CN114499188A - Dc-dc降压电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种DC‑DC降压电路，所述DC‑DC降压电路包括：降压晶体管、供电模块及降压模块；所述结型场效应晶体管的栅端接模拟地，漏端接入输入电压；所述供电模块连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间；所述降压模块连接于所述输入电压和数字地之间，同时连接于所述结型场效应晶体管的源端。通过本发明解决了现有DC‑DC降压电路中进行电感电流采样时需要采用采样电阻，功率损耗较大，且器件成本和生产成本增加的问题。

Description

DC-DC降压电路
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种DC-DC降压电路。
背景技术
对于浮地结构(控制芯片地与供电模块的输出地不同电位)的降压型DC-DC电路，采用高压结型场效应晶体管JFET给芯片供电，可以提供较大的工作电流，因此被广泛应用。但对现有降压型DC-DC电路中的电感电流进行采样时，利用的是采样电阻，而采样电阻在有大电流流过时会产生较大的功率损耗，从而使得系统的转换效率降低，而且，采样电阻的阻值通常比较小，不能集成在芯片内部，而是需要在PCB板上使用贴片电阻，从而增加了器件成本和生产成本。
因此，在针对DC-DC降压电路进行电感电流采样时，避免使用采样电阻，降低成本是我们目前急需解决的一个技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种DC-DC降压电路，用于解决现有的DC-DC降压电路中进行电感电流采样时需要采用采样电阻，功率损耗较大，且器件成本和生产成本增加的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种DC-DC降压电路，所述DC-DC降压电路包括：结型场效应晶体管、供电模块及降压模块；
所述结型场效应晶体管的栅端接模拟地，漏端接入输入电压；
所述供电模块连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间，用于通过输入电压对供电电容进行充电来产生供电电压，及根据所述供电电压与第一参考电压的比较结果对所述供电电容进行充电控制；
所述降压模块连接于所述输入电压和数字地之间，同时连接于所述结型场效应晶体管的源端，用于通过所述输入电压对电感进行充电来产生负载电压，并根据所述负载电压的大小调节控制信号的占空比，以此对所述电感进行充电控制；及基于所述结型场效应晶体管和NMOS管采样电感电流，并在采样电压大于第二参考电压时基于所述控制信号关闭电感电流充电通路。
可选地，所述供电模块包括供电电压产生单元及调控单元；
所述供电电压产生单元连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间，同时连接于所述调控单元的输出端，用于在调控信号有效且所述供电电容两端电压小于所述结型场效应晶体管的漏端电压时，通过所述输入电压对所述供电电容进行充电来产生所述供电电压；
所述调控单元连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间，用于比较所述供电电压和所述第一参考电压，并通过对比较结果和协控信号进行逻辑运算来产生所述调控信号；其中，所述协控信号为所述控制信号的反相信号。
可选地，所述供电电压产生单元包括第一NMOS管、第一二极管及所述供电电容；其中，所述第一NMOS管的漏端连接于所述结型场效应晶体管的源端，栅端连接于所述调控单元的输出端，源端连接于所述第一二极管的正极，所述第一二极管的负极通过所述供电电容接模拟地。
可选地，所述调控单元包括第一比较器、一与门、第二NMOS管及第一电阻；其中，所述第一比较器的正相输入端接收所述供电电压，反相输入端接收所述第一参考电压，输出端连接于所述与门的第一输入端；所述与门的第二输入端接收所述协控信号，输出端连接于所述第二NMOS管的栅端；第二NMOS管的漏端通过所述第一电阻连接于所述结型场效应晶体管的源端，并作为调控单元的输出端，源端接模拟地。
可选地，所述降压模块包括负载电压产生单元、电感电流采样单元、负载电压采样单元及占空比控制单元；
