圆吸附在吸附膜上，完成吸附；所述施加压力处理包括：从中心区域向外均匀施加10-20psi的压力。
本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明提供的晶圆研磨头结构简单，便于加工，有利于工业化生产；
(2)本发明提供的晶圆研磨头通过对内部气路的分配，而后通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的晶圆研磨头的正面俯视图；
图2是本发明实施例1提供的晶圆研磨头的侧面剖视图；
图3是本发明实施例1提供的晶圆研磨头的底面俯视图。
其中，1为第一气路，2为第二气路，3为通气凹槽，4为螺纹孔，5为环状凹槽。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供了一种晶圆研磨头，所述晶圆研磨头的正面俯视图如图1所示，底面俯视图如图3所示，侧面剖视图如图2所示。
本实施例提供的晶圆研磨头包括研磨头本体以及环绕在研磨头本体外围的固定装置；所述固定装置包括紧密设置的第一圆环和第二圆环；所述研磨头本体、第一圆环与第二圆环保持同心；所述研磨头本体上设置有第一气路1以及第二气路2；所述第一圆环上均匀设置有通气凹槽3；所述通气凹槽3与第二气路2相通。
所述研磨头本体的形状包括圆柱体；所述研磨头本体的直径为76.2mm；所述研磨头本体的高度为67.85mm。
所述第一气路1设置于研磨头本体的中心位置；所述第二气路2的数目为5个；所述第二气路2设置于第一气路1的外围；所述第一气路1的深度与研磨头本体的高度相同；所述第二气路2的深度为34.5mm。
所述固定装置上均匀设置有贯穿固定装置的螺纹孔4；所述螺纹孔4的数目为8个。
所述第一圆环的外围设置有倒角；所述第一圆环的厚度为30mm；所述第一圆环的直径为201.2mm；所述通气凹槽3的数目为4个；所述通气凹槽3的深度与第一圆环的厚度相同。
所述第二圆环的底面设置有环状凹槽5；所述环状凹槽5的深度为1.46mm；所述环状凹槽5的宽度为1.78mm；所述环状凹槽5上均匀设置有螺纹孔。
所述第二圆环的直径与第一圆环的直径相同；所述第二圆环的厚度为15mm。
实施例2
本实施例提供了一种晶圆研磨头，所述晶圆研磨头与实施例1的区别仅在于：本实施例省略环状凹槽。
实施例3
本实施例提供了一种晶圆研磨头，所述晶圆研磨头与实施例1的区别仅在于：本实施例设置了3个通气凹槽。
实施例4
本实施例提供了一种晶圆研磨头，所述晶圆研磨头与实施例1的区别仅在于：本实施例设置了5个通气凹槽。
实施例5
本实施例提供了一种晶圆研磨头，所述晶圆研磨头与实施例1的区别仅在于：本实施例设置了2个通气凹槽。
对比例1
本对比例提供了一种晶圆研磨头，所述晶圆研磨头与实施例1的区别仅在于：本对比例省略了通气凹槽。
应用例1
本应用例采用实施例1提供的晶圆研磨头吸附晶圆，所述吸附方法包括如下步骤：
(1)将所述晶圆研磨头安装在LK机台上，所述晶圆研磨头的底部设置有吸附膜；
(2)采用晶圆研磨头向吸附膜施加压力，而后抽真空处理至-0.5MPa，使得晶圆吸附在吸附膜上，完成吸附；所述施加压力处理包括：从中心区域向外均匀施加14psi的压力。
采用实施例1提供的晶圆研磨头通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
应用例2
本应用例采用实施例2提供的晶圆研磨头吸附晶圆，所述吸附方法与应用例相同。
采用实施例2提供的晶圆研磨头通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
应用例3
本应用例采用实施例3提供的晶圆研磨头吸附晶圆，所述吸附方法与应用例相同。
采用实施例3提供的晶圆研磨头通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
应用例4
本应用例采用实施例4提供的晶圆研磨头吸附晶圆，所述吸附方法与应用例相同。
采用实施例4提供的晶圆研磨头通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
应用例5
本应用例采用实施例5提供的晶圆研磨头吸附晶圆，所述吸附方法与应用例相同。
采用实施例5提供的晶圆研磨头在使用过程中无法完成对内部气路的分配，加载以及研磨过程中气压分配不均匀，进而影响其研磨效果。
对比应用例1
本对比应用例采用对比例1提供的晶圆研磨头吸附晶圆，所述吸附方法与应用例相同。
对比例1提供的晶圆研磨头省略了通气凹槽，气管无处放置，在使用过程中无法对晶圆施加压力，进而影响其研磨效果。
综上所述，本发明提供的晶圆研磨头结构简单，便于加工，有利于工业化生产；可以通过对内部气路的分配，通过机台便可精确控制300mm Head底部吸附膜作用于晶圆表面的压力，达到加载、卸载晶圆并对其研磨的效果。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (24)
1.一种晶圆研磨头，其特征在于，所述晶圆研磨头包括研磨头本体以及环绕在研磨头本体外围的固定装置；所述研磨头本体的两端均凸出环绕在研磨头本体外围的固定装置；
所述固定装置包括紧密设置的第一圆环和第二圆环；
所述研磨头本体、第一圆环与第二圆环保持同心；所述第二圆环的直径与第一圆环的直径相同；
所述研磨头本体上设置有第一气路以及第二气路；所述第二气路设置于第一气路的外围；所述第二气路的深度为30-40mm；
所述第一圆环上均匀设置有通气凹槽；所述通气凹槽的深度与第一圆环的厚度相同；
所述通气凹槽与第二气路相通。
2.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述研磨头本体的形状包括圆柱体。
3.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述研磨头本体的直径为70-80mm。
4.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述研磨头本体的高度为65-70mm。
5.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第一气路设置于研磨头本体的中心位置。
6.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第二气路的数目为5个。
7.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第一气路的深度与研磨头本体的高度相同。
8.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述固定装置上均匀设置有贯穿固定装置的螺纹孔。
9.根据权利要求8所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述螺纹孔的数目为6-10个。
10.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第一圆环的外围设置有倒角。
11.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第一圆环的厚度为25-35mm。
12.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第一圆环的直径为200-205mm。
13.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述通气凹槽的数目为3-5个。
14.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第二圆环的底面设置有环状凹槽。
15.根据权利要求14所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述环状凹槽的深度为1.2-1.6mm。
16.根据权利要求14所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述环状凹槽的宽度为1.6-1.8mm。
17.根据权利要求14所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述环状凹槽上均匀设置有螺纹孔。
18.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第二圆环的直径与第一圆环的直径相同。
19.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第二圆环的厚度为15-25mm。
20.一种晶圆吸附方法，其特征在于，所述晶圆吸附方法采用权利要求1-19任一项所述的晶圆研磨头进行。
21.根据权利要求20所述的晶圆吸附方法，其特征在于，所述晶圆吸附方法包括如下步骤：
(1)将所述晶圆研磨头安装在LK机台上，所述晶圆研磨头的底部设置有吸附膜；
(2)采用晶圆研磨头向吸附膜施加压力，而后抽真空处理，使得晶圆吸附在吸附膜上，完成吸附。
22.根据权利要求21所述的晶圆吸附方法，其特征在于，步骤(2)所述施加压力处理包括：从中心区域向外均匀施加压力。
23.根据权利要求21所述的晶圆吸附方法，其特征在于，所述施加压力中压力为10-20psi。
24.根据权利要求21所述的晶圆吸附方法，其特征在于，步骤(2)所述抽真空处理的真空度为-0.3至-0.8MPa。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030055840A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마장치의 연마헤드 |
| CN101444897A (zh) * | 2007-11-29 | 2009-06-03 | 株式会社荏原制作所 | 抛光设备和方法 |
| CN103100966A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨装置及系统 |
| CN203622170U (zh) * | 2013-12-17 | 2014-06-04 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种化学机械研磨组件 |
| TW201902623A (zh) * | 2017-06-09 | 2019-01-16 | 林志菁 | 用於研磨頭的彈性膜 |
| CN110815034A (zh) * | 2018-08-06 | 2020-02-21 | 株式会社荏原制作所 | 基板的保持装置、吸附判定和释放方法、研磨装置和方法、除液方法、弹性膜及供气装置 |
| CN110977750A (zh) * | 2019-05-18 | 2020-04-10 | 清华大学 | 一种压力控制装置和化学机械抛光装置 |
| CN112045548A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-08 | 华海清科股份有限公司 | 用于化学机械抛光的晶圆承载装置和化学机械抛光设备 |
| CN113510609A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆以及晶圆的处理方法 |