所述负载电压产生单元连接于所述输入电压和数字地之间，同时连接于所述占空比控制单元的输出端，用于在所述控制信号有效时，通过所述输入电压对所述电感进行充电来产生所述负载电压；
所述电感电流采样单元连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间，用于在所述控制信号有效时，基于所述结型场效应晶体管和NMOS管采样所述电感电流并产生所述采样电压，及比较所述采样电压和所述第二参考电压，并在所述采样电压大于所述第二参考电压时产生关断信号；
所述负载电压采样单元连接于所述电感和所述占空比控制单元之间，用于采样所述负载电压并产生负载采样电压；
所述占空比控制单元连接于所述电感电流采样单元的输出端和所述负载电压采样单元的输出端，用于根据所述负载采样电压的大小和所述关断信号调节所述控制信号的占空比。
可选地，所述负载电压产生单元包括NMOS功率管、第二二极管、一电感及负载电阻；其中，所述NMOS功率管的漏端接入所述输入电压，栅端接收所述控制信号，源端连接于所述电感的一端及所述第二二极管的负极；所述电感的另一端通过所述负载电阻接数字地，所述第二二极管的正极接数字地。
可选地，所述负载电压产生单元还包括负载电容，并联于所述负载电阻的两端。
可选地，所述电感电流采样单元包括第三NMOS管、第四NMOS管、一反相器及第二比较器；其中，所述第三NMOS管的栅端连接于所述NMOS管的栅端，并连接于所述反相器的输入端，漏端连接于所述结型场效应晶体管的源端，源端连接于所述第四NMOS管的漏端；所述第四NMOS管的源端连接模拟地，栅端连接于所述反相器的输出端；所述第二比较器的正相输入端连接于所述第三NMOS管的源端，反相输入端接收所述第二参考电压，输出端连接于所述占空比控制单元的输入端。
如上所述，本发明DC-DC降压电路的结构简单，通过采用结型场效应晶体管和NMOS管替换现有的采样电阻进行电感电流采样，节省了采样电阻，而且，结型场效应管及NMOS管能够集成在芯片内部，因此，本发明DC-DC降压电路能够节省器件成本及生产成本。
附图说明
图1显示为现有的一种DC-DC降压电路的电路图。
图2显示为本发明的一种DC-DC降压电路的电路图。
元件标号说明
11 高压供电模块
12 DC-DC降压模块
21 供电模块
211 供电电压产生单元
212 调控单元
22 降压模块
221 负载电压产生单元
222 电感电流采样单元
223、122 负载采样电压单元
224、121 占空比控制单元
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
图1为一种DC-DC降压电路，所述DC-DC降压电路包括2部分：高压供电模块11及降压模块12。所述高压供电模块11包括结型场效应晶体管JFET11、第一NMOS管N11、第一二极管D11、第一电阻R11、第二NMOS管N12、供电电容C11、迟滞比较器COMP11及第一参考电压源VR11。其中，所述结型场效应晶体管JFET11为高压结型场效应晶体管，其漏端击穿电压较高(60V～2000V)。
所述DC-DC降压模块12包括NMOS功率管N13、采样电阻R12、续流二极管D12、电感L11、负载电阻R13、负载电容C12、第二参考电压源VR12、比较器COMP12、占空比控制单元121及负载电压采样单元122。其中，所述NMOS功率管N13为高压功率管，其漏端击穿电压较高(60V～2000V)。
在上述DC-DC降压电路中，当所述占空比控制单元121的输出信号dis12为高电平时，所述NMOS功率管N13导通，输入电压Vin正极输出的电流经过所述NMOS功率管N13、所述采样电阻R12、所述电感L11及所述负载电阻R13到达输入电压Vin的负极。因此，在所述NMOS功率管N13导通时，若要检测经过所述电感L11的电流，需要利用所述采样电阻R12进行采样。
然而，所述NMOS功率管N13导通时，经过所述电感L11的电流线性增大，在利用采样电阻R12对上述DC-DC降压电路进行采样时，所述DC-DC降压电路中产生的大电流将会流经所述采样电阻R12，使得所述采样电阻R12产生较大的功率耗损，从而降低系统的转换效率。而且，上述DC-DC降压电路中所用的采样电阻R12的阻值通常比较小，不能集成在芯片内部，而是需要在PCB板上使用贴片电阻，从而使得器件成本和生产成本增加。