| CN215092901U (zh) * | 2021-05-14 | 2021-12-10 | 上海江丰平芯电子科技有限公司 | 一种机械化学研磨中研磨头载体构件 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW416896B (en) * | 1999-09-17 | 2001-01-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Wafer adsorbing apparatus of the chemical mechanical polishing head |
| US6500059B2 (en) * | 2000-12-01 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Apparatus and method for mounting a wafer in a polishing machine |
| JP2014223684A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 株式会社東芝 | 研磨装置および研磨方法 |
| SG10201606197XA (en) * | 2015-08-18 | 2017-03-30 | Ebara Corp | Substrate adsorption method, substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic film, substrate adsorption determination method for substrate holding apparatus, and pressure control method for substrate holding apparatus |
| JP2017177314A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 吸着フィルムおよび研磨パッド |
| CN208231541U (zh) * | 2018-05-03 | 2018-12-14 | 晶晨半导体（深圳）有限公司 | 一种晶圆研磨头及化学机械研磨机 |
| CN209491637U (zh) * | 2018-12-11 | 2019-10-15 | 德淮半导体有限公司 | 研磨头和化学机械研磨装置 |
| CN209681910U (zh) * | 2018-12-27 | 2019-11-26 | 苏州美法光电科技有限公司 | 晶圆研磨装置高速研磨头 |
| CN214054860U (zh) * | 2020-11-19 | 2021-08-27 | 上海江丰平芯电子科技有限公司 | 一种用于化学机械研磨的研磨头 |
| CN214723333U (zh) * | 2021-05-14 | 2021-11-16 | 上海江丰平芯电子科技有限公司 | 一种机械化学研磨中研磨头进气构件 |
-
2022
- 2022-03-21 CN CN202210280020.3A patent/CN114515995B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030055840A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마장치의 연마헤드 |
| CN101444897A (zh) * | 2007-11-29 | 2009-06-03 | 株式会社荏原制作所 | 抛光设备和方法 |
| CN103100966A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨装置及系统 |
| CN203622170U (zh) * | 2013-12-17 | 2014-06-04 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种化学机械研磨组件 |
| TW201902623A (zh) * | 2017-06-09 | 2019-01-16 | 林志菁 | 用於研磨頭的彈性膜 |
| CN110815034A (zh) * | 2018-08-06 | 2020-02-21 | 株式会社荏原制作所 | 基板的保持装置、吸附判定和释放方法、研磨装置和方法、除液方法、弹性膜及供气装置 |
| CN110977750A (zh) * | 2019-05-18 | 2020-04-10 | 清华大学 | 一种压力控制装置和化学机械抛光装置 |
| CN112045548A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-12-08 | 华海清科股份有限公司 | 用于化学机械抛光的晶圆承载装置和化学机械抛光设备 |
| CN215092901U (zh) * | 2021-05-14 | 2021-12-10 | 上海江丰平芯电子科技有限公司 | 一种机械化学研磨中研磨头载体构件 |
| CN113510609A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-19 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆以及晶圆的处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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