针对现有DC-DC降压电路存在的缺陷，本实施例提供一种DC-DC降压电路，如图2所示，所述DC-DC降压电路包括：结型场效应晶体管JFET21、供电模块21及降压模块22。
所述结型场效应晶体管JFET21的栅端接模拟地，漏端接入输入电压Vin。
本实施例中，所述输入电压Vin为高压电源。所述结型场效应晶体管JFET21为高压结型场效应晶体管，其漏端击穿电压较高(60V～2000V)，其源端电压VS为：VS＝VCC+VD21+VGS21，其中，VCC为所述供电模块21产生的供电电压VCC的电压值，通常设计为5V左右，VD21为所述第一二极管D21的导通压降值，可粗略估计为0.7V，VGS21为所述第一NMOS管N21的开启电压，可粗略估算为1V，因此，所述结型场效应管JFET21的源端电压VS＝6.7V。又由于所述结型场效应晶体管JFET21的阈值电压为负值(通常为-9V～-30V)，因此，本实施例中所述结型场效应晶体管JFET21能够始终维持导通状态。而当所述结型场效应晶体管JFET21的源端电压上升到一定值(9V～30V)时就会关断，因此，所述结型场效应晶体管JFET21能够起到隔离高压的作用。
所述供电模块21连接于所述结型场效应晶体管JFET21的源端和模拟地之间，用于通过输入电压Vin对供电电容C21进行充电来产生供电电压VCC，及根据所述供电电压VCC与第一参考电压VR21的比较结果对所述供电电容C21进行充电控制。
具体的，所述供电模块21包括供电电压产生单元211及调控单元212。
所述供电电压产生单元211连接于所述结型场效应晶体管JFET21的源端和模拟地之间，同时连接于所述调控单元212的输出端，用于在调控信号dis21有效且所述供电电容C21两端电压小于所述结型场效应晶体管JFET21的漏端电压时，通过所述输入电压Vin对所述供电电容C21进行充电来产生所述供电电压VCC。
具体的，所述供电电压产生单元211包括第一NMOS管N21、第一二极管D21及所述供电电容C21；其中，所述第一NMOS管N21的漏端连接于所述结型场效应晶体管JFET21的源端，栅端连接于所述调控单元212的输出端，源端连接于所述第一二极管D21的正极，所述第一二级管D21的负极通过所述供电电容C21接模拟地。
本实施例中，当所述调控信号dis21有效(即所述调控信号dis21为低电平)且所述供电电容C21两端电压小于所述结型场效应晶体管JFET21的漏端电压时，所述第二NMOS管N22关断，所述第一NMOS管N21导通，所述结型场效应晶体管JFET21通过所述第一NMOS管N21及所述第一二级管D21给所述供电电容C21充电，使得所述供电电容C21的储能作为供电电压VCC给系统中的其它模块供电；当所述调控信号dis21有效(即所述调控信号dis21为低电平)且所述供电电容C21两端电压大于所述结型场效应管JFET21的漏端电压时，所述第二NMOS管N22关断，而由于所述第一二级管D21以串联方式连接于所述第一NMOS管N21和所述供电电容C21之间且反向截止，因此，所述结型场效应晶体管JFET21不会对所述供电电容C21充电；当所述调控信号dis21无效(即所述调控信号dis21为高电平)时，所述第二NMOS管N22导通，所述第一NMOS管N21的栅极电压被下拉到0，因此，所述第一NMOS管N21关断，所述结型场效应晶体管JFET21停止对所述供电电容C21充电。
所述调控单元212连接于所述结型场效应晶体管JFET21的源端和模拟地之间，用于比较所述供电电压VCC和所述第一参考电压VR21，并通过对比较结果和协控信号dis22进行逻辑运算来产生所述调控信号dis21；其中，所述协控信号dis22为所述控制信号dis23的反相信号。
具体的，所述调控单元212包括第一比较器COMP21、一与门AND21、第二NMOS管N22及第一电阻R21；其中，所述第一比较器COMP21的正相输入端接收所述供电电压VCC，反相输入端接收所述第一参考电压VR21，输出端连接于所述与门AND21的第一输入端；所述与门AND21的第二输入端接收所述协控信号dis22，输出端连接于所述第二NMOS管N22的栅端；所述第二NMOS管N22的漏端通过所述第一电阻R21连接于所述结型场效应晶体管JFET21的源端，并作为所述调控单元212的输出端，源端接模拟地。
本实施例中，所述第一比较器COMP21为迟滞比较器，用于比较所述供电电压VCC的电压值与所述第一参考电压VR21的电压值，并输出第一比较信号dis24。当所述供电电压VCC电压值小于所述第一参考电压VR21的电压值时，所述第一比较器COMP21输出的第一比较信号dis24为低电平，低电平的所述第一比较信号dis24与所述协控信号dis21经过逻辑与运算，产生低电平的所述调控信号dis21，从而使得所述第二NMOS管N22关断，所述第一NMOS管N21的栅极电压被所述第一电阻R21上拉，进而使得所述第一NMOS管N21导通，所述结型场效应晶体管JFET21对所述供电电容C21充电。
当所述供电电压VCC的电压值大于所述第一参考电压VR21的电压值时，所述第一比较器COMP21输出的第一比较信号dis24为高电平，此时，若所述协控信号dis22为高电平，所述调控信号dis21为高电平，所述第二NMOS管N22导通，所述第一NMOS管N21的栅极电压被下拉到0，使得所述第一NMOS管N21关断，因此，所述结型场效应管JFET21停止对所述供电电容C21充电；若所述协控信号dis22为低电平，所述调控信号dis21为低电平，所述第二NMOS管N22关断，而由于此时所述供电电压VCC的电压大于所述第一参考电压VR21的电压且所述场效应晶体管JFET21的漏端电压小于所述供电电压VCC的电压，因此，所述结型场效应晶体管JFET21不会对所述供电电容C21充电。而且，由于所述第二NMOS管N22关断，所述结型场效应晶体管JFET21的源端不会经过所述第一电阻R21和第二NMOS管N22连接到模拟地，从而避免对所述降压模块22的工作产生影响。
所述降压模块22连接于所述输入电压Vin和数字地之间，同时连接于所述结型场效应晶体管JFET21的源端，用于通过所述输入电压Vin对电感L21进行充电来产生负载电压VL，并根据所述负载电压VL的大小调节控制信号dis23的占空比，以此对所述电感L21进行充电控制；及基于所述结型场效应晶体管JFET21和NMOS管采样电感电流，并在采样电压VCS2大于第二参考电压VR22时基于所述控制信号dis23关闭电感电流充电通路。
具体的，所述降压模块22包括负载电压产生单元221、电感电流采样单元222、负载电压采样单元223及占空比控制单元224。
所述负载电压产生单元221连接于所述输入电压Vin和数字地之间，同时连接于所述占空比控制单元224的输出端，用于在所述控制信号dis23有效时，通过所述输入电压Vin对电感L21进行充电来产生所述负载电压VL。
具体的，所述负载电压产生单元221包括NMOS功率管N20、第二二极管D22、一电感L21及负载电阻R22；其中，所述NMOS功率管N20的漏端接入所述输入电压Vin，栅端接收所述控制信号dis23，源端连接于所述电感L21的一端及所述第二二极管D22的负极；所述电感L21的另一端通过所述负载电阻R22接数字地，所述第二二极管D22的正极接数字地。
本实施例中，所述NMOS功率管N20为高压功率管，其漏端击穿电压较高(60V～2000V)。当所述占空比控制单元224输出的控制信号dis23为高电平时，所述NMOS功率管N20导通，所述输入电压Vin正极输出的电流经过所述NMOS功率管N20、所述电感L21及所述负载电阻R22到达所述输入电压Vin的负极，也即是在所述NMOS功率管N20导通时所述负载电压产生单元221产生电感电流，因此，所述负载电阻R22产生负载电压VL；当所述控制信号dis23为低电平时，所述NMOS功率管N20关断。本实施例中，所述第二二极管D22在所述NMOS功率管N20导通时反向截止，在所述NMOS功率管N20关断时正向导通。
具体的，所述负载电压产生单元221还包括负载电容C22，并联于所述负载电阻R22的两端。本实施例中，为了使所述负载电阻R22产生的所述负载电压VL保持稳定，所述负载电阻R22的两端并联一负载电容C22。
所述电感电流采样单元222连接于所述结型场效应晶体管JFET21的源端和模拟地之间，用于在所述控制信号dis23有效时，基于所述结型场效应晶体管JFET21和NMOS管采样所述电感电流并产生所述采样电压VCS2，及比较所述采样电压VCS2和第二参考电压VR22，并在所述采样电压VCS2大于所述第二参考电压VR22时产生关断信号。
具体的，所述电感电流采样单元222包括第三NMOS管N23、第四NMOS管N24、一反相器INV21及第二比较器COMP22；其中，所述第三NMOS管N23的栅端连接于所述NMOS功率管N23的栅端，并连接于所述反相器INV21的输入端，漏端连接于所述结型场效应晶体管JFET21的源端，源端连接于所述第四NMOS管N24的漏端；所述第四NMOS管N24的源端接模拟地，栅端连接于所述反相器INV21的输出端；所述第二比较器COMP22的正相输入端连接于所述第三NMOS管N23的源端，反相输入端接收所述第二参考电压VR22，输出端连接于所述占空比控制单元224的输入端。
本实施例中，在所述NMOS功率管N20导通时，所述控制信号dis23为高电平，所述协控信号dis22为低电平，因此，所述第三NMOS管N23导通，所述第四NMOS管N24关断，又由于所述结型场效应晶体管JFET21维持导通状态，因此，所述电感电流采样单元222进行采样产生的所述采样电压VCS2的电压值与所述NMOS功率管N20的漏端电压值相等，其值为：VCS2＝IL*RON，其中，IL为通过所述电感L21的电流，RON为所述NMOS功率管N20的导通电阻。
所述第二比较器COMP22比较所述采样电压VCS2和所述第二参考电压VR22，并产生第二比较信号；当所述电感电流增大到使得所述第二比较器COMP22由低电平变为高电平时，所述占空比控制单元224输出的控制信号dis23由高电平变为低电平，从而关断所述NMOS功率管N20，此时，所述协控信号dis22为高电平，从而使得所述第三NMOS管N23关断，所述第四NMOS管N24导通，所述采样电压VCS2被所述第四NMOS管N24下拉到0。然后，所述NMOS功率管N20等待所述占空比控制单元224输出高电平的所述控制信号dis23，使得所述NMOS功率管开启。而且，由于所述结型场效应晶体管JFET21的阈值电压为负值，当其源端电压上升到一定值时，所述结型场效应晶体管JFET21就会关断，因此，不会有高压信号进入到所述电感电流采样单元222，从而使得所述电感电流采样单元222可采用低压器件，以便于集成。
所述负载电压采样单元223连接于所述电感L21和所述占空比控制单元224之间，用于采样所述负载电压VL并产生负载采样电压。
本实施例中，所述负载电压采样单元223在所述NMOS功率管N20关断时，对所述负载电压VL进行采样并产生负载采样电压，并将所述负载采样电压传输至所述占空比控制单元224，以此来检测所述负载电压VL是否达到预设电压(负载电压VL所要求达到的电压)。
所述占空比控制单元224连接于所述电感电流采样单元222的输出端和所述负载电压采样单元224的输出端，用于根据所述负载采样电压的大小和所述关断信号调节所述控制信号dis23的占空比。
本实施例中，所述占空比控制单元224接收所述负载采样电压，并将所述负载采样电压与预设电压(负载电压VL所要求达到的电压)进行比较，根据比较结果调节所述控制信号dis23的占空比，使得所述负载电压VL达到预设电压。所述占空比调节单元224接收所述第二比较信号，并在所述第二比较信号为高电平时，产生关断信号，也即是所述占空比控制单元224产生的所述控制信号dis23由高电平变为低电平，使得所述NMOS功率管N20关断。所述占空比控制单元224通过输出控制信号dis23，使得所述NMOS功率管N20实现周期性的导通和关断，从而使得所述负载电压VL达到所要的电压值。
综上所述，本发明DC-DC降压电路的结构简单，通过采用结型场效应管和NMOS管替换现有的采样电阻进行电感电流采样，节省了采样电阻，而且，由于结型场效应管及NMOS管能够集成在芯片内部，因此，本发明DC-DC降压电路能够节省器件成本及生产成本。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种DC-DC降压电路，其特征在于，所述DC-DC降压电路包括：结型场效应晶体管、供电模块及降压模块；
所述结型场效应晶体管的栅端接模拟地，漏端接入输入电压；
所述供电模块连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间，用于通过输入电压对供电电容进行充电来产生供电电压，及根据所述供电电压与第一参考电压的比较结果对所述供电电容进行充电控制；
所述降压模块连接于所述输入电压和数字地之间，同时连接于所述结型场效应晶体管的源端，用于通过所述输入电压对电感进行充电来产生负载电压，并根据所述负载电压的大小调节控制信号的占空比，以此对所述电感进行充电控制；及基于所述结型场效应晶体管和NMOS管采样电感电流，并在采样电压大于第二参考电压时基于所述控制信号关闭电感电流充电通路。
2.根据权利要求1所述的DC-DC降压电路，其特征在于，所述供电模块包括供电电压产生单元及调控单元；
所述供电电压产生单元连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间，同时连接于所述调控单元的输出端，用于在调控信号有效且所述供电电容两端电压小于所述结型场效应晶体管的漏端电压时，通过所述输入电压对所述供电电容进行充电来产生所述供电电压；
所述调控单元连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间，用于比较所述供电电压和所述第一参考电压，并通过对比较结果和协控信号进行逻辑运算来产生所述调控信号；其中，所述协控信号为所述控制信号的反相信号。
3.根据权利要求2所述的DC-DC降压电路，其特征在于，所述供电电压产生单元包括第一NMOS管、第一二极管及所述供电电容；其中，所述第一NMOS管的漏端连接于所述结型场效应晶体管的源端，栅端连接于所述调控单元的输出端，源端连接于所述第一二极管的正极，所述第一二级管的负极通过所述供电电容接模拟地。
4.根据权利要求2所述的DC-DC降压电路，其特征在于，所述调控单元包括第一比较器、一与门、第二NMOS管及第一电阻；其中，所述第一比较器的正相输入端接收所述供电电压，反相输入端接收所述第一参考电压，输出端连接于所述与门的第一输入端；所述与门的第二输入端接收所述协控信号，输出端连接于所述第二NMOS管的栅端；所述第二NMOS管的漏端通过所述第一电阻连接于所述结型场效应晶体管的源端，并作为所述调控单元的输出端，源端接模拟地。
5.根据权利要求1所述的DC-DC降压电路，其特征在于，所述降压模块包括负载电压产生单元、电感电流采样单元、负载电压采样单元及占空比控制单元；
所述负载电压产生单元连接于所述输入电压和数字地之间，同时连接于所述占空比控制单元的输出端，用于在所述控制信号有效时，通过所述输入电压对所述电感进行充电来产生所述负载电压；
所述电感电流采样单元连接于所述结型场效应晶体管的源端和模拟地之间，用于在所述控制信号有效时，基于所述结型场效应晶体管和NMOS管采样所述电感电流并产生所述采样电压，及比较所述采样电压和所述第二参考电压，并在所述采样电压大于所述第二参考电压时产生关断信号；
所述负载电压采样单元连接于所述电感和所述占空比控制单元之间，用于采样所述负载电压并产生负载采样电压；
所述占空比控制单元连接于所述电感电流采样单元的输出端和所述负载电压采样单元的输出端，用于根据所述负载采样电压的大小和所述关断信号调节所述控制信号的占空比。
6.根据权利要求5所述的DC-DC降压电路，其特征在于，所述负载电压产生单元包括NMOS功率管、第二二极管、一电感及负载电阻；其中，所述NMOS功率管的漏端接入所述输入电压，栅端接收所述控制信号，源端连接于所述电感的一端及所述第二二极管的负极；所述电感的另一端通过所述负载电阻接数字地，所述第二二极管的正极接数字地。
7.根据权利要求6所述的DC-DC降压电路，其特征在于，所述负载电压产生单元还包括负载电容，并联于所述负载电阻的两端。
8.根据权利要求5所述的DC-DC降压电压，其特征在于，所述电感电流采样单元包括第三NMOS管、第四NMOS管、一反相器及第二比较器；其中，所述第三NMOS管的栅端连接于所述NMOS功率管的栅端，并连接于所述反相器的输入端，漏端连接于所述结型场效应晶体管的源端，源端连接于所述第四NMOS管的漏端；所述第四NMOS管的源端接模拟地，栅端连接于所述反相器的输出端；所述第二比较器的正相输入端连接于所述第三NMOS管的源端，反相输入端接收所述第二参考电压，输出端连接于所述占空比控制单元的输入端。
